JPS617624A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPS617624A JPS617624A JP59128924A JP12892484A JPS617624A JP S617624 A JPS617624 A JP S617624A JP 59128924 A JP59128924 A JP 59128924A JP 12892484 A JP12892484 A JP 12892484A JP S617624 A JPS617624 A JP S617624A
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- film
- moved
- semiconductor layer
- driving part
- polyimide film
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/107—Continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes or multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アモルファス半導体層の形成方法に係り、特
に大面積領域にアモルファス半導体層を形成するための
方法に関する。
に大面積領域にアモルファス半導体層を形成するための
方法に関する。
ファクシミリ等の情報入力部あるいは複写機等に右ける
原稿読み取り装置においては、装置自体の小型化への要
望に応えるものとして、原稿と同一幅のセンサ部を有す
る長尺読み取り素子を用いた密着型イメージセンサを用
いたものがある。密着型イメージセンサは縮小光学系を
必要させず、周辺機構が単純化されることから、幅広い
利用が注目されている。
原稿読み取り装置においては、装置自体の小型化への要
望に応えるものとして、原稿と同一幅のセンサ部を有す
る長尺読み取り素子を用いた密着型イメージセンサを用
いたものがある。密着型イメージセンサは縮小光学系を
必要させず、周辺機構が単純化されることから、幅広い
利用が注目されている。
この密着型イメージセンサとしては、通常、第１３図に
示す如く、ガラス基板１上に所望の形状に分割形成され
たクロム等の金属薄膜からなる下部電極２と、この下部
電極上に順次積層せしめられたアモルファス水素化シリ
コン薄膜等からなる光導電体層３と酸化インジウム錫薄
膜等からなる透光性の上部電極４とから形成されるサン
ドイッチ型の光電変換素子部りと該光電変換素子部を駆
動するための駆動回路部りとから構成されたものが用い
られている。
示す如く、ガラス基板１上に所望の形状に分割形成され
たクロム等の金属薄膜からなる下部電極２と、この下部
電極上に順次積層せしめられたアモルファス水素化シリ
コン薄膜等からなる光導電体層３と酸化インジウム錫薄
膜等からなる透光性の上部電極４とから形成されるサン
ドイッチ型の光電変換素子部りと該光電変換素子部を駆
動するための駆動回路部りとから構成されたものが用い
られている。
密着型イメージセンサでは、縮小光学系を用いないため
、との光電変換部の幅は、該イメージセンサが読み取る
べき原稿と同一幅かあるいはそれ以上でなければならな
い。従って、例えば、日本工業規格Ｂ列５番のサイズの
原稿の読み取りに際しては２１０ ｍ 、同規格Ａ列５
番のサイズの原稿の読み取りに際しては２５６闘程度の
長尺読み取り素子が必要とされる。そして、これらの素
子には、夫々、１７２８ビツト、２０４８ビツトのサン
ドイッチ型光電変換素子が一列に作り込まれておりこれ
らの素子内における各ビットは、正確な読みとりを可能
にするためには同一の特性をもつように形成されなけれ
ばならない。
、との光電変換部の幅は、該イメージセンサが読み取る
べき原稿と同一幅かあるいはそれ以上でなければならな
い。従って、例えば、日本工業規格Ｂ列５番のサイズの
原稿の読み取りに際しては２１０ ｍ 、同規格Ａ列５
番のサイズの原稿の読み取りに際しては２５６闘程度の
長尺読み取り素子が必要とされる。そして、これらの素
子には、夫々、１７２８ビツト、２０４８ビツトのサン
ドイッチ型光電変換素子が一列に作り込まれておりこれ
らの素子内における各ビットは、正確な読みとりを可能
にするためには同一の特性をもつように形成されなけれ
ばならない。
通常、長尺読み取り素子は、セラミック、ガラス、プラ
スチック等の非可撓性の絶縁基板１上に、蒸着法等によ
ってクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）
等の金属薄膜を形成した後、フォトリソエツチング法に
より、所望の形状にパターニングする下部電極形成工程
と、次いで、グロー放電法により、アモルファス水素化
シリコ７層（ａ−８ｉ：Ｈ）等の光導電体層を堆積する
光導電体層形成工程と、更に、スパッタリング法等によ
り酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ）等の透光性電極を形成
する透光性電極形成工程等を経て完成するわけであるが
、ビット毎に均一な特性をもつ素子を形成するためには
、前記各工程において形成される夫々の膜は、基板全体
にわたって均一でなければならない。また、完成された
イメージセンサについては、１ビツトの欠陥に対しても
、基板一枚全てが不良ということになり、製造時の歩留
りが低下するため、各層の形成については十分な配慮が
払われなければならない。
スチック等の非可撓性の絶縁基板１上に、蒸着法等によ
ってクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）
等の金属薄膜を形成した後、フォトリソエツチング法に
より、所望の形状にパターニングする下部電極形成工程
と、次いで、グロー放電法により、アモルファス水素化
シリコ７層（ａ−８ｉ：Ｈ）等の光導電体層を堆積する
光導電体層形成工程と、更に、スパッタリング法等によ
り酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ）等の透光性電極を形成
する透光性電極形成工程等を経て完成するわけであるが
、ビット毎に均一な特性をもつ素子を形成するためには
、前記各工程において形成される夫々の膜は、基板全体
にわたって均一でなければならない。また、完成された
イメージセンサについては、１ビツトの欠陥に対しても
、基板一枚全てが不良ということになり、製造時の歩留
りが低下するため、各層の形成については十分な配慮が
払われなければならない。
しかしながら、このような密着型イメージセンサの製造
にあたっては基板のサイズが大きくなるにつれ、均一な
膜の形成を行うには、製造装置が大型化してしまい、特
に、光導電体層としてのアモルファス半導体層の着膜に
際しては、グロー放電において用いられる平行平板型電
極の端部等では、発生するガスプラズマの流れが不均一
となり、均一な膜の形成は不可能であるため、さらに大
型の装置が必要となる。従って、日本工業規格８列４番
サイズの原稿の読み取りを可能とするような幅２８０間
以上の長尺読み取り素子を用いた密着型イメージセンサ
の形成は製造装置の許容限界を越えるものであり、不可
能であった。
にあたっては基板のサイズが大きくなるにつれ、均一な
膜の形成を行うには、製造装置が大型化してしまい、特
に、光導電体層としてのアモルファス半導体層の着膜に
際しては、グロー放電において用いられる平行平板型電
極の端部等では、発生するガスプラズマの流れが不均一
となり、均一な膜の形成は不可能であるため、さらに大
型の装置が必要となる。従って、日本工業規格８列４番
サイズの原稿の読み取りを可能とするような幅２８０間
以上の長尺読み取り素子を用いた密着型イメージセンサ
の形成は製造装置の許容限界を越えるものであり、不可
能であった。
本発明は、これらの問題を解決すべくなされたもので、
アモルファス半導体層を大面積にわたって均一に成膜し
ようとするものである。
アモルファス半導体層を大面積にわたって均一に成膜し
ようとするものである。
そこで、本発明では、基板として可撓性フィルムを使用
し、該フィルムを移動させながらアモルファス半導体層
を連続的に着膜するようにしている。
し、該フィルムを移動させながらアモルファス半導体層
を連続的に着膜するようにしている。
すなわち、本発明では、アモルファス半導体層は、非晶
質であるため、比較的弾力性に富みクラックを生じさせ
ることなく基板をロール化できる点に着目し、アモルフ
ァス半導体層形成装置の膜形成空間を、基板としての可
撓性フィルムを通過させることにより、広面積の領域に
連続的に作業性良く均一なアモルファス半導体層を着膜
することができる。従って製造装置の小型化をはかるこ
とができる。
質であるため、比較的弾力性に富みクラックを生じさせ
ることなく基板をロール化できる点に着目し、アモルフ
ァス半導体層形成装置の膜形成空間を、基板としての可
撓性フィルムを通過させることにより、広面積の領域に
連続的に作業性良く均一なアモルファス半導体層を着膜
することができる。従って製造装置の小型化をはかるこ
とができる。
そして、本発明の方法を用いることにより、より長尺の
密着型イメージセンサの形成が可能となる。
密着型イメージセンサの形成が可能となる。
以下、本発明のアモルファス半導体層の形成方法を、図
面を参照しつつ、密着型イメージセンサの実施例に従っ
て説明する。
面を参照しつつ、密着型イメージセンサの実施例に従っ
て説明する。
この密着型イメージセンサは、第１図および第２図に示
す如く、支持台としての非可撓性かつ透光性のガラス基
板１１上１こ、ポリイミドフィルムからなる可撓性の絶
縁フィルム１２が被着され、この絶縁フィルム上に、所
望の形状に分割形成されたクロム薄膜からなる下部電極
１３と、アモルファス水素化シリコン層からなる光導電
体層１４と、酸化インジウム錫薄膜からなる透光性の上
部電極１５とが順次積層せしめられてなるサンドイッチ
型の光電変換部Ｌ′が構成されている。そしてこの光電
変換部Ｌ′は、該下部電極１３の引き出し線１６に接続
するように、前記ガラス基板１１上に異方性導電膜１７
を介して、同ガラス基板１１上に集積回路部として形成
された駆動回路部Ｄ′ζζ電気的に接続されている。（
なお、第２図は第１図のａ−ａ断面図である。） 次に、第１図に示した密着型イメージセンサの製造方法
について説明する。
す如く、支持台としての非可撓性かつ透光性のガラス基
板１１上１こ、ポリイミドフィルムからなる可撓性の絶
縁フィルム１２が被着され、この絶縁フィルム上に、所
望の形状に分割形成されたクロム薄膜からなる下部電極
１３と、アモルファス水素化シリコン層からなる光導電
体層１４と、酸化インジウム錫薄膜からなる透光性の上
部電極１５とが順次積層せしめられてなるサンドイッチ
型の光電変換部Ｌ′が構成されている。そしてこの光電
変換部Ｌ′は、該下部電極１３の引き出し線１６に接続
するように、前記ガラス基板１１上に異方性導電膜１７
を介して、同ガラス基板１１上に集積回路部として形成
された駆動回路部Ｄ′ζζ電気的に接続されている。（
なお、第２図は第１図のａ−ａ断面図である。） 次に、第１図に示した密着型イメージセンサの製造方法
について説明する。
なお、本実施例では、光電変換素子部Ｌ′の製造工程に
おいては、光導電体層１４としてのアモルファス水素化
シリコン層を形成するためのプラズマＣＶＤ装置をはじ
めとし、下部電極１３を形成するための蒸着装置および
パターン形成用の装置、上部電極１５を形成するための
スパッタリング装置等が必要とされるが、これらの装置
においては、第３図に示すように該絶縁フィルム１２を
連続的に走行させるための供給０−９ ｆｌ□および巻
き取りローラＲ２が、各装置のチャンバーＣの内あるい
は外に適宜配設されており、該絶縁フィルムの移送によ
り着膜あるいはパターン形成等の動作が連続的に行われ
るようになっている。
おいては、光導電体層１４としてのアモルファス水素化
シリコン層を形成するためのプラズマＣＶＤ装置をはじ
めとし、下部電極１３を形成するための蒸着装置および
パターン形成用の装置、上部電極１５を形成するための
スパッタリング装置等が必要とされるが、これらの装置
においては、第３図に示すように該絶縁フィルム１２を
連続的に走行させるための供給０−９ ｆｌ□および巻
き取りローラＲ２が、各装置のチャンバーＣの内あるい
は外に適宜配設されており、該絶縁フィルムの移送によ
り着膜あるいはパターン形成等の動作が連続的に行われ
るようになっている。
まず、可撓性の絶縁フィルム１２として厚さ１゜乃至１
００μｍのポリイミドフィルムを真空チャンバー内に配
設された該ロー２にセットし、真空チャンバー内を走行
させつつ、真空蒸着を行うことにより、該ポリイミドフ
ィルム上に１０００ 乃至５０００Ａのクロム薄膜を形
成した後、フォトリソエツチング法により該クロム薄膜
を所望のパターン形状に分割し、第４図に示す如く下部
電極１３を形成する。
００μｍのポリイミドフィルムを真空チャンバー内に配
設された該ロー２にセットし、真空チャンバー内を走行
させつつ、真空蒸着を行うことにより、該ポリイミドフ
ィルム上に１０００ 乃至５０００Ａのクロム薄膜を形
成した後、フォトリソエツチング法により該クロム薄膜
を所望のパターン形状に分割し、第４図に示す如く下部
電極１３を形成する。
次いで、該ポリイミドフィルムを第５図に示す如く、平
行平板型のプラズマＣＶＤ装置ｃｖ 電極Ｔ １ 。
行平板型のプラズマＣＶＤ装置ｃｖ 電極Ｔ １ 。
１２間を矢印Ａ方向に走行するように、ローラＲ１゜Ｒ
２にセットし、引き出し線１６となる部分に金属マスク
（図示せず）を載置し、反応ガスとしてシランガスをポ
リイミドの走行方向とは逆の方向Ｂに流しながら、両電
極間でグロー放電を行い、該引き出し線１６を除く領域
に膜厚０．１〜２μｍのアモルファス水素化シリコン層
を連続的に形成していく。（第６図）このときローラの
巻き取り速度は１ｃｒｒＬ／時間から１００ｃｍ／’時
間とし、着膜条件は、基板温度１５０〜３００ ’Ｏ、
シラン（ＳｉＨｎ）のガス流量１０〜ＩＱＱｓｃｃＭ、
放電パワー５〜５０Ｗとする。
２にセットし、引き出し線１６となる部分に金属マスク
（図示せず）を載置し、反応ガスとしてシランガスをポ
リイミドの走行方向とは逆の方向Ｂに流しながら、両電
極間でグロー放電を行い、該引き出し線１６を除く領域
に膜厚０．１〜２μｍのアモルファス水素化シリコン層
を連続的に形成していく。（第６図）このときローラの
巻き取り速度は１ｃｒｒＬ／時間から１００ｃｍ／’時
間とし、着膜条件は、基板温度１５０〜３００ ’Ｏ、
シラン（ＳｉＨｎ）のガス流量１０〜ＩＱＱｓｃｃＭ、
放電パワー５〜５０Ｗとする。
そして、このようにして形成された光導電体層としての
アモルファス水素化シリコン層上に、スパッタリング法
により、厚さ５００〜３０００Ａの酸化インジウム錫薄
膜からなる透光性の上部電極１５を形成する。（第７図
）このときも、クロム薄膜の形成時と同様にローラ間で
該ポリイミドフィルムを走行させながら連続的に着膜す
る。
アモルファス水素化シリコン層上に、スパッタリング法
により、厚さ５００〜３０００Ａの酸化インジウム錫薄
膜からなる透光性の上部電極１５を形成する。（第７図
）このときも、クロム薄膜の形成時と同様にローラ間で
該ポリイミドフィルムを走行させながら連続的に着膜す
る。
このようｌこして、サンドイッチ型の光電変換素子部が
形成されると、プローブ装置（図示せず）を用いて、該
ポリイミドフィルム上に形成された各ビットの動作チェ
ックを行い、不良ビットを検出する。そして、不良ビッ
トが切りしろ部にくるようにして、所望の長さに、切断
する。（第８図）一方、蒸着フォ） ＩＪソエッチング
工程等により支持台としての非可撓性かつ透光性のガラ
ス基板１１上に集積回路パターンを形成し、第９図に示
す如く、駆動回路部Ｄ′を形成する。
形成されると、プローブ装置（図示せず）を用いて、該
ポリイミドフィルム上に形成された各ビットの動作チェ
ックを行い、不良ビットを検出する。そして、不良ビッ
トが切りしろ部にくるようにして、所望の長さに、切断
する。（第８図）一方、蒸着フォ） ＩＪソエッチング
工程等により支持台としての非可撓性かつ透光性のガラ
ス基板１１上に集積回路パターンを形成し、第９図に示
す如く、駆動回路部Ｄ′を形成する。
そして、このガラス基板上に、所望の長さに切断され、
光電変換素子部としての素子形成のなされたポリイミド
フィルムを素子形成面が下にくるようにして異方性導電
膜エフを介して熱圧着法により被着することにより、下
部電極の引き出し線は異方性導電膜を介して駆動回路部
への電気的接続を達成し第１図に示したような密着型イ
メージセンサが完成する。ここで、上部電極と駆動回路
部との電気的接続は、異方性導電膜を使用するか又はワ
イヤボンディング法等によって行われる。
光電変換素子部としての素子形成のなされたポリイミド
フィルムを素子形成面が下にくるようにして異方性導電
膜エフを介して熱圧着法により被着することにより、下
部電極の引き出し線は異方性導電膜を介して駆動回路部
への電気的接続を達成し第１図に示したような密着型イ
メージセンサが完成する。ここで、上部電極と駆動回路
部との電気的接続は、異方性導電膜を使用するか又はワ
イヤボンディング法等によって行われる。
このようｌこして形成された密着型イメージセンサは、
従来不可能であった極めて長い領域への均一なアモルフ
ァスシリコン層の連続的形成が可能となることにより、
欠陥ビットが低減され、信頼性が大幅に向上する。また
、今まで不可能であった２８０朋以上の長尺読み取り素
子の形成も可能となる。更ｔζ、製造装置の小型化が可
能となる士、製造の作業性が向上する。
従来不可能であった極めて長い領域への均一なアモルフ
ァスシリコン層の連続的形成が可能となることにより、
欠陥ビットが低減され、信頼性が大幅に向上する。また
、今まで不可能であった２８０朋以上の長尺読み取り素
子の形成も可能となる。更ｔζ、製造装置の小型化が可
能となる士、製造の作業性が向上する。
加えて、欠陥ビットの発生を支持台への実装に先立ち、
チェックし、不良ビットを除いた部分を使用することが
できるため、製造歩留りも向上する。
チェックし、不良ビットを除いた部分を使用することが
できるため、製造歩留りも向上する。
なお、実施例に示したような実装方法の他、通常の如く
、駆動回路部の形成された非可撓性の基板上に、素子形
成面を上にして、前記ポリイミドフィルムを被着せしめ
、通常のワイヤボンディング法によって電気的接続を行
ってもよい。
、駆動回路部の形成された非可撓性の基板上に、素子形
成面を上にして、前記ポリイミドフィルムを被着せしめ
、通常のワイヤボンディング法によって電気的接続を行
ってもよい。
また、可撓性の絶縁フィルムの素子形成面側を支持台と
しての基板上に被着する方法も有効である。すなわち、
第１０図に示す如く、第２図に示した実施例における透
光性の上部電極１５と下部電極との構成材料を入れ代え
、透明なポリイミドフィルムからなる可撓性の絶縁フィ
ルム２２上に、透光性電極２３として所望の形状に分割
形成された酸化インジウム錫電極と、光導電体層２４と
してのアモルファス水素化シリコン層と、金属電極２５
としてのクロム電極とが順次積層せしめられてなる光電
変換部Ｌ“を、実施例の場合と同様に、駆動回路Ｄ′の
形成されたセラミック基板１１上に金属電極２５側の面
がくるようにして異方性導電膜１７′を介して熱圧着せ
しめ、第１１図に示す如く実装する方法も有効である。
しての基板上に被着する方法も有効である。すなわち、
第１０図に示す如く、第２図に示した実施例における透
光性の上部電極１５と下部電極との構成材料を入れ代え
、透明なポリイミドフィルムからなる可撓性の絶縁フィ
ルム２２上に、透光性電極２３として所望の形状に分割
形成された酸化インジウム錫電極と、光導電体層２４と
してのアモルファス水素化シリコン層と、金属電極２５
としてのクロム電極とが順次積層せしめられてなる光電
変換部Ｌ“を、実施例の場合と同様に、駆動回路Ｄ′の
形成されたセラミック基板１１上に金属電極２５側の面
がくるようにして異方性導電膜１７′を介して熱圧着せ
しめ、第１１図に示す如く実装する方法も有効である。
更に、光電変換素子部を構成する各層の材質およびそ゛
の形成方法については実施例に限定されるものではない
。
の形成方法については実施例に限定されるものではない
。
すなわち、絶縁フィルムとしてはポリイミドフィルムを
使用したが、可撓性の絶縁フィルムであれば他の材料を
使用することも可能である。
使用したが、可撓性の絶縁フィルムであれば他の材料を
使用することも可能である。
また、下部電極としての金属電極は、クロムの他、ニッ
ケル（Ｎｉ）、白金（ｐｔ）、アルミニウム（ＡＩり、
パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍ
Ｏ）、タンタル（Ｔａ ）等を使用してもよく、透光性
の上部電極としても酸化インジウム錫の他、酸化錫等で
もよい。
ケル（Ｎｉ）、白金（ｐｔ）、アルミニウム（ＡＩり、
パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍ
Ｏ）、タンタル（Ｔａ ）等を使用してもよく、透光性
の上部電極としても酸化インジウム錫の他、酸化錫等で
もよい。
更に、光導電体層としても、アモルファス水素化シリコ
ン層の他アモルファス水素化シリコンゲルマニウム層等
、他のアモルファス半導体層を使用しても良いことは言
う才でもない。
ン層の他アモルファス水素化シリコンゲルマニウム層等
、他のアモルファス半導体層を使用しても良いことは言
う才でもない。
そして、支持台としての基板も、ガラス、セラミックの
他、ステンレス等を用いてもよく、光電変換素子部の配
列についても引き出し線を交互に逆方向にとり出すよう
なくし形の配列にする等の方法も可能であり、実装方法
についても適宜選択可能である。
他、ステンレス等を用いてもよく、光電変換素子部の配
列についても引き出し線を交互に逆方向にとり出すよう
なくし形の配列にする等の方法も可能であり、実装方法
についても適宜選択可能である。
加えて、実施例においては、ポリイミドフィルム上に光
電変換素子部Ｌ′を形成するにあたり、−列に連続的に
形成し、切断するようにしたが、第１２図に示す如く、
複数列にわたり連続的に光電変換素子部Ｌ′を形成し、
点線に示す如く切断して使用してもよい。この場合、製
造の作業性が大幅に向上する。
電変換素子部Ｌ′を形成するにあたり、−列に連続的に
形成し、切断するようにしたが、第１２図に示す如く、
複数列にわたり連続的に光電変換素子部Ｌ′を形成し、
点線に示す如く切断して使用してもよい。この場合、製
造の作業性が大幅に向上する。
以上説明したように、本発明の方法では、アモルファス
半導体層を形成するにあたり、膜形成のための空間内に
可撓性の絶縁フィルムを走行させつつグロー放電を行い
、該絶縁フィルム上にアモルファス半導体層を連続的に
形成するようにしているため、大面積特に、長い領域ζ
こ均一なアモルファス半導体層を形成することが可能と
なる。また、形成に際しては、膜形成のための空間が小
さくてすむため製造装置の小型化をはかることができる
上、連続的に形成していくため、作業性が極めて良好で
ある。
半導体層を形成するにあたり、膜形成のための空間内に
可撓性の絶縁フィルムを走行させつつグロー放電を行い
、該絶縁フィルム上にアモルファス半導体層を連続的に
形成するようにしているため、大面積特に、長い領域ζ
こ均一なアモルファス半導体層を形成することが可能と
なる。また、形成に際しては、膜形成のための空間が小
さくてすむため製造装置の小型化をはかることができる
上、連続的に形成していくため、作業性が極めて良好で
ある。
更に、かかる方法を用いることにより、今まで不可能で
あった２８０闘以上（５００ｗ％−１０００飢飢）のセ
ンサ幅をもつ密着型イメージセンサの形成が可能となる
。従って、Ｂ列４番以上の原稿の読み取りが縮小光学系
を使用することなく行えるようになるため、極めて小型
で大きな原稿サイズを読み取ることのできる原稿読み取
り装置の提供が可能となる。
あった２８０闘以上（５００ｗ％−１０００飢飢）のセ
ンサ幅をもつ密着型イメージセンサの形成が可能となる
。従って、Ｂ列４番以上の原稿の読み取りが縮小光学系
を使用することなく行えるようになるため、極めて小型
で大きな原稿サイズを読み取ることのできる原稿読み取
り装置の提供が可能となる。
第１図は、本発明実施例のアモルファス半導体層の形成
方法によって製造された密着型イメージセンサを示す図
、第２図は第１図のａ−ａ断面図、第３図乃至第９図は
、第１図に示された密着型イメージセンサの製造工程を
示す図、第１０図および第１１図は本発明の他の実施例
の密着型イメージセンサの実施例を示す図、第１２図は
本発明の他の実施例の密着型イメージセンサの製造工程
の１部を示す図、第１３図は従来例の密着型イメージセ
ンサを示す図である。 １・・ガラス基板、２・・・下部電極、３・・・光導電
体層、４・・・上部電極、１１・・非可撓性のセラミッ
ク基板、１２・−可撓性の絶縁フィルム、１３・・・下
部電極、１４・・・光導電体層、１５・・・透光性の上
部電極、１６・・・引き出し線、１７．１７’・・・異
方性導ＭＭ、Ｒ１’ ｒ Ｒｚ・・・ローラ、Ｃ・・
・チャンバー、２２・・・可撓性の絶縁フィルム、２３
・・・透光性電極、２４・・・光導電体層、２５・・・
金属電極、Ｌ、Ｌ’、Ｌ″・・・光電変換部、Ｄ 、
Ｄ’・・駆動回路部。 第１図 第２図
方法によって製造された密着型イメージセンサを示す図
、第２図は第１図のａ−ａ断面図、第３図乃至第９図は
、第１図に示された密着型イメージセンサの製造工程を
示す図、第１０図および第１１図は本発明の他の実施例
の密着型イメージセンサの実施例を示す図、第１２図は
本発明の他の実施例の密着型イメージセンサの製造工程
の１部を示す図、第１３図は従来例の密着型イメージセ
ンサを示す図である。 １・・ガラス基板、２・・・下部電極、３・・・光導電
体層、４・・・上部電極、１１・・非可撓性のセラミッ
ク基板、１２・−可撓性の絶縁フィルム、１３・・・下
部電極、１４・・・光導電体層、１５・・・透光性の上
部電極、１６・・・引き出し線、１７．１７’・・・異
方性導ＭＭ、Ｒ１’ ｒ Ｒｚ・・・ローラ、Ｃ・・
・チャンバー、２２・・・可撓性の絶縁フィルム、２３
・・・透光性電極、２４・・・光導電体層、２５・・・
金属電極、Ｌ、Ｌ’、Ｌ″・・・光電変換部、Ｄ 、
Ｄ’・・駆動回路部。 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）所定のガス雰囲気中で可撓性の基板を走行させつ
つグロー放電を行い、該可撓性の基板上にアモルファス
半導体層を連続的に形成することを特徴とするアモルフ
ァス半導体層の形成方法。 - （２）前記可撓性の基板上に所望の形状のマスクを配設
し、複数列のアモルファス半導体層を連続的に形成する
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のアモ
ルファス半導体層の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128924A JPS617624A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 密着型イメージセンサ |
| US06/745,879 US4660277A (en) | 1984-06-22 | 1985-06-18 | Method for forming large area amorphous semiconductor layer and contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128924A JPS617624A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617624A true JPS617624A (ja) | 1986-01-14 |
| JPH0562471B2 JPH0562471B2 (ja) | 1993-09-08 |
Family
ID=14996745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59128924A Granted JPS617624A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4660277A (ja) |
| JP (1) | JPS617624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195553A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084399A (en) * | 1984-10-01 | 1992-01-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semi conductor device and process for fabrication of same |
| DE3626504C2 (de) * | 1985-08-07 | 1996-06-27 | Sharp Kk | Verfahren zur Herstellung eines linearen Bildsensors |
| DE3650362T2 (de) * | 1986-01-06 | 1996-01-25 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Atsugi, Kanagawa | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung mit hoher Ansprechgeschwindigkeit und Herstellungsverfahren. |
| US5021888A (en) * | 1987-12-18 | 1991-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Miniaturized solid state imaging device |
| US5322811A (en) * | 1991-08-01 | 1994-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a recording head with integrally housed semiconductor functional elements |
| US6818500B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method of making a memory cell capacitor with Ta2O5 dielectric |
| CN100568541C (zh) * | 2007-01-23 | 2009-12-09 | 李毅 | 一种柔性太阳能电池及制造方法 |
| CN107621857A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种显示屏、电子设备及光强检测方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162423A (en) * | 1981-03-16 | 1982-10-06 | Atlantic Richfield Co | Continuously depositing device |
| JPS58182220A (ja) * | 1982-01-24 | 1983-10-25 | エナ−ジ−・コンバ−ション・デバイセス・インコ−ポレ−テッド | タンデムアモルファス光起電力セルを連続的に製造する為の方法及び装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133884A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-20 | Hitachi Ltd | Manufacture of photoelectric transducer |
| JPS56135979A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photosensing element |
| US4377723A (en) * | 1980-05-02 | 1983-03-22 | The University Of Delaware | High efficiency thin-film multiple-gap photovoltaic device |
| US4517733A (en) * | 1981-01-06 | 1985-05-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for fabricating thin film image pick-up element |
| US4479455A (en) * | 1983-03-14 | 1984-10-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Process gas introduction and channeling system to produce a profiled semiconductor layer |
| JPS59229862A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサの製造方法 |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59128924A patent/JPS617624A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-18 US US06/745,879 patent/US4660277A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162423A (en) * | 1981-03-16 | 1982-10-06 | Atlantic Richfield Co | Continuously depositing device |
| JPS58182220A (ja) * | 1982-01-24 | 1983-10-25 | エナ−ジ−・コンバ−ション・デバイセス・インコ−ポレ−テッド | タンデムアモルファス光起電力セルを連続的に製造する為の方法及び装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195553A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562471B2 (ja) | 1993-09-08 |
| US4660277A (en) | 1987-04-28 |
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