JPH06163583A

JPH06163583A - 薄膜トランジスタアレイの製造方法

Info

Publication number: JPH06163583A
Application number: JP30553692A
Authority: JP
Inventors: Yukihisa Kusuda; 幸久楠田; Kenjiro Hamanaka; 賢二郎浜中
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1992-11-16
Filing date: 1992-11-16
Publication date: 1994-06-10

Abstract

(57)【要約】【目的】製造工程及び大面積化が容易であり、段差の
無い薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供する。【構成】第１の製造方法は、絶縁基板表面を後工程で
金属材料を埋設する箇所に沿ってエッチング除去し、次
いで前記絶縁基板上に金属材料を成膜し、さらに前記絶
縁基板表面を研磨して前記エッチング除去された箇所以
外の金属材料を除去するものである。第２の製造方法
は、絶縁基板上に金属材料を成膜し、次いで前記金属材
料により配線パターンを形成し、さらに前記絶縁基板上
に絶縁膜を成膜した後、前記絶縁基板表面を研磨して配
線パターン上の絶縁膜を除去するとともに絶縁膜表面を
平滑化するものである。第３の製造方法は、絶縁基板表
面を後工程で配線材料を埋設する箇所に沿ってエッチン
グ除去し、次いでエッチング除去された箇所に針金状の
金属材料を配置固定した後、絶縁基板上に絶縁膜を成膜
し、さらに前記絶縁基板を研磨して配線パターン上の絶
縁膜を除去するとともに絶縁膜表面を平滑化するもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタアレ
イの性能向上に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス駆動液晶ディス
プレイは、表示品位が高いことから液晶ディスプレイの
本流となりつつある。しかしながら、従来の駆動液晶デ
ィスプレイにおいては、大面積かつ大容量の表示を行う
ためにさまざまな問題があった。

【０００３】図９に、従来の液晶ディスプレイに使用さ
れる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面構造を示す。同
図において、１はガラス基板、３２はゲート電極、３３
はゲート絶縁膜、３４は画素電極そして３５は非晶質シ
リコン層である。また、３８は前記画素電極３４に接続
されるドレイン電極であり、３６は非晶質シリコン３５
とドレイン電極３８とのオーミック接触を取るためのｎ
型非晶質シリコン層である。さらに、３９は外部から画
像信号を送り込むソース電極であり、ｎ型非晶質シリコ
ン層３７を介して非晶質シリコン層３５に接続される。
また、ソース電極３９は電極４０に接続される。この電
極４０は、各画素のＴＦＴへ画像信号を給電する配線で
ある。

【０００４】図１０にＴＦＴアレイの平面図を示す。同
図において、４１はゲート選択線である。前記ゲート選
択線４１は、図９のゲート電極３２と電気的に接続され
ており、該ゲート電極３２とゲート選択線４１は同一材
料からなる金属薄膜で形成されている。なお、４２はＴ
ＦＴを示している。

【０００５】また、図１０のＴＦＴアレイを動作させる
には、ゲート選択線４１に選択電圧を印加し、この印加
により一本のゲート選択線４１に接続された全てのＴＦ
Ｔ４２がオン状態となる。このタイミングで電極４０に
画像信号電圧を印加すると、電圧が画素電極３４に書き
込まれる。次のタイミングにて隣接するゲート選択線４
１に選択電圧が印加されると、同様に画像信号電圧がＴ
ＦＴに接続された画素電極３４に書き込まれる。これら
を繰り返すことにより、ＴＦＴアレイの上に形成された
液晶の配向を制御して画像の表示ができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶デ
ィスプレイの表示容量が大きくなるにつれてさまざまな
問題が発生してきた。これらの問題は以下に要約され
る。

【０００７】（１）すなわち、表示容量が大きくなると
必然的に一画素に割り当てられる面積が小さくなる。こ
れに対し、ＴＦＴ４２、ゲート選択線４１、画像給電線
の占める面積は余り小さくできないことから、開口率
（全体の面積に占める表示可能な面積の割合）が小さく
なる。従って、照明光の利用効率が減少し、表示画像が
暗くなってしまう。

【０００８】（２）また、開口率向上のためゲート選択
線４１の幅を狭くすると、ゲート選択線４１の抵抗値が
上昇し、寄生容量との関係からゲート選択線４１の応答
速度が低下してしまう。従って、ＴＦＴ４２のゲートに
かかる電圧が不十分となり、画像信号の画素電極書き込
みが不十分となる。この現象は、大面積大容量表示で特
に問題となる。この問題を解決するための方法として、
配線薄膜の膜厚を厚くすることが考えられる。しかしな
がら、膜厚を厚くすると図９に示すゲート電極３２の膜
厚が厚くなり段差が大きくなってしまう。このため、段
差部で短絡を誘発しＴＦＴの製造工程上問題となる。

【０００９】ところで、従来のＴＦＴアレイにおいて、
ゲート電極としてＴａ金属材料を用いた場合、その膜厚
は通常０．３μｍ、幅１０μｍ程度である。また、Ｔａ
自体の電気抵抗率は１２μΩ／ｃｍ、すなわち０．４Ω
／□であるから、配線抵抗は４０Ω／ｍｍ程度である。

【００１０】従来の一辺３０ｃｍ程度の大型液晶ディス
プレイにおいて、基板終端までの抵抗値は１２ＫΩ程度
である。この抵抗値で１０００ｐＦの寄生容量を駆動す
ることを考えた場合、ＲＣ時定数は１２μｓである。従
って、ＲＣ時定数のみで立ち上がり、立ち下がりを含め
て２４μｓを必要とする。一方、テレビジョン方式から
１ライン当たり３０μｓ以下で書き込みを終了させねば
ならない。画像データの完全な書き込みには、少なくと
もＲＣ時定数の２〜３倍以上の時間、即ち７５μｓ程度
の時間が必要である。従って、ゲート電極３２の給電点
の近傍では十分なデータ書き込みが可能であっても、ゲ
ート電極３２の終端近傍においてはデータ書き込みが不
十分となり、この結果、画像品質を低下させていた。

【００１１】本発明は、かかる従来の問題点を解決する
ためになされたものであって、製造工程及び大面積化が
容易であり、大面積大容量表示が可能でしかも段差の無
いＴＦＴアレイの製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
の製造方法は、まず絶縁基板表面をエッチング除去して
金属材料の埋設部を形成し、次いで該金属材料の埋設部
を含む絶縁基板の表面全体に金属材料を成膜し、さらに
該絶縁基板表面を研磨して該金属材料の埋設部のみに金
属材料を残存させるとともに該絶縁基板表面を平滑化
し、そして該絶縁基板上にＴＦＴを形成することにより
達成される。

【００１３】また、本発明の第２の製造方法は、絶縁基
板の表面に金属材料を成膜し、この金属材料により配線
パターンを形成し、次いで該パターニングされた絶縁基
板の表面全体に絶縁膜を成膜し、さらに該絶縁基板を研
磨して該配線パターン上の絶縁膜を除去するとともに該
絶縁膜表面を平滑化し、そして該絶縁基板上にＴＦＴを
形成することにより達成される。

【００１４】さらに、本発明の第３の製造方法は、まず
絶縁基板表面をエッチング除去して金属材料の埋設部を
形成し、次いで該金属材料の埋設部に針金状の材料を配
置固定し、続いて該埋設部を含む絶縁基板の表面全体に
絶縁材料を成膜し、さらに前記絶縁材料の成膜された絶
縁基板の表面を研磨して該金属材料上の絶縁膜を除去す
るとともに該絶縁膜表面を平滑化し、そして該絶縁基板
上にＴＦＴを形成することにより達成することができ
る。

【００１５】以下、本発明をさらに詳細に説明する。図
１は、本発明のＴＦＴの断面構造を示す図である。ま
た、図２は本発明の金属配線となる金属材料が埋設され
た絶縁基板の斜視概略図である。図２において、ＴＦＴ
ゲート電極として機能する箇所２ａは太幅に構成されて
おり、またゲート配線として機能する箇所２ｂは開口率
向上のため細幅に構成されている。

【００１６】図１において、１は絶縁基板の一例として
のガラス基板であって、２は該ガラス基板１内に埋設さ
れて表面部分が該ガラス基板１と面一に形成された金属
配線である。前記ガラス基板１としては、ソーダライム
ガラス、石英ガラス、ほう珪酸ガラス等を用いることが
できる。また、金属配線２としては、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｒ
またはＣｕ等の金属材料を用いることができる。

【００１７】金属配線２として、例えばＴａを幅１０μ
ｍで、かつ、ガラス基板１の表面から１０μｍ深さに矩
形に埋設した場合の配線抵抗は、Ｔａ自体の電気抵抗率
が１２μΩｃｍであることから、約１．２Ω／ｍｍとな
る。従来の方法では、Ｔａの配線抵抗は４０Ω／ｍｍで
あるから、本発明のガラス基板１面内への金属配線２の
埋設により、配線抵抗を従来構造に比較して約１／３０
に低減することができる。また、前記金属配線２の線幅
を細幅とすれば表面積が増加するため、開口率をさらに
向上させることが可能である。

【００１８】ガラス基板１表面のＴＦＴ２５の構造は、
図９に示す従来のＴＦＴ４２の構造とほぼ同様である。
すなわち、ガラス基板１上にゲート絶縁膜３が形成さ
れ、該ゲート絶縁膜３上の一部に画素電極４及び非晶質
シリコン層５が形成され、該非晶質シリコン層５上には
該非晶質シリコン層５とドレイン電極８とのオーミック
接触を取るためのｎ型非晶質シリコン層６が形成されて
いる。また、９は外部から画像信号を送り込むソース電
極であり、ｎ型非晶質シリコン層７を介して非晶質シリ
コン層５に接続されている。

【００１９】次に、本発明の製造方法について述べる。
まず、第１の製造方法として、ガラス基板１上に金属膜
を成膜し、フォトリソグラフィー法により金属配線２を
形成する部分の上の金属膜を除去した窓を形成する。続
いて、前記ガラス基板１表面をエッチング処理し、１〜
１０μｍの範囲で溝を形成させる。該エッチング処理方
法として、ＨＦを主成分とするウエットエッチング法、
あるいはＣＦ₄を主成分としたエッチングガスによる反
応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）のいづれかの方法
を採用することができる。なお、前記ウエットエッチン
グ法は処理工程が簡易でコストメリットを有するが、そ
の反面エッチングが半球状に進行するため、最終的にエ
ッチング深さの倍の幅が必要となり、微細パターンを形
成させることが難しい。

【００２０】この後、前記エッチング処理の施されたガ
ラス基板１面上にＴＦＴアレイのゲート配線となる金属
膜１０を成膜する。成膜法として、電解めっき法、スパ
ッタ法、蒸着法、あるいはＣＶＤ法等を用いることがで
きる。また、成膜される金属膜１０は前述のＴａ、Ａ
ｌ、ＣｒまたはＣｕ等の金属材料が用いられるが、金属
膜はその厚みが大きいため、高速で成膜できる方法を採
用することが望ましい。この点で、電解めっき法が優れ
ている。しかしながら、前記電解めっき方法はガラス基
板１との密着性が悪い。したがって、予めガラス基板１
との密着性の良好なスパッタ法を用いてガラス基板１上
に下地層２１を形成しておき、該下地層２１上に電解め
っき法を用いて金属膜１０を成膜することが望ましい。

【００２１】次に、前記ガラス基板１表面を研磨し、前
記ガラス基板１上の前記エッチング部分のみに金属膜１
０を残存させ、他の部分に形成された金属膜１０を除去
する。

【００２２】前述の工程を経て、ガラス基板１表面を金
属材料の埋設部分と共に平滑化する。さらに、前記工程
の後に前記金属膜１０表面を陽極酸化し、酸化膜２２を
形成させることもできる。前記陽極酸化膜２２は、ピン
ホールが少なく緻密な膜であるため、前記金属膜１０上
に陽極酸化膜２２を形成させることにより、ピンホール
等に伴う欠陥の低減に大きく寄与する。そしてこの後、
前記金属配線２を形成したガラス基板１面上にＴＦＴを
従来周知の方法により形成させる。

【００２３】次に、第２の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板１面上に金属膜１０を成膜する。成膜
される金属材料及び成膜法は上述の第１の製造方法と同
様に電解めっき法、スパッタ法、蒸着法またはＣＶＤ法
等を用いることができる。

【００２４】前記ガラス基板１上にフォトリソグラフィ
ー法でゲート電極配線パターンを形成する。さらに、前
述のウエットエッチング法あるいはＲＩＥ法を用いてゲ
ート配線パターンに沿ってエッチング除去し、金属配線
２を得る。

【００２５】この後、前記金属配線２の形成されたガラ
ス基板１表面に絶縁膜２４を成膜する。該絶縁膜２４と
しては透明なＳｉＯ₂膜が好ましいが、絶縁性を有する
材料膜であればこれに限定されない。また、成膜法は上
述と同様に電解めっき法、スパッタ法、蒸着法あるいは
ＣＶＤ法等を用いることができる。

【００２６】次に、前記絶縁膜２４の成膜されたガラス
基板１の表面を研磨して、金属配線２上の絶縁膜２４を
除去するとともに絶縁膜表面を平滑化する。この後、前
記ガラス基板１上にＴＦＴを形成させる。

【００２７】さらに、第３の製造方法について説明す
る。まず、ガラス基板１表面上に金属膜を成膜し、フォ
トリソグラフィー法で金属配線２を形成する部分の上の
膜を除去した窓を形成する。続いて、前記ガラス基板１
表面をエッチング処理し、１〜１０μｍの範囲で溝を形
成させる。

【００２８】さらに、エッチング処理後のガラス基板１
の溝にＴＦＴアレイとの電極接触を取るため金属配線２
を形成する。方法としては、金属材料として直径１〜１
０μｍ程度の針金、ワイヤー等が用いられる。この金属
材料上に絶縁膜２４を成膜する。次に、前記ガラス基板
１表面を研磨し、金属材料上の絶縁膜を除去するととも
に絶縁膜２４表面を平滑化する。この後、前記ガラス基
板１上にＴＦＴを形成させる。

【００２９】

【作用】本発明は、ＴＦＴに電極接触を取るための金属
材料を絶縁基板に埋設したものであるから、金属配線の
断面積を大きくとることができ、金属材料の内部寄生抵
抗によるゲート線伝播遅延を発生させることなく、低抵
抗のゲート配線を実現させることができる。また、絶縁
基板表面が平滑となるよう調整したので、絶縁基板上へ
のＴＦＴ形成及び結合効率が向上する。

【００３０】さらに、ゲート配線の抵抗値を一定として
幅を変化させたゲート配線を形成させることもでき、開
口率の向上に寄与できる。

【００３１】

【実施例】

（実施例１）図３は、本発明のＴＦＴアレイの第１の製
造方法による工程を示す一部断面図である。

【００３２】まず、ガラス基板１の表面に蒸着法を用い
て金属膜を成膜し、次いでフォトリソグラフィー法によ
り金属配線を形成する部分の金属膜を除去して窓を形成
した。さらに、前記窓の形成されたガラス基板１に対し
てＨＦを主成分とするウエットエッチング法によりエッ
チング処理を行い、ガラス基板１上に溝を形成した後、
金属膜を除去した（図３ａ）。

【００３３】前記溝を含むガラス基板１上に、スパッタ
法を用いてＴａ薄膜１０を７μｍ厚さに成膜した（同図
ｂ）。さらに、前記Ｔａ膜１０の成膜されたガラス基板
１表面を研磨して、前記ガラス基板１上の前記凹部のみ
にＴａ膜２を残存させた。研磨後におけるガラス基板１
表面とＴａ膜２表面とは略面一状態となり、十分な平滑
性を有していた。（同図ｃ）そして、前記ガラス基板１
上にＴＦＴを形成し、前記Ｔａ膜２をゲート配線および
ゲート電極として機能させた。（実施例２）本発明の第２の実施例の製造工程図を図４
に示す。まず、ガラス基板１表面をウエットエッチング
法により深さ５μｍまでエッチング除去した（図４
ａ）。この結果、エッチングが等方的に進み、略半球状
の凹部２０が形成された。次に、前記ガラス基板１に対
してスパッタ法によりＴａ薄膜２１を０．１μｍ厚さに
成膜した（同図ｂ）。

【００３４】さらに、前記Ｔａ薄膜２１上に電解めっき
法によりＴａ膜１０を７μｍ厚さに成膜した（同図
ｃ）。この後、ガラス基板１表面のＴａ薄膜１０、２１
を研磨し、前記ガラス基板１上の前記凹部２０のみにＴ
ａ膜２、２’を残存させるとともにガラス基板１表面を
平滑化させた（同図ｄ）。さらに、前記研磨の施された
ガラス基板１上のＴａ膜２、２’表面を陽極酸化し、酸
化膜２２を形成した（同図ｅ）。この後、前記ガラス基
板１上にＴＦＴを形成し、前記酸化膜２２の形成された
Ｔａ膜２、２’をゲート配線およびゲート電極として機
能させた。（実施例３）本発明の第３の実施例の製造工程図を図５
に示す。本実施例では、実施例１の製造工程の内、ガラ
ス基板１表面のエッチング処理をＲＩＥ法を用いて行っ
た。

【００３５】まず、ガラス基板１をＲＩＥ法によりエッ
チング除去して深さ５μｍの凹部２０を形成した（図５
ａ）。ＲＩＥ法は、サイドエッチングを抑えることがで
きるため、図５ａに示されるように縦横比の大きい形状
を実現できた。次に、ガラス基板１に対してスパッタ法
によりＴａ薄膜２１を０．１μｍ厚さに成膜した（同図
ｂ）。さらに、前記Ｔａ薄膜２１上に電解めっき法によ
りＴａ膜１０を７μｍ厚さに成膜した（同図ｃ）。この
後、前記ガラス基板１表面のＴａ膜１０、２１を研磨
し、ガラス基板１上の前記凹部２０のみにＴａ膜２、
２’を残存させるとともにガラス基板１表面を平滑化さ
せた（同図ｄ）。さらに、前記研磨の施されたガラス基
板１上のＴａ膜２、２’表面を陽極酸化し、酸化膜２２
を形成した（同図ｅ）。この後、前記ガラス基板１上に
ＴＦＴを形成し、前記酸化膜２２の形成されたＴａ膜
２、２’をゲート配線およびゲート電極として機能させ
た。（実施例４）本発明の第４の実施例を図６に示す。実施
例３のＲＩＥ法によるエッチング工程では、縦横比の大
きい溝を得ることは可能であるが、ＲＩＥ装置自体が高
価なため製品がコスト高とならざるを得ず、またＲＩＥ
法ではエッチレートが遅くスループットが小さいといっ
た問題点がある。そこで、本実施例においては、安価な
ウエットエッチング法を用いて縦横比の大きい溝を得
た。

【００３６】まず、エッチレートの異なる２種類の基板
材料、ずなわち下層をガラス基板１、上層をリンを含む
ＳｉＯ₂膜１１として、これらの基板材料１、１１を積
層し、該積層基板１、１１をウエットエッチング処理し
た（図６）。

【００３７】この後、実施例２あるいは実施例３と同様
の工程を経た結果、ガラス基板１上の前記エッチング除
去部分のみにＴａ膜２を残存させた。なお、研磨後のガ
ラス基板１の表面は十分な平滑性を有していた。そし
て、前記ガラス基板１上にＴＦＴを形成し、前記Ｔａ膜
２をゲート配線およびゲート電極として機能させた。（実施例５）本発明の第５の実施例の製造工程図を図７
に示す。まず、ガラス基板１上にＴａ薄膜１０をスパッ
タ法により５μｍ厚さに成膜し（図７ａ）、さらにフォ
トリソグラフィー法により配線パターンを形成させた
（同図ｂ）。次に、前記パターニングされたガラス基板
１上にＣＶＤ法によりＳｉＯ₂膜の絶縁膜２４を７μｍ
厚さに成膜した（同図ｃ）。この後、前記ＳｉＯ₂膜の
成膜されたガラス基板１を研磨してＴａ膜２上の絶縁膜
を除去し、ガラス基板１表面を平滑化させた（同図
ｄ）。そして、前記ガラス基板１上にＴＦＴを形成し、
前記Ｔａ膜２をゲート配線およびゲート電極として機能
させた。（実施例６）本発明の第６の実施例の製造工程を図８に
示す。まず、ガラス基板１表面に蒸着法を用いて金属膜
を成膜し、次いでフォトリソグラフィー法により金属配
線を形成する部分の上の金属膜を除去して窓を形成し
た。続いて、前記窓の形成されたガラス基板１に対して
ＲＩＥ法によりエッチング処理を行い、ガラス基板１表
面に４μｍ深さの溝を形成した（図８ａ）。

【００３８】次に、この溝に直径５μｍのワイヤー２５
を配置し固定した（同図ｂ）。そして、前記ガラス基板
１上にスパッタ法によりＳｉＯ₂膜２４を８μｍ厚さに
成膜した（同図ｃ）。この後、前記ガラス基板１の表面
を研磨してワイヤー２５上の絶縁膜を除去し、ガラス基
板１表面を平滑化させた（同図ｄ）。さらに、前記ガラ
ス基板１上にＴＦＴを形成し、前記埋設されたワイヤー
２５をゲート配線およびゲート絶縁膜として機能させ
た。

【００３９】

【発明の効果】本発明の製造方法によれば、ＴＦＴに電
極接触を取るための金属配線となる金属材料が絶縁基板
表面に埋設されるため、従来のＴＦＴアレイに比較して
ゲート配線の抵抗を大きく低減することができ、大容
量、大面積のディスプレイに適用した場合もゲート配線
の伝播遅延を発生させることなく、画質劣化を防止でき
る。また、縦横比の大きなゲート配線を形成することに
よりゲート配線幅を狭くすることができ、開口率を大き
くとることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＴＦＴの断面構造図

【図２】本発明のゲート選択線の形成されたガラス基板
の斜視構造図

【図３】本発明の第１の実施例を示す概略工程図

【図４】本発明の第２の実施例を示す概略工程図

【図５】本発明の第３の実施例を示す概略工程図

【図６】本発明の第４の実施例を示す概略工程図

【図７】本発明の第５の実施例を示す概略工程図

【図８】本発明の第６の実施例を示す概略工程図

【図９】従来例のＴＦＴの断面構造図

【図１０】従来例のＴＦＴアレイの平面図

【符号の説明】

１ガラス基板２金属配線２ａ太幅部２ｂ細幅部３ゲート絶縁膜４画素電極５非晶質シリコン６、７ｎ型非晶質シリ
コン８ドレイン配線９ソース電極１０金属膜２５ＴＦＴ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】以下の工程を包含することを特徴とする
薄膜トランジスタアレイの製造方法：（Ａ）絶縁基板表面を後工程で金属材料を埋設する箇所
に沿ってエッチング除去する工程、（Ｂ）前記（Ａ）工
程でエッチング除去された箇所を含む絶縁基板上に金属
材料を成膜する工程、（Ｃ）前記（Ｂ）工程で得られた
絶縁基板表面を研磨して、前記（Ａ）工程でエッチング
除去された箇所以外の金属材料を除去する工程、（Ｄ）
前記（Ｃ）工程で得られた絶縁基板上に薄膜トランジス
タを形成する工程。
【請求項２】以下の工程を包含することを特徴とする
薄膜トランジスタアレイの製造方法：（Ａ）絶縁基板上に金属材料を成膜し、該金属材料によ
り配線パターンを形成する工程、（Ｂ）前記（Ａ）工程
で得られた絶縁基板上に絶縁膜を成膜する工程、（Ｃ）
前記（Ｂ）工程で得られた絶縁基板表面を研磨して、前
記配線パターン上の絶縁膜を除去するとともに該絶縁膜
表面を平滑化する工程、（Ｄ）前記（Ｃ）工程で得られ
た絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する工程。
【請求項３】以下の工程を包含することを特徴とする
薄膜トランジスタアレイの製造方法：（Ａ）絶縁基板表面を後工程で配線材料を埋設する箇所
に沿ってエッチング除去する工程、（Ｂ）前記（Ａ）工
程でエッチング除去された箇所に針金状の金属材料を配
置固定する工程、（Ｃ）前記（Ｂ）工程で得られた絶縁
基板上に絶縁膜を成膜する工程、（Ｄ）前記（Ｃ）工程
で得られた絶縁基板表面を研磨して、前記配線材料上の
絶縁膜を除去するとともに該絶縁膜表面を平滑化する工
程、（Ｅ）前記（Ｄ）工程で得られた絶縁基板上に薄膜
トランジスタを形成する工程。