JPH0562637A - Secondary electron microscope - Google Patents
Secondary electron microscopeInfo
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- JPH0562637A JPH0562637A JP3253196A JP25319691A JPH0562637A JP H0562637 A JPH0562637 A JP H0562637A JP 3253196 A JP3253196 A JP 3253196A JP 25319691 A JP25319691 A JP 25319691A JP H0562637 A JPH0562637 A JP H0562637A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、２次電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）に関し、特に被観察物の帯電を抑制できるように
したものに関するものである。This invention relates to a secondary electron microscope (S
The present invention relates to EM), and more particularly, to a device capable of suppressing charging of an object to be observed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は従来の２次電子顕微鏡の基本構成
を示したものである。図４において、１は被観察物、２
は電子ビーム源、３は電子ビームのＸ軸偏向電極、４は
Ｙ軸偏向電極、５はＸ軸偏向電圧発生器、６はＹ軸偏向
電圧発生器、７は１次電子ビーム、８は２次電子、９は
２次電子検出器、１０は２次電子検出信号増幅器、１１
は２次電子像観察用モニタである。図６は２次電子像観
察における、被観察物の１次電子ビームの照射方法につ
いて示したものである。図６において、１２は被観察物
上に形成される１次電子ビームの軌跡を示したものであ
り、１３は１次電子ビームが照射される領域を示したも
のである。図７はＸ軸偏向電極に印加されるＸ軸偏向電
圧の電圧波形を示したものである。図８はＹ軸偏向電極
に印加されるＹ軸偏向電圧の電圧波形を示したものであ
る。図９は被観察物の観察領域に照射される１次電子ビ
ームの照射電流と時間の関係を示したものである。2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a basic structure of a conventional secondary electron microscope. In FIG. 4, 1 is an object to be observed, 2
Is an electron beam source, 3 is an electron beam X-axis deflection electrode, 4 is a Y-axis deflection electrode, 5 is an X-axis deflection voltage generator, 6 is a Y-axis deflection voltage generator, 7 is a primary electron beam, and 8 is 2 Secondary electron, 9 is a secondary electron detector, 10 is a secondary electron detection signal amplifier, 11
Is a monitor for observing secondary electron images. FIG. 6 shows a method of irradiating an observed object with a primary electron beam in observing a secondary electron image. In FIG. 6, reference numeral 12 shows the locus of the primary electron beam formed on the object to be observed, and 13 shows the region irradiated with the primary electron beam. FIG. 7 shows the voltage waveform of the X-axis deflection voltage applied to the X-axis deflection electrode. FIG. 8 shows the voltage waveform of the Y-axis deflection voltage applied to the Y-axis deflection electrode. FIG. 9 shows the relationship between the irradiation current of the primary electron beam with which the observation region of the object to be observed is irradiated and the time.
【０００３】従来の２次電子顕微鏡においては、図５に
示すように、電子ビーム源２から発生した１次電子ビー
ムをＸ軸偏向電極３，Ｙ軸偏向電極４によって偏向し
て、被観察物１に照射し、そこから発生する２次電子を
２次電子検出器９によって検出し、２次電子検出信号増
幅器１０によって増幅された信号を２次電子像として、
２次電子像観察用モニタ１１で観察していた。Ｘ軸偏向
電極３にはＸ軸偏向電圧発生器５から電圧が供給され、
Ｙ軸偏向電極４にはＹ軸偏向電圧発生器６から電圧が供
給されている。被観察物への１次電子ビームの照射範囲
は図６に示された点線内の領域であり、被観察物上のＡ
点からＢ点（Ｘ軸方向）に向かって、１次電子ビームが
走査された後、Ａ点からＹ軸方向にずれたＣ点から直ち
にＤ点（Ｘ軸方向）に向かって走査される。このような
走査がＥ点まで行われる。図６に示したＡ点に１次電子
ビームが照射されるとき、Ｘ軸偏向電極に印加される電
圧は図７にＶ1 で示された電圧であり、同様に、Ｂ点の
場合はＶ2 で示された電圧である。図６に示したＡ点に
１次電子ビームが照射されるとき、Ｙ軸偏向電極に印加
される電圧は図８にＶ3 で示された電圧であり、同様
に、Ｅ点の場合はＶ4 で示された電圧である。図６に示
したＡ点からＥ点まで、１次電子ビームが照射される時
間は図８に示されているｔ1 である。図７，図８の電圧
波形に示されているように、電圧波形は時間ｔ1 を１周
期として、連続的に繰り返される。従って、１次電子ビ
ームは図６のＡ点からＥ点までを繰り返して連続的に照
射されることがわかる。In a conventional secondary electron microscope, as shown in FIG. 5, a primary electron beam generated from an electron beam source 2 is deflected by an X-axis deflection electrode 3 and a Y-axis deflection electrode 4 to observe an object to be observed. 1, secondary electrons generated therefrom are detected by the secondary electron detector 9, and the signal amplified by the secondary electron detection signal amplifier 10 is used as a secondary electron image.
It was observed by the monitor 11 for observing the secondary electron image. A voltage is supplied from the X-axis deflection voltage generator 5 to the X-axis deflection electrode 3,
The Y-axis deflection electrode 4 is supplied with a voltage from a Y-axis deflection voltage generator 6. The irradiation range of the primary electron beam to the object to be observed is the area within the dotted line shown in FIG.
After the primary electron beam is scanned from point A to point B (X axis direction), it is immediately scanned from point C deviated from point A in the Y axis direction to point D (X axis direction). Such scanning is performed up to point E. When the primary electron beam is applied to the point A shown in FIG. 6, the voltage applied to the X-axis deflection electrode is the voltage indicated by V 1 in FIG. It is the voltage indicated by 2 . When the primary electron beam is applied to the point A shown in FIG. 6, the voltage applied to the Y-axis deflection electrode is the voltage indicated by V 3 in FIG. It is the voltage indicated by 4 . The time for which the primary electron beam is irradiated from point A to point E shown in FIG. 6 is t 1 shown in FIG. As shown in the voltage waveforms of FIGS. 7 and 8, the voltage waveform is continuously repeated with time t 1 as one cycle. Therefore, it can be seen that the primary electron beam is continuously irradiated by repeating points A to E in FIG.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の２次電子顕微鏡
においては、図７及び図８に示されたような偏向電圧に
よって１次電子ビームを偏向していたため、被観察物に
照射される１次電子ビーム電流が図９に示すようにな
り、たえず被観察物の表面に電子ビームが照射されてい
る。そのため、被観察物表面の帯電が顕著となる。帯電
前の１次電子ビームの照射位置を図１０に、帯電後の照
射位置を図１１に示す。図１１に斜線で示された部分は
１次電子ビームによる帯電を示している。帯電の程度は
被観察物上への１次電子ビームの照射電流量に比例して
大きくなる。従って、図１０，図１１に示したように、
１次電子ビームの被観察物上への照射位置が帯電前と帯
電後で大きく変わるという問題点があった。In the conventional secondary electron microscope, since the primary electron beam is deflected by the deflection voltage as shown in FIGS. 7 and 8, the object to be observed is irradiated with 1 The next electron beam current is as shown in FIG. 9, and the surface of the object to be observed is constantly irradiated with the electron beam. Therefore, the surface of the object to be observed is significantly charged. The irradiation position of the primary electron beam before charging is shown in FIG. 10, and the irradiation position after charging is shown in FIG. The hatched portion in FIG. 11 indicates charging by the primary electron beam. The degree of charging increases in proportion to the irradiation current amount of the primary electron beam onto the object to be observed. Therefore, as shown in FIG. 10 and FIG.
There has been a problem that the irradiation position of the primary electron beam on the object to be observed changes greatly before and after charging.
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、被観察物表面の帯電を抑制
し、１次電子ビームの位置が変化しない２次電子顕微鏡
を得ることを目的としている。The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to obtain a secondary electron microscope in which the surface of the object to be observed is suppressed from being charged and the position of the primary electron beam does not change. Has a purpose.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係る２次電子
顕微鏡は、基本的には従来の２次電子顕微鏡と同様な構
成であるが、１次電子ビームが被観察物に照射される前
に、１次電子ビームを遮断できる機構を持たせ、１次電
子ビームが連続的に被観察物に照射されることを防ぎ、
断続的に照射できるようにする。The secondary electron microscope according to the present invention has basically the same structure as the conventional secondary electron microscope, but before the primary electron beam is applied to the object to be observed. Has a mechanism for blocking the primary electron beam to prevent the primary electron beam from continuously irradiating the object to be observed,
Allow intermittent irradiation.
【０００７】[0007]
【作用】この発明における２次電子顕微鏡においては、
１次電子ビームを断続的に遮断することにより、１次電
子ビームが連続的に被観察物に照射されることを防いで
いるため、１次電子ビームによる被観察物表面の帯電が
抑制され、１次電子ビームの位置が変化しないようにな
っている。In the secondary electron microscope according to the present invention,
By interrupting the primary electron beam intermittently, it is possible to prevent the primary electron beam from continuously irradiating the object to be observed, so that the surface of the object to be observed is prevented from being charged by the primary electron beam. The position of the primary electron beam does not change.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による２次電子顕微鏡
の基本構成を示したものである。図１において、図５と
同一符号は同一のものを示す。１４は１次電子ビームの
遮断電極、１５は遮断電圧発生器である。図２は遮断電
極に印加される遮断電圧の波形を示したものである。図
３は本実施例の２次電子顕微鏡による２次電子像観察時
に被観察物に照射される１次電子ビームの照射電流を示
したものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the basic structure of a secondary electron microscope according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. 5 indicate the same parts. Reference numeral 14 is a blocking electrode for the primary electron beam, and 15 is a blocking voltage generator. FIG. 2 shows a waveform of the cutoff voltage applied to the cutoff electrode. FIG. 3 shows the irradiation current of the primary electron beam with which the object to be observed is irradiated when the secondary electron image is observed by the secondary electron microscope of this embodiment.
【０００９】次にその遮断電極による１次電子ビームの
遮断の仕方について説明する。遮断電極には図２に示し
たような電圧波形が印加される。電圧ＶＳは１次電子ビ
ームを大きく偏向できる電圧で、１次電子ビームが被観
察物に照射されない電圧に設定する。図２の電圧波形か
ら時刻０からｔ1 までは電圧が０のため、１次電子ビー
ムは遮断されることなく被観察物に照射される。また、
時刻ｔ1 からｔ2 までは遮断電圧ＶＳが遮断電極に印加
されているため、１次電子ビームはその電界のため大き
く偏向され、被観察物には照射されない。このため、被
観察物に照射される１次電子ビームの照射電流は図３に
示されたようになる。図３に示されたように、１次電子
ビームは被観察物に連続的に照射されず、断続的に照射
されるので、被観察物表面の帯電が抑制される。従っ
て、この２次電子顕微鏡では、１次電子ビームが連続的
に被観察物に照射されることを防いでいるため、１次電
子ビームによる被観察物表面の帯電が抑制され、１次電
子ビームの位置を変化しないようにできる。Next, a method of blocking the primary electron beam by the blocking electrode will be described. A voltage waveform as shown in FIG. 2 is applied to the cutoff electrode. The voltage VS is a voltage that can largely deflect the primary electron beam, and is set to a voltage at which the observation target object is not irradiated with the primary electron beam. Since the voltage is 0 from time 0 to t 1 from the voltage waveform of FIG. 2, the primary electron beam is irradiated to the observed object without being blocked. Also,
From time t 1 to t 2 , the cutoff voltage VS is applied to the cutoff electrode, so that the primary electron beam is largely deflected by the electric field and is not irradiated on the observed object. Therefore, the irradiation current of the primary electron beam with which the object to be observed is irradiated is as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the primary electron beam is not continuously applied to the object to be observed but is intermittently irradiated, so that the charging of the surface of the object to be observed is suppressed. Therefore, in this secondary electron microscope, the primary electron beam is prevented from being continuously irradiated to the object to be observed, so that the surface of the object to be observed is prevented from being charged by the primary electron beam. The position of can be fixed.
【００１０】[0010]
【発明の効果】以上のように、この発明に係る２次電子
顕微鏡によれば、１次電子ビームが被観察物に断続的に
照射されるようにしたので、被観察物表面の帯電が抑制
され、１次電子ビームの被観察物への照射位置を変化し
ないようにできる。As described above, according to the secondary electron microscope of the present invention, the primary electron beam is intermittently irradiated to the object to be observed, so that the surface of the object to be observed is prevented from being charged. Therefore, the irradiation position of the primary electron beam on the object to be observed can be kept unchanged.
【図１】この発明の一実施例による２次電子顕微鏡の基
本構成を示した図である。FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a secondary electron microscope according to an embodiment of the present invention.
【図２】遮断電極に印加される遮断電圧の波形を示した
図である。FIG. 2 is a diagram showing a waveform of a cutoff voltage applied to a cutoff electrode.
【図３】２次電子顕微鏡による２次電子像観察時に被観
察物に照射される１次電子ビームの照射電流を示した図
である。FIG. 3 is a diagram showing an irradiation current of a primary electron beam with which an object to be observed is irradiated when a secondary electron image is observed with a secondary electron microscope.
【図４】従来の２次電子顕微鏡の基本構成を示した図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing a basic configuration of a conventional secondary electron microscope.
【図５】従来の２次電子顕微鏡の基本構成を示した図で
ある。FIG. 5 is a diagram showing a basic configuration of a conventional secondary electron microscope.
【図６】２次電子像観察における被観察物への１次電子
ビームの照射方法について示した図である。FIG. 6 is a diagram showing a method of irradiating an observation object with a primary electron beam in observing a secondary electron image.
【図７】Ｘ軸偏向電極に印加されるＸ軸偏向電圧の電圧
波形を示した図である。FIG. 7 is a diagram showing a voltage waveform of an X-axis deflection voltage applied to an X-axis deflection electrode.
【図８】Ｙ軸偏向電極に印加されるＹ軸偏向電圧の電圧
波形を示した図である。FIG. 8 is a diagram showing a voltage waveform of a Y-axis deflection voltage applied to a Y-axis deflection electrode.
【図９】被観察物の観察領域に照射される１次電子ビー
ムの照射電流と時間の関係を示した図である。FIG. 9 is a diagram showing a relationship between an irradiation current of a primary electron beam with which an observation region of an observation object is irradiated and time.
【図１０】被観察物表面が帯電前の１次電子ビームの照
射位置を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing the irradiation position of the primary electron beam before the surface of the object to be observed is charged.
【図１１】被観察物表面が帯電後の１次電子ビームの照
射位置を示した図である。FIG. 11 is a diagram showing the irradiation position of the primary electron beam after the surface of the object to be observed is charged.
１ 被観察物 ２ 電子ビーム源 ３ 電子ビームのＸ軸偏向電極 ４ 電子ビームのＹ軸偏向電極 ５ Ｘ軸偏向電圧発生器 ６ Ｙ軸偏向電圧発生器 ７ １次電子ビーム ８ ２次電子 ９ ２次電子検出器 １０ ２次電子検出信号増幅器 １１ ２次電子像観察用モニタ １２ 被観察物上に形成される１次電子ビームの軌跡 １３ １次電子ビームが照射される領域 １４ 遮断電極 １５ 遮断電圧発生器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Observed object 2 Electron beam source 3 Electron beam X-axis deflection electrode 4 Electron beam Y-axis deflection electrode 5 X-axis deflection voltage generator 6 Y-axis deflection voltage generator 7 Primary electron beam 8 Secondary electron 9 Secondary Electron detector 10 Secondary electron detection signal amplifier 11 Secondary electron image observation monitor 12 Trajectory of primary electron beam formed on an object to be observed 13 Area irradiated with primary electron beam 14 Breaking electrode 15 Breaking voltage generation vessel
Claims (1)
察物から発生する２次電子像を観察する２次電子顕微鏡
において、 被観察物に照射すべき１次電子ビームを断続的に遮断す
る手段を備え、 被観察物の帯電を抑制できることを特徴とする２次電子
顕微鏡。1. A secondary electron microscope for observing a secondary electron image generated from an object to be observed by irradiating the object to be observed with a primary electron beam, wherein the primary electron beam to be irradiated to the object to be observed is intermittently supplied. A secondary electron microscope having a means for blocking and capable of suppressing the charging of the object to be observed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253196A JPH0562637A (en) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | Secondary electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253196A JPH0562637A (en) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | Secondary electron microscope |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562637A true JPH0562637A (en) | 1993-03-12 |
Family
ID=17247894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253196A Pending JPH0562637A (en) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | Secondary electron microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562637A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10269983A (en) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Toyota Gakuen | Scanning proton microscope |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP3253196A patent/JPH0562637A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10269983A (en) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Toyota Gakuen | Scanning proton microscope |
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