JPH0562781A - Ｅｌおよびその製造法 - Google Patents
Ｅｌおよびその製造法Info
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- JPH0562781A JPH0562781A JP3225877A JP22587791A JPH0562781A JP H0562781 A JPH0562781 A JP H0562781A JP 3225877 A JP3225877 A JP 3225877A JP 22587791 A JP22587791 A JP 22587791A JP H0562781 A JPH0562781 A JP H0562781A
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- transparent conductive
- conductive layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的強度に優れた薄型のＥＬ面光源を得る
ことを目的とする。 【構成】 金属基材、金属基材の上のガラス層、ガラス
層の上の発光層、発光層の上の透明導電層と透明被覆層
とから構成され、前記金属基材と前記透明導電層とを電
極とするＥＬ。
ことを目的とする。 【構成】 金属基材、金属基材の上のガラス層、ガラス
層の上の発光層、発光層の上の透明導電層と透明被覆層
とから構成され、前記金属基材と前記透明導電層とを電
極とするＥＬ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粉末蛍光体や蒸着蛍光
体を用いたＥＬに関するものであり、その基板としてい
わゆるメタルコア基板を用いたもので薄型，高輝度，省
電力、であるのみならず、高強度，曲面などの種々の形
状を特徴とする平面光源に関するものである。
体を用いたＥＬに関するものであり、その基板としてい
わゆるメタルコア基板を用いたもので薄型，高輝度，省
電力、であるのみならず、高強度，曲面などの種々の形
状を特徴とする平面光源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】面光源としてのＥＬは省電力，薄型など
の特徴を活かして種々の構成のものが考案されている。
大別すると分散型ＥＬと薄膜ＥＬに分類される。
の特徴を活かして種々の構成のものが考案されている。
大別すると分散型ＥＬと薄膜ＥＬに分類される。
【０００３】分散型ＥＬは、図７の構造を有する。ガラ
ス基板や樹脂フィルム基板４０とこの上のＩＴＯなどの
透明導電電極４１、ＺｎＳなどの発光体層４２，誘電体
層４３，銀ペーストなどの背面電極層４４，樹脂カバー
４５、および接着層４６から構成される。分散型ＥＬは
比較的面積の大きな面光源として非常灯やインテリア照
明など種々の分野で用いられつつある。
ス基板や樹脂フィルム基板４０とこの上のＩＴＯなどの
透明導電電極４１、ＺｎＳなどの発光体層４２，誘電体
層４３，銀ペーストなどの背面電極層４４，樹脂カバー
４５、および接着層４６から構成される。分散型ＥＬは
比較的面積の大きな面光源として非常灯やインテリア照
明など種々の分野で用いられつつある。
【０００４】薄型ＥＬは、ガラス基板の上に分散型ＥＬ
と同じ様な積層構造を真空蒸着法やスパッタリング法に
よって形成するもので、現在種々のディスプレイデバイ
スとして開発が進められている。
と同じ様な積層構造を真空蒸着法やスパッタリング法に
よって形成するもので、現在種々のディスプレイデバイ
スとして開発が進められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上に述べた従来のＥＬ
は、いずれも基板にガラスや樹脂のフィルムを用いてい
るためにＥＬデバイス単体としての機械的な強度が弱
く、用途が限られていた。耐衝撃性を保つためには補強
のために枠体やカバーを配置して用いられていた。
は、いずれも基板にガラスや樹脂のフィルムを用いてい
るためにＥＬデバイス単体としての機械的な強度が弱
く、用途が限られていた。耐衝撃性を保つためには補強
のために枠体やカバーを配置して用いられていた。
【０００６】また、従来のＥＬは、基板に平面基板を用
いるために形状がフラットなものに制限されていた。こ
のために適用範囲や面光源としての応用分野が限られた
ものであった。
いるために形状がフラットなものに制限されていた。こ
のために適用範囲や面光源としての応用分野が限られた
ものであった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
本発明におけるＥＬは、金属基材，金属基材の上のガラ
ス層、ガラス層の上の発光層および発光層の上の透明導
電層と透明被覆層とから構成され、前記金属基材と前記
透明導電層とを電極としているものである。
本発明におけるＥＬは、金属基材，金属基材の上のガラ
ス層、ガラス層の上の発光層および発光層の上の透明導
電層と透明被覆層とから構成され、前記金属基材と前記
透明導電層とを電極としているものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、基材に金属体を用いるために
ＥＬデバイス単体の機械的な強度が著しく向上する。ま
たこの金属基材の形状を平面だけでなくいろいろ加工す
ることによって、単にフラットな発光面を有するＥＬ面
光源だけでなく、曲面，球面，楕円面，波面など種々の
形状の薄型面発光光源を、その機械的な強度を保持しな
がら得ることができ、広い分野で応用が可能になる。
ＥＬデバイス単体の機械的な強度が著しく向上する。ま
たこの金属基材の形状を平面だけでなくいろいろ加工す
ることによって、単にフラットな発光面を有するＥＬ面
光源だけでなく、曲面，球面，楕円面，波面など種々の
形状の薄型面発光光源を、その機械的な強度を保持しな
がら得ることができ、広い分野で応用が可能になる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の具体的な実施例を図面に従っ
て説明する。
て説明する。
【００１０】（実施例１）図１に示すような、半円面で
厚さ０．８mmのステンレス基材１の片面にガラス層２
（厚さ５０μｍ）を形成する。ガラス層２の形成は、Ｓ
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＣａＯ系のガラスの粉末をイ
ソプロピルアルコールに分散したスラリーを用いて電気
泳動電着法によってステンレス基材の表面にガラス粉末
を析出させ、引き続いて９００℃で焼成することによっ
て行う。ガラス層２の表面にＺｎＳ微粉末とセルロース
とからなるペーストの曲面印刷と乾燥焼成によりＺｎＳ
層３を形成する。続いて硝酸インジウム，２エチルヘキ
サン酸スズ，アセトンの混合液の塗布焼成によってＺｎ
Ｓ層３の上にＩＴＯ層４を形成する。最後に全体をポリ
エステルフィルム５で覆い、このフィルム５とガラス層
２の端面同志を変性ポリエステル層６で接着する。ステ
ンレス基材１の端部７とＩＴＯ層４からのリード部８を
電極とする。
厚さ０．８mmのステンレス基材１の片面にガラス層２
（厚さ５０μｍ）を形成する。ガラス層２の形成は、Ｓ
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＣａＯ系のガラスの粉末をイ
ソプロピルアルコールに分散したスラリーを用いて電気
泳動電着法によってステンレス基材の表面にガラス粉末
を析出させ、引き続いて９００℃で焼成することによっ
て行う。ガラス層２の表面にＺｎＳ微粉末とセルロース
とからなるペーストの曲面印刷と乾燥焼成によりＺｎＳ
層３を形成する。続いて硝酸インジウム，２エチルヘキ
サン酸スズ，アセトンの混合液の塗布焼成によってＺｎ
Ｓ層３の上にＩＴＯ層４を形成する。最後に全体をポリ
エステルフィルム５で覆い、このフィルム５とガラス層
２の端面同志を変性ポリエステル層６で接着する。ステ
ンレス基材１の端部７とＩＴＯ層４からのリード部８を
電極とする。
【００１１】（実施例２）図２に示すように、実施例１
で示したＩＴＯ層４の上にガラスペーストの印刷焼成に
よって透明のオーバーコート層９を形成する。１０は片
方の電極リードである。
で示したＩＴＯ層４の上にガラスペーストの印刷焼成に
よって透明のオーバーコート層９を形成する。１０は片
方の電極リードである。
【００１２】（実施例３）実施例１で得たＺｎＳ層３ま
での構成の上に図３に示すようにポリエステル樹脂フィ
ルム１１にＩＴＯ透明導電層１２を有するものを、透明
導電層１２がＺｎＳ層３に接触するように重ねる。ガラ
ス層と樹脂フィルムの接着は実施例１と同じ方法で行
う。
での構成の上に図３に示すようにポリエステル樹脂フィ
ルム１１にＩＴＯ透明導電層１２を有するものを、透明
導電層１２がＺｎＳ層３に接触するように重ねる。ガラ
ス層と樹脂フィルムの接着は実施例１と同じ方法で行
う。
【００１３】（実施例４）図４に示すように、実施例１
で得たＺｎＳ層３の上にフッ化ビニリデンのような誘電
率の高い樹脂をバインダと混合したペーストを印刷し、
この樹脂層１３が未だ乾燥固化しない内に実施例３で用
いたＩＴＯ透明導電層１２を有するポリエステル樹脂フ
ィルム１１を圧着し、しかる後に乾燥する。
で得たＺｎＳ層３の上にフッ化ビニリデンのような誘電
率の高い樹脂をバインダと混合したペーストを印刷し、
この樹脂層１３が未だ乾燥固化しない内に実施例３で用
いたＩＴＯ透明導電層１２を有するポリエステル樹脂フ
ィルム１１を圧着し、しかる後に乾燥する。
【００１４】（実施例５）図５に示すように、波型の、
ガラス層２０を有する金属基材２１の片面に真空蒸着法
によってＺｎＳ層２２（厚さ２００nm）を形成する。さ
らにＳｎＯ2層２３（厚さ３００nm）をスパッタリング
法により形成し表面を樹脂とバインダの混合液でコート
乾燥し、透明樹脂コート層２４を形成する。２５，２６
は電極。
ガラス層２０を有する金属基材２１の片面に真空蒸着法
によってＺｎＳ層２２（厚さ２００nm）を形成する。さ
らにＳｎＯ2層２３（厚さ３００nm）をスパッタリング
法により形成し表面を樹脂とバインダの混合液でコート
乾燥し、透明樹脂コート層２４を形成する。２５，２６
は電極。
【００１５】（実施例６）図６に示すように、ガラス層
３０を有する金属基材３１の一部分に印刷焼成法によっ
てＺｎＳ層３２を形成する。ＺｎＳ層３２の上に実施例
１と同じ方法でＩＴＯ層３３を形成しさらに印刷焼成法
によってガラスコート層３４を形成し、ガラスコート層
３４の上に再びＩＴＯ層３５を形成する。本発明者らが
既に出願した方法によってＥＬの電極としての３１と３
３、さらにＩＴＯ層３５を回路接続することによって平
板ＥＬタッチパネルスイッチを完成する。
３０を有する金属基材３１の一部分に印刷焼成法によっ
てＺｎＳ層３２を形成する。ＺｎＳ層３２の上に実施例
１と同じ方法でＩＴＯ層３３を形成しさらに印刷焼成法
によってガラスコート層３４を形成し、ガラスコート層
３４の上に再びＩＴＯ層３５を形成する。本発明者らが
既に出願した方法によってＥＬの電極としての３１と３
３、さらにＩＴＯ層３５を回路接続することによって平
板ＥＬタッチパネルスイッチを完成する。
【００１６】（比較例１）図７に示す構成の平面ガラス
基板を用いる。
基板を用いる。
【００１７】なお、実施例１，３，４の樹脂フィルムの
代わりに薄いガラスフィルムを用いてもよい。
代わりに薄いガラスフィルムを用いてもよい。
【００１８】以上の実施例で作製したＥＬの特性比較し
たものを表１にまとめた。
たものを表１にまとめた。
【００１９】
【表１】
【００２０】本実施例で述べた形状は本発明の一部であ
り、用途に応じて種々の形状の機械的強度に優れた面光
源が可能になる。
り、用途に応じて種々の形状の機械的強度に優れた面光
源が可能になる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、種々の曲面形状の機械
的強度強度に優れた薄型のＥＬ面光源が可能になり、建
築エレクトロニクス，電装品などの分野に広く照明器具
として展開できる。
的強度強度に優れた薄型のＥＬ面光源が可能になり、建
築エレクトロニクス，電装品などの分野に広く照明器具
として展開できる。
【図１】本発明の一実施例におけるＥＬの構成図
【図２】本発明の一実施例におけるＥＬの構成図
【図３】本発明の一実施例におけるＥＬの構成図
【図４】本発明の一実施例におけるＥＬの構成図
【図５】本発明の一実施例におけるＥＬの構成図
【図６】本発明の一実施例におけるＥＬの構成図
【図７】従来例におけるＥＬの構成図
１ ステンレス基材 ２ ガラス層 ３ ＺｎＳ層 ４ ＩＴＯ層 ５ フィルム ６ 変性ポリエステル層 ７ ステンレス基材の端部 ８ リード部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平賀 将浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】金属基材、金属基材の上のガラス層、ガラ
ス層の上の発光層、発光層の上の透明導電層と透明被覆
層とから構成され、前記金属基材と前記透明導電層とを
電極とするＥＬ。 - 【請求項２】発光層と透明導電層との間に透明の誘電層
を有することを特徴とする請求項１記載のＥＬ。 - 【請求項３】金属基材が曲面形状であることを特徴とす
る請求項１記載のＥＬ。 - 【請求項４】ガラス層がＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＭｇＯ−Ｃ
ａＯの組成を有し、かつ部分結晶相を有することを特徴
とする請求項１記載のＥＬ。 - 【請求項５】透明導電層と透明被覆層が有機樹脂フィル
ムとこの上のＩＴＯのような透明導電層とから構成され
るものであることを特徴とする請求項１記載のＥＬ。 - 【請求項６】ガラス層の厚さが５０μｍ以下であること
を特徴とする請求項１記載のＥＬ。 - 【請求項７】ガラス層が金属基材上に電気泳動電着と加
熱溶融法により形成されたものであることを特徴とする
請求項１記載のＥＬ。 - 【請求項８】平面または曲面の形状でガラス層を有する
金属基材の上に、印刷，ディップ，塗布のいずれかの方
法とこれに続く乾燥または熱分解、または真空蒸着やス
パッタリングなどの方法によって発光層，透明導電層，
透明被覆層を積層形成することを特徴とするＥＬの製造
法。 - 【請求項９】透明導電層を有するガラス，樹脂フィルム
などの被覆層を前記透明導電層を発光層に接触させて積
層することを特徴とする請求項８記載のＥＬの製造法。 - 【請求項１０】発光層の上に誘電性の樹脂層を印刷，塗
布，ディップのいずれかの方法で形成し、前記樹脂層が
完全に乾燥固化する前に透明導電層を有する樹脂フィル
ムを透明導電層が樹脂と接触する形で配置し、しかる後
に乾燥することを特徴とする請求項８記載のＥＬの製造
法。 - 【請求項１１】透明導電層が熱分解性金属塩の熱分解に
より形成されたものであることを特徴とする請求項８記
載のＥＬの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3225877A JP3019524B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Ｅ ｌ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3225877A JP3019524B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Ｅ ｌ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562781A true JPH0562781A (ja) | 1993-03-12 |
| JP3019524B2 JP3019524B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=16836265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3225877A Expired - Fee Related JP3019524B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Ｅ ｌ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3019524B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050467A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011003537A (ja) * | 2009-05-21 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP3225877A patent/JP3019524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050467A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011003537A (ja) * | 2009-05-21 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US10804489B2 (en) | 2009-05-21 | 2020-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| US10910597B2 (en) | 2009-05-21 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| US11005071B2 (en) | 2009-05-21 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| US11637267B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| US11690245B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module |
| US12004369B2 (en) | 2009-05-21 | 2024-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US12289951B2 (en) | 2009-05-21 | 2025-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3019524B2 (ja) | 2000-03-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |