JPH0562811A - 機能トリミング方法 - Google Patents
機能トリミング方法Info
- Publication number
- JPH0562811A JPH0562811A JP3222621A JP22262191A JPH0562811A JP H0562811 A JPH0562811 A JP H0562811A JP 3222621 A JP3222621 A JP 3222621A JP 22262191 A JP22262191 A JP 22262191A JP H0562811 A JPH0562811 A JP H0562811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- output
- function
- hybrid
- adjusted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハイブリッドＩＣの低コスト化や小型化に対
応できる機能トリミング方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 電圧可変型の調整を行うハイブリッドＩＣ１
の被調整レベルを検出する出力検出部２とシステムコン
トローラ部３を設け、所望の値との誤差信号を電流源部
４に供給する。また、一方抵抗トリミング動作をする以
前に仮機能調整を行う手段として、被調整端子に可変型
の電流源部４を接続し、電流供給量を可変することによ
り、仮機能調整を行うように構成しシステムコントロー
ラ部３からの出力でトリミング装置６を動作せしめて、
トリミング抵抗９ａ，９ｂをトリミングしている。
応できる機能トリミング方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 電圧可変型の調整を行うハイブリッドＩＣ１
の被調整レベルを検出する出力検出部２とシステムコン
トローラ部３を設け、所望の値との誤差信号を電流源部
４に供給する。また、一方抵抗トリミング動作をする以
前に仮機能調整を行う手段として、被調整端子に可変型
の電流源部４を接続し、電流供給量を可変することによ
り、仮機能調整を行うように構成しシステムコントロー
ラ部３からの出力でトリミング装置６を動作せしめて、
トリミング抵抗９ａ，９ｂをトリミングしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子回路の調整手段とし
て用いられる機能トリミング方法に関する。
て用いられる機能トリミング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ビデオカメラなどの分野では、機
器の小型化が促進され、それにつれてハイブリッドＩＣ
化にみられるように、各機能ごとに回路を区分し、それ
ら区分された回路ごとにその性能を保証しようとする方
式が、活発に導入されている。つまり、各回路ブロック
内のバラツキを補償するためには、各回路ブロック内に
調整用可変抵抗（以下、ＶＲと略す）などを取り入れて
個々にその機能調整を実施している。特に一層の小型化
を要望されるアルミナ基板などを用いたハイブリッドＩ
Ｃでは、通常回路構成部品としての抵抗にとどまらず、
前述の機能調整をするための回路部品としての抵抗につ
いても、膜状部品を使用するようにしている。
器の小型化が促進され、それにつれてハイブリッドＩＣ
化にみられるように、各機能ごとに回路を区分し、それ
ら区分された回路ごとにその性能を保証しようとする方
式が、活発に導入されている。つまり、各回路ブロック
内のバラツキを補償するためには、各回路ブロック内に
調整用可変抵抗（以下、ＶＲと略す）などを取り入れて
個々にその機能調整を実施している。特に一層の小型化
を要望されるアルミナ基板などを用いたハイブリッドＩ
Ｃでは、通常回路構成部品としての抵抗にとどまらず、
前述の機能調整をするための回路部品としての抵抗につ
いても、膜状部品を使用するようにしている。
【０００３】以下に従来の膜状抵抗を用いた回路の機能
調整手段、すなわち機能トリミング方法について説明す
る。ハイブリッドＩＣ１の被調整レベルを検出する出力
検出部２と、システムコントローラ部３を設け、出力検
出部２からの出力と、内部設定された所望の値とをシス
テムコントローラ部３で比較し、その誤差信号をトリミ
ング装置６に供給するように構成している。
調整手段、すなわち機能トリミング方法について説明す
る。ハイブリッドＩＣ１の被調整レベルを検出する出力
検出部２と、システムコントローラ部３を設け、出力検
出部２からの出力と、内部設定された所望の値とをシス
テムコントローラ部３で比較し、その誤差信号をトリミ
ング装置６に供給するように構成している。
【０００４】以上のように構成された機能トリミング方
法についてその動作を説明する。トリミング装置６はた
とえばレーザ光線を利用したトリミング装置であって、
前記した誤差信号により、回路の調整端子と電源間に設
けられた第１のトリミング抵抗９ａ、もしくは回路調整
端子とグランド間に設けられた第２のトリミング抵抗９
ｂのいずれかを、選択的にトリミングして調整を行うこ
ととなる。
法についてその動作を説明する。トリミング装置６はた
とえばレーザ光線を利用したトリミング装置であって、
前記した誤差信号により、回路の調整端子と電源間に設
けられた第１のトリミング抵抗９ａ、もしくは回路調整
端子とグランド間に設けられた第２のトリミング抵抗９
ｂのいずれかを、選択的にトリミングして調整を行うこ
ととなる。
【０００５】以上の方法は、最も一般的に用いられてい
る機能トリミング方法であり、設備が簡素である点とハ
イブリッドＩＣの小型化に貢献できる点において大変有
用である。
る機能トリミング方法であり、設備が簡素である点とハ
イブリッドＩＣの小型化に貢献できる点において大変有
用である。
【０００６】しかしながら、被調整回路の内容によって
は、抵抗をトリミングする速度に対して、ＡＧＣ回路な
どのように回路の時定数による追従速度が極端に遅いも
のがあり、その結果、トリミングシステム全体の能力が
低下し、生産コストが高くなるという問題がある。
は、抵抗をトリミングする速度に対して、ＡＧＣ回路な
どのように回路の時定数による追従速度が極端に遅いも
のがあり、その結果、トリミングシステム全体の能力が
低下し、生産コストが高くなるという問題がある。
【０００７】また回路調整内容の種類としては、図４
（ａ）に示すような、被調整電圧の変化に対して単調増
加するものや、図４（ｂ）に示すような単調減少するも
の、あるいは図４（ｃ）のように被調整電圧を変化させ
たとき、出力の最大点や最少点を調整するパターンがあ
り、これらのうち図４（ｃ）で示す調整パターンの場合
は、従来例の方法では非常に不得手な内容であり、実際
には、トリミング抵抗９ａおよび９ｂ以外にも試験的に
トリミングするための抵抗が必要とされ、回路ブロック
の小型化に際しての制約条件となるという問題である。
（ａ）に示すような、被調整電圧の変化に対して単調増
加するものや、図４（ｂ）に示すような単調減少するも
の、あるいは図４（ｃ）のように被調整電圧を変化させ
たとき、出力の最大点や最少点を調整するパターンがあ
り、これらのうち図４（ｃ）で示す調整パターンの場合
は、従来例の方法では非常に不得手な内容であり、実際
には、トリミング抵抗９ａおよび９ｂ以外にも試験的に
トリミングするための抵抗が必要とされ、回路ブロック
の小型化に際しての制約条件となるという問題である。
【０００８】さらには、従来例においては、被調整出力
の大小によって機能トリミングが実施されるため、とき
には、ハイブリッドＩＣ１の不良に対してもトリミング
を試みるため、のちにハイブリッドＩＣ１の不良を修正
することが困難となるといった問題点を有している。
の大小によって機能トリミングが実施されるため、とき
には、ハイブリッドＩＣ１の不良に対してもトリミング
を試みるため、のちにハイブリッドＩＣ１の不良を修正
することが困難となるといった問題点を有している。
【０００９】これらの問題点に対しては、次に説明する
ような他の従来例の方法が取られていた。
ような他の従来例の方法が取られていた。
【００１０】以下に第２の従来例について図面を参照し
ながら説明する。図３に示すように、ハイブリッドＩＣ
１の被調整レベルを検出する出力検出部２と、システム
コントローラ部３を設け、出力検出部２からの出力と、
内部設定された所望の値と比較し、その誤差信号を電子
ＶＲ装置１０に供給する機能を有している。電子ＶＲ装
置１０は、電子ＶＲとスイッチとを具備しており、予め
ハイブリッドＩＣ１内に設けてあるチェックランド７，
オープンループランド１１ａおよび１１ｂに対してそれ
ぞれ接続してなる構成としている。
ながら説明する。図３に示すように、ハイブリッドＩＣ
１の被調整レベルを検出する出力検出部２と、システム
コントローラ部３を設け、出力検出部２からの出力と、
内部設定された所望の値と比較し、その誤差信号を電子
ＶＲ装置１０に供給する機能を有している。電子ＶＲ装
置１０は、電子ＶＲとスイッチとを具備しており、予め
ハイブリッドＩＣ１内に設けてあるチェックランド７，
オープンループランド１１ａおよび１１ｂに対してそれ
ぞれ接続してなる構成としている。
【００１１】以上のように構成された機能トリミング方
法について、その動作を説明する。初期計測時点におい
て、オープンループランド１１ａおよび１１ｂそれぞれ
が閉じられるように電子ＶＲ装置１０のスイッチを制御
し、得られる被調整出力によって、トリミング抵抗９
ａ，９ｂのいずれかを選択し、つぎに選択した側のトリ
ミング抵抗を分離して電子ＶＲ装置１０内の電子ＶＲ側
に接続するようにスイッチを制御して、電子ＶＲを可変
して回路の仮機能調整を行う。つぎに前記仮機能調整を
行った電子ＶＲの値をコントロール部３に取り込んで、
実際の抵抗トリミングする場合には、前記電子ＶＲの値
と被トリミング抵抗の値が等しくなるように、トリミン
グ装置６により被トリミング抵抗をトリミングして、機
能トリミングが完了することとなる。なお、オープンル
ープランド１１ａおよび１１ｂは、トリミング完了後、
半田などにより閉じられて、ハイブリッドＩＣ１は完成
品となる。以上の方法によれば、実際の抵抗トリミング
の前に、トリミング計測を実施することが可能となる。
したがって、トリミング計測工程と抵抗トリミング工程
とを分離できるため、設備の有効活用や、不良品の事前
チェックや不良品の修正を可能とするなど有用な面も多
い。
法について、その動作を説明する。初期計測時点におい
て、オープンループランド１１ａおよび１１ｂそれぞれ
が閉じられるように電子ＶＲ装置１０のスイッチを制御
し、得られる被調整出力によって、トリミング抵抗９
ａ，９ｂのいずれかを選択し、つぎに選択した側のトリ
ミング抵抗を分離して電子ＶＲ装置１０内の電子ＶＲ側
に接続するようにスイッチを制御して、電子ＶＲを可変
して回路の仮機能調整を行う。つぎに前記仮機能調整を
行った電子ＶＲの値をコントロール部３に取り込んで、
実際の抵抗トリミングする場合には、前記電子ＶＲの値
と被トリミング抵抗の値が等しくなるように、トリミン
グ装置６により被トリミング抵抗をトリミングして、機
能トリミングが完了することとなる。なお、オープンル
ープランド１１ａおよび１１ｂは、トリミング完了後、
半田などにより閉じられて、ハイブリッドＩＣ１は完成
品となる。以上の方法によれば、実際の抵抗トリミング
の前に、トリミング計測を実施することが可能となる。
したがって、トリミング計測工程と抵抗トリミング工程
とを分離できるため、設備の有効活用や、不良品の事前
チェックや不良品の修正を可能とするなど有用な面も多
い。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、電子ＶＲ装置とハイブリッドＩＣとを接続
するためのオープンループランドなるものを、ハイブリ
ッドＩＣ内に設ける必要があるため、ハイブリッドＩＣ
を小型化する上で大きな制約となっていた。
の構成では、電子ＶＲ装置とハイブリッドＩＣとを接続
するためのオープンループランドなるものを、ハイブリ
ッドＩＣ内に設ける必要があるため、ハイブリッドＩＣ
を小型化する上で大きな制約となっていた。
【００１３】以上説明してきたように、従来の機能トリ
ミング方法では、昨今のハイブリッドＩＣにより一層求
められている小型化と生産コストの低減を両立させるこ
とは難しいという問題点を有していた。
ミング方法では、昨今のハイブリッドＩＣにより一層求
められている小型化と生産コストの低減を両立させるこ
とは難しいという問題点を有していた。
【００１４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ハイブリッドＩＣの低コスト化や小型化に対応でき
る機能トリミング方法を提供することを目的とする。
で、ハイブリッドＩＣの低コスト化や小型化に対応でき
る機能トリミング方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の機能トリミング方法は、被調整端子に可変型
電流源を接続して、電流供給量を可変させて仮機能調整
をするものである。
に本発明の機能トリミング方法は、被調整端子に可変型
電流源を接続して、電流供給量を可変させて仮機能調整
をするものである。
【００１６】
【作用】本発明は、ハイブリッドＩＣ内に特別なスペー
スを設けることなく、計測装置を接続することができ、
また抵抗トリミングを実施する以前に仮機能調整ならび
に不良品検出を可能ならしめ、安価で小型のハイブリッ
ドＩＣを実現することができる。
スを設けることなく、計測装置を接続することができ、
また抵抗トリミングを実施する以前に仮機能調整ならび
に不良品検出を可能ならしめ、安価で小型のハイブリッ
ドＩＣを実現することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１８】図１に示すように、ハイブリッドＩＣ１の
被調整レベルを検出する出力検出部２と、システムコン
トローラ部３を設け、出力検出部２からの出力と、内部
設定された所望の値とをシステムコントローラ部３にお
いて比較し、その誤差信号を電流源部４に供給する機能
を有している。電流源部４は、予めスイッチ８を介し
て、ハイブリッドＩＣ１内の調整端子に通ずる制御端子
であるチェックランド７に接続してなる構成としてい
る。
被調整レベルを検出する出力検出部２と、システムコン
トローラ部３を設け、出力検出部２からの出力と、内部
設定された所望の値とをシステムコントローラ部３にお
いて比較し、その誤差信号を電流源部４に供給する機能
を有している。電流源部４は、予めスイッチ８を介し
て、ハイブリッドＩＣ１内の調整端子に通ずる制御端子
であるチェックランド７に接続してなる構成としてい
る。
【００１９】以上のように構成された機能トリミング方
法について、その動作を説明する。まず、初期計測時点
において、スイッチ８が閉じられており、出力検出部２
より得られる被調整出力をシステムコントローラ部３に
取り込み、内部設定された所望の値と比較して得た誤差
信号により電流源部４を制御して、電流を流出または流
入させることによりチェックランド７の電位を可変させ
て仮機能調整を行うこととなる。つぎに仮機能調整を行
った時点のチェックランド７の電位を電圧検出部５によ
って検出し、その値をシステムコントローラ部３に取り
込んで、実際の抵抗トリミングの際には、スイッチ８を
開いた状態で、チェックランド７における電位が、前記
求めた仮機能調整時の電圧と等しくなるように、トリミ
ング装置６によってトリミング抵抗９ａもしくは９ｂの
いずれかがトリミングされて、機能トリミングが完了す
ることとなる。ここで、トリミング装置６は、一例とし
てレーザ光線を用いたものである。
法について、その動作を説明する。まず、初期計測時点
において、スイッチ８が閉じられており、出力検出部２
より得られる被調整出力をシステムコントローラ部３に
取り込み、内部設定された所望の値と比較して得た誤差
信号により電流源部４を制御して、電流を流出または流
入させることによりチェックランド７の電位を可変させ
て仮機能調整を行うこととなる。つぎに仮機能調整を行
った時点のチェックランド７の電位を電圧検出部５によ
って検出し、その値をシステムコントローラ部３に取り
込んで、実際の抵抗トリミングの際には、スイッチ８を
開いた状態で、チェックランド７における電位が、前記
求めた仮機能調整時の電圧と等しくなるように、トリミ
ング装置６によってトリミング抵抗９ａもしくは９ｂの
いずれかがトリミングされて、機能トリミングが完了す
ることとなる。ここで、トリミング装置６は、一例とし
てレーザ光線を用いたものである。
【００２０】なお、システムコントローラ部３に大きな
記憶容量をもたせれば、仮機能調整工程と、抵抗トリミ
ング工程とを分離することが可能なことは言うまでもな
い。
記憶容量をもたせれば、仮機能調整工程と、抵抗トリミ
ング工程とを分離することが可能なことは言うまでもな
い。
【００２１】また、本実施例においては、仮機能調整を
行う手段として可変型電流源を用いたが、これは可変型
電圧源であってもよい。
行う手段として可変型電流源を用いたが、これは可変型
電圧源であってもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明は、ハイブリッドＩ
Ｃ内に特別なスペースを設けることなく、抵抗トリミン
グを実施する以前に仮機能調整ならびに不良品検出を実
現可能とし、また、不良品も修正可能とし、歩留り，生
産性を向上させ、よってハイブリッドＩＣのより一層の
小型化と生産コストを抑制できるといった優れた機能ト
リミング方法を実現できるものである。
Ｃ内に特別なスペースを設けることなく、抵抗トリミン
グを実施する以前に仮機能調整ならびに不良品検出を実
現可能とし、また、不良品も修正可能とし、歩留り，生
産性を向上させ、よってハイブリッドＩＣのより一層の
小型化と生産コストを抑制できるといった優れた機能ト
リミング方法を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例の機能トリミングシステム方
法のブロック図
法のブロック図
【図２】第１の従来例の機能トリミングシステムのブロ
ック図
ック図
【図３】第２の従来例の機能トリミングシステムのブロ
ック図
ック図
【図４】（ａ）は従来例の調整電圧変化に対する出力レ
スポンスの単調増加曲線図 （ｂ）は同出力レスポンスの単調減少曲線図 （ｃ）は同出力レスポンスの最小点を有する曲線図
スポンスの単調増加曲線図 （ｂ）は同出力レスポンスの単調減少曲線図 （ｃ）は同出力レスポンスの最小点を有する曲線図
１ ハイブリッドＩＣ（被調整回路） ２ 出力検出部 ３ システムコントローラ部 ４ 電流源部 ５ 電圧検出部 ６ トリミング装置 ８ スイッチ ９ａ，９ｂ トリミング抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 制御端子と電源間および前記制御端子と
グランド間にそれぞれ機能トリミング抵抗を配した電圧
制御型の被調整回路と、前記被調整回路からの出力を検
出する出力検出手段と、前記出力検出手段から得た出力
と所望する値とを比較演算して誤差出力を発生するシス
テムコントローラ手段と、誤差出力に応じて電流供給量
を制御する電流源もしくは誤差出力に応じて変化する電
圧源とを備え、前記電流源あるいは電圧源の出力を前記
被調整回路の制御端子に接続することで、機能トリミン
グ実施以前に、前記制御端子の所望電位を決定できるよ
うになし、ついで前記電流源を切り離して、前記制御端
子の電位が所望電位になるように機能トリミング抵抗を
トリミングするようにする機能トリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222621A JPH0562811A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 機能トリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222621A JPH0562811A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 機能トリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562811A true JPH0562811A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16785325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3222621A Pending JPH0562811A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 機能トリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562811A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285500B2 (en) | 2001-02-12 | 2007-10-23 | Asm America, Inc. | Thin films and methods of making them |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3222621A patent/JPH0562811A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285500B2 (en) | 2001-02-12 | 2007-10-23 | Asm America, Inc. | Thin films and methods of making them |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
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