JPH0562833A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0562833A JPH0562833A JP22071191A JP22071191A JPH0562833A JP H0562833 A JPH0562833 A JP H0562833A JP 22071191 A JP22071191 A JP 22071191A JP 22071191 A JP22071191 A JP 22071191A JP H0562833 A JPH0562833 A JP H0562833A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 面内保磁力が高く、保磁力角形比の低い面内
磁気記録媒体を得る。 【構成】 フレキシブル基体１を移動させ乍ら（ＣＯa
Ｐｔb Ｂc ）100-x ０x （ａ，ｂ，ｃ，ｘは原子％）の
ａ＝１００−ｂ−ｃ，０≦ｂ≦１５，０．１≦ｃ≦３
０，０＜ｘ≦１５の磁性層をスパッタする。
磁気記録媒体を得る。 【構成】 フレキシブル基体１を移動させ乍ら（ＣＯa
Ｐｔb Ｂc ）100-x ０x （ａ，ｂ，ｃ，ｘは原子％）の
ａ＝１００−ｂ−ｃ，０≦ｂ≦１５，０．１≦ｃ≦３
０，０＜ｘ≦１５の磁性層をスパッタする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、長尺物のフレキシブル
磁気テープに適用して好適な磁気記録媒体、特に面内磁
気記録型の磁気記録媒体に係る。
磁気テープに適用して好適な磁気記録媒体、特に面内磁
気記録型の磁気記録媒体に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来、高密度面内磁気記録媒体の薄膜磁
性材料としては、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣ
ｒＰｔ等が報告されている。これら磁性材料による磁性
薄膜を、１５００（Ｏｅ）程度以上に高い面内保磁力に
形成するには、そのスパッタによる磁性薄膜の成膜時に
おける基体温度は、１００〜３００℃という比較的高い
温度にする必要があると共に、数１０〜数１００Ｖ程度
のバイアス電圧を基体に印加する必要がある。
性材料としては、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣ
ｒＰｔ等が報告されている。これら磁性材料による磁性
薄膜を、１５００（Ｏｅ）程度以上に高い面内保磁力に
形成するには、そのスパッタによる磁性薄膜の成膜時に
おける基体温度は、１００〜３００℃という比較的高い
温度にする必要があると共に、数１０〜数１００Ｖ程度
のバイアス電圧を基体に印加する必要がある。
【０００３】したがってこの場合、磁気記録媒体、例え
ば磁気テープの基体、即ち磁性薄膜の挟持体として、安
価なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）は、これの
耐熱性が低いことから使用できず、また、その製造装置
を大掛りになるという問題がある。このような成膜時の
基体温度を高める必要がある等の課題を解決し、充分な
飽和磁束密度或いは（及び）高い保磁力を有する垂直磁
化膜としての磁性薄膜は、例えば本出願人の出願に係わ
る特開平２−７４０１２号公報及び特開平２−７３５１
０号公報で提案された。これらは、ＣｏＰｔＢＯ系、或
いはＣｏＰｔＢＭ1 Ｏ系（但しＭ1 は、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｖ，Ｃｒ……等の１種以上）より成る磁性薄膜であっ
て、垂直磁気記録媒体としての磁気特性はすぐれている
ものの、面内磁気記録媒体として特に例えばコンタクト
プリントのメタルテープ用マスターテープ等としては充
分な面内保磁力が得られていない。
ば磁気テープの基体、即ち磁性薄膜の挟持体として、安
価なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）は、これの
耐熱性が低いことから使用できず、また、その製造装置
を大掛りになるという問題がある。このような成膜時の
基体温度を高める必要がある等の課題を解決し、充分な
飽和磁束密度或いは（及び）高い保磁力を有する垂直磁
化膜としての磁性薄膜は、例えば本出願人の出願に係わ
る特開平２−７４０１２号公報及び特開平２−７３５１
０号公報で提案された。これらは、ＣｏＰｔＢＯ系、或
いはＣｏＰｔＢＭ1 Ｏ系（但しＭ1 は、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｖ，Ｃｒ……等の１種以上）より成る磁性薄膜であっ
て、垂直磁気記録媒体としての磁気特性はすぐれている
ものの、面内磁気記録媒体として特に例えばコンタクト
プリントのメタルテープ用マスターテープ等としては充
分な面内保磁力が得られていない。
【０００４】これに対し、本出願人は先に特開平３−８
６９１５号公報において、ＣｏＰｔＢＭ2 Ｏ系（但しＭ
2 はＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ……等の１種以上）より成る
磁性薄膜を基体上に斜めに蒸着することによって、成膜
時の基体温度を高めることなく、また比較的厚い膜厚で
も高い保磁力Ｈｃ、ないしは高い飽和磁束密度、高い異
方性磁界を得ることができる磁気記録媒体を提案した。
６９１５号公報において、ＣｏＰｔＢＭ2 Ｏ系（但しＭ
2 はＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ……等の１種以上）より成る
磁性薄膜を基体上に斜めに蒸着することによって、成膜
時の基体温度を高めることなく、また比較的厚い膜厚で
も高い保磁力Ｈｃ、ないしは高い飽和磁束密度、高い異
方性磁界を得ることができる磁気記録媒体を提案した。
【０００５】また更に本出願人は、先に特開平２−７３
５１１号公報において、ＣｏＰｔ系磁性薄膜の下地層と
して、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ……等の非磁性配向制御層
を設けることによって、基体温度を高めることなく、ま
た磁性層の膜厚を大とした場合においても垂直磁性記録
媒体として優れた磁気特性を示す媒体を得ている。
５１１号公報において、ＣｏＰｔ系磁性薄膜の下地層と
して、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ……等の非磁性配向制御層
を設けることによって、基体温度を高めることなく、ま
た磁性層の膜厚を大とした場合においても垂直磁性記録
媒体として優れた磁気特性を示す媒体を得ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな基体温度を高めることなく、充分高い面内保磁力が
得られ、更に、特に保磁力角形比が小さくノイズの低減
化をはかる磁気記録媒体を得ることを目的とする。
うな基体温度を高めることなく、充分高い面内保磁力が
得られ、更に、特に保磁力角形比が小さくノイズの低減
化をはかる磁気記録媒体を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うにフレキシブル基体１を移動させながら、この基体１
上に、その組成式が、 （Ｃｏa Ｐｔb Ｂc ）100-x Ｏx ，（ａ，ｂ，ｃ，ｘは
それぞれ原子％）で示され、この組成式において、 ａ＝１００−ｂ−Ｃ ０≦ｂ≦１５ ０．１≦ｃ≦３０ ０＜ｘ≦１５ なる磁性薄膜を成膜する。また、本発明においては、上
述の磁性薄膜の下地膜としてＣｒ薄膜を被着する。
うにフレキシブル基体１を移動させながら、この基体１
上に、その組成式が、 （Ｃｏa Ｐｔb Ｂc ）100-x Ｏx ，（ａ，ｂ，ｃ，ｘは
それぞれ原子％）で示され、この組成式において、 ａ＝１００−ｂ−Ｃ ０≦ｂ≦１５ ０．１≦ｃ≦３０ ０＜ｘ≦１５ なる磁性薄膜を成膜する。また、本発明においては、上
述の磁性薄膜の下地膜としてＣｒ薄膜を被着する。
【０００８】
【作用】このような本発明による磁気記録媒体は、室温
程度で、フレキシブル基体を加熱することなく、スパッ
タすることができる。したがってＰＥＴのように耐熱性
に乏しいフレキシブル基体を用いることができるもので
あり、この磁気記録媒体の磁性薄膜は面内保磁力Ｈｃh
が１５００（Ｏｅ）以上の面内磁化膜として得られた。
程度で、フレキシブル基体を加熱することなく、スパッ
タすることができる。したがってＰＥＴのように耐熱性
に乏しいフレキシブル基体を用いることができるもので
あり、この磁気記録媒体の磁性薄膜は面内保磁力Ｈｃh
が１５００（Ｏｅ）以上の面内磁化膜として得られた。
【０００９】因みに、４πＭｓ（ｋＧ）＞Ｈｋ（ｋＯ
ｅ）のとき、面内磁化膜としての特性を有すると考えら
れるが、本発明による磁気記録媒体では４πＭｓ≧８ｋ
Ｇが得られた。また、特に上述の磁性薄膜の下地膜とし
てＣｒを被着することによって、Ｈｃh ≧１５００とす
ることができた。
ｅ）のとき、面内磁化膜としての特性を有すると考えら
れるが、本発明による磁気記録媒体では４πＭｓ≧８ｋ
Ｇが得られた。また、特に上述の磁性薄膜の下地膜とし
てＣｒを被着することによって、Ｈｃh ≧１５００とす
ることができた。
【００１０】
【実施例】本発明においては、図１に示すように、フレ
キシブル基体、例えばＰＥＴシート、ないしはテープ等
の長尺薄膜基体１を、円筒状キャンロール２の周面を繞
って０．１〜３００ｍ／分の速度で移行させつつこれに
磁性薄膜をスパッタによって成膜する例えばマグネトロ
ン型スパッタ電極を持つ連続成膜装置によって形成す
る。図１において４はスパッタ位置を制御する遮蔽板を
示す。
キシブル基体、例えばＰＥＴシート、ないしはテープ等
の長尺薄膜基体１を、円筒状キャンロール２の周面を繞
って０．１〜３００ｍ／分の速度で移行させつつこれに
磁性薄膜をスパッタによって成膜する例えばマグネトロ
ン型スパッタ電極を持つ連続成膜装置によって形成す
る。図１において４はスパッタ位置を制御する遮蔽板を
示す。
【００１１】そして、特に磁性薄膜として、その組成
を、（Ｃｏa Ｐｔb Ｂc ）100-x Ｏx （ａ，ｂ，ｃ，ｘ
は原子％）の組成式において、 ａ＝１００−ｂ−ｃ、 ０≦ｂ≦５０、 ０．１≦ｃ≦３０、 ０＜ｘ≦１５ となる組成をもって厚さ５００〜１００００Å、好まし
くは１０００〜５０００Åにスパッタする。
を、（Ｃｏa Ｐｔb Ｂc ）100-x Ｏx （ａ，ｂ，ｃ，ｘ
は原子％）の組成式において、 ａ＝１００−ｂ−ｃ、 ０≦ｂ≦５０、 ０．１≦ｃ≦３０、 ０＜ｘ≦１５ となる組成をもって厚さ５００〜１００００Å、好まし
くは１０００〜５０００Åにスパッタする。
【００１２】実施例１ 上述のマグネトロン型スパッタ電極を持つ連続成膜装置
を用いて、Ｃｏ71Ｐｔ 22Ｂ7 の組成を有し、１７５ｍｍ
×２５０ｍｍの長方形を有し、厚さ３ｍｍの合金ターゲ
ット３を用いて、ＰＥＴ基体１を図１に示すように、キ
ャンロール２を繞って１．０ｍ／分の速度で移行させ
て、アルゴンと酸素の混合ガス中にスパッタして厚さ１
０００Åの磁性薄膜を基体１上に成膜した。このときの
スパッタ条件は、 バックグランド真空度：９×１０-4Ｐａ 基体温度：室温 スパッタ投入電力：ＤＣ２．２ｋＷ スパッタ全ガス圧：２．０Ｐａ 全ガス流量：４５０ＳＣＣＭ とした。
を用いて、Ｃｏ71Ｐｔ 22Ｂ7 の組成を有し、１７５ｍｍ
×２５０ｍｍの長方形を有し、厚さ３ｍｍの合金ターゲ
ット３を用いて、ＰＥＴ基体１を図１に示すように、キ
ャンロール２を繞って１．０ｍ／分の速度で移行させ
て、アルゴンと酸素の混合ガス中にスパッタして厚さ１
０００Åの磁性薄膜を基体１上に成膜した。このときの
スパッタ条件は、 バックグランド真空度：９×１０-4Ｐａ 基体温度：室温 スパッタ投入電力：ＤＣ２．２ｋＷ スパッタ全ガス圧：２．０Ｐａ 全ガス流量：４５０ＳＣＣＭ とした。
【００１３】この実施例１において、酸素分圧Ｐｏ2 を
変化させて面内保磁力Ｈｃh とＰｏ 2 との関係をみた。
その測定結果を図２に示す。図２中、曲線２Ａ及び２Ｂ
は、それぞれそのスパッタに際して、フレキシブル基体
１の移行方向及びスパッタ範囲を、図１において矢印Ａ
及びＢをもって示す方向を範囲に、つまり、図において
時計方向に、かつターゲット３と正対する領域と、これ
以上のスパッタ可能領域に及んで形成した場合を示す。
変化させて面内保磁力Ｈｃh とＰｏ 2 との関係をみた。
その測定結果を図２に示す。図２中、曲線２Ａ及び２Ｂ
は、それぞれそのスパッタに際して、フレキシブル基体
１の移行方向及びスパッタ範囲を、図１において矢印Ａ
及びＢをもって示す方向を範囲に、つまり、図において
時計方向に、かつターゲット３と正対する領域と、これ
以上のスパッタ可能領域に及んで形成した場合を示す。
【００１４】これによれば、面内保磁力Ｈｃh ≧１５０
０（Ｏｅ）とするにはＰｏ2 は３．５〜４．５Ｐａ程度
とするが、磁性薄膜の形成に当たって下地膜としてＣｒ
２００〜２０００Åの厚さでスパッタするときは、Ｈｃ
h ≧１５００（Ｏｅ）とし得る酸素分圧Ｐｏ2 範囲は広
げられる。
０（Ｏｅ）とするにはＰｏ2 は３．５〜４．５Ｐａ程度
とするが、磁性薄膜の形成に当たって下地膜としてＣｒ
２００〜２０００Åの厚さでスパッタするときは、Ｈｃ
h ≧１５００（Ｏｅ）とし得る酸素分圧Ｐｏ2 範囲は広
げられる。
【００１５】次に、この場合の実施例について説明す
る。 実施例２ 実施例１と同様の条件で磁性薄膜を作成したが、その成
膜に先立ってＣｒを図１の装置によってアルゴンガスの
みを使用して５００Åの厚さにスパッタした。
る。 実施例２ 実施例１と同様の条件で磁性薄膜を作成したが、その成
膜に先立ってＣｒを図１の装置によってアルゴンガスの
みを使用して５００Åの厚さにスパッタした。
【００１６】この実施例２において、酸素分圧Ｐｏ2 を
変化させて面内保磁力Ｈｃh とＰｏ 2 との関係をみた。
その測定結果を図３に示す。
変化させて面内保磁力Ｈｃh とＰｏ 2 との関係をみた。
その測定結果を図３に示す。
【００１７】図３中、曲線３Ａ，３Ｂ及び３Ｃは、それ
ぞれそのスパッタに際して、フレキシブル基体１の移行
方向及びスパッタ範囲を、図１において矢印Ａ，Ｂ及び
Ｃをもって示す方向を範囲に、つまり、図において時計
方向に、かつターゲット３と正対する領域と、これ以上
のスパッタ可能領域に及んで形成した場合及び反時計方
向に移行させ領域Ｂと同等の領域Ｃをもってスパッタし
た場合を示す。
ぞれそのスパッタに際して、フレキシブル基体１の移行
方向及びスパッタ範囲を、図１において矢印Ａ，Ｂ及び
Ｃをもって示す方向を範囲に、つまり、図において時計
方向に、かつターゲット３と正対する領域と、これ以上
のスパッタ可能領域に及んで形成した場合及び反時計方
向に移行させ領域Ｂと同等の領域Ｃをもってスパッタし
た場合を示す。
【００１８】これによれば、実施例１の場合とほぼ同条
件下では面内保磁力Ｈｃh ≧２０００（Ｏｅ）とするこ
とができ、Ｈｃh ≧１５００（Ｏｅ）とするに、実施例
１に比して選べる酸素分圧Ｐｏ2 範囲は広げられる。
件下では面内保磁力Ｈｃh ≧２０００（Ｏｅ）とするこ
とができ、Ｈｃh ≧１５００（Ｏｅ）とするに、実施例
１に比して選べる酸素分圧Ｐｏ2 範囲は広げられる。
【００１９】更に、上述の実施例１及び２において、図
１で示した矢印Ａ，Ｂ及びＣで示した方向の移行及びス
パッタ領域で磁性薄膜をＰＥＴフィルム上に形成した場
合の各面内磁化曲線を図４にそれぞれＡ，Ｂ，Ｃとして
示す。Ｓ* は各例の保磁力角形比で、図５に示すように
面内保磁力Ｈｃh における磁化曲線の接線と残台磁化Ｍ
ｒとの交点の磁界ｈを面内保磁力で除した値Ｓ* ＝ｈ／
Ｈｃh で与えられ、この値が小さいほどノイズが小さく
なる、即ちＳ／Ｎが向上する。
１で示した矢印Ａ，Ｂ及びＣで示した方向の移行及びス
パッタ領域で磁性薄膜をＰＥＴフィルム上に形成した場
合の各面内磁化曲線を図４にそれぞれＡ，Ｂ，Ｃとして
示す。Ｓ* は各例の保磁力角形比で、図５に示すように
面内保磁力Ｈｃh における磁化曲線の接線と残台磁化Ｍ
ｒとの交点の磁界ｈを面内保磁力で除した値Ｓ* ＝ｈ／
Ｈｃh で与えられ、この値が小さいほどノイズが小さく
なる、即ちＳ／Ｎが向上する。
【００２０】図４より明らかなように、スパッタ態様が
Ａ，Ｂ，Ｃのいずれかであっても、特性上差程影響はな
いが、Ｃｒの下地膜を形成するときは、Ｓ* の減少がは
かられることが分かる。上述したところから明らかなよ
うに、本発明によれば、基体温度と高めることなく室温
で、したがってＰＥＴ基体１を用いて、しかも１０００
０Åに及ぶ磁性薄膜層を形成する場合でも、高い面内保
磁力Ｈｃh 、即ち１５００（Ｏｅ）以上に、またＣｒ下
地膜を設ける場合は２０００（Ｏｅ）にすることができ
た。尚、Ｃｒ下地膜は、その厚さを２００〜２０００Å
に選定することが望まれる。これは２００Å未満ではＣ
ｒ下地膜を設けることによるＨｃh の向上が殆どみられ
ず、２０００Åを超えるとフレキシブル性を阻害して来
ることに因る。
Ａ，Ｂ，Ｃのいずれかであっても、特性上差程影響はな
いが、Ｃｒの下地膜を形成するときは、Ｓ* の減少がは
かられることが分かる。上述したところから明らかなよ
うに、本発明によれば、基体温度と高めることなく室温
で、したがってＰＥＴ基体１を用いて、しかも１０００
０Åに及ぶ磁性薄膜層を形成する場合でも、高い面内保
磁力Ｈｃh 、即ち１５００（Ｏｅ）以上に、またＣｒ下
地膜を設ける場合は２０００（Ｏｅ）にすることができ
た。尚、Ｃｒ下地膜は、その厚さを２００〜２０００Å
に選定することが望まれる。これは２００Å未満ではＣ
ｒ下地膜を設けることによるＨｃh の向上が殆どみられ
ず、２０００Åを超えるとフレキシブル性を阻害して来
ることに因る。
【００２１】
【発明の効果】上述したように本発明構成によれば、そ
のスパッタによる磁性薄膜に当たって、基体温度を上げ
ることなく、また基体にバイアス電圧を印加することな
く、５００〜１００００Åの厚さの磁性薄膜を１５００
（Ｏｅ）以上の面内保磁力をもって更に下地膜としてＣ
ｒを形成するときは、２０００（Ｏｅ）以上の面内保磁
力を有し、保磁力角形比Ｓ* の小さい磁気記録媒体を得
ることができる。
のスパッタによる磁性薄膜に当たって、基体温度を上げ
ることなく、また基体にバイアス電圧を印加することな
く、５００〜１００００Åの厚さの磁性薄膜を１５００
（Ｏｅ）以上の面内保磁力をもって更に下地膜としてＣ
ｒを形成するときは、２０００（Ｏｅ）以上の面内保磁
力を有し、保磁力角形比Ｓ* の小さい磁気記録媒体を得
ることができる。
【００２２】そして、その基体１としては安価なＰＥＴ
フレキシブル基体１の使用が可能となることによって、
また基体の移行によって磁性薄膜を作成し得ることによ
って量産化に好適となり、磁気記録媒体の低廉化をはか
ることができる。
フレキシブル基体１の使用が可能となることによって、
また基体の移行によって磁性薄膜を作成し得ることによ
って量産化に好適となり、磁気記録媒体の低廉化をはか
ることができる。
【００２３】尚、磁性薄膜の成膜に当たって基体１の移
行下で行うことによってその面内保磁力の向上がはから
れる理由は明確ではないが、斜め蒸着の効果が生じてい
るものと思われる。
行下で行うことによってその面内保磁力の向上がはから
れる理由は明確ではないが、斜め蒸着の効果が生じてい
るものと思われる。
【図１】本発明による磁気記録媒体を得る成膜作業の説
明図である。
明図である。
【図２】本発明による磁気記録媒体の面内保磁力と酸素
分圧の関係の測定曲線図である。
分圧の関係の測定曲線図である。
【図３】本発明による磁気記録媒体の面内保磁力と酸素
分圧の関係の測定曲線図である。
分圧の関係の測定曲線図である。
【図４】本発明の実施例の磁化曲線図である。
【図５】保磁力角形比の説明に供する磁化曲線図であ
る。
る。
１ フレキシブル基体 ２ キャンロール ３ ターゲット
Claims (2)
- 【請求項１】 フレキシブル基体を移動させながら、該
基体上に、 その組成式が（Ｃｏa Ｐｔb Ｂc ）100-x Ｏx （ａ，
ｂ，ｃ，ｘは原子％）で示され、この組成式において、 ａ＝１００−ｂ−ｃ、 ０≦ｂ≦１５、 ０．１≦ｃ≦３０、 ０＜ｘ≦１５ なる磁性薄膜を成膜したことを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 磁性薄膜の下地膜としてＣｒ薄膜を被着
した請求項１に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22071191A JPH0562833A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22071191A JPH0562833A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562833A true JPH0562833A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16755310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22071191A Pending JPH0562833A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859032A (en) * | 1996-03-18 | 1999-01-12 | Nishino; Chikao | Pyridine derivative, anti-ulcer drug, and antibacterial drug |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP22071191A patent/JPH0562833A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859032A (en) * | 1996-03-18 | 1999-01-12 | Nishino; Chikao | Pyridine derivative, anti-ulcer drug, and antibacterial drug |
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