JPH0563111A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH0563111A JPH0563111A JP3252935A JP25293591A JPH0563111A JP H0563111 A JPH0563111 A JP H0563111A JP 3252935 A JP3252935 A JP 3252935A JP 25293591 A JP25293591 A JP 25293591A JP H0563111 A JPH0563111 A JP H0563111A
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- mold resin
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- mold
- resin
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド樹脂で封止したものであって、その
モールド樹脂の上面に容易で、かつ鮮明なマークを付し
た半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】 半導体素子１とインナリード２とを接続した
ボンディングワイヤー３をモールド樹脂４にて一体封止
し、このモールド樹脂４の上面４ａに識別用のマーク５
を付した半導体装置において、このマーク５は、一体封
止したモールド樹脂４の上面４ａに対して段差を設けて
形成されたものであるとともに、マーク５の少なくとも
マーク表面５ａがモールド樹脂４のマーク５以外の面よ
りも平滑に仕上げられているものである。
(57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to provide a semiconductor device which is sealed with a mold resin and has an easy and clear mark on the upper surface of the mold resin. [Structure] A bonding wire 3 connecting a semiconductor element 1 and an inner lead 2 is integrally sealed with a molding resin 4, and an identification mark 5 is provided on an upper surface 4a of the molding resin 4.
In the semiconductor device marked with, the mark 5 is formed by providing a step with respect to the upper surface 4a of the integrally molded mold resin 4, and at least the mark surface 5a of the mark 5 is the mark of the mold resin 4. It is finished to be smoother than the surface other than 5.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の全体をモ
ールド樹脂により封止してパッケージを形成している半
導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor element is entirely sealed with a molding resin to form a package.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、トランスファーモールド法等によ
りモールド樹脂にて半導体素子の全体を封止する半導体
装置がある。この半導体装置を図５に基づいて説明す
る。図５（ａ）は従来の半導体装置を説明する平面図、
（ｂ）は（ａ）のハ−ハ線矢視断面図である。図５
（ｂ）に示すように、半導体素子１とインナリード２と
がボンディングワイヤー３にて電気的に接続されてお
り、これらをモールド樹脂４にて封止している。この封
止に用いたモールド樹脂４は半導体装置のパッケージ外
形を形成しており、このモールド樹脂４の上面４ａに
は、部品番号やロット番号、および社名等の識別用のマ
ーク５が付されている。この識別用のマーク５は、例え
ば次のような方法で形成されている。すなわち、必要な
文字が型取られたゴム印等にインクを塗布する。そし
て、このゴム印を半導体装置のパッケージを形成してい
るモールド樹脂４の上面４ａに押印してインクを密着さ
せマーク５を付している。2. Description of the Related Art Conventionally, there is a semiconductor device in which the entire semiconductor element is sealed with a molding resin by a transfer molding method or the like. This semiconductor device will be described with reference to FIG. FIG. 5A is a plan view illustrating a conventional semiconductor device,
(B) is a sectional view taken along the arrow line of (a). Figure 5
As shown in (b), the semiconductor element 1 and the inner lead 2 are electrically connected by the bonding wire 3, and these are sealed with the mold resin 4. The mold resin 4 used for this encapsulation forms the outer shape of the package of the semiconductor device, and the upper surface 4a of the mold resin 4 is provided with a mark 5 for identifying a part number, a lot number, a company name and the like. There is. The identification mark 5 is formed, for example, by the following method. That is, ink is applied to a rubber stamp or the like on which necessary characters are stamped. Then, this rubber stamp is imprinted on the upper surface 4a of the mold resin 4 forming the package of the semiconductor device to bring the ink into close contact therewith, and the mark 5 is attached.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにインクを密着させてマークを付した半導体装置に
は、以下に示すような問題がある。すなわち、パッケー
ジ形成後、モールド樹脂の表面が油等で汚れているた
め、モールド樹脂の上面とインクとの密着性が十分得ら
れない。したがって、有機溶剤等を用いてモールド樹脂
の上面を洗浄したり、水素バーニングによりモールド樹
脂の上面を焼いて処理する必要がある。さらに、モール
ド樹脂の上面にインクを密着させてマークを形成した
後、このインクを硬化させるための時間が必要となり生
産性が上がらない。また、このマークが付された半導体
装置を基板に実装し、例えば洗浄工程で有機溶剤等を用
いると、モールド樹脂の上面からマークを形成している
インクがはがれ落ちてしまうことがある。However, the semiconductor device in which the ink is adhered and the mark is formed has the following problems. That is, after the package is formed, the surface of the mold resin is soiled with oil or the like, so that the adhesion between the upper surface of the mold resin and the ink cannot be sufficiently obtained. Therefore, it is necessary to clean the upper surface of the mold resin with an organic solvent or the like, or to burn the upper surface of the mold resin by hydrogen burning for processing. Furthermore, after the ink is brought into close contact with the upper surface of the mold resin to form the mark, it takes time to cure the ink, and the productivity is not improved. In addition, when a semiconductor device having this mark is mounted on a substrate and an organic solvent or the like is used in a cleaning process, for example, the ink forming the mark may come off from the upper surface of the mold resin.
【０００４】そこで、このような問題点を解決するため
に、モールド樹脂の上面にレーザビームを照射して、所
望の文字のマークを刻印した半導体装置がある。この半
導体装置は、モールド樹脂上面のマークを凹型に刻印し
ているため、前述のようにモールド樹脂の上面を処理す
る必要がない。また、インクを使用しないので有機溶剤
等によりマークがはがれることがない。しかし、このよ
うにレーザビームによりモールド樹脂の上面に刻印して
形成したマークでは、上記説明したインクを密着させて
形成するマークに比べ文字の鮮明度が劣るため、部品番
号やロット番号等の識別が十分に行えない。Therefore, in order to solve such a problem, there is a semiconductor device in which a laser beam is irradiated on the upper surface of a molding resin to engrave a mark of a desired character. In this semiconductor device, since the mark on the upper surface of the mold resin is engraved in a concave shape, it is not necessary to process the upper surface of the mold resin as described above. Further, since no ink is used, the mark will not be peeled off by an organic solvent or the like. However, in the mark formed by engraving on the upper surface of the mold resin by the laser beam as described above, the sharpness of the character is inferior to that of the mark formed by adhering the ink described above, and therefore the identification of the part number, the lot number, etc. Can not be done enough.
【０００５】よって本発明は、モールド樹脂で封止した
ものであって、そのモールド樹脂の上面に、簡単な工程
で、かつ鮮明なマークを有する半導体装置を提供するこ
とを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor device which is sealed with a molding resin and has a clear mark on the upper surface of the molding resin in a simple process.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の問題点
を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、インナリードと電気的に接続された半導体素子をモ
ールド樹脂にて一体封止し、このモールド樹脂の上面に
識別用のマークを付した半導体装置において、このマー
クは、一体封止したモールド樹脂の上面に対して段差を
設けて形成されたものであるとともに、マークの少なく
とも表面がモールド樹脂のマーク以外の面よりも平滑に
仕上げられているものである。The present invention is a semiconductor device made to solve the above problems. That is, in a semiconductor device in which a semiconductor element electrically connected to the inner leads is integrally sealed with a molding resin, and an identification mark is provided on the upper surface of the molding resin, the mark is the molding resin integrally sealed. Of the mark, and at least the surface of the mark is finished to be smoother than the surface of the mold resin other than the mark.
【０００７】[0007]
【作用】モールド樹脂の上面に付されたマークはこのモ
ールド樹脂の上面に対して段差を設けて形成されている
ため、有機溶剤等で洗浄してもマークがはがれ落ちるこ
とがない。また、マークの少なくとも表面がモールド樹
脂のマーク以外の面よりも平滑に仕上げられているの
で、マーク以外のモールド樹脂上面よりマーク表面の方
が光を効率よく反射する。これにより、マークが鮮明に
表示される。Since the mark provided on the upper surface of the mold resin is formed with a step on the upper surface of the mold resin, the mark does not come off even if it is washed with an organic solvent or the like. Further, since at least the surface of the mark is finished to be smoother than the surface of the mold resin other than the mark, the mark surface reflects light more efficiently than the upper surface of the mold resin other than the mark. As a result, the mark is displayed clearly.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図１（ａ）は本発明の半導体装置を説明する平面
図、（ｂ）は（ａ）のイ−イ線矢視断面図である。図１
（ｂ）に示すように、本発明の半導体装置は、半導体素
子１とインナリード２とを例えばボンディングワイヤー
３にて電気的に接続している。これら半導体素子１とイ
ンナリード２とボンディングワイヤー３とを例えばトラ
ンスファーモールド法によりモールド樹脂４にて一体封
止して、半導体装置のパッケージを形成している。この
一体封止しているモールド樹脂４の上面４ａには、この
半導体装置の部品番号やロット番号、および社名等の識
別用のマーク５が形成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view illustrating a semiconductor device of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along the line EE of FIG. Figure 1
As shown in (b), in the semiconductor device of the present invention, the semiconductor element 1 and the inner lead 2 are electrically connected by a bonding wire 3, for example. The semiconductor element 1, the inner lead 2, and the bonding wire 3 are integrally sealed with a molding resin 4 by, for example, a transfer molding method to form a semiconductor device package. A mark 5 for identifying the part number, lot number, company name, etc. of the semiconductor device is formed on the upper surface 4a of the integrally molded mold resin 4.
【０００９】このマーク５は、一体封止しているモール
ド樹脂４の上面４ａに対して段差を設けて形成される。
すなわち、マーク表面５ａがモールド樹脂４の上面４ａ
より低い、いわゆる溝状に形成されたものである。さら
に、このマーク５の少なくともマーク表面５ａは、モー
ルド樹脂４のマーク５以外の面よりも平滑に仕上げられ
ている。例えば、モールド樹脂４のマーク５以外の面が
光の反射が少ない梨地のように形成され、マーク表面５
ａが光の反射が多い鏡面のように仕上げられている。ま
た、マーク表面５ａだけでなく、マーク側面５ｂまで鏡
面のように仕上げられていてもよい。The mark 5 is formed by forming a step on the upper surface 4a of the mold resin 4 which is integrally sealed.
That is, the mark surface 5a is the upper surface 4a of the mold resin 4.
It is lower, so-called groove-shaped. Further, at least the mark surface 5a of the mark 5 is finished to be smoother than the surface of the mold resin 4 other than the mark 5. For example, the surface of the mold resin 4 other than the mark 5 is formed like a satin finish with little light reflection, and the mark surface 5
a is finished like a mirror surface that reflects a lot of light. Further, not only the mark surface 5a but also the mark side surface 5b may be finished like a mirror surface.
【００１０】このように、マーク５はモールド樹脂４の
上面４ａに対して溝状に形成されているので、半導体装
置を基板に実装した後、有機溶剤等を用いて洗浄しても
マーク５がはがれることがない。また、モールド樹脂４
のマーク５以外の面とマーク表面５ａとの仕上げの差に
より、マーク５は鮮明に目視される。As described above, since the mark 5 is formed in a groove shape on the upper surface 4a of the mold resin 4, even after the semiconductor device is mounted on the substrate and washed with an organic solvent or the like, the mark 5 remains. It does not come off. Also, the mold resin 4
The mark 5 is clearly visible due to the difference in finish between the surface other than the mark 5 and the mark surface 5a.
【００１１】次に図２、図３に基づいて金型を用いた本
発明のパッケージ形成方法について説明する。図２は本
発明のパッケージ形成に使用する金型を説明する平面図
である。また、図３（ａ）はマーク型ブロックの斜視
図、（ｂ）は（ａ）のロ−ロ線矢視拡大断面図である。
図２の平面図は、上型６に複数個設けられているキャビ
ティ６１のうちの一つを示している。このキャビティ６
１は半導体装置のパッケージに応じた形状に形成されて
いる。また、キャビティ６１にはゲート６２が連通して
おり、モールド樹脂４がこのゲート６２を通過してキャ
ビティ６１内に充填される。キャビティ６１の底面には
後述する円柱形のマーク型ブロック７が差し込まれてい
る。ここでは説明を簡単にするため、文字Ａ、Ｂ、Ｃの
３文字のマーク型ブロック７が各々配置されているもの
とする。Next, the package forming method of the present invention using a mold will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a plan view illustrating a mold used for forming the package of the present invention. Further, FIG. 3A is a perspective view of the mark type block, and FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view taken along the arrow of FIG.
The plan view of FIG. 2 shows one of the cavities 61 provided in the upper die 6 in plural numbers. This cavity 6
1 is formed in a shape corresponding to the package of the semiconductor device. A gate 62 communicates with the cavity 61, and the mold resin 4 passes through the gate 62 to fill the cavity 61. A cylindrical mark type block 7 described later is inserted in the bottom surface of the cavity 61. Here, in order to simplify the explanation, it is assumed that the mark type blocks 7 of three characters A, B, and C are arranged.
【００１２】図３（ａ）の斜視図に示すように、マーク
型ブロック７は、円柱形のブロック７１と、このブロッ
ク上面７１ａに所定の文字（例えば文字Ｃ）を線対称に
型取られたマーク型７２とから構成されている。図３
（ｂ）の断面図に示すように、このマーク型７２は、そ
の高さｄが約２０μｍの凸型に形成されている。また、
マーク型表面７２ａはブロック上面７１ａより平滑に仕
上げられている。したがって、半導体装置のパッケージ
形成後、モールド樹脂４に形成されるマーク５のマーク
表面５ａは、このマーク型表面７２ａの仕上げの粗さが
転写されることになる。これにより、マーク表面５ａは
モールド樹脂４のマーク５以外の面より光を効率よく反
射することになる。さらに、マーク型７２のマーク型側
面７２ｂにはテーパ加工を施してある。このテーパ角度
θ1 、θ2 を１００°〜１１０°にすることで、モール
ド樹脂４の充填後、金型の離型を容易に行うことができ
る。As shown in the perspective view of FIG. 3 (a), the mark type block 7 has a cylindrical block 71 and a predetermined character (for example, the letter C) formed on the upper surface 71a of the block in line symmetry. It is composed of a mark mold 72. Figure 3
As shown in the sectional view of (b), the mark mold 72 is formed in a convex shape having a height d of about 20 μm. Also,
The mark type surface 72a is finished smoother than the block upper surface 71a. Therefore, after the semiconductor device package is formed, the mark surface 5a of the mark 5 formed on the mold resin 4 is transferred with the finish roughness of the mark die surface 72a. As a result, the mark surface 5a reflects light more efficiently than the surface of the mold resin 4 other than the mark 5. Further, the mark mold side surface 72b of the mark mold 72 is tapered. By setting the taper angles θ 1 and θ 2 to 100 ° to 110 °, it is possible to easily release the mold after filling the mold resin 4.
【００１３】この金型を使用して半導体装置のパッケー
ジを形成するには、まず、ボンディングワイヤー３にて
インナリード２との接続が完了した半導体素子１を前述
の上型６のキャビティ６１と図示しない下型のキャビテ
ィとの間に配置する。そして、ゲート６２から軟化した
モールド樹脂４をキャビティ６１内に充填し硬化させ
る。これにより、半導体素子１とインナリード２および
ボンディングワイヤー３がモールド樹脂４にて一体封止
され、図１に示すような半導体装置のパッケージが形成
される。このとき同時に、モールド樹脂４の上面４ａに
は、マーク型７２と反対の形状、すなわち文字Ａ、Ｂ、
Ｃが溝状になったマーク５が形成される。In order to form a package of a semiconductor device using this mold, first, the semiconductor element 1 whose connection with the inner lead 2 is completed by the bonding wire 3 is shown as the cavity 61 of the upper mold 6 in the figure. Not placed between the lower mold cavity. Then, the mold resin 4 softened from the gate 62 is filled in the cavity 61 and cured. As a result, the semiconductor element 1, the inner leads 2 and the bonding wires 3 are integrally sealed with the mold resin 4, and the package of the semiconductor device as shown in FIG. 1 is formed. At the same time, the upper surface 4a of the mold resin 4 has a shape opposite to the mark mold 72, that is, the letters A, B,
A mark 5 in which C has a groove shape is formed.
【００１４】このような金型を使用すれば、様々なマー
ク型ブロック７を差し替えるだけで容易にマーク５を変
更することが可能となる。したがって、同じパッケージ
形状の半導体装置であって、例えばロット番号のみが違
う場合でも、同一の金型を使用することができる。By using such a mold, it is possible to easily change the mark 5 simply by replacing various mark type blocks 7. Therefore, even if the semiconductor devices have the same package shape and only different lot numbers are used, the same mold can be used.
【００１５】次に、本発明の他の実施例を図に基づいて
説明する。図４は、本発明の半導体装置の他の実施例を
説明する概略断面図である。前記実施例と同様、半導体
素子１とインナリード２とをボンディングワイヤー３に
て接続し、モールド樹脂４で一体封止している。このモ
ールド樹脂４の上面４ａには、凸状のマーク５が形成さ
れている。すなわち、モールド樹脂４の上面４ａに対し
てマーク５のマーク表面５ａが高く形成されている。こ
の凸状のマーク５の少なくともマーク表面５ａがモール
ド樹脂４のマーク５以外の面よりも平滑に仕上げられて
いる。例えば、モールド樹脂４のマーク５以外の面が梨
地のように形成され、また、マーク表面５ａが鏡面のよ
うに仕上げられている。また、マーク表面５ａと同様に
マーク側面５ｂも鏡面のように仕上げられたものでもよ
い。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic sectional view for explaining another embodiment of the semiconductor device of the present invention. Similar to the above-described embodiment, the semiconductor element 1 and the inner lead 2 are connected by the bonding wire 3 and are integrally sealed with the mold resin 4. A convex mark 5 is formed on the upper surface 4 a of the mold resin 4. That is, the mark surface 5a of the mark 5 is formed higher than the upper surface 4a of the mold resin 4. At least the mark surface 5a of the convex mark 5 is finished to be smoother than the surface of the mold resin 4 other than the mark 5. For example, the surface of the mold resin 4 other than the mark 5 is formed like a satin finish, and the mark surface 5a is finished like a mirror surface. Further, the mark side surface 5b may be finished like a mirror surface like the mark surface 5a.
【００１６】この凸状のマーク５を形成するには、図３
に示すマーク型ブロック７のマーク型７２を凹状に設け
たものを使用すればよい。そして、前記実施例の形成方
法と同様に半導体装置のパッケージを形成すれば、モー
ルド樹脂４の上面４ａに凸状のマーク５が形成される。In order to form the convex mark 5, the process shown in FIG.
The mark mold 72 of the mark mold block 7 shown in FIG. Then, when the package of the semiconductor device is formed in the same manner as the forming method of the above-described embodiment, the convex mark 5 is formed on the upper surface 4a of the mold resin 4.
【００１７】これにより、マーク５が浮き上がって表示
されるとともに、マーク５とモールド樹脂４のマーク５
以外の面との光の反射に差が生じるので、マーク５の識
別性が向上する。As a result, the mark 5 is raised and displayed, and the mark 5 and the mark 5 of the mold resin 4 are displayed.
Since there is a difference in light reflection from other surfaces, the distinguishability of the mark 5 is improved.
【００１８】なお、前記説明したいずれの実施例におい
て、半導体素子１とインナリード２との電気的な接続に
ボンディングワイヤー３を用いたが、本発明はこれに限
定されず、インナリード２に例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）を用い、このＴ
ＡＢと半導体素子１とをハンダバンプを介して電気的に
接続したものでもよい。Although the bonding wire 3 is used for electrical connection between the semiconductor element 1 and the inner lead 2 in any of the above-described embodiments, the present invention is not limited to this, and the inner lead 2 may be formed, for example. TAB (Tape
Using Automated Bonding),
It is also possible to connect AB and the semiconductor element 1 electrically via solder bumps.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば以下の効果がある。すなわち、マークがモール
ド樹脂の上面に対して段差を設けて形成されているの
で、有機溶剤等で半導体装置を洗浄してもマークが消え
ることがない。また、マークの少なくとも表面がモール
ド樹脂のマーク以外の面よりも平滑に仕上げられている
ので、マークが鮮明に表示され、識別が容易になる。さ
らに、本発明は、金型のキャビティ底面にマーク型を設
けることで、パッケージの形成と同時にモールド樹脂上
面にマークを形成することができる。したがて、パッケ
ージ形成後に行っていたマーク形成工程を廃止すること
ができる。また、インクを使用しないのでモールド樹脂
の表面を処理をする必要がなく、インクの硬化時間を待
つ必要もない。このように、少ない工程で鮮明なマーク
を有した半導体装置を提供することができるので生産性
が向上するとともに、コストダウンが図れる。As described above, the semiconductor device of the present invention has the following effects. That is, since the mark is formed with a step on the upper surface of the mold resin, the mark does not disappear even if the semiconductor device is washed with an organic solvent or the like. Further, since at least the surface of the mark is finished to be smoother than the surface of the mold resin other than the mark, the mark is displayed clearly and the identification becomes easy. Further, according to the present invention, by providing the mark mold on the bottom surface of the cavity of the mold, it is possible to form the mark on the upper surface of the mold resin at the same time as the package is formed. Therefore, it is possible to eliminate the mark forming process that has been performed after the package is formed. Further, since no ink is used, there is no need to treat the surface of the mold resin, and there is no need to wait for the ink curing time. In this way, a semiconductor device having a clear mark can be provided in a small number of steps, so that productivity can be improved and cost can be reduced.
【図１】（ａ）は本発明の半導体装置を説明する平面図
である。（ｂ）は（ａ）のイ−イ線矢視断面図である。FIG. 1A is a plan view illustrating a semiconductor device of the present invention. (B) is a sectional view taken along the line EE of (a).
【図２】本発明のパッケージ形成に使用する金型を説明
する平面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating a mold used for forming a package of the present invention.
【図３】（ａ）はマーク型ブロックを説明する斜視図で
ある。（ｂ）は（ａ）のロ−ロの線矢視拡大である。FIG. 3A is a perspective view illustrating a mark block. (B) is a magnified view taken along the line arrow of (a).
【図４】本発明の他の実施例を説明する概略断面図であ
る。FIG. 4 is a schematic sectional view illustrating another embodiment of the present invention.
【図５】（ａ）は従来の半導体装置を説明する平面図で
ある。（ｂ）は（ａ）のハ−ハ線矢視断面図である。FIG. 5A is a plan view illustrating a conventional semiconductor device. (B) is a sectional view taken along the arrow line of (a).
１ 半導体素子 ２ インナリード ３ ボンディングワイヤー ４ モールド樹脂 ５ マーク 1 Semiconductor element 2 Inner lead 3 Bonding wire 4 Mold resin 5 Mark
Claims (1)
体素子と、 前記インナリードと前記半導体素子とを一体封止したモ
ールド樹脂と、 前記モールド樹脂の上面に付した識別用のマークとから
成る半導体装置において、 前記マークは、前記モールド樹脂の上面に対して段差を
設けて形成され、かつ前記マークの少なくとも表面が前
記モールド樹脂の前記マーク以外の面よりも平滑に仕上
げられているものであることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor element electrically connected to an inner lead, a molding resin integrally sealing the inner lead and the semiconductor element, and an identification mark provided on an upper surface of the molding resin. In the semiconductor device, the mark is formed by providing a step on the upper surface of the mold resin, and at least the surface of the mark is finished to be smoother than the surface of the mold resin other than the mark. A semiconductor device characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252935A JPH0563111A (en) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252935A JPH0563111A (en) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563111A true JPH0563111A (en) | 1993-03-12 |
Family
ID=17244211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252935A Pending JPH0563111A (en) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563111A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528457A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-18 | Gennum Corporation | Method and structure for balancing encapsulation stresses in a hybrid circuit assembly |
| US6316829B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Reinforced semiconductor package |
| KR20150000739A (en) * | 2013-06-25 | 2015-01-05 | 삼성전자주식회사 | package for semiconductor devices and manufacturing method of the same |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3252935A patent/JPH0563111A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528457A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-18 | Gennum Corporation | Method and structure for balancing encapsulation stresses in a hybrid circuit assembly |
| US6316829B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Reinforced semiconductor package |
| KR20150000739A (en) * | 2013-06-25 | 2015-01-05 | 삼성전자주식회사 | package for semiconductor devices and manufacturing method of the same |
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