JPH0563111A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0563111A JPH0563111A JP3252935A JP25293591A JPH0563111A JP H0563111 A JPH0563111 A JP H0563111A JP 3252935 A JP3252935 A JP 3252935A JP 25293591 A JP25293591 A JP 25293591A JP H0563111 A JPH0563111 A JP H0563111A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- mold resin
- semiconductor device
- mold
- resin
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド樹脂で封止したものであって、その
モールド樹脂の上面に容易で、かつ鮮明なマークを付し
た半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子1とインナリード2とを接続した
ボンディングワイヤー3をモールド樹脂4にて一体封止
し、このモールド樹脂4の上面4aに識別用のマーク5
を付した半導体装置において、このマーク5は、一体封
止したモールド樹脂4の上面4aに対して段差を設けて
形成されたものであるとともに、マーク5の少なくとも
マーク表面5aがモールド樹脂4のマーク5以外の面よ
りも平滑に仕上げられているものである。
モールド樹脂の上面に容易で、かつ鮮明なマークを付し
た半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子1とインナリード2とを接続した
ボンディングワイヤー3をモールド樹脂4にて一体封止
し、このモールド樹脂4の上面4aに識別用のマーク5
を付した半導体装置において、このマーク5は、一体封
止したモールド樹脂4の上面4aに対して段差を設けて
形成されたものであるとともに、マーク5の少なくとも
マーク表面5aがモールド樹脂4のマーク5以外の面よ
りも平滑に仕上げられているものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の全体をモ
ールド樹脂により封止してパッケージを形成している半
導体装置に関するものである。
ールド樹脂により封止してパッケージを形成している半
導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、トランスファーモールド法等によ
りモールド樹脂にて半導体素子の全体を封止する半導体
装置がある。この半導体装置を図5に基づいて説明す
る。図5(a)は従来の半導体装置を説明する平面図、
(b)は(a)のハ−ハ線矢視断面図である。図5
(b)に示すように、半導体素子1とインナリード2と
がボンディングワイヤー3にて電気的に接続されてお
り、これらをモールド樹脂4にて封止している。この封
止に用いたモールド樹脂4は半導体装置のパッケージ外
形を形成しており、このモールド樹脂4の上面4aに
は、部品番号やロット番号、および社名等の識別用のマ
ーク5が付されている。この識別用のマーク5は、例え
ば次のような方法で形成されている。すなわち、必要な
文字が型取られたゴム印等にインクを塗布する。そし
て、このゴム印を半導体装置のパッケージを形成してい
るモールド樹脂4の上面4aに押印してインクを密着さ
せマーク5を付している。
りモールド樹脂にて半導体素子の全体を封止する半導体
装置がある。この半導体装置を図5に基づいて説明す
る。図5(a)は従来の半導体装置を説明する平面図、
(b)は(a)のハ−ハ線矢視断面図である。図5
(b)に示すように、半導体素子1とインナリード2と
がボンディングワイヤー3にて電気的に接続されてお
り、これらをモールド樹脂4にて封止している。この封
止に用いたモールド樹脂4は半導体装置のパッケージ外
形を形成しており、このモールド樹脂4の上面4aに
は、部品番号やロット番号、および社名等の識別用のマ
ーク5が付されている。この識別用のマーク5は、例え
ば次のような方法で形成されている。すなわち、必要な
文字が型取られたゴム印等にインクを塗布する。そし
て、このゴム印を半導体装置のパッケージを形成してい
るモールド樹脂4の上面4aに押印してインクを密着さ
せマーク5を付している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにインクを密着させてマークを付した半導体装置に
は、以下に示すような問題がある。すなわち、パッケー
ジ形成後、モールド樹脂の表面が油等で汚れているた
め、モールド樹脂の上面とインクとの密着性が十分得ら
れない。したがって、有機溶剤等を用いてモールド樹脂
の上面を洗浄したり、水素バーニングによりモールド樹
脂の上面を焼いて処理する必要がある。さらに、モール
ド樹脂の上面にインクを密着させてマークを形成した
後、このインクを硬化させるための時間が必要となり生
産性が上がらない。また、このマークが付された半導体
装置を基板に実装し、例えば洗浄工程で有機溶剤等を用
いると、モールド樹脂の上面からマークを形成している
インクがはがれ落ちてしまうことがある。
うにインクを密着させてマークを付した半導体装置に
は、以下に示すような問題がある。すなわち、パッケー
ジ形成後、モールド樹脂の表面が油等で汚れているた
め、モールド樹脂の上面とインクとの密着性が十分得ら
れない。したがって、有機溶剤等を用いてモールド樹脂
の上面を洗浄したり、水素バーニングによりモールド樹
脂の上面を焼いて処理する必要がある。さらに、モール
ド樹脂の上面にインクを密着させてマークを形成した
後、このインクを硬化させるための時間が必要となり生
産性が上がらない。また、このマークが付された半導体
装置を基板に実装し、例えば洗浄工程で有機溶剤等を用
いると、モールド樹脂の上面からマークを形成している
インクがはがれ落ちてしまうことがある。
【0004】そこで、このような問題点を解決するため
に、モールド樹脂の上面にレーザビームを照射して、所
望の文字のマークを刻印した半導体装置がある。この半
導体装置は、モールド樹脂上面のマークを凹型に刻印し
ているため、前述のようにモールド樹脂の上面を処理す
る必要がない。また、インクを使用しないので有機溶剤
等によりマークがはがれることがない。しかし、このよ
うにレーザビームによりモールド樹脂の上面に刻印して
形成したマークでは、上記説明したインクを密着させて
形成するマークに比べ文字の鮮明度が劣るため、部品番
号やロット番号等の識別が十分に行えない。
に、モールド樹脂の上面にレーザビームを照射して、所
望の文字のマークを刻印した半導体装置がある。この半
導体装置は、モールド樹脂上面のマークを凹型に刻印し
ているため、前述のようにモールド樹脂の上面を処理す
る必要がない。また、インクを使用しないので有機溶剤
等によりマークがはがれることがない。しかし、このよ
うにレーザビームによりモールド樹脂の上面に刻印して
形成したマークでは、上記説明したインクを密着させて
形成するマークに比べ文字の鮮明度が劣るため、部品番
号やロット番号等の識別が十分に行えない。
【0005】よって本発明は、モールド樹脂で封止した
ものであって、そのモールド樹脂の上面に、簡単な工程
で、かつ鮮明なマークを有する半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
ものであって、そのモールド樹脂の上面に、簡単な工程
で、かつ鮮明なマークを有する半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の問題点
を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、インナリードと電気的に接続された半導体素子をモ
ールド樹脂にて一体封止し、このモールド樹脂の上面に
識別用のマークを付した半導体装置において、このマー
クは、一体封止したモールド樹脂の上面に対して段差を
設けて形成されたものであるとともに、マークの少なく
とも表面がモールド樹脂のマーク以外の面よりも平滑に
仕上げられているものである。
を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、インナリードと電気的に接続された半導体素子をモ
ールド樹脂にて一体封止し、このモールド樹脂の上面に
識別用のマークを付した半導体装置において、このマー
クは、一体封止したモールド樹脂の上面に対して段差を
設けて形成されたものであるとともに、マークの少なく
とも表面がモールド樹脂のマーク以外の面よりも平滑に
仕上げられているものである。
【0007】
【作用】モールド樹脂の上面に付されたマークはこのモ
ールド樹脂の上面に対して段差を設けて形成されている
ため、有機溶剤等で洗浄してもマークがはがれ落ちるこ
とがない。また、マークの少なくとも表面がモールド樹
脂のマーク以外の面よりも平滑に仕上げられているの
で、マーク以外のモールド樹脂上面よりマーク表面の方
が光を効率よく反射する。これにより、マークが鮮明に
表示される。
ールド樹脂の上面に対して段差を設けて形成されている
ため、有機溶剤等で洗浄してもマークがはがれ落ちるこ
とがない。また、マークの少なくとも表面がモールド樹
脂のマーク以外の面よりも平滑に仕上げられているの
で、マーク以外のモールド樹脂上面よりマーク表面の方
が光を効率よく反射する。これにより、マークが鮮明に
表示される。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図1(a)は本発明の半導体装置を説明する平面
図、(b)は(a)のイ−イ線矢視断面図である。図1
(b)に示すように、本発明の半導体装置は、半導体素
子1とインナリード2とを例えばボンディングワイヤー
3にて電気的に接続している。これら半導体素子1とイ
ンナリード2とボンディングワイヤー3とを例えばトラ
ンスファーモールド法によりモールド樹脂4にて一体封
止して、半導体装置のパッケージを形成している。この
一体封止しているモールド樹脂4の上面4aには、この
半導体装置の部品番号やロット番号、および社名等の識
別用のマーク5が形成されている。
る。図1(a)は本発明の半導体装置を説明する平面
図、(b)は(a)のイ−イ線矢視断面図である。図1
(b)に示すように、本発明の半導体装置は、半導体素
子1とインナリード2とを例えばボンディングワイヤー
3にて電気的に接続している。これら半導体素子1とイ
ンナリード2とボンディングワイヤー3とを例えばトラ
ンスファーモールド法によりモールド樹脂4にて一体封
止して、半導体装置のパッケージを形成している。この
一体封止しているモールド樹脂4の上面4aには、この
半導体装置の部品番号やロット番号、および社名等の識
別用のマーク5が形成されている。
【0009】このマーク5は、一体封止しているモール
ド樹脂4の上面4aに対して段差を設けて形成される。
すなわち、マーク表面5aがモールド樹脂4の上面4a
より低い、いわゆる溝状に形成されたものである。さら
に、このマーク5の少なくともマーク表面5aは、モー
ルド樹脂4のマーク5以外の面よりも平滑に仕上げられ
ている。例えば、モールド樹脂4のマーク5以外の面が
光の反射が少ない梨地のように形成され、マーク表面5
aが光の反射が多い鏡面のように仕上げられている。ま
た、マーク表面5aだけでなく、マーク側面5bまで鏡
面のように仕上げられていてもよい。
ド樹脂4の上面4aに対して段差を設けて形成される。
すなわち、マーク表面5aがモールド樹脂4の上面4a
より低い、いわゆる溝状に形成されたものである。さら
に、このマーク5の少なくともマーク表面5aは、モー
ルド樹脂4のマーク5以外の面よりも平滑に仕上げられ
ている。例えば、モールド樹脂4のマーク5以外の面が
光の反射が少ない梨地のように形成され、マーク表面5
aが光の反射が多い鏡面のように仕上げられている。ま
た、マーク表面5aだけでなく、マーク側面5bまで鏡
面のように仕上げられていてもよい。
【0010】このように、マーク5はモールド樹脂4の
上面4aに対して溝状に形成されているので、半導体装
置を基板に実装した後、有機溶剤等を用いて洗浄しても
マーク5がはがれることがない。また、モールド樹脂4
のマーク5以外の面とマーク表面5aとの仕上げの差に
より、マーク5は鮮明に目視される。
上面4aに対して溝状に形成されているので、半導体装
置を基板に実装した後、有機溶剤等を用いて洗浄しても
マーク5がはがれることがない。また、モールド樹脂4
のマーク5以外の面とマーク表面5aとの仕上げの差に
より、マーク5は鮮明に目視される。
【0011】次に図2、図3に基づいて金型を用いた本
発明のパッケージ形成方法について説明する。図2は本
発明のパッケージ形成に使用する金型を説明する平面図
である。また、図3(a)はマーク型ブロックの斜視
図、(b)は(a)のロ−ロ線矢視拡大断面図である。
図2の平面図は、上型6に複数個設けられているキャビ
ティ61のうちの一つを示している。このキャビティ6
1は半導体装置のパッケージに応じた形状に形成されて
いる。また、キャビティ61にはゲート62が連通して
おり、モールド樹脂4がこのゲート62を通過してキャ
ビティ61内に充填される。キャビティ61の底面には
後述する円柱形のマーク型ブロック7が差し込まれてい
る。ここでは説明を簡単にするため、文字A、B、Cの
3文字のマーク型ブロック7が各々配置されているもの
とする。
発明のパッケージ形成方法について説明する。図2は本
発明のパッケージ形成に使用する金型を説明する平面図
である。また、図3(a)はマーク型ブロックの斜視
図、(b)は(a)のロ−ロ線矢視拡大断面図である。
図2の平面図は、上型6に複数個設けられているキャビ
ティ61のうちの一つを示している。このキャビティ6
1は半導体装置のパッケージに応じた形状に形成されて
いる。また、キャビティ61にはゲート62が連通して
おり、モールド樹脂4がこのゲート62を通過してキャ
ビティ61内に充填される。キャビティ61の底面には
後述する円柱形のマーク型ブロック7が差し込まれてい
る。ここでは説明を簡単にするため、文字A、B、Cの
3文字のマーク型ブロック7が各々配置されているもの
とする。
【0012】図3(a)の斜視図に示すように、マーク
型ブロック7は、円柱形のブロック71と、このブロッ
ク上面71aに所定の文字(例えば文字C)を線対称に
型取られたマーク型72とから構成されている。図3
(b)の断面図に示すように、このマーク型72は、そ
の高さdが約20μmの凸型に形成されている。また、
マーク型表面72aはブロック上面71aより平滑に仕
上げられている。したがって、半導体装置のパッケージ
形成後、モールド樹脂4に形成されるマーク5のマーク
表面5aは、このマーク型表面72aの仕上げの粗さが
転写されることになる。これにより、マーク表面5aは
モールド樹脂4のマーク5以外の面より光を効率よく反
射することになる。さらに、マーク型72のマーク型側
面72bにはテーパ加工を施してある。このテーパ角度
θ1 、θ2 を100°〜110°にすることで、モール
ド樹脂4の充填後、金型の離型を容易に行うことができ
る。
型ブロック7は、円柱形のブロック71と、このブロッ
ク上面71aに所定の文字(例えば文字C)を線対称に
型取られたマーク型72とから構成されている。図3
(b)の断面図に示すように、このマーク型72は、そ
の高さdが約20μmの凸型に形成されている。また、
マーク型表面72aはブロック上面71aより平滑に仕
上げられている。したがって、半導体装置のパッケージ
形成後、モールド樹脂4に形成されるマーク5のマーク
表面5aは、このマーク型表面72aの仕上げの粗さが
転写されることになる。これにより、マーク表面5aは
モールド樹脂4のマーク5以外の面より光を効率よく反
射することになる。さらに、マーク型72のマーク型側
面72bにはテーパ加工を施してある。このテーパ角度
θ1 、θ2 を100°〜110°にすることで、モール
ド樹脂4の充填後、金型の離型を容易に行うことができ
る。
【0013】この金型を使用して半導体装置のパッケー
ジを形成するには、まず、ボンディングワイヤー3にて
インナリード2との接続が完了した半導体素子1を前述
の上型6のキャビティ61と図示しない下型のキャビテ
ィとの間に配置する。そして、ゲート62から軟化した
モールド樹脂4をキャビティ61内に充填し硬化させ
る。これにより、半導体素子1とインナリード2および
ボンディングワイヤー3がモールド樹脂4にて一体封止
され、図1に示すような半導体装置のパッケージが形成
される。このとき同時に、モールド樹脂4の上面4aに
は、マーク型72と反対の形状、すなわち文字A、B、
Cが溝状になったマーク5が形成される。
ジを形成するには、まず、ボンディングワイヤー3にて
インナリード2との接続が完了した半導体素子1を前述
の上型6のキャビティ61と図示しない下型のキャビテ
ィとの間に配置する。そして、ゲート62から軟化した
モールド樹脂4をキャビティ61内に充填し硬化させ
る。これにより、半導体素子1とインナリード2および
ボンディングワイヤー3がモールド樹脂4にて一体封止
され、図1に示すような半導体装置のパッケージが形成
される。このとき同時に、モールド樹脂4の上面4aに
は、マーク型72と反対の形状、すなわち文字A、B、
Cが溝状になったマーク5が形成される。
【0014】このような金型を使用すれば、様々なマー
ク型ブロック7を差し替えるだけで容易にマーク5を変
更することが可能となる。したがって、同じパッケージ
形状の半導体装置であって、例えばロット番号のみが違
う場合でも、同一の金型を使用することができる。
ク型ブロック7を差し替えるだけで容易にマーク5を変
更することが可能となる。したがって、同じパッケージ
形状の半導体装置であって、例えばロット番号のみが違
う場合でも、同一の金型を使用することができる。
【0015】次に、本発明の他の実施例を図に基づいて
説明する。図4は、本発明の半導体装置の他の実施例を
説明する概略断面図である。前記実施例と同様、半導体
素子1とインナリード2とをボンディングワイヤー3に
て接続し、モールド樹脂4で一体封止している。このモ
ールド樹脂4の上面4aには、凸状のマーク5が形成さ
れている。すなわち、モールド樹脂4の上面4aに対し
てマーク5のマーク表面5aが高く形成されている。こ
の凸状のマーク5の少なくともマーク表面5aがモール
ド樹脂4のマーク5以外の面よりも平滑に仕上げられて
いる。例えば、モールド樹脂4のマーク5以外の面が梨
地のように形成され、また、マーク表面5aが鏡面のよ
うに仕上げられている。また、マーク表面5aと同様に
マーク側面5bも鏡面のように仕上げられたものでもよ
い。
説明する。図4は、本発明の半導体装置の他の実施例を
説明する概略断面図である。前記実施例と同様、半導体
素子1とインナリード2とをボンディングワイヤー3に
て接続し、モールド樹脂4で一体封止している。このモ
ールド樹脂4の上面4aには、凸状のマーク5が形成さ
れている。すなわち、モールド樹脂4の上面4aに対し
てマーク5のマーク表面5aが高く形成されている。こ
の凸状のマーク5の少なくともマーク表面5aがモール
ド樹脂4のマーク5以外の面よりも平滑に仕上げられて
いる。例えば、モールド樹脂4のマーク5以外の面が梨
地のように形成され、また、マーク表面5aが鏡面のよ
うに仕上げられている。また、マーク表面5aと同様に
マーク側面5bも鏡面のように仕上げられたものでもよ
い。
【0016】この凸状のマーク5を形成するには、図3
に示すマーク型ブロック7のマーク型72を凹状に設け
たものを使用すればよい。そして、前記実施例の形成方
法と同様に半導体装置のパッケージを形成すれば、モー
ルド樹脂4の上面4aに凸状のマーク5が形成される。
に示すマーク型ブロック7のマーク型72を凹状に設け
たものを使用すればよい。そして、前記実施例の形成方
法と同様に半導体装置のパッケージを形成すれば、モー
ルド樹脂4の上面4aに凸状のマーク5が形成される。
【0017】これにより、マーク5が浮き上がって表示
されるとともに、マーク5とモールド樹脂4のマーク5
以外の面との光の反射に差が生じるので、マーク5の識
別性が向上する。
されるとともに、マーク5とモールド樹脂4のマーク5
以外の面との光の反射に差が生じるので、マーク5の識
別性が向上する。
【0018】なお、前記説明したいずれの実施例におい
て、半導体素子1とインナリード2との電気的な接続に
ボンディングワイヤー3を用いたが、本発明はこれに限
定されず、インナリード2に例えばTAB(Tape
Automated Bonding)を用い、このT
ABと半導体素子1とをハンダバンプを介して電気的に
接続したものでもよい。
て、半導体素子1とインナリード2との電気的な接続に
ボンディングワイヤー3を用いたが、本発明はこれに限
定されず、インナリード2に例えばTAB(Tape
Automated Bonding)を用い、このT
ABと半導体素子1とをハンダバンプを介して電気的に
接続したものでもよい。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば以下の効果がある。すなわち、マークがモール
ド樹脂の上面に対して段差を設けて形成されているの
で、有機溶剤等で半導体装置を洗浄してもマークが消え
ることがない。また、マークの少なくとも表面がモール
ド樹脂のマーク以外の面よりも平滑に仕上げられている
ので、マークが鮮明に表示され、識別が容易になる。さ
らに、本発明は、金型のキャビティ底面にマーク型を設
けることで、パッケージの形成と同時にモールド樹脂上
面にマークを形成することができる。したがて、パッケ
ージ形成後に行っていたマーク形成工程を廃止すること
ができる。また、インクを使用しないのでモールド樹脂
の表面を処理をする必要がなく、インクの硬化時間を待
つ必要もない。このように、少ない工程で鮮明なマーク
を有した半導体装置を提供することができるので生産性
が向上するとともに、コストダウンが図れる。
によれば以下の効果がある。すなわち、マークがモール
ド樹脂の上面に対して段差を設けて形成されているの
で、有機溶剤等で半導体装置を洗浄してもマークが消え
ることがない。また、マークの少なくとも表面がモール
ド樹脂のマーク以外の面よりも平滑に仕上げられている
ので、マークが鮮明に表示され、識別が容易になる。さ
らに、本発明は、金型のキャビティ底面にマーク型を設
けることで、パッケージの形成と同時にモールド樹脂上
面にマークを形成することができる。したがて、パッケ
ージ形成後に行っていたマーク形成工程を廃止すること
ができる。また、インクを使用しないのでモールド樹脂
の表面を処理をする必要がなく、インクの硬化時間を待
つ必要もない。このように、少ない工程で鮮明なマーク
を有した半導体装置を提供することができるので生産性
が向上するとともに、コストダウンが図れる。
【図1】(a)は本発明の半導体装置を説明する平面図
である。(b)は(a)のイ−イ線矢視断面図である。
である。(b)は(a)のイ−イ線矢視断面図である。
【図2】本発明のパッケージ形成に使用する金型を説明
する平面図である。
する平面図である。
【図3】(a)はマーク型ブロックを説明する斜視図で
ある。(b)は(a)のロ−ロの線矢視拡大である。
ある。(b)は(a)のロ−ロの線矢視拡大である。
【図4】本発明の他の実施例を説明する概略断面図であ
る。
る。
【図5】(a)は従来の半導体装置を説明する平面図で
ある。(b)は(a)のハ−ハ線矢視断面図である。
ある。(b)は(a)のハ−ハ線矢視断面図である。
1 半導体素子 2 インナリード 3 ボンディングワイヤー 4 モールド樹脂 5 マーク
Claims (1)
- 【請求項1】 インナリードと電気的に接続された半導
体素子と、 前記インナリードと前記半導体素子とを一体封止したモ
ールド樹脂と、 前記モールド樹脂の上面に付した識別用のマークとから
成る半導体装置において、 前記マークは、前記モールド樹脂の上面に対して段差を
設けて形成され、かつ前記マークの少なくとも表面が前
記モールド樹脂の前記マーク以外の面よりも平滑に仕上
げられているものであることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252935A JPH0563111A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252935A JPH0563111A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563111A true JPH0563111A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17244211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252935A Pending JPH0563111A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563111A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528457A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-18 | Gennum Corporation | Method and structure for balancing encapsulation stresses in a hybrid circuit assembly |
| US6316829B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Reinforced semiconductor package |
| KR20150000739A (ko) * | 2013-06-25 | 2015-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3252935A patent/JPH0563111A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528457A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-18 | Gennum Corporation | Method and structure for balancing encapsulation stresses in a hybrid circuit assembly |
| US6316829B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Reinforced semiconductor package |
| KR20150000739A (ko) * | 2013-06-25 | 2015-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
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