JPH0563298A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH0563298A JPH0563298A JP22386091A JP22386091A JPH0563298A JP H0563298 A JPH0563298 A JP H0563298A JP 22386091 A JP22386091 A JP 22386091A JP 22386091 A JP22386091 A JP 22386091A JP H0563298 A JPH0563298 A JP H0563298A
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- JP
- Japan
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- laminated
- active layer
- conductivity type
- semiconductor laser
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- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層層厚の制御を正確に行いながらも、所望
の屈折率分布を作り付ける半導体レーザの製造方法を提
供すること。 【構成】 ストライプ状に形成された凹部あるいは凸部
を有する第１導電型の半導体基板１上に、第１導電型の
第１クラッド層３、活性層４及び第２導電型の第２クラ
ッド層５を順次積層させる半導体レーザの製造方法であ
って、前記活性層４を、積層材料の供給を指向性を有す
る供給法により供給して積層させる。
の屈折率分布を作り付ける半導体レーザの製造方法を提
供すること。 【構成】 ストライプ状に形成された凹部あるいは凸部
を有する第１導電型の半導体基板１上に、第１導電型の
第１クラッド層３、活性層４及び第２導電型の第２クラ
ッド層５を順次積層させる半導体レーザの製造方法であ
って、前記活性層４を、積層材料の供給を指向性を有す
る供給法により供給して積層させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ストライプ状に形成さ
れた凹部あるいは凸部を有する第１導電型の半導体基板
上に、第１導電型の第１クラッド層、活性層及び第２導
電型の第２クラッド層を順次積層させる半導体レーザの
製造方法に関する。
れた凹部あるいは凸部を有する第１導電型の半導体基板
上に、第１導電型の第１クラッド層、活性層及び第２導
電型の第２クラッド層を順次積層させる半導体レーザの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体レーザを基本横モードで
発振させるために、第１導電型と第２導電型の接合面す
なわちｐｎ接合面に平行で且つ共振器方向に垂直な方向
に屈折率分布を作り付ける必要がある。この要求を満た
す半導体レーザの製造方法として、従来では、半導体基
板上にストライプ状の凹部を形成し、この基板上に液相
成長により、第１クラッド層、活性層、及び第２クラッ
ド層を順次積層させる、いわゆるＣＳＰ構造半導体レー
ザの製造方法が知られている。
発振させるために、第１導電型と第２導電型の接合面す
なわちｐｎ接合面に平行で且つ共振器方向に垂直な方向
に屈折率分布を作り付ける必要がある。この要求を満た
す半導体レーザの製造方法として、従来では、半導体基
板上にストライプ状の凹部を形成し、この基板上に液相
成長により、第１クラッド層、活性層、及び第２クラッ
ド層を順次積層させる、いわゆるＣＳＰ構造半導体レー
ザの製造方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来方法では、液相成長であるが故に正確な積層層厚の制
御が困難であり、完成した半導体レーザ素子間の特性ば
らつきが大きくなり、歩留りの低下をもたらすという不
都合があった。本発明は、上記実情に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、積層層厚の制御を正確に行い
ながらも、所望の屈折率分布を作り付ける半導体レーザ
の製造方法を提供することにある。
来方法では、液相成長であるが故に正確な積層層厚の制
御が困難であり、完成した半導体レーザ素子間の特性ば
らつきが大きくなり、歩留りの低下をもたらすという不
都合があった。本発明は、上記実情に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、積層層厚の制御を正確に行い
ながらも、所望の屈折率分布を作り付ける半導体レーザ
の製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
製造方法は、ストライプ状に形成された凹部あるいは凸
部を有する第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の
第１クラッド層、活性層及び第２導電型の第２クラッド
層を順次積層させるものであって、その特徴は、前記活
性層を、積層材料の供給を指向性を有する供給法により
供給して積層させる点にある。
製造方法は、ストライプ状に形成された凹部あるいは凸
部を有する第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の
第１クラッド層、活性層及び第２導電型の第２クラッド
層を順次積層させるものであって、その特徴は、前記活
性層を、積層材料の供給を指向性を有する供給法により
供給して積層させる点にある。
【０００５】
【作用】上記特徴によれば、ストライプ状に形成された
凹部あるいは凸部を有する半導体基板上に、第１導電型
の第１クラッド層を積層し、その上に積層材料の供給を
指向性を有する供給法により供給して活性層を積層す
る。このとき、半導体基板に形成したストライプ状の凹
部あるいは凸部が第１クラッド層の積層後もその形状を
保存しており、この凹部あるいは凸部の上に活性層が積
層すると、凹部あるいは凸部の斜面部分に積層した活性
層厚は、凹部あるいは凸部の平坦部分に積層した活性層
厚よりも薄くなる。このように、活性層を積層した後、
第２導電型の第２クラッド層を積層する。前記ストライ
プ状凹部あるいは凸部の長手方向を半導体レーザの共振
器方向とすることで、上記のように活性層厚が部分的に
変化すると、第１クラッド層及び第２クラッド層と活性
層との屈折率の違いの影響を受けて、第１導電型と第２
導電型の接合面に平行で且つ共振器方向に垂直な方向に
屈折率分布が作り込まれる。又、上記のように、積層材
料の供給を指向性を有する供給法により供給して活性層
を積層することで、積層材料の供給及び供給断の切り換
えで活性層厚を正確に制御できる。
凹部あるいは凸部を有する半導体基板上に、第１導電型
の第１クラッド層を積層し、その上に積層材料の供給を
指向性を有する供給法により供給して活性層を積層す
る。このとき、半導体基板に形成したストライプ状の凹
部あるいは凸部が第１クラッド層の積層後もその形状を
保存しており、この凹部あるいは凸部の上に活性層が積
層すると、凹部あるいは凸部の斜面部分に積層した活性
層厚は、凹部あるいは凸部の平坦部分に積層した活性層
厚よりも薄くなる。このように、活性層を積層した後、
第２導電型の第２クラッド層を積層する。前記ストライ
プ状凹部あるいは凸部の長手方向を半導体レーザの共振
器方向とすることで、上記のように活性層厚が部分的に
変化すると、第１クラッド層及び第２クラッド層と活性
層との屈折率の違いの影響を受けて、第１導電型と第２
導電型の接合面に平行で且つ共振器方向に垂直な方向に
屈折率分布が作り込まれる。又、上記のように、積層材
料の供給を指向性を有する供給法により供給して活性層
を積層することで、積層材料の供給及び供給断の切り換
えで活性層厚を正確に制御できる。
【０００６】
【発明の効果】本発明によれば、上記の如く、半導体レ
ーザの動作特性に大きく影響する活性層の積層層厚の制
御を正確に行いながらも、所望の屈折率分布を作り付け
るできるため、歩留りよく、基本横モードで発振する半
導体レーザを製造することできる。
ーザの動作特性に大きく影響する活性層の積層層厚の制
御を正確に行いながらも、所望の屈折率分布を作り付け
るできるため、歩留りよく、基本横モードで発振する半
導体レーザを製造することできる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の半導体レーザの製造方法を適
用した実施例について図面に基づいて説明する。図１乃
至図３に、半導体レーザの製造工程を、半導体レーザの
１素子分を抜き出して示す。図１に示すように、第１導
電型の半導体基板としてのｎ型ＧａＡｓ基板１に、スト
ライプ状の凸部を、フォトリソグラフィ及び化学エッチ
ングにより、順メサ状に形成する。次に、図２に示すよ
うに、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、第１導電型の第１ク
ラッド層としてのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層
３、アンドープＡｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層４、第２導
電型の第２クラッド層としてのｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0. 55Ａ
ｓクラッド層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６を順次ＭＢ
Ｅ法により積層する。
用した実施例について図面に基づいて説明する。図１乃
至図３に、半導体レーザの製造工程を、半導体レーザの
１素子分を抜き出して示す。図１に示すように、第１導
電型の半導体基板としてのｎ型ＧａＡｓ基板１に、スト
ライプ状の凸部を、フォトリソグラフィ及び化学エッチ
ングにより、順メサ状に形成する。次に、図２に示すよ
うに、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、第１導電型の第１ク
ラッド層としてのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層
３、アンドープＡｌ0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層４、第２導
電型の第２クラッド層としてのｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0. 55Ａ
ｓクラッド層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６を順次ＭＢ
Ｅ法により積層する。
【０００８】その後、図３に示すように、液相成長法に
より、ストライプ状の凸部の先端には結晶成長せず、そ
の周囲のみに結晶成長するように成長時間等を制御し
て、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７を積層する。そしてさら
に、図示しないｐ側及びｎ側の電極を蒸着した後、スト
ライプ状の凸部の長手方向を共振器方向として劈開スク
ライブして素子の形に切り出す。
より、ストライプ状の凸部の先端には結晶成長せず、そ
の周囲のみに結晶成長するように成長時間等を制御し
て、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７を積層する。そしてさら
に、図示しないｐ側及びｎ側の電極を蒸着した後、スト
ライプ状の凸部の長手方向を共振器方向として劈開スク
ライブして素子の形に切り出す。
【０００９】上記のように、積層材料の供給を指向性を
有する供給法であるＭＢＥ法にて、活性層４を積層する
と、ストライプ状凸部の斜面部分の活性層厚は、ストラ
イプ状凸部の平坦部分の活性層厚よりも薄くなり、この
活性層厚の変化により、ｐｎ接合方向に平行で、且つ、
ストライプ状の凸部の長手方向すなわち共振器方向に垂
直な方向に屈折率分布が作り込まれる。つまり、ストラ
イプ状凸部の平坦部分の屈折率が、ストライプ状凸部の
斜面部分の屈折率よりも等価的に高くなる。この屈折率
分布によって、活性層４で生じたレーザ光がストライプ
状の凸部の平坦部に閉じ込められて、横基本モードでレ
ーザ発振する。又、電流狭窄層７により電流の注入をス
トライプ状の凸部に集中させるため、ストライプ状の凸
部の平坦部以外の平坦部での発光を阻止できると共に発
振閾値電流を低減できる。
有する供給法であるＭＢＥ法にて、活性層４を積層する
と、ストライプ状凸部の斜面部分の活性層厚は、ストラ
イプ状凸部の平坦部分の活性層厚よりも薄くなり、この
活性層厚の変化により、ｐｎ接合方向に平行で、且つ、
ストライプ状の凸部の長手方向すなわち共振器方向に垂
直な方向に屈折率分布が作り込まれる。つまり、ストラ
イプ状凸部の平坦部分の屈折率が、ストライプ状凸部の
斜面部分の屈折率よりも等価的に高くなる。この屈折率
分布によって、活性層４で生じたレーザ光がストライプ
状の凸部の平坦部に閉じ込められて、横基本モードでレ
ーザ発振する。又、電流狭窄層７により電流の注入をス
トライプ状の凸部に集中させるため、ストライプ状の凸
部の平坦部以外の平坦部での発光を阻止できると共に発
振閾値電流を低減できる。
【００１０】〔別実施例〕上記実施例では、ストライプ
状の凸部を形成した半導体基板をもちいたが、ストライ
プ状の凹部を形成した半導体基板を用いても良い。この
ストライプ状の凹部を形成した半導体基板を用いた場合
も、上記実施例と同様に、ストライプ状の凹部の斜面部
分の活性層厚は、ストライプ状の凹部の平坦部分の活性
層厚よりも薄くなり、この活性層厚の変化により、ｐｎ
接合方向に平行で、且つ、ストライプ状の凹部の長手方
向すなわち共振器方向に垂直な方向に屈折率分布が作り
込まれる。又、上記実施例では、積層材料の供給法とし
てＭＢＥ法を用いたが、ガスソースＭＢＥ法等の他の指
向性を有する供給方法でも良い。さらに、上記実施例で
は、積層材料をＡｌＧａＡｓ系として説明したが、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系等の他の材料でも良い。
状の凸部を形成した半導体基板をもちいたが、ストライ
プ状の凹部を形成した半導体基板を用いても良い。この
ストライプ状の凹部を形成した半導体基板を用いた場合
も、上記実施例と同様に、ストライプ状の凹部の斜面部
分の活性層厚は、ストライプ状の凹部の平坦部分の活性
層厚よりも薄くなり、この活性層厚の変化により、ｐｎ
接合方向に平行で、且つ、ストライプ状の凹部の長手方
向すなわち共振器方向に垂直な方向に屈折率分布が作り
込まれる。又、上記実施例では、積層材料の供給法とし
てＭＢＥ法を用いたが、ガスソースＭＢＥ法等の他の指
向性を有する供給方法でも良い。さらに、上記実施例で
は、積層材料をＡｌＧａＡｓ系として説明したが、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系等の他の材料でも良い。
【００１１】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構造に限定されるものではない。
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構造に限定されるものではない。
【図１】本発明を適用した半導体レーザの製造工程を示
す斜視図
す斜視図
【図２】同斜視図
【図３】同斜視図
１ 第１導電型の半導体基板 ３ 第１導電型の第１クラッド層 ４ 活性層 ５ 第２導電型の第２クラッド層
Claims (1)
- 【請求項１】 ストライプ状に形成された凹部あるいは
凸部を有する第１導電型の半導体基板（１）上に、第１
導電型の第１クラッド層（３）、活性層（４）及び第２
導電型の第２クラッド層（５）を順次積層させる半導体
レーザの製造方法であって、 前記活性層（４）を、積層材料の供給を指向性を有する
供給法により供給して積層させる半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22386091A JPH0563298A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22386091A JPH0563298A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563298A true JPH0563298A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16804842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22386091A Pending JPH0563298A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563298A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050829A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP22386091A patent/JPH0563298A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050829A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
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