JPH056382U - Ｘ線イメージセンサ - Google Patents
Ｘ線イメージセンサInfo
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- JPH056382U JPH056382U JP5260191U JP5260191U JPH056382U JP H056382 U JPH056382 U JP H056382U JP 5260191 U JP5260191 U JP 5260191U JP 5260191 U JP5260191 U JP 5260191U JP H056382 U JPH056382 U JP H056382U
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本考案は暗電流の少ないＸ線イメージセンサ
を得る。 【構成】 シンチレータ１０のＸ線入射側に可視光を遮
蔽し、Ｘ線を通過する膜１１，１２を設けたＸ線イメー
ジセンサ。
を得る。 【構成】 シンチレータ１０のＸ線入射側に可視光を遮
蔽し、Ｘ線を通過する膜１１，１２を設けたＸ線イメー
ジセンサ。
Description
【０００１】
本考案はＸ線イメージセンサに関し、特に医療に用いるのに適したＸ線イメー
ジセンサに関する。
【０００２】
従来のＸ線イメージセンサは、Ｘ線を吸収して可視光を放射するシンチレータ
と、その放射された可視光を検出する多数のフォトダイオードからなるイメージ
センサとから構成されている。シンチレータ材料としてはＴｌイオンをヘビード
ープしたＣｓＩなどが用いられている。これはＸ線を吸収して励起され、波長が
５６０nmの可視光を放射する。そのシンチレータからの可視光をその波長域で分
光感度のよいａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いた多数のフォトダイオー
ドからなるイメージセンサで受ける。
【０００３】
そして、シンチレータ材料から放射される可視光を効率よくイメージセンサの
フォトダイオードに入射させるために、シンチレータ材料のＸ線入射側に、前記
可視光を反射するＡｌ等の金属反射膜を設ける場合もある。
【０００４】
しかしながら、シンチレータ材料に形成される前記金属反射膜は金属のＸ線吸
収係数が比較的大なるため、厚くすることができず、従って、シンチレータ材料
のＸ線入射側から到来する可視光を充分遮断することはできない。シンチレータ
材料のＸ線入射側から到来する前記可視光の迷光があると、フォトダイオードの
暗電流となり、Ｘ線イメージセンサの感度を低下することとなり、特に、人体に
照射できるＸ線量が限られ、微弱な信号を検出しなければならない医療用のＸ線
イメージセンサとして用いるには感度不足である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本考案は前記課題を解決するためになされたものであって、Ｘ線を可視光に変
換するシンチレータと、変換された可視光を検出する光検出器からなるＸ線イメ
ージセンサにおいて、該シンチレータのＸ線入射側に可視光を遮蔽し、Ｘ線を透
過する膜を設けたことを特徴とするＸ線イメージセンサである。
【０００６】
本考案においてはＸ線吸収係数が小さく、可視光吸収係数の大きな樹脂を、シ
ンチレータまたはシンチレータ表面に設けた金属反射膜上に塗布することができ
る。またの樹脂は可視光を吸収しやすい黒色樹脂が適している。
【０００７】
本考案によれば、シンチレータのＸ線入射側に設けた可視光を遮断し、Ｘ線を
透過する膜により、Ｘ線を効率よく光電気信号に変換し、且つ迷光による暗電流
を減少させるので、Ｘ線イメージセンサの感度を向上できる。
【０００８】
以下に、図１に示した本考案の一実施例について説明する。
【０００９】
ガラス基板１に下部電極２となる厚み１００nmのクロム膜をスパッタリング法
により成膜した後、その上に、４０nm厚みのＮ型ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）、１０００nm厚みのＩ型ａ−Ｓｉ、１４nm厚みのＰ型ａ−ＳｉをプラズマＣ
ＶＤ法で連続に成膜し、更にその上に上部電極５となる厚み１００nmのＩＴＯ膜
をスパッタリング法で成膜する。次にＩＴＯ膜パターニングして上部電極６を形
成した後、Ｎ型ａ−Ｓｉ層３、Ｉ型ａ−Ｓｉ層４、及びＰ型ａ−Ｓｉ層５をＲＩ
Ｅ（リアクティブ・イオン・エッチング）して、光検出素子である多数のフォト
ダイオード７を形成し、更にクロム膜パターニングして下部電極２を形成した。
その後、保護膜８となる厚み１μｍのａ−ＳｉＮX をプラズマＣＶＤ法で成膜し
た後パターニングして保護膜８を形成し、次いで取り出し電極となる２μｍのア
ルミをスパッタリング法で成膜し、取り出し電極９，９′の形状にパターニング
する。
【００１０】
更にその後、フォトダイオード７上の露出した上部電極６上にＴｌをヘビード
ープしたＣｓＩを１００μｍ厚で蒸着してシンチレータ１０を形成し、そしてシ
ンチレータ１０の発光が外に洩れないように厚さ１００nm厚のアルミの反射膜１
１を成膜する。最後に黒色の樹脂膜１２をアルミの反射膜１１上に形成する。黒
色樹脂としてはシリコン樹脂、エポキシ樹脂が通常用いられ、樹脂膜１２の厚み
は１mm〜１０mmが好ましく、本実施例ではエポキシ樹脂を用い２mmの膜厚とした
。
【００１１】
本考案によれば、金属反射膜１１では阻止できなかった、Ｘ線入射側から到来
する可視光の迷光を黒色の樹脂膜１２で吸収してフォトダイオード等の光検出器
への侵入が効率よく遮断できるため光検出器の暗電流を低減することができ、感
度の高いＸ線イメージセンサを得ることができ、特に医療用に適したＸ線イメー
ジセンサを得ることができる。
【図１】本考案に係るＸ線イメージセンサの部分断面
図。
図。
１ ガラス基板
７ フォトダイオード
１０ シンチレータ
１１ アルミ反射膜
１２ 黒色の樹脂膜
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線を可視光に変換するシンチレータ
と、変換された可視光を検出する光検出器からなるＸ線
イメージセンサにおいて、該シンチレータのＸ線入射側
に可視光を遮蔽し、Ｘ線を透過する膜を設けたことを特
徴とするＸ線イメージセンサ。 - 【請求項２】 前記可視光を遮蔽し、Ｘ線を透過する膜
が黒色樹脂膜である請求項１に記載のＸ線イメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5260191U JPH056382U (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | Ｘ線イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5260191U JPH056382U (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | Ｘ線イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056382U true JPH056382U (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12919308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5260191U Pending JPH056382U (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | Ｘ線イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056382U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013088381A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Furukawa Co Ltd | 携帯型放射線検出器 |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP5260191U patent/JPH056382U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013088381A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Furukawa Co Ltd | 携帯型放射線検出器 |
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