JPH0563846B2 - - Google Patents
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- JPH0563846B2 JPH0563846B2 JP57000337A JP33782A JPH0563846B2 JP H0563846 B2 JPH0563846 B2 JP H0563846B2 JP 57000337 A JP57000337 A JP 57000337A JP 33782 A JP33782 A JP 33782A JP H0563846 B2 JPH0563846 B2 JP H0563846B2
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- JP
- Japan
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- signal
- laser
- output
- power
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光デイスク装置に係り、特に情報を追
加記録する光デイスク装置における記録保護装置
に関するものである。
加記録する光デイスク装置における記録保護装置
に関するものである。
記録・再生可能な光デイスク装置に於ては、記
録・再生ともに同一の光ヘツドで行なわれる。光
源としては変調が容易な点、小形軽量の点などか
ら半導体レーザが適している。
録・再生ともに同一の光ヘツドで行なわれる。光
源としては変調が容易な点、小形軽量の点などか
ら半導体レーザが適している。
記録モードでは、記録情報に対応してレーザ出
力をパルス的にPwのパワと光ヘツドにて微少に
絞り込まれた光スポツトをデイスク上の記録膜に
当て、記録膜を熱的に溶解させて微少な穴をあけ
ることで記録が行なわれる。一方再生モードで
は、レーザパワを一定値PRとする。リードパワ
PRは絞り込まれた光スポツトにより記録膜の熱
的変形が起らない程度のエネルギに制御される。
力をパルス的にPwのパワと光ヘツドにて微少に
絞り込まれた光スポツトをデイスク上の記録膜に
当て、記録膜を熱的に溶解させて微少な穴をあけ
ることで記録が行なわれる。一方再生モードで
は、レーザパワを一定値PRとする。リードパワ
PRは絞り込まれた光スポツトにより記録膜の熱
的変形が起らない程度のエネルギに制御される。
すなわち記録、再生の違いは単にレーザパワの
大小という差だけである。それ故再生モードに於
てロジツク回路や素子の故障、誤動作など何らか
の原因で、レーザパワが通常のリード時のパワに
くらべて過大になつたとすると、誤つた記録をし
たり、すでに記録された情報を誤らせたりする可
能がある。従つて再生モードに於ては、レーザパ
ワが一定値より増大しないよう制限し、記録モー
ドにおいても記録パワの範囲を所定の値に制御す
る必要がある。１つの光源を用いて記録と再生を
行う光デイスク装置としては、例えば、特願昭53
−120505号に提案されている。又、再生モードに
おける半導体レーザの出力安定化に関しては、特
開昭51−29821号に提案されている。
大小という差だけである。それ故再生モードに於
てロジツク回路や素子の故障、誤動作など何らか
の原因で、レーザパワが通常のリード時のパワに
くらべて過大になつたとすると、誤つた記録をし
たり、すでに記録された情報を誤らせたりする可
能がある。従つて再生モードに於ては、レーザパ
ワが一定値より増大しないよう制限し、記録モー
ドにおいても記録パワの範囲を所定の値に制御す
る必要がある。１つの光源を用いて記録と再生を
行う光デイスク装置としては、例えば、特願昭53
−120505号に提案されている。又、再生モードに
おける半導体レーザの出力安定化に関しては、特
開昭51−29821号に提案されている。
一方、記録・再生可能な光デイスク装置では従
来上のような保護手段は設けられていない。また
読出し専用のデイスク装置の場合では上記のよう
な問題に生じ得ない。さらに半導体レーザが用い
られるその他の装置に於ても同様である。従つて
上記の問題は、記録、再生する光デイスク装置に
於てはじめて問題となる特有の新たな問題である
ということができる。
来上のような保護手段は設けられていない。また
読出し専用のデイスク装置の場合では上記のよう
な問題に生じ得ない。さらに半導体レーザが用い
られるその他の装置に於ても同様である。従つて
上記の問題は、記録、再生する光デイスク装置に
於てはじめて問題となる特有の新たな問題である
ということができる。
本発明は、記録モード、再生モードに対して、
その各々に対する半導体レーザのパワーが適正値
からずれたことによつて誤つた記録がされないよ
うな保護装置を得ることを目的とする。
その各々に対する半導体レーザのパワーが適正値
からずれたことによつて誤つた記録がされないよ
うな保護装置を得ることを目的とする。
本発明は半導体レーザに保護素子を並列に接続
する。保護素子はその制御入力に所定の入力が加
えられると短絡状態となる特性を有する。制御入
力には、リードおよびライトの各々のモードに対
して一定のパワ閾値を設定し、リードあるいはラ
イトパワがこの閾値を越えると保護素子への制御
信号が生じるようにする。これにより異常時には
レーザパワを零または小さい値とし誤つた記録が
なされないようにする。
する。保護素子はその制御入力に所定の入力が加
えられると短絡状態となる特性を有する。制御入
力には、リードおよびライトの各々のモードに対
して一定のパワ閾値を設定し、リードあるいはラ
イトパワがこの閾値を越えると保護素子への制御
信号が生じるようにする。これにより異常時には
レーザパワを零または小さい値とし誤つた記録が
なされないようにする。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。第
１図は半導体レーザの電流ILとレーザ出力パワＰ
の特性概要を示す。素子に印加する電流が閾値
Ithを越えると、越えた電流に比例したレーザ出
力が得られる。リード時には電流をIRに設定し、
レーザパワPRとする。PRで光デイスクの記録膜
に何ら変形を生じさせることなく、記録情報の再
生に必要なすべての処理、制御が行なえる。ライ
ト時には記録信号に大じてレーザ電流をパルス的
に変調し、電流IWにして、PWのパワを発生させ
る。記録膜は上記ライドパワが発生されたとき、
その光スポツトが当つた部分が変形して情報ピツ
トが形成されて書込みがなされる。第２図は、レ
ーザに加える電流イとこれにより記録されたピツ
トの様子ロを示す説明図である。
１図は半導体レーザの電流ILとレーザ出力パワＰ
の特性概要を示す。素子に印加する電流が閾値
Ithを越えると、越えた電流に比例したレーザ出
力が得られる。リード時には電流をIRに設定し、
レーザパワPRとする。PRで光デイスクの記録膜
に何ら変形を生じさせることなく、記録情報の再
生に必要なすべての処理、制御が行なえる。ライ
ト時には記録信号に大じてレーザ電流をパルス的
に変調し、電流IWにして、PWのパワを発生させ
る。記録膜は上記ライドパワが発生されたとき、
その光スポツトが当つた部分が変形して情報ピツ
トが形成されて書込みがなされる。第２図は、レ
ーザに加える電流イとこれにより記録されたピツ
トの様子ロを示す説明図である。
正確なリード、ライト動作を実行するためには
レーザ電流の正確な制御が必要である。すなわち
リード時にはリード処理に必要なパワーを確保
し、かつ記録膜の変形閾値パワより十分低い安定
なパワを保証する必要がある。ライト時には形成
される記録ピツトを一定とするためライト電流の
パルス幅、振幅、波形等を正しく制御する必要が
ある。一方、素子特性の変動や、誤動作、誤操作
などが生じ、上記の条件からはずれる状態が発生
したときには直ちに保護処置が必要である。とこ
ろでリード、ライトいずれの場合でも、異常に対
してはレーザパワを零とすることが少なくとも誤
つた情報を書込まないという意味で安全側にな
る。そこで異常検出信号により入出力端子が短続
状態となる特性をもつ素子をレーザと並列に接続
しておけば異常時にはレーザへの電流はバイパス
され、閾値電流以下とすることができる。
レーザ電流の正確な制御が必要である。すなわち
リード時にはリード処理に必要なパワーを確保
し、かつ記録膜の変形閾値パワより十分低い安定
なパワを保証する必要がある。ライト時には形成
される記録ピツトを一定とするためライト電流の
パルス幅、振幅、波形等を正しく制御する必要が
ある。一方、素子特性の変動や、誤動作、誤操作
などが生じ、上記の条件からはずれる状態が発生
したときには直ちに保護処置が必要である。とこ
ろでリード、ライトいずれの場合でも、異常に対
してはレーザパワを零とすることが少なくとも誤
つた情報を書込まないという意味で安全側にな
る。そこで異常検出信号により入出力端子が短続
状態となる特性をもつ素子をレーザと並列に接続
しておけば異常時にはレーザへの電流はバイパス
され、閾値電流以下とすることができる。
第３図は本発明の基本構成を示す。１は半導体
レーザでリード、ライトヘツドに組込まれる。リ
ード電流IRおよびライト電流IWは、それぞれ電流
源３，４から与えられる。なおIR，IWの発生およ
び制御回路は省略している。５はレーザ１の電流
をバイパスする保護素子で、通常は十分高い抵抗
を持ちレーザ１への電流に影響を与えない。制御
入力５０が与えられると、短絡状態となりレーザ
への電流をバイパスする。６は異常状態検出回路
で、レーザパワをモニタして異常信号５０を発生
する。ここで入力６０はレーザパワのモニタ信
号、３０はリードあるいはライト等のモード信号
である。なお半導体レーザ１に直列に接続された
抵抗２は、保護素子５の安定動作のためのもので
省くこともできる。
レーザでリード、ライトヘツドに組込まれる。リ
ード電流IRおよびライト電流IWは、それぞれ電流
源３，４から与えられる。なおIR，IWの発生およ
び制御回路は省略している。５はレーザ１の電流
をバイパスする保護素子で、通常は十分高い抵抗
を持ちレーザ１への電流に影響を与えない。制御
入力５０が与えられると、短絡状態となりレーザ
への電流をバイパスする。６は異常状態検出回路
で、レーザパワをモニタして異常信号５０を発生
する。ここで入力６０はレーザパワのモニタ信
号、３０はリードあるいはライト等のモード信号
である。なお半導体レーザ１に直列に接続された
抵抗２は、保護素子５の安定動作のためのもので
省くこともできる。
第４図は異常検出回路との構成を示す。半導体
レーザのパワモニタ信号６０は一つは平均値６１
で時間的平均値を得この値とリードパワの設定値
PR６４とを比較回路６５で比較し、許容範囲を
越えると論理“１”出力を発生する。パワモニタ
信号のもう一方はそのままライトパワの設定値
PW６２と比較回路６３で比較し、許容範囲を越
えると論理“１”を発生する。上記２つの信号は
オア回路６６を通りフリツプフロツプ６７をセツ
トする。出力５０はレーザに並列に接続された保
護素子を駆動するための制御信号となる。第４図
に於て、平均値回路６１、比較回路６３，６５、
オア回路６６、フリツプフロツプ６７等はすべて
の特殊な特性を有する必要はなく通常の回路手段
で十分である。半導体レーザのパワモニタには、
レーザの光出力の一部を光検出器たとえばフオー
トダイオードで受けその出力電流でもよいし、簡
単には半導体レーザへの印加電流でもよい。比較
回路６３，６５からの出力は、レーザのパワが増
大し、誤記録が発生する可能性が生ずるレベル越
えない点で論理“１”を出力するように設定す
る。なお第４図において、ライト時の保護回路６
２，６３とリード時の保護回路６１，６４，６５
はいずれか一方を用いてもそれなりの効果を有す
る。特にリード時の保護回路６１，６４，６５を
用いる場合には応答速度は速くはないがライト時
の保護機能も持つている。
レーザのパワモニタ信号６０は一つは平均値６１
で時間的平均値を得この値とリードパワの設定値
PR６４とを比較回路６５で比較し、許容範囲を
越えると論理“１”出力を発生する。パワモニタ
信号のもう一方はそのままライトパワの設定値
PW６２と比較回路６３で比較し、許容範囲を越
えると論理“１”を発生する。上記２つの信号は
オア回路６６を通りフリツプフロツプ６７をセツ
トする。出力５０はレーザに並列に接続された保
護素子を駆動するための制御信号となる。第４図
に於て、平均値回路６１、比較回路６３，６５、
オア回路６６、フリツプフロツプ６７等はすべて
の特殊な特性を有する必要はなく通常の回路手段
で十分である。半導体レーザのパワモニタには、
レーザの光出力の一部を光検出器たとえばフオー
トダイオードで受けその出力電流でもよいし、簡
単には半導体レーザへの印加電流でもよい。比較
回路６３，６５からの出力は、レーザのパワが増
大し、誤記録が発生する可能性が生ずるレベル越
えない点で論理“１”を出力するように設定す
る。なお第４図において、ライト時の保護回路６
２，６３とリード時の保護回路６１，６４，６５
はいずれか一方を用いてもそれなりの効果を有す
る。特にリード時の保護回路６１，６４，６５を
用いる場合には応答速度は速くはないがライト時
の保護機能も持つている。
第５図は具体的な本発明の一実施例を示す回路
図である。第５図では第４図の６２，６３のライ
ト時の保護回路は省略した形である。レーザパワ
のモニタ信号６０にはレーザ１への駆動電流に比
例した出力を用いる。平均値回路６１は抵抗６１
１，６１２、コンデンサ６１２から成る回路を用
いている。保護素子にはSCR５を用い、そのア
ノードとカソードを半導体レーザ回路１，２と並
列に接続する。SCRのゲート５０１には、平均
値回路出力をダイオード５０２を通して加える。
平均値回路の出力すなわち抵抗６１３、コンデン
サ６１２の並列回路の端子の電圧は、通常のリー
ドパワに対した値に保たれている。リードパワが
増大したり、あるいはライト時のパルス波高値
や、パルス幅が増大すると、上記平均値回路の出
力電圧は上る。この電圧がダイオード５０２およ
びSCR５のゲートから成るトリガ閾値を越える
と、SCR５は導通状態となる。一たん導通する
とトリガ入力が無くなつてもその状態を保持する
からSCR５は第４図のフリツプフロツプ６７の
機能も含んでいる。SCR５の導通により半導体
レーザ１への電流はSCR回路へバイパスされ、
過大なパワによる誤記録が起ることを防止する。
SCR５の導通、すなわち第４図のフリツプフロ
ツプ６７の出力が“１”になると、これを表示ま
たは他の手段へ伝達し適当な対策をとることにな
る。対策が完了すれば第４図のフリツプフロツプ
６７へリセツト信号６８を加え通常の動作にもど
る。第５図の場合ではSCR５の電流を導通状態
の自己保持電流以下とすることでリセツトされ
る。SCRのゲート回路に入つたダイオード５０
２は上述の如くSCRのトリガ閾値を増加させる
ものであるから抵抗器でもよいし、他の定数との
関係で無くてもよい。上記説明で明らかなように
この部分は第４図に於ける比較回路６５の機能を
有している。なお第５図でSCRゲート５０１に
接続された抵抗５０３、スイツチ５０４からなる
回路は、平均値回路６１以外からの制御信号で
SCRを導通させるためのものである。
図である。第５図では第４図の６２，６３のライ
ト時の保護回路は省略した形である。レーザパワ
のモニタ信号６０にはレーザ１への駆動電流に比
例した出力を用いる。平均値回路６１は抵抗６１
１，６１２、コンデンサ６１２から成る回路を用
いている。保護素子にはSCR５を用い、そのア
ノードとカソードを半導体レーザ回路１，２と並
列に接続する。SCRのゲート５０１には、平均
値回路出力をダイオード５０２を通して加える。
平均値回路の出力すなわち抵抗６１３、コンデン
サ６１２の並列回路の端子の電圧は、通常のリー
ドパワに対した値に保たれている。リードパワが
増大したり、あるいはライト時のパルス波高値
や、パルス幅が増大すると、上記平均値回路の出
力電圧は上る。この電圧がダイオード５０２およ
びSCR５のゲートから成るトリガ閾値を越える
と、SCR５は導通状態となる。一たん導通する
とトリガ入力が無くなつてもその状態を保持する
からSCR５は第４図のフリツプフロツプ６７の
機能も含んでいる。SCR５の導通により半導体
レーザ１への電流はSCR回路へバイパスされ、
過大なパワによる誤記録が起ることを防止する。
SCR５の導通、すなわち第４図のフリツプフロ
ツプ６７の出力が“１”になると、これを表示ま
たは他の手段へ伝達し適当な対策をとることにな
る。対策が完了すれば第４図のフリツプフロツプ
６７へリセツト信号６８を加え通常の動作にもど
る。第５図の場合ではSCR５の電流を導通状態
の自己保持電流以下とすることでリセツトされ
る。SCRのゲート回路に入つたダイオード５０
２は上述の如くSCRのトリガ閾値を増加させる
ものであるから抵抗器でもよいし、他の定数との
関係で無くてもよい。上記説明で明らかなように
この部分は第４図に於ける比較回路６５の機能を
有している。なお第５図でSCRゲート５０１に
接続された抵抗５０３、スイツチ５０４からなる
回路は、平均値回路６１以外からの制御信号で
SCRを導通させるためのものである。
第５図の実施例で保護素子としてSCRを用い
たが、オンオフ動作時にサージ電圧を生じる可能
性をもつ機械接点を除けば、保護素子として使用
することができる。ただし、保護素子によレーザ
の高速変調動作をさまたげるような特性、たとえ
ば非常に大きな容易を持つなどは望ましくない。
たが、オンオフ動作時にサージ電圧を生じる可能
性をもつ機械接点を除けば、保護素子として使用
することができる。ただし、保護素子によレーザ
の高速変調動作をさまたげるような特性、たとえ
ば非常に大きな容易を持つなどは望ましくない。
以上説明した如く本発明によれば、故障あるい
は誤動作などの何らかの原因により、本来記録し
てはいけない部分へ記録されてしまうような誤り
の発生を防止することができる。半導体レーザを
光源とするリードライト可能な高デイスク装置に
おいては、リード、ライトともに同一ヘツドで行
なうから、本発明で提起した問題、すなわちリー
ド時にレーザパワが過大となり誤記録が発生した
りライト時ライトパワの過大により適正な情報が
記録できないという問題はさけられない。とくに
一度記録した内容を消去できない光デイスク装置
にあつては上記問題はシステムの信頼性を保持す
るうえで不可欠の機能といえる。本発明による保
護方式は、特別な特性や精度を有する部品を必要
とせず上記問題を解決しうる点で実用化システム
において多大な効果を発揮するものである。
は誤動作などの何らかの原因により、本来記録し
てはいけない部分へ記録されてしまうような誤り
の発生を防止することができる。半導体レーザを
光源とするリードライト可能な高デイスク装置に
おいては、リード、ライトともに同一ヘツドで行
なうから、本発明で提起した問題、すなわちリー
ド時にレーザパワが過大となり誤記録が発生した
りライト時ライトパワの過大により適正な情報が
記録できないという問題はさけられない。とくに
一度記録した内容を消去できない光デイスク装置
にあつては上記問題はシステムの信頼性を保持す
るうえで不可欠の機能といえる。本発明による保
護方式は、特別な特性や精度を有する部品を必要
とせず上記問題を解決しうる点で実用化システム
において多大な効果を発揮するものである。
第１図は半導体レーザの電流と光出力の関係を
示す図、第２図は半導体レーザの変調電流とデイ
スク上への記録情報を示す説明図、第３図は本発
明の原理的構成を示す図、第４図は本発明に於け
る異常検出回路の一実施例を示す構成図、第５図
は具体的実施例を示す回路図である。
示す図、第２図は半導体レーザの変調電流とデイ
スク上への記録情報を示す説明図、第３図は本発
明の原理的構成を示す図、第４図は本発明に於け
る異常検出回路の一実施例を示す構成図、第５図
は具体的実施例を示す回路図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザと、該半導体レーザの光出力に
対応したモニタ信号を入力信号とし、上記半導体
レーザの異常を検出する異常検出手段と、上記半
導体レーザに並列に接続されており、該異常検出
手段から出力される制御信号が入力されると２端
子間が短絡状態となる保護手段とを備え、上記異
常検出手段は、上記半導体レーザの記録時又は再
生時のそれぞれの光出力に対応する信号を閾値と
して、上記モニタ信号と個別に比較し、上記モニ
タ信号が上記閾値を超えた場合に異常信号を発生
する比較手段と、該比較手段の異常信号を入力信
号とし、該異常信号が入力されることにより制御
状態にスイツチされ、定常的に制御信号を発生す
る手段を有することを特徴とする光デイスク装
置。 ２ 半導体レーザと、該半導体レーザに並列に接
続されているサイリスタと、上記半導体レーザの
光出力に対応したモニタ信号を平均値回路に入力
し、該平均値回路の出力が所定の値を超えると、
上記サイリスタを定常的に導通状態とするように
平均値回路とサイリスタの間に配置されたダイオ
ードとを有することを特徴とする光デイスク装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000337A JPS58118042A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 光デイスク装置 |
| AT82112090T ATE26355T1 (de) | 1982-01-06 | 1982-12-29 | Regelkreis zur regelung der lichtquelle in einem optischen plattenspeicher. |
| DE8282112090T DE3275960D1 (en) | 1982-01-06 | 1982-12-29 | Control circuit for controlling light source in optical disc device |
| EP82112090A EP0083452B1 (en) | 1982-01-06 | 1982-12-29 | Control circuit for controlling light source in optical disc device |
| US06/455,293 US4507767A (en) | 1982-01-06 | 1983-01-03 | Control circuit for controlling light source in optical disc device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000337A JPS58118042A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 光デイスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118042A JPS58118042A (ja) | 1983-07-13 |
| JPH0563846B2 true JPH0563846B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=11471066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000337A Granted JPS58118042A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 光デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118042A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61158033A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 消去可能な光学的記録再生装置 |
| JP4500025B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2010-07-14 | 株式会社日立エルジーデータストレージ | 光ディスク装置及び光ディスク装置の制御方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792884A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | Driving circuit for laser diode |
-
1982
- 1982-01-06 JP JP57000337A patent/JPS58118042A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58118042A (ja) | 1983-07-13 |
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