JPH0564459B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0564459B2
JPH0564459B2 JP59176582A JP17658284A JPH0564459B2 JP H0564459 B2 JPH0564459 B2 JP H0564459B2 JP 59176582 A JP59176582 A JP 59176582A JP 17658284 A JP17658284 A JP 17658284A JP H0564459 B2 JPH0564459 B2 JP H0564459B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
gas
bonding
copper wire
capillary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59176582A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6154637A (ja
Inventor
Koichiro Atsumi
Tetsuo Ando
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP59176582A priority Critical patent/JPS6154637A/ja
Publication of JPS6154637A publication Critical patent/JPS6154637A/ja
Publication of JPH0564459B2 publication Critical patent/JPH0564459B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551Changing the shapes of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07502Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07511Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531Techniques
    • H10W72/07532Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531Techniques
    • H10W72/07532Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5525Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、ワイヤボンデイング方法に関す
る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
IC、LSIなどのフルオートワイヤボンデイング
においては金ワイヤを用いたものが実用されてい
る。このワイヤ部材も半導体素子の低コスト化に
伴ないコスト高の要因となり、金代替ワイヤを用
いてボンデイングすることが要望されている。そ
の代表的なものに銅ワイヤやアルミニウムワイヤ
を用いることが試みられているが、なかなか実用
されていない。
特に、銅などの卑金属ワイヤを用いた場合、
IC用ワークステージを加熱し、ICのペレツトや
リードフレームなどの被接合部材を200℃〜350℃
程度に昇温する必要があるため、この熱によりワ
イヤが酸化され、この酸化によりボンデイング不
良が発生することである。
ワイヤの酸化に対する対策として実開昭59−
26246号に記載されているようにワイヤの先端部
に不活性ガスを吹き付け、この不活性ガスで遮蔽
した状態でワイヤ先端にボールを形成して酸化防
止を行うことが提案されている。
しかしこの提案によつても、本件出願人の研究
によると、ワークステージに組み込まれたヒータ
台の熱によつてヒータ台上方の近接したワイヤが
酸化される。特にキヤピラリーやワイヤクランパ
も加熱されるため、ワイヤ走行中このワイヤクラ
ンパ部にて接触時熱酸化され、ワイヤが被接合部
材近傍に走行される時にはすでに酸化が進行して
いることが判つた。
従つて被接合部材近傍に走行されて、電気トー
チ法または酸水素トーチ法などでボールを形成し
ようとしても、ボール形成が困難となる場合が多
いという問題があつた。
〔発明の目的〕
この発明は、上記点に鑑みなされたもので、走
行中のワイヤの酸化を防止し、ボール形成を安定
化ならしめかつ接合強度の高いワイヤボンデイン
グ方法を提供するものである。
〔発明の概要〕
すなわち、ワイヤをワイヤ繰り出し部から導出
し被接合部材に圧着してボンデイングするに際
し、上記ワイヤ繰り出し部からワイヤ先端までの
ワイヤ走行路の少なくとも一部を不活性ガス又は
窒素ガス又は還元性ガス雰囲気に形成し、上記不
活性ガス又は窒素ガス又は還元性ガスは少なくと
もワイヤの走行方向に沿つて流路を形成するよう
に供給されることを特徴とするワイヤボンデイン
グ方法を得るものである。
〔発明の実施例〕
次にこの発明方法を銅ワイヤを用いた電気トー
チ法によるワイヤボンデイングに適用した実施例
を図示を参照して説明する。
電気トーチ法によるフルオートワイヤボンデイ
ング装置は当業者において周知であるから、その
説明は省略する。
即ち、ワイヤボンデイング装置のボンデイング
アーム系を第1図に示す。ボンデイング用ワイヤ
例えば銅ワイヤがワイヤ繰り出し部例えばワイヤ
スプール1に巻装されてボンデイング装置に設置
される。このワイヤスプール1から導出された銅
ワイヤ2はワイヤガイド3を経てクランパ例えば
第1のクランパ4、第2のクランパ5を走行し、
ボンデイングツールであるキヤピラリー6を挿通
して、銅ワイヤ2の先端がキヤピラリー6から突
出した状態に導びかれる。
この銅ワイヤ2の突出した先端近傍には電気ト
ーチ棒7が設置され、銅ワイヤ2の先端にボール
を形成する時のみ、銅ワイヤ2の先端との間で放
電を発生させるように相対的に移動例えばトーチ
棒7を移動させてボール8を形成する。この際、
電気トーチとワイヤの近傍は酸化防止のために不
活性ガスや還元性ガスなどでおおわれている。
このボール8の下方には被接合部材例えば集積
回路(IC)9が取着されたリードフレーム10
を設置するワークステージ11が設けられてい
る。このワークステージ11にはヒーター12が
組み込まれており、銅ワイヤ2のボンデイングを
良好に促進させるように温度例えば200℃を発生
する。このヒータ12はボンデイング開始前から
加温され、ボンデイング中は連続して加熱動作を
実行するが、この加熱は直流交流いずれでもよ
い。
上記したボンデイングアームは、ワークステー
ジ11とは別のX−Y駆動テーブル(図示せず)
上に設置されるが、さらに上下方向のZ軸方向に
も駆動されるように夫々直接カム機構を係合せず
リニアモータ(図示せず)に接続される。
さらに上記テーブルにはボンデイング位置を視
覚認識するためのカメラ(図示せず)も設置さ
れ、出力をコンピユータ(図示せず)に入力し
て、このコンピユータによりボンデイング位置制
御を行う。
このような装置において、この発明方法は、上
記ヒータ12による熱により銅ワイヤ2が酸化さ
れる領域のワイヤ走行路を不活性ガスN2ガス又
は還元性ガス雰囲気にすることである。例えばガ
イド3通過後の第1のクランパ4との間からキヤ
ピラリ6までの銅ワイヤ走行路を不活性ガス又は
還元性ガス雰囲気にする。即ち、第1のクランパ
4第2のクランパ5を除く部分に上記ガスの流路
を形成する如くフード13,14,15を設置
し、フード13にガス流入口16を設ける。この
ガス流入口16から窒素ガス(N2ガス)又は不
活性ガス又は還元性ガス例えば水素混合ガスを流
入させ、ワイヤの走行方向に沿つて流路に形成
し、キヤピラリ6のワイヤ導出口からも吹き出さ
れる如くガス流路を形成して銅ワイヤ2の走行路
に水素混合ガス雰囲気を形成する。このように水
素混合ガス流路を形成すると、吹き出しガスによ
りキヤピラリー6から突出した銅ワイヤ2の先端
も形状に応じてかなり、水素混合ガスでシールド
されると共に熱気流の上昇をも防止できる効果が
ある。フード13,14,15は分割しないでク
ランパ4,5を収容する形の一体にしたフードで
水素混合ガス雰囲気を形成してもよい。
勿論、上記水素混合ガス流路は下方のフード1
5にガス流入口を設けて上方下方両方に吹き出し
てもよいし、中間位置例えばフード14にガス流
入口を設けて上方と下方に吹き出す構成にしても
よいし、銅ワイヤ先端には別にシールドガスを吹
き付ける手段と併用するようにしてもよい。
ガスの流出口はキヤピラリ6でなく、一個又は
複数個の環状のガス吹き出し口を設けてワイヤの
先端以外のワイヤを水素混合ガス雰囲気にしても
よい。また吹き出し口はキヤピラリ6の他にさら
に途中のフード14,15に設けるようにしても
よい。さらにガスの流量は一定の例えば0.5
m/secでもよいが、流量を時間で可変してもよ
いし、ヒータの温度に応じて流量を可能できるよ
うにしてもよい。さらにまた、ガスは連続吹き出
しでなく適宜の間隔で断続してパルス運転しても
よい。また水素混合ガスはキヤピラリ6中で必ず
しも気体流を作る必要はなく、充満する程度にガ
スを供給するようにしてもよい。
このような構成で、ボンデイングの実行に際
し、ボンデイングに先行してワイヤ2の導出、設
定後ヒータ12への電源投入とともにガス流入口
16から水素混合ガスを流入するように制御後、
ボンデイング作業を開始するように上記コンピユ
ータによりプログラムコントロールを実施する。
ボンデイング作業は周知の通りトーチ棒7により
銅ワイヤ先端にボール8を形成後、ボンデイング
位置にキヤピラリー6により押圧して、ヒータ1
2による熱との共働作用により超音波併用の熱圧
着を行う。
このように銅ワイヤ2の走行路を水素混合ガス
雰囲気で形成することによりボンデイング前の銅
ワイヤ2の酸化を防止でき、安定に銅ワイヤの先
端にボールを形成でき、強固にボールボンデイン
グを実行できる効果がある。特にボールボンデイ
ング後のウエツジボンデイングにおいて従来の先
端のみガスシールドでは強固なボンデイングが得
られなかつたが、この実施例によれば良好な接合
強度が得られている。
なお上記実施例では水素混合ガスを用いた例に
ついて説明したが、ワイヤが熱酸化するのをシー
ルドする効果のあるガス不活性ガス又は還元性ガ
スであれば例えばアルゴンガスや窒素ガスなどで
ワイヤを大気からシールドしても同様な効果があ
る。
さらにまた上記実施例では卑金属として銅ワイ
ヤを用いた例について説明したが卑金属であれば
例えば銅系合金ワイヤ、アルミニウムワイヤ、ア
ルミニウム系合金ワイヤなど何れでもワイヤボン
デイングに実用できる卑金属であればよい。
さらにまた上記実施例では電気トーチ法の実施
例について説明したが、酸水素トーチ法によるワ
イヤボンデイングに適用してもよい。
〔発明の効果〕
上記説明したようにこの発明によればボンデイ
ング用ワイヤ(卑金属ワイヤ)走行路の少なくと
も一部を不活性ガス又は還元性ガス雰囲気にする
ので、ワイヤ先端へのボール形成時ワイヤが酸化
されてないため、良好なボールが形成でき、強固
なボンデイングを行うことができる効果がある。
さらにボールボンデイング後のウエツジボンデ
イングについてもワイヤ(卑金属ワイヤ)が酸化
されてないので、ワイヤと被接合面との接合強度
が向上するなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の実施例を説明するための
側面図である。 1……スプール、2……ワイヤ、13,14,
15……フード、6……キヤピラリ、16……ガ
ス流入口。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ワイヤをワイヤ繰り出し部から導出し被接合
    部材に圧着してボンデイングするに際し、上記ワ
    イヤ繰り出し部からワイヤ先端までのワイヤ走行
    路の少なくとも一部を不活性ガス又は窒素ガス又
    は還元性ガス雰囲気に形成し、上記不活性ガス又
    は窒素ガス又は還元性ガスは少なくともワイヤの
    走行方向に沿つて流路を形成するように供給され
    ることを特徴とするワイヤボンデイング方法。 2 上記ワイヤは卑金属ワイヤであることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載のワイヤボンデ
    イング方法。
JP59176582A 1984-08-27 1984-08-27 ワイヤボンデイング方法 Granted JPS6154637A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59176582A JPS6154637A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59176582A JPS6154637A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 ワイヤボンデイング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6154637A JPS6154637A (ja) 1986-03-18
JPH0564459B2 true JPH0564459B2 (ja) 1993-09-14

Family

ID=16016079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59176582A Granted JPS6154637A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6154637A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4845701B2 (ja) * 2006-12-14 2011-12-28 シチズン電子株式会社 シートスイッチモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6154637A (ja) 1986-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100874328B1 (ko) 와이어 본딩용의 감소된 산화 시스템
US4387283A (en) Apparatus and method of forming aluminum balls for ball bonding
JP5916814B2 (ja) ボンディング方法及びボンディング装置
CN101383304B (zh) 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
JPS6158246A (ja) ワイヤボンデイング方法
CN101388352B (zh) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
JPH0564459B2 (ja)
JPH0587976B2 (ja)
JPH0527977B2 (ja)
JPS62276840A (ja) ボンデイング装置
JPS63266846A (ja) 電子装置の製造方法および装置
JP2761922B2 (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPH0325020B2 (ja)
JPH0682701B2 (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
JPH0530060B2 (ja)
JP2645014B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2776100B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPS57126143A (en) Bonding method
JPH01251628A (ja) ボンディング装置
JPS6197937A (ja) 半導体素子の組立方法及びその装置
JP2586679B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH02310938A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS63266845A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS62123728A (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
JPS62104126A (ja) ワイヤボンデイング方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term