JPH0564697B2 - - Google Patents
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- JPH0564697B2 JPH0564697B2 JP62021495A JP2149587A JPH0564697B2 JP H0564697 B2 JPH0564697 B2 JP H0564697B2 JP 62021495 A JP62021495 A JP 62021495A JP 2149587 A JP2149587 A JP 2149587A JP H0564697 B2 JPH0564697 B2 JP H0564697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- weight
- sintered body
- parts
- elements
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Powder Metallurgy (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、集積回路用配線基板あるいはICパ
ツケージ用材料として適した窒化アルミニウム焼
結体およびその製造方法に係り、特に本発明は、
熱伝導性に優れ、かつ非透光性の窒化アルミニウ
ム焼結体およびその製造方法に関するものであ
る。 （従来の技術） 近年、電子技術の進歩に伴ない電子機器に対す
る高密度化あるいは演算機能の高速化が進められ
ている。その結果、この種の配線基板には高集積
性及び高い信頼性が要求されており、なかでも低
い熱膨張性、高い熱伝導性、優れた寸法安定性及
び長期安定性などの特性を具備するものが要求さ
れている。 このような特性を具備する配線基板としては、
種々のセラミツク材料、例えばアルミナ、ベリリ
ア、炭化珪素あるいは窒化アルミニウムなどの焼
結体が知られているが、これらのうち窒化アルミ
ニウム焼結体は、配線基板材料として要求される
特性のうち電気絶縁性、熱伝導性、熱膨張率、機
械的強度等において特に優れた特性を有する材料
であり、注目されている。 （発明が解決しようとする問題点） ところで、配線基板材料としての窒化アルミニ
ウム焼結体は、最近における原料粉末の高純度化
技術および焼結技術の進歩に伴なつて、極めて熱
伝導性に優れたものが得られている。しかしなが
ら、このように熱伝導性に優れた窒化アルミニウ
ム焼結体ではあるが、配線基板材料としては不適
当な透光性を有するものであつた。 すなわち、このような透光性を有する窒化アル
ミニウム焼結体は、光センサーによつて自動化さ
れた配線基板の製造工程では、当該配線基板のセ
ツト位置認識が困難となるばかりでなく、誤動作
が起き易い欠点を有することになるのである。 そこで、本発明者等は、以上のような欠点を解
決することのできる窒化アルミニウム焼結体を開
発すべく種々研究した結果、Ｖ、Nb、Ta、Ni
あるいはPdなどの元素を窒化アルミニウム焼結
体に含有させることにより、窒化アルミニウム焼
結体の熱伝導性を劣化させることなく透光性を除
去できることを新規に知見し、本発明を完成した
ものである。 すなわち、本発明の目的とするところは、熱伝
導率が高いことは勿論のこと、非透光性であつ
て、配線基板の材料として適した窒化アルミニウ
ム焼結体及びその製造方法に得ることにある。 （問題点を解決するための手段） 以上の問題点を解決するために本発明が採つた
手段について説明すると、まず本発明に係る窒化
アルミニウム焼結体は次のようなものである。す
なわち、 「窒化アルミニウムが85重量部以上、ａ族元
素あるいはａ族元素から選択されるいずれか少
なくとも１種が0.1〜10重量部、およびＶ、Nb、
Ta、NiあるいはPdから選択されるいずれか少な
くとも１種が0.01〜５重量部含まれており、かつ
密度が3.0ｇ／cm3以上であることを特徴とする窒
化アルニミウム焼結体」 がそれである。 換言すれば、本発明に係る窒化アルミニウム焼
結体は、窒化アルミニウムが85重量部以上であつ
て、残部が上記配合率のａ族元素あるいはａ
族元素から選択されるいずれか少なくとも１種
と、Ｖ、Nb、Ta、NiあるいPdから選択される
いずれか少なくとも１種とであり、しかもその密
度が3.0ｇ／cm3以上であるものである。 本発明の窒化アルミニウム焼結体が85重量部以
上の窒化アルミニウムに対して、ａ族元素ある
いはａ族元素から選択されるいずれか少なくと
も１種を0.1〜10重量部含有する理由は、これら
の元素が焼結助剤として用いられるため、0.1重
量部よりも少ないと焼結体の充分な緻密化が達成
されず、一方これらの金属が10重量部よりも多い
と焼結体の熱伝導率、体積固有抵抗等の諸特性が
劣化するからである。 また、本発明の窒化アルミニウム焼結体が85重
量部以上の窒化アルミニウムに対してＶ、Nb、
Ta、NiあるいはPdから選択されるいずれか少な
くとも１種を0.01〜５重量部含有する理由は、こ
れらの金属が0.01重量部よりも少ないと当該焼結
体が非透光性にはならないからであり、一方これ
らの金属が５重量部よりも多いとこれらが窒化ア
ルミニウム粒子に固溶して焼結体の熱伝導率を低
下させるからである。なお、Pdを添加した焼結
体では、このPbの触媒効果により、配線基板の
材料として当該焼結体を用いれば、フルアデイテ
イブ法による無電解銅メツキを行なうことができ
るという利点がある。 次に、以上のような窒化アルミニウム焼結体の
本発明に係る製造方法について説明する。本発明
の製造方法は、 「純度が98重量％以上の窒化アルミニウム粉末
100重量部に対し、ａ族元素、ａ族元素ある
いはそれらの化合物から選択されるいずれか少な
くとも１種を、元素に換算して0.1〜10重量部と、
Ｖ、Nb、Ta、Ni、Pdあるいはそれらの化合物
から選択されるいずれか少なくとも１種を元素に
換算して0.01〜５重量部とを添加して混合した混
合物を所望の形状に成形した後、非酸化性雰囲気
中で1700〜2100℃に加熱して焼結することを特徴
とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法」 である。 この本発明に係る製造方法によれば、純度が98
重量％以上の窒化アルミニウム粉末100重量部に
対し、ａ族元素、ａ族元素あるいはそれらの
化合物から選択されるいずれか少なくとも１種
を、金属元素に換算して0.1〜10重量部添加する
ことが必要である。その理由は、これらの金属ま
たは化合物を焼結助剤として添加し焼結すること
により得られる窒化アルミニウム焼結体は、電気
絶縁性、低熱膨張率、高熱伝導性等の電子回路用
の配線基板材料として要求される諸特性に極めて
優れているからである。また、このような物質を
金属元素換算で0.1〜10重量部に限定する理由は、
これらの物質の添加量が0.1重量部より少ないと
焼結助剤としての効果を充分に発揮させることが
できず、高密度の焼結体を得ることが困難となる
からであり、一方10重量部よりも多いと窒化アル
ミニウム濃度が低下することにより焼結体の強度
が低くなるからである。 また、この本発明に係る製造方法によれば、純
度が98重量％以上の窒化アルミニウム粉末100重
量部に対し、Ｖ、Nb、Ta、Ni、Pdあるいはそ
れらの化合物から選択されるいずれか少なくとも
１種を元素に換算して0.01〜５重量部を添加する
ことが必要である。その理由は、これらの金属を
添加して得られる窒化アルミニウム焼結体が黒色
を呈したもの、すなわち非透光性を有したものと
することができるからであり、また、これらの金
属を元素に換算して0.01〜５重量部を添加するこ
とに限定した理由は、この添加量が0.01重量部よ
り少ないと着色が不充分となるからであり、一方
これらの金属の添加量が５重量部より多いと絶縁
性の劣化の問題が生ずるからである。 以上のようにして、非透光性となした本発明に
係る窒化アルミニウム焼結体は、これを配線基板
の材料として使用した場合、当該配線基板上に光
センサーを備えた自動機械を使用して電子部品を
実装するに際し、この自動機械の光センサーによ
る自動化実装作業を誤作動なく行なうことができ
るようにすることができるのである。 さらに、本発明に係る窒化アルミニウム焼結体
の焼成は、窒化アルミニウム粉末100重量部に対
し、ａ族元素、ａ族元素あるいはそれらの化
合物から選択されるいずれか少なくとも１種を、
元素に換算して0.1〜10重量部と、Ｖ、Nb、Ta、
Ni、Pdあるいはそれらの化合物から選択される
いずれか少なくとも１種に元素に換算して0.01〜
５重量部とを添加して混合した混合物を所望の形
状に成形した後に焼成される。この焼成は、非酸
化性雰囲気中で1700〜2100℃に加熱して行なうこ
とが必要である。その理由は、焼成温度が1700℃
より低いと緻密な焼結体を製造することが困難だ
からであり、一方焼成温度が2100℃より高いと一
旦焼結した結晶粒子が粗大化し易いからである。
また、非酸化性雰囲気としては、例えばアルゴ
ン、ヘリウム、水素、窒素などいずれか少なくと
も１種を使用するか真空にして実現される。 なお、本発明における焼成は常圧焼結法あるい
は加圧焼結法のいずれの方法も適用することがで
きる。 次に、本発明に係る窒化アルミニウム焼結体及
びその製造方法を、実施例及び比較例によつてよ
り詳細に説明する。 （実施例） 実施例 １ 平均粒径が約1.5μｍで酸素含有量が1.0重量％
の窒化アルミニウム粉末94ｇと、平均粒径が２〜
3μｍの酸化イツトリウム粉末５ｇと、パラジウ
ム粉末１ｇと、ベンゼン600mlとをボールミル中
に装入し、６時間混合した後、凍結乾燥した。 この乾燥物を適量採取し、一軸金型プレスによ
り、５Kg／cm2の圧力で成形した後焼成して焼結体
を得た。この焼成時における昇温過程は、常温〜
700℃までの間は８℃／分で昇温し、700℃以上で
は13℃／分の割合で昇温し、最高温度1900℃で３
時間保持した。また、焼成雰囲気は大気圧の窒素
気流とした。 得られた焼結体は黒色であり、その密度は3.35
Kg／cm3、室温における体積固有抵抗は６×
1013Ω・cm、室温における熱伝導率は169W／
ｍ・Ｋであつた。 この試料の表面にフオトレジストによりパター
ンを形成した後、無電解銅メツキ槽に浸漬した。
その結果、レジスト以外の部分が銅が析出し、こ
の析出銅による回路を形成することができた。ま
た、この窒化アルミニウム焼結体を厚みが0.5mm
の試料とした場合、第１図に示したように、その
0.18μｍ〜25μｍの波長の光に対する透過率を0.1
％以下とすることができた。 実施例 ２ 実施例１と同様であるが、金属の種類を第１表
に示す如く変化させて焼結体を得た。これによつ
て得られた焼結体の特性は第１表に示した。 この第１表より、Pd、NbあるいはTaを添加
することにより、熱伝導率を低下させることなく
黒色焼結体を得ることが可能であることが分る。 比較例 １ 比較例として、金属添加以外は実施例１と同様
であるが、金属を全く添加しない焼結体を作成
し、その諸特性を調査した。その結果を第１表に
示した。 また、この試料を実施例１と同様に、厚みが
0.5mmの試料とし、その0.18μｍ〜25μｍの波長の
光に対する透過率を測定した。その結果を第２図
に示した。
ツケージ用材料として適した窒化アルミニウム焼
結体およびその製造方法に係り、特に本発明は、
熱伝導性に優れ、かつ非透光性の窒化アルミニウ
ム焼結体およびその製造方法に関するものであ
る。 （従来の技術） 近年、電子技術の進歩に伴ない電子機器に対す
る高密度化あるいは演算機能の高速化が進められ
ている。その結果、この種の配線基板には高集積
性及び高い信頼性が要求されており、なかでも低
い熱膨張性、高い熱伝導性、優れた寸法安定性及
び長期安定性などの特性を具備するものが要求さ
れている。 このような特性を具備する配線基板としては、
種々のセラミツク材料、例えばアルミナ、ベリリ
ア、炭化珪素あるいは窒化アルミニウムなどの焼
結体が知られているが、これらのうち窒化アルミ
ニウム焼結体は、配線基板材料として要求される
特性のうち電気絶縁性、熱伝導性、熱膨張率、機
械的強度等において特に優れた特性を有する材料
であり、注目されている。 （発明が解決しようとする問題点） ところで、配線基板材料としての窒化アルミニ
ウム焼結体は、最近における原料粉末の高純度化
技術および焼結技術の進歩に伴なつて、極めて熱
伝導性に優れたものが得られている。しかしなが
ら、このように熱伝導性に優れた窒化アルミニウ
ム焼結体ではあるが、配線基板材料としては不適
当な透光性を有するものであつた。 すなわち、このような透光性を有する窒化アル
ミニウム焼結体は、光センサーによつて自動化さ
れた配線基板の製造工程では、当該配線基板のセ
ツト位置認識が困難となるばかりでなく、誤動作
が起き易い欠点を有することになるのである。 そこで、本発明者等は、以上のような欠点を解
決することのできる窒化アルミニウム焼結体を開
発すべく種々研究した結果、Ｖ、Nb、Ta、Ni
あるいはPdなどの元素を窒化アルミニウム焼結
体に含有させることにより、窒化アルミニウム焼
結体の熱伝導性を劣化させることなく透光性を除
去できることを新規に知見し、本発明を完成した
ものである。 すなわち、本発明の目的とするところは、熱伝
導率が高いことは勿論のこと、非透光性であつ
て、配線基板の材料として適した窒化アルミニウ
ム焼結体及びその製造方法に得ることにある。 （問題点を解決するための手段） 以上の問題点を解決するために本発明が採つた
手段について説明すると、まず本発明に係る窒化
アルミニウム焼結体は次のようなものである。す
なわち、 「窒化アルミニウムが85重量部以上、ａ族元
素あるいはａ族元素から選択されるいずれか少
なくとも１種が0.1〜10重量部、およびＶ、Nb、
Ta、NiあるいはPdから選択されるいずれか少な
くとも１種が0.01〜５重量部含まれており、かつ
密度が3.0ｇ／cm3以上であることを特徴とする窒
化アルニミウム焼結体」 がそれである。 換言すれば、本発明に係る窒化アルミニウム焼
結体は、窒化アルミニウムが85重量部以上であつ
て、残部が上記配合率のａ族元素あるいはａ
族元素から選択されるいずれか少なくとも１種
と、Ｖ、Nb、Ta、NiあるいPdから選択される
いずれか少なくとも１種とであり、しかもその密
度が3.0ｇ／cm3以上であるものである。 本発明の窒化アルミニウム焼結体が85重量部以
上の窒化アルミニウムに対して、ａ族元素ある
いはａ族元素から選択されるいずれか少なくと
も１種を0.1〜10重量部含有する理由は、これら
の元素が焼結助剤として用いられるため、0.1重
量部よりも少ないと焼結体の充分な緻密化が達成
されず、一方これらの金属が10重量部よりも多い
と焼結体の熱伝導率、体積固有抵抗等の諸特性が
劣化するからである。 また、本発明の窒化アルミニウム焼結体が85重
量部以上の窒化アルミニウムに対してＶ、Nb、
Ta、NiあるいはPdから選択されるいずれか少な
くとも１種を0.01〜５重量部含有する理由は、こ
れらの金属が0.01重量部よりも少ないと当該焼結
体が非透光性にはならないからであり、一方これ
らの金属が５重量部よりも多いとこれらが窒化ア
ルミニウム粒子に固溶して焼結体の熱伝導率を低
下させるからである。なお、Pdを添加した焼結
体では、このPbの触媒効果により、配線基板の
材料として当該焼結体を用いれば、フルアデイテ
イブ法による無電解銅メツキを行なうことができ
るという利点がある。 次に、以上のような窒化アルミニウム焼結体の
本発明に係る製造方法について説明する。本発明
の製造方法は、 「純度が98重量％以上の窒化アルミニウム粉末
100重量部に対し、ａ族元素、ａ族元素ある
いはそれらの化合物から選択されるいずれか少な
くとも１種を、元素に換算して0.1〜10重量部と、
Ｖ、Nb、Ta、Ni、Pdあるいはそれらの化合物
から選択されるいずれか少なくとも１種を元素に
換算して0.01〜５重量部とを添加して混合した混
合物を所望の形状に成形した後、非酸化性雰囲気
中で1700〜2100℃に加熱して焼結することを特徴
とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法」 である。 この本発明に係る製造方法によれば、純度が98
重量％以上の窒化アルミニウム粉末100重量部に
対し、ａ族元素、ａ族元素あるいはそれらの
化合物から選択されるいずれか少なくとも１種
を、金属元素に換算して0.1〜10重量部添加する
ことが必要である。その理由は、これらの金属ま
たは化合物を焼結助剤として添加し焼結すること
により得られる窒化アルミニウム焼結体は、電気
絶縁性、低熱膨張率、高熱伝導性等の電子回路用
の配線基板材料として要求される諸特性に極めて
優れているからである。また、このような物質を
金属元素換算で0.1〜10重量部に限定する理由は、
これらの物質の添加量が0.1重量部より少ないと
焼結助剤としての効果を充分に発揮させることが
できず、高密度の焼結体を得ることが困難となる
からであり、一方10重量部よりも多いと窒化アル
ミニウム濃度が低下することにより焼結体の強度
が低くなるからである。 また、この本発明に係る製造方法によれば、純
度が98重量％以上の窒化アルミニウム粉末100重
量部に対し、Ｖ、Nb、Ta、Ni、Pdあるいはそ
れらの化合物から選択されるいずれか少なくとも
１種を元素に換算して0.01〜５重量部を添加する
ことが必要である。その理由は、これらの金属を
添加して得られる窒化アルミニウム焼結体が黒色
を呈したもの、すなわち非透光性を有したものと
することができるからであり、また、これらの金
属を元素に換算して0.01〜５重量部を添加するこ
とに限定した理由は、この添加量が0.01重量部よ
り少ないと着色が不充分となるからであり、一方
これらの金属の添加量が５重量部より多いと絶縁
性の劣化の問題が生ずるからである。 以上のようにして、非透光性となした本発明に
係る窒化アルミニウム焼結体は、これを配線基板
の材料として使用した場合、当該配線基板上に光
センサーを備えた自動機械を使用して電子部品を
実装するに際し、この自動機械の光センサーによ
る自動化実装作業を誤作動なく行なうことができ
るようにすることができるのである。 さらに、本発明に係る窒化アルミニウム焼結体
の焼成は、窒化アルミニウム粉末100重量部に対
し、ａ族元素、ａ族元素あるいはそれらの化
合物から選択されるいずれか少なくとも１種を、
元素に換算して0.1〜10重量部と、Ｖ、Nb、Ta、
Ni、Pdあるいはそれらの化合物から選択される
いずれか少なくとも１種に元素に換算して0.01〜
５重量部とを添加して混合した混合物を所望の形
状に成形した後に焼成される。この焼成は、非酸
化性雰囲気中で1700〜2100℃に加熱して行なうこ
とが必要である。その理由は、焼成温度が1700℃
より低いと緻密な焼結体を製造することが困難だ
からであり、一方焼成温度が2100℃より高いと一
旦焼結した結晶粒子が粗大化し易いからである。
また、非酸化性雰囲気としては、例えばアルゴ
ン、ヘリウム、水素、窒素などいずれか少なくと
も１種を使用するか真空にして実現される。 なお、本発明における焼成は常圧焼結法あるい
は加圧焼結法のいずれの方法も適用することがで
きる。 次に、本発明に係る窒化アルミニウム焼結体及
びその製造方法を、実施例及び比較例によつてよ
り詳細に説明する。 （実施例） 実施例 １ 平均粒径が約1.5μｍで酸素含有量が1.0重量％
の窒化アルミニウム粉末94ｇと、平均粒径が２〜
3μｍの酸化イツトリウム粉末５ｇと、パラジウ
ム粉末１ｇと、ベンゼン600mlとをボールミル中
に装入し、６時間混合した後、凍結乾燥した。 この乾燥物を適量採取し、一軸金型プレスによ
り、５Kg／cm2の圧力で成形した後焼成して焼結体
を得た。この焼成時における昇温過程は、常温〜
700℃までの間は８℃／分で昇温し、700℃以上で
は13℃／分の割合で昇温し、最高温度1900℃で３
時間保持した。また、焼成雰囲気は大気圧の窒素
気流とした。 得られた焼結体は黒色であり、その密度は3.35
Kg／cm3、室温における体積固有抵抗は６×
1013Ω・cm、室温における熱伝導率は169W／
ｍ・Ｋであつた。 この試料の表面にフオトレジストによりパター
ンを形成した後、無電解銅メツキ槽に浸漬した。
その結果、レジスト以外の部分が銅が析出し、こ
の析出銅による回路を形成することができた。ま
た、この窒化アルミニウム焼結体を厚みが0.5mm
の試料とした場合、第１図に示したように、その
0.18μｍ〜25μｍの波長の光に対する透過率を0.1
％以下とすることができた。 実施例 ２ 実施例１と同様であるが、金属の種類を第１表
に示す如く変化させて焼結体を得た。これによつ
て得られた焼結体の特性は第１表に示した。 この第１表より、Pd、NbあるいはTaを添加
することにより、熱伝導率を低下させることなく
黒色焼結体を得ることが可能であることが分る。 比較例 １ 比較例として、金属添加以外は実施例１と同様
であるが、金属を全く添加しない焼結体を作成
し、その諸特性を調査した。その結果を第１表に
示した。 また、この試料を実施例１と同様に、厚みが
0.5mmの試料とし、その0.18μｍ〜25μｍの波長の
光に対する透過率を測定した。その結果を第２図
に示した。
【表】
【表】
実施例 ３
平均粒径が約1.5μｍで酸素含有量が1.0重量％
の窒化アルミニウム粉末94ｇと、平均粒径が２〜
3μｍの酸化イツトリウム粉末５ｇと、パラジウ
ム粉末１ｇと、ベンゼン600mlとをボールミル中
に装入し、６時間混合した後、凍結乾燥した。 この乾燥物を適量採取し、一軸金型プレスによ
り、５Kg／cm2の圧力で成形して生成形体を得た。
この生成形体を気密質の窒化アルミニウム製容器
に装入して常圧下の窒素ガス雰囲気中で1900℃に
加熱して３時間焼成し、焼結体を得た。次いで、
この焼結体を開放系の窒化アルミニウム製容器中
に装入して、常圧下の窒素ガス気流中で1900℃に
加熱して１時間焼成した。 得られた焼結体は黒色であり、その密度は3.31
ｇ／cm3、室温における体積固有抵抗は２×
1013Ω・cm、室温における熱伝導率は189W／
ｍ・Ｋであつた。 実施例 ４ 実施例３と同様であるが、金属の種類を第２表
に示す如く変化させて焼結体を得た。この得られ
た焼結体の物性は第２表に示した通りである。 （発明の効果） 以上詳述した如く、本発明に係る窒化アルミニ
ウム焼結体は、 「窒化アルミニウムが85重量部以上、ａ族元
素あるいはａ族元素から選択されるいずれか少
なくとも１種が0.1〜10重量部、およびＶ、Nb、
Ta、NiあるいはPdから選択されるいずれか少な
くとも１種が0.01〜５重量部含まれており、かつ
密度が3.0ｇ／cm3以上であること」 を特徴とするものであり、これにより、集積回路
用配線基板あるいはICパツケージ用材料として
適した、非透光製の窒化アルミニウム焼結体とす
ることができるのである。 また、 「純度が98重量％以上の窒化アルミニウム粉末
100重量部に対し、ａ族元素、ａ族元素ある
いはそれらの化合物から選択されるいずれか少な
くとも１種を、元素に換算して0.1〜10重量部と、
Ｖ、Nb、Ta、Ni、Pdあるいはそれらの化合物
から選択されるいずれか少なくとも１種を元素に
換算して0.01〜５重量部とを添加して混合した混
合物を所望の形状に成形した後、非酸化性雰囲気
中で1700〜2100℃に加熱して焼結」 すれば、上記のような効果を有する窒化アルミニ
ウム焼結体を製造することができるのである。
の窒化アルミニウム粉末94ｇと、平均粒径が２〜
3μｍの酸化イツトリウム粉末５ｇと、パラジウ
ム粉末１ｇと、ベンゼン600mlとをボールミル中
に装入し、６時間混合した後、凍結乾燥した。 この乾燥物を適量採取し、一軸金型プレスによ
り、５Kg／cm2の圧力で成形して生成形体を得た。
この生成形体を気密質の窒化アルミニウム製容器
に装入して常圧下の窒素ガス雰囲気中で1900℃に
加熱して３時間焼成し、焼結体を得た。次いで、
この焼結体を開放系の窒化アルミニウム製容器中
に装入して、常圧下の窒素ガス気流中で1900℃に
加熱して１時間焼成した。 得られた焼結体は黒色であり、その密度は3.31
ｇ／cm3、室温における体積固有抵抗は２×
1013Ω・cm、室温における熱伝導率は189W／
ｍ・Ｋであつた。 実施例 ４ 実施例３と同様であるが、金属の種類を第２表
に示す如く変化させて焼結体を得た。この得られ
た焼結体の物性は第２表に示した通りである。 （発明の効果） 以上詳述した如く、本発明に係る窒化アルミニ
ウム焼結体は、 「窒化アルミニウムが85重量部以上、ａ族元
素あるいはａ族元素から選択されるいずれか少
なくとも１種が0.1〜10重量部、およびＶ、Nb、
Ta、NiあるいはPdから選択されるいずれか少な
くとも１種が0.01〜５重量部含まれており、かつ
密度が3.0ｇ／cm3以上であること」 を特徴とするものであり、これにより、集積回路
用配線基板あるいはICパツケージ用材料として
適した、非透光製の窒化アルミニウム焼結体とす
ることができるのである。 また、 「純度が98重量％以上の窒化アルミニウム粉末
100重量部に対し、ａ族元素、ａ族元素ある
いはそれらの化合物から選択されるいずれか少な
くとも１種を、元素に換算して0.1〜10重量部と、
Ｖ、Nb、Ta、Ni、Pdあるいはそれらの化合物
から選択されるいずれか少なくとも１種を元素に
換算して0.01〜５重量部とを添加して混合した混
合物を所望の形状に成形した後、非酸化性雰囲気
中で1700〜2100℃に加熱して焼結」 すれば、上記のような効果を有する窒化アルミニ
ウム焼結体を製造することができるのである。
第１図は本発明の実施例１に係る窒化アルミニ
ウム焼結体の各波長の光に対する透過率を示すグ
ラフ、第２図は比較例１に係る窒化アルミニウム
焼結体の各波長の光に対する透過率を示すグラフ
である。
ウム焼結体の各波長の光に対する透過率を示すグ
ラフ、第２図は比較例１に係る窒化アルミニウム
焼結体の各波長の光に対する透過率を示すグラフ
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化アルミニウムが85重量部以上、ａ族元
素あるいはａ族元素から選択されるいずれか少
なくとも１種が0.1〜10重量部、およびＶ、Nb、
Ta、NiあるいはPdから選択されるいずれか少な
くとも１種が0.01〜５重量部含まれており、かつ
密度が3.0ｇ／cm3以上であることを特徴とする窒
化アルニミウム焼結体。 ２ 前記窒化アルミニウム焼結体は、熱伝導率が
100W／ｍ・Ｋ以上、体積固有抵抗が1012Ω・cm
以上であり、黒色を呈してなる特許請求の範囲第
１項記載の窒化アルミニウム焼結体。 ３ 純度が98重量％以上の窒化アルミニウム粉末
100重量部に対し、ａ族元素、ａ族元素ある
いはそれらの化合物から選択されるいずれか少な
くとも１種を元素に換算して0.1〜10重量部と、
Ｖ、Nb、Ta、Ni、Pdあるいはそれらの化合物
から選択されるいずれか少なくとも１種を元素に
換算して0.01〜５重量部とを添加して混合した混
合物を所望の形状に成形した後、非酸化性雰囲気
中で1700〜2100℃に加熱して焼結することを特徴
とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021495A JPS63190133A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021495A JPS63190133A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190133A JPS63190133A (ja) | 1988-08-05 |
| JPH0564697B2 true JPH0564697B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=12056549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62021495A Granted JPS63190133A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190133A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0757023A3 (en) * | 1995-08-03 | 1997-08-13 | Ngk Insulators Ltd | Sintered aluminum nitride bodies and their use for the production of semiconductors |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264388A (en) * | 1988-05-16 | 1993-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Sintered body of aluminum nitride |
| WO2014057564A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | 岩谷産業株式会社 | 凍結乾燥法を用いたナノ粒子乾燥体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295275A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
-
1987
- 1987-01-31 JP JP62021495A patent/JPS63190133A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0757023A3 (en) * | 1995-08-03 | 1997-08-13 | Ngk Insulators Ltd | Sintered aluminum nitride bodies and their use for the production of semiconductors |
| EP0992470A3 (en) * | 1995-08-03 | 2002-07-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminium nitride sintered bodies and their use as substrate in an apparatus for producing semiconductors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63190133A (ja) | 1988-08-05 |
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