JPH0564954B2 - - Google Patents

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JPH0564954B2
JPH0564954B2 JP60209446A JP20944685A JPH0564954B2 JP H0564954 B2 JPH0564954 B2 JP H0564954B2 JP 60209446 A JP60209446 A JP 60209446A JP 20944685 A JP20944685 A JP 20944685A JP H0564954 B2 JPH0564954 B2 JP H0564954B2
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JP
Japan
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crystalline
zsm
dioxane
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catalyst
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Haruhito Sato
Masanori Tsuzuki
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、オキシエチレン基を基本単位として
構成される二価アルコール類から、1,4−ジオ
キサンを製造する分野に利用され、触媒と反応生
成物との分離が容易で、触媒の繰返し使用が可能
で高収率で1,4−ジオキサンを製造することが
できる方法に関する。
[従来の技術およびその問題点] 従来、1,4−ジオキサンを製造する方法とし
ては、たとえばジエチレングリコール等のポリエ
チレングリコールを硫酸触媒に接触させる方法、
硫酸、三フツ化ホウ素などの酸触媒を用いて、エ
チレンオキサイドを環化二量化する方法が知られ
ている。
しかしながら硫酸などの鉱酸やハロゲン酸を触
媒として使用すると装置などへの腐食作用が大き
いため、装置に高価な金属材料を用いる必要があ
るという問題があり、さらに、反応によつて生成
する水などが反応系へ混入することによつて、触
媒作用が低下し、触媒の再生や使用済み触媒の廃
棄などの後処理にも問題がある。
このような問題点を解決する方法として、特開
昭49−95981号公報には、酸性イオン交換樹脂を
触媒として用い、140〜170℃の温度でジエチレン
グリコールから1,4−ジオキサンを製造する方
法が開示されている。
しかし、この方法で用いられる酸性イオン交換
樹脂は、一般に120℃以上の温度ではスルホン酸
基などの脱酸反応が起こり易くなつて、触媒作用
が損なわれるために、反応温度の調節によつて反
応速度を十分に高く保つことが困難であり、さら
に失活した触媒の再生も困難であるという重大な
欠点を有している。
さらに、上記の欠点を解決した方法として、特
開昭52−83472号公報には、無機質固体酸を触媒
として用いる2価アルコール類から1,4−ジオ
キサンを製造する方法が開示されている。
しかしながら、この方法においては触媒である
無機質固体酸として、シリカアルミナ、アルミナ
ボリアなどのいわゆる非結晶性固体酸触媒、モル
デナイト−H型固体酸、X型ゼオライトなどのい
わゆるゼオライト系固体酸、天然粘土類を使用し
ており、1,4−ジオキサンの収率が70%前後と
未だ十分ではないという欠点を有している。
本発明は前記事情に基いてなされたものであ
る。
すなわち、本発明の目的は、前記問題点を解決
し、装置等の腐食および触媒の後処理などの問題
がなく、触媒の再生が容易であり、目的生成物で
ある1,4−ジオキサンの収率が十分に高い新規
な触媒を用いて行なう工業上有利な2価アルコー
ル類から1,4−ジオキサンを製造する方法を提
供することにある。
本発明者らは、前記の目的を達成すべく、鋭意
検討を重ねた結果、特定の金属元素を特定の組成
比で含有する結晶性金属シリケートを触媒として
用いることによつて上記の目的を達成しうること
を見い出し、本発明の到達した。
[前記問題点を解決するための手段] 前記問題点を解決するための本発明の要旨は、
オキシエチレン基を基本単位として構成される2
価アルコール類を、100〜500℃の反応温度下に、
けい素酸化物(SiO2)と3価金属の酸化物との
モル比(SiO2/M2O3)が12〜3000の範囲内にあ
る結晶性金属シリケートに接触させることを特徴
とする1,4−ジオキサンの製造方法である。
本発明におけるオキシエチレン基を基本単位と
して構成される2価アルコール類は、一般式が
HO−(CH2CH2O−)H(nは1以上の整数であ
る。)で表される化合物であり、具体的には、エ
チレングリコール、ジエチレングリコール、トリ
エチレングリコール、テトラエチレングリコー
ル、および平均分子量が238以上のポリエチレン
グリコールである。こられの2価アルコール類は
それぞれ単独でも、また混合物としても使用する
ことができる。これらのうち、エチレングリコー
ル、ジエチレングリコールおよびトリエチレング
リコールがもっとも好ましい。
本発明において触媒として使用する結晶性金属
シリケートは、一般式がM2O3・XSiO2・mH2
(mH2Oは結晶の構造水で、その1部はH+とし
て使用する、mはMの種類、Xの価などによつて
変化する。)で表される3価の金属酸化物とケイ
素酸化物とから構成され、Mが、Al,Ga,B,
Fe,In,La,Sc,Y,Cr,Tiの中から選ばれる
1種もしくは2種以上の金属元素であり、かつ、
Xすなわち、モル比(SiO2/M2O3)が12〜
3000、好ましくは40〜3000の範囲である結晶性の
空洞構造を持ち、かつ陽イオン交換能を有する結
晶性の金属シリケートである。ここでモル比
(SiO2/M2O3)が12未満であると1,4−ジオ
キサンの収率が低い場合があるので好ましくな
く、一方、3000を超えると原料である2価アルコ
ールの転化率が低くなるので好ましくない。これ
らのうち、酸素10員環の主空洞を有するゼオライ
ト特にペンタシル型構造の金属シリケートに属す
る結晶性金属シリケートが好ましい。このような
結晶性金属シリケートとして、たとえば、Mが
Alの場合について特公昭46−10064号、米国特許
第3790471号などの公報に記載されているZSM−
5、特開昭47−25097号公報に記載されている
ZSM−8、特公昭53−23280号公報に記載されて
いるZSM−11がある。その他、特開昭52−
139029号公報などに記載されているZSM−35、
米国特許第4001346号などの公報に記載されてい
るZSM−21などの結晶性アルミノシリケートで
あつて、SiO2/M2O3が12以上のものも使用する
ことができる。
また、MがBの例として、特開昭53−55500号
あるいは特開昭55−7598号に記載されている
ZSM−5型構造もしくはZSM−11型構造を有す
る結晶性ボロシリケートがある。MがFeの例と
して、ジヤーナル・オブ・キヤタリシス
(Journal of Catalysis)第35巻、256頁〜272頁
(1974年)、特開昭50−127898号あるいは特開昭55
−85415号などに記載されているフエリエライト
などの結晶性鉄シリケートがある。MがGaの例
としては、後記参考例3などに記載のZSM−5
型構造を有するがガロシリケートなどの結晶性ガ
ロシリケートがある。Mが、In,La,Sc,Y,
Cr,Tiである例としては、前記結晶性アルミノ
シリケート中の骨格に組込まれた3価のAlがそ
れぞれ3価のIn,La,Sc,Y,Crで置き換わつ
た構造を有する結晶性金属シリケートがある。
これらのうち、前記一般式中のMがAl,Ga,
Bであるものが好ましく、Al,Gaであるものが
特に好ましい。
本発明の方法において用いられる前記結晶性金
属シリケートは、公知の方法によつて調製するこ
とができる。
たとえば、前記ZSM−5型ゼオライトを代表
とするペンタシル型の結晶性金属シリケートを合
成する方法としては、C2からC5のテトラアルキ
ルアンモニウムハライド、その他のアミン類の存
在下もしくは不存在下において、シリカ源として
コロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ酸ま
たはその縮合物、あるいはケイ酸塩、金属酸化物
(M2O3)源として、たとえば、硫酸アルミニウ
ム、硝酸ガリウム、ホウ酸、硫酸第2鉄、硫酸ク
ロム、アルミン酸ナトリウムなどの金属元素Mの
硫酸塩、硝酸塩などの塩あるいは酸素酸塩などの
主成分とする混合物を用いて水熱合成によつて調
製できることが知られている。
また、前記の水熱合成の際に、ナトリウムなど
のアルカリ金属水酸化物、ハライドなどのアルカ
リ金属化合物を共存させて調製する方法も知られ
ている。
これらの方法によつて得られる結晶性金属シリ
ケートは一般にH+型ではなく、H+の代わりに
4級アンモニウムイオンおよび/またはNa+な
どのアルカリ金属イオンが置換されているので、
これを、H+型に変えるのが好ましい。この変換
は公知の方法によつて容易に達成できる。
たとえば、4級アンモニウムイオンをH+に変
えるには、空気中約500〜600℃の温度で焼成する
ことによつて達成できることが知られており、一
方、Na+などのアルカリ金属イオンをH+に代
えるには、たとえば、アルカリ金属塩型結晶性金
属シリケートを、硝酸アンモニウム、塩化アンモ
ニウムなどのアンモニウム塩の水溶液で処理して
アンモニウム塩型結晶性金属シリケートとし、し
かる後、300〜600℃で空気中で焼成し、H+型結
晶性金属シリケートを得る方法がよく用いられ
る。
これらのほか、直接、希塩酸などの稀薄な酸で
処理する方式を用いることもできる。
結晶性金属シリケートの合成法としては、これ
ら以外にも種々の方法が知られている。
本発明の方法において触媒として用いる結晶性
金属シリケートはこれらのいずれの方法によつて
も合成することができ、本発明は、特定の調製法
による触媒の使用に限定されるものではない。
なお、本発明では、結晶性金属シリケートは、
H+型であるのが好ましいが、この発明の目的を
阻害しない限り、触媒中のH+の一部もしくは全
部が他の陽イオンたとえばマグネシウムイオン、
カルシウムイオン、ランタンイオン等で置代わつ
ていても良い。
本発明における固体触媒の形状は、粉末状、粒
状、細片状、球状、ペレツト状などのいずれの形
状でも使用することができる。
本発明においては、第4級アミンなどの有機化
合物を配合してゼオライトを水密合成する場合に
は、触媒活性を向上させるために反応前に空気お
よび/または窒素などの不活性ガス気流中で、前
記結晶性金属シリケートを焼成することが好まし
い。
この場合、焼成条件は前記結晶性金属シリケー
トの種類、4級アンモニウムイオンおよび構造水
の残存の度合などにより異なるが通常、400〜600
℃、好ましくは450〜550℃の温度で1時間以上、
好ましくは3時間以上加熱することによつてゼオ
ライト中の有機化合物が除去される。
本発明において、反応原料である2価アルコー
ル類と触媒である結晶性金属シリケートとを接触
させるにあたつて、通常、2価アルコール類を液
相の状態で接触させるのが好ましい。
反応方式は流通法、回分法などのいずれの方式
を用いてもよい。
この発明に係る1,4−ジオキサンの製造方法
においては、2価アルコールと前記触媒との接触
は、100〜500℃、好ましくは150〜350℃、もつと
も好ましくは200〜250℃で実施される。低温にな
るほど反応速度が遅くなつて不利であり、高温に
なるほど反応原料および生成物の分解反応が起こ
り易い。
反応に要する時間は、反応温度、触媒の種類な
どによつて一様ではないが、通常、回分法の場合
1〜48時間、好ましくは、5〜24時間であり、流
通法で行なう場合には、回分法の反応時間に該当
するLHSVで操作する。
この反応は特に溶媒の存在下に行なう必要はな
いが、不活性炭化水素やこの反応に不利な影響を
およぼさない溶媒の存在下に行なうことができ
る。
また、いずれの場合にも反応は反応温度におけ
る自圧もしくは加圧下で行なうことができ、回分
法で行なう場合には、生成物である1,4−ジオ
キサンを留去させつつ反応を行なう方式も有効で
ある。
本発明において触媒として使用する結晶性金属
シリケートの使用量は、触媒の種類、反応原料で
ある2価アルコール類の種類および他の反応条件
によつて異なるが、回分法の場合、2価アルコー
ル類に対して通常0.1〜30重量%、好ましくは1
〜10重量%である。
反応終了後、触媒を固液分離操作で分離除去し
たのち、1,4−ジオキサンを蒸留によつて単離
精製することもできるが、回分法では、通常、触
媒を固液分離操作で特に分離除去する必要はな
く、生成した1,4−ジオキサンを生成水と共に
蒸留によつて系外に留去する。また、流通法で
は、触媒を固定層にすれば固液分離操作の必要は
ない。蒸留操作によつて回収された未反応2価ア
ルコール類は出発原料として再使用することがで
きる。
本発明においては、触媒として使用される結晶
性金属シリケートは、適時、コークスを除去する
ための焼成操作を行なうことにより破壊損失する
まで繰り返し触媒として有効に使用することがで
きる。
[発明の効果] 本発明によると次のような効果を奏することが
できる。
(1) 本発明においては、2価アルコール類から
1,4−ジオキサンを製造するにあたつて、限
定されたモル比を有すると共にケイ素酸化物と
3価金属酸化物とからなる特定の結晶性金属シ
リケート触媒を用いるので、本発明によると、
従来のシリカアルミナ、モルデナイト−H,X
型ゼオライトなどを使用する場合に比較して高
収率で1,4−ジオキサンを得ることができ、
本発明は工業上著しく有利である。
(2) 本発明の方法は、金属に対する結晶性金属シ
リケート触媒の腐食作用がないので、従来の硫
酸などの鉱酸、ハロゲン酸などに比較して実用
上著しく有利である。
(3) 本発明の方法は、結晶性金属シリケート触媒
の熱安定性等が高く、比較的高温で用いること
もでき、したがつて、反応速度を十分に高く保
つことができ、かつ、活性が長時間持続し、さ
らに焼成操作を施すことによつて何回でも触媒
として有効に利用することができるので、従来
の酸触媒、イオン交換樹脂触媒に比べて、触媒
当りの製造コストを低減することができ工業上
著しく有利である。
[実施例] 次に本発明の実施例、参考例および比較例を示
す。
(参考例1;結晶性アルミノシリケート()の
調製) 硫酸アルミニウム7.5gを水250mlに溶解させ、
さらにこれに濃硫酸17.6gおよびテトラーn−プ
ロピルアンモニウムブロマイド26.3gを溶解させ
てこれをA液とし、水ガラス[Jケイ酸ソーダ3
号:日本化学工業(株)製]211.0gを水250mlに溶解
させてB液とし、さらに塩化ナトリウム79.0gを
水122mlに溶解させてC液とした。
次いで、上記のA液とB液とを、室温にて10分
間にわたり同時にC液に滴下した。得られた混合
液をオートクレーブに入れ、170℃で20時間加熱
処理した。冷却後、内容物を濾過水洗し、120℃
で12時間乾燥させた。生成物をX線回折分析した
ところZSM−5であることが確認された。得ら
れたZSM−5を550℃で6時間焼成することによ
りナトリウム型ZSM−5を56.5g得た。このナト
リウム型ZSM−5を5倍重量の1規定硝酸アン
モニウム水溶液に加えて、8時間還流した。その
後、冷却して静置し上澄みをデカンテーシヨンに
より除去した。更に、還流・デンカテーシヨンの
操作を3回繰り返したのち、内容物を濾過・水洗
し、120℃で12時間乾燥し、アンモニウム型ZSM
−5を得た。このもののSiO2/Al2O3=90(モル
比)であつた。このアンモニウム型ZSM−5を
空気中550℃、5時間焼成し、H型ZSM−5すな
わち結晶性アルミノシリケート()を得た。
(参考例2;結晶性アルミノシリケート()の
調製) 参考例1に記載した結晶性アルミノシリケート
()の調製において、硫酸アルミニウムの配合
量を7.5gから15gに代えて、その他の調製条件
を全く同様にして結晶性アルミノシリケート
()を調製した。このもののSiO2/Al2O3=45
(モル比)であつた。
(参考例3;結晶性ガロシリケートの調製) 硝酸ガリウム2.34g、濃硫酸4.42gおよびテト
ラ−n−プロピルアンモニウムブロマイド6.58g
を水62mlに溶解させた溶液A、水ガラス[Jケイ
酸ソーダ3号;日本化学工業(株)製]52.78gを水
62mlの溶解した溶液Bおよび塩化ナトリウム
19.75gを水30mlに溶解させた溶液Cを調製した。
ついで、溶液AおよびBを同時に溶液Cに滴下し
た。得られた混合液をオートクレーブに入れて、
反応温度170℃で24時間反応させた。冷却後、オ
ートクレーブの内容物を濾過水洗し、120℃で12
時間乾燥後、さらに600℃で6時間焼成してナト
リウム型結晶性ガロシリケート9.6gを得た。
次に得られたガロシリケートを5倍重量の1規
定硝酸アンモニウム溶液に加え、80℃で8時間加
熱処理し、冷却後、濾過した。さらに固形物に加
熱、濾過の操作を3回繰り返した後、水洗し120
℃で16時間乾燥してアンモニウム型結晶性ガロシ
リケートのSiO2とGa2O3の組成比はSiO2/Ga2O3
=75.5(モル比)であつた。また、このガロシリ
ケートはX線回折により、ZSM−5構造を有す
るものであることがわかつた。このアンモニウム
型結晶性ガロシリケートを空気中550℃、4時間
焼成することによつてH型結晶性ガロシリケート
を得た。
(実施例 1) 生成物を留出させることができる蒸留装置をつ
けた三ツ口フラスコに、ジエチレングリコール
50.0gと参考例1で調製した結晶性アルミノシリ
ケート()1.0gを入れ、反応温度200℃に保
ち、10時間撹拌を続けた。その間に留出した生成
物の全量は47.2gであつた。生成物をガスクロ分
析し、1,4−ジオキサンを92%の収率で得た。
副生成物はアセトアルデヒドおよびエチレングリ
コール(各1%)であつた。
(実施例 2) 実施例1の反応残渣物に、さらにジエチレング
リコール50.0gを加え、同一の反応装置で、反応
温度200℃に保ち、12時間撹拌を続けた。その間
に留出した生成物の全量は48.5gであつた。ガス
クロ分析した結果、1.4−ジオキサンの収率は95
%であつた。
(実施例 3) 実施例1において、ジエチレングリコールの代
わりにエチレングリコールを用い、攪拌時間を20
時間に代えた以外は同様に実施した。生成物の留
出量は46.2gであり、このときの1,4−ジオキ
サンの収率は90%であつた。生成物の留出物中に
は原料のエチレングリコールが2%回収されてい
た。
(実施例 4) 実施例1においてジエチレングリコールに代え
て、トリエチレングリコールを用いた以外は同様
に反応を行なつた。生成物の全留出量は48.9gで
あり、1,4−ジオキサンの収率は86%であつ
た。
(実施例 5) 実施例1において、結晶性アルミノシリケート
()に変えて参考例3で調製した結晶性ガロシ
リケートを用いた以外は同様に反応を行なつた。
生成物の全留出量は46.1gであり、1,4−ジオ
キサンの収率は90%であつた。
(実施例 6) 実施例1において、参考例1の結晶性アルミノ
シリケート()に代えて、参考例2の結晶性ア
ルミノシリケート()を使用した以外は実施例
1と同様にして反応を行なつた。生成物の全留出
量は46.8gであり、1,4−ジオキサンの収率は
87%であつた。
(比較例 1) 実施例1において、参考例1の結晶性アルミノ
シリケート()に変えて、合成モルデナイト
(東洋曹達TSZ−600)SiO2/Al2O3=10(モル比)
を使用して、実施例1と同様にして反応を行なつ
た。生成物の全留出量は35.4gで、1,4−ジオ
キサンの収率は58%であつた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 オキシエチレン基を基本単位として構成され
    る2価アルコール類を、100〜500℃の反応温度下
    に、けい素酸化物(SiO2)と3価金属の酸化物
    とのモル比(SiO2/M2O3)が12〜3000の範囲内
    になる結晶性金属シリケートに接触させることを
    特徴とする1,4−ジオキサンの製造方法。 2 前記2価アルコール類が、エチレングリコー
    ル、ジエチレングリコールおよびトリエチレング
    リコールよりなる群から選択される少なくとも一
    種である前記特許請求の範囲第1項に記載の1,
    4−ジオキサンの製造方法。 3 結晶性金属シリケートが酸素10員環の主空洞
    を有するゼオライトである前記特許請求の範囲第
    1項または第2項に記載の1,4−ジオキサンの
    製造方法。 4 前記結晶性金属シリケートが、ZSM−5型
    もしくはZSM−11型構造を有する結晶性アルミ
    ノシリケート、ZSM−5型もしくはZSM−11型
    構造を有する結晶性ガロシリケートおよびZSM
    −5型もしくはZSM−11型構造を有する結晶性
    ボロシリケートよりなる群から選択される少なく
    とも一種である前記特許請求の範囲第1項、第2
    項または第3項に記載の1,4−ジオキサンの製
    造方法。
JP60209446A 1985-09-21 1985-09-21 1,4−ジオキサンの製造方法 Granted JPS6270369A (ja)

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