JPH0565068B2 - - Google Patents

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JPH0565068B2
JPH0565068B2 JP61215557A JP21555786A JPH0565068B2 JP H0565068 B2 JPH0565068 B2 JP H0565068B2 JP 61215557 A JP61215557 A JP 61215557A JP 21555786 A JP21555786 A JP 21555786A JP H0565068 B2 JPH0565068 B2 JP H0565068B2
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light emitting
lens
mesa
emitting diode
adhesive
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Hainen Yotsuhien
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Siemens Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集光のために発光ダイオードに接着
材により固定された球状のレンズを備え、この発
光ダイオードは発光ゾーンとこの発光ゾーンに対
して中心を合わせて形成された円形の縁部を有す
る半導体部を含み、その際該縁部はレンズの中心
合わせのために用いられかつその直径はレンズの
直径に適合されるような発光ダイオードに関す
る。
〔従来の技術〕
光通信技術において光を放つ半導体ダイオー
ド、いわゆる発光ダイオード（LED）をグラス
フアイバと接続して使用することは公知である。
この種の発光ダイオードによつて、それにおいて
発生する光線は一般に全方向に放射されるか、ま
たは少なくとも非常に大きな開き角度で放射され
る。発光ダイオードのできるだけ大きな光パワー
を所定のグラスフアイバに結合させ得るように、
発光ダイオードに光線を集束させるための球状の
レンズを備えさせるのが一般である。
ここで問題とする発光ダイオードは半導体部を
有する。場合によつては、これはサブストレート
とそれの表面に施された一つ以上のエピタキシヤ
ル層からなる。本来の光放出ゾーンは斑点の形を
有する。所定の球状のレンズ、とくに玉レンズは
半導体部もしくはサブストレートに次のように調
整して取り付けられている。すなわち、レンズの
焦点および発光ダイオードのこの斑点状ゾーンが
公知のように近くに相並ぶように調整して取り付
けられている。この球状のレンズを半導体部に固
定する時に有利な手段はレンズの接着である。こ
れは高価であるが、しかしレンズが発光点を形成
するゾーンに対して中心位置にあることを保証す
ることが大切である。
この種の発光ダイオードのためのレンズとして
玉を使用することは、例えば米国特許第4501637
号明細書および西独特許出願公告第3232256号公
報から知られている従来技術である。
米国特許第4501637号明細書の図は、玉レンズ
を載せられた発光ダイオードの製造プロセスを示
している。サブストレートの一方の表面の近くに
半導体サブストレートにおける発光ゾーンが作ら
れる。発光ゾーンに隣接するこの表面に一つの層
がもたらされ、発光ゾーンに合わせてエツチング
によりリングが作り出される。このリングは上に
載せられるべき玉レンズの収納もしくは調整に役
立ち、レンズはこのリング上に座すように接着剤
にてこのリングおよびサブストレートに保持され
る。
西独特許出願公告第3232256号公報には共通の
サブストレート体に多数の発光範囲を有する集積
化された発光ダイオードが開示されている。各発
光範囲には玉レンズが設けられている。発光範囲
の相互の間隔は玉レンズの直径に対して次のよう
に調整されている。すなわちサブストレート体に
おける発光範囲の分布と、非常に目のつまつた平
らな玉包み内でサブストレート表面上に載せられ
た玉レンズとが互いに合わされて配置されてい
る。その場合に個々の玉レンズは密に衝突し、こ
れらの玉の間の空間に接着材があり、この接着材
により玉レンズはサブストレート体に保持される
と共に相互に保持されている。この公報による装
置の場合にも、サブストレート表面もしくはサブ
ストレート表面上に施された層の上には、個々の
発光範囲に対して合わせて、玉レンズの調整に役
立つくぼみがある。
この公報の装置の場合にも発光範囲は調整用く
ぼみを備えた層を支持する表面の近くにあり、こ
のくぼみは前もつて発光範囲の生成プロセスにお
いて使用される。
唯一の玉レンズのみがある発光ダイオードのし
ばしば使用される製造方法は、米国特許第
4501637号明細書による発光ダイオードにおける
ように、しかし西独特許第3232526号公報による
発光ダイオードはそうではないが、同一の処置に
よる玉レンズの載置である。例えば虫めがねによ
る観察によつて玉レンズ正しい位置が制御され
る。その場合そのためにもサブストレート体の表
面上におけるレンズの横方向のずれが起こらない
ように配慮しなければならない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、発光ダイオードへの半導体部
に（玉）レンズの調整された固定を非常に簡単に
行い得る手段を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は、本発明によれば、集光のために発
光ダイオードに接着材により固定された球状のレ
ンズを備え、この発光ダイオードは発光ゾーンと
この発光ゾーンに対して中心を合わせて形成され
た円形の縁部を有する半導体部を含み、その際該
縁部はレンズの中心合わせのために用いられかつ
その直径はレンズの直径に適合されるような発光
ダイオードにおいて、前記円形の端部は半導体部
の平坦なメーサ平面を限定しており、接着材は本
質的にこの平坦なメーサ平面と球状のレンズの間
にのみ存在することによつて達成される。
〔作用および効果〕
本発明は、球状のレンズもしくは玉レンズを発
光ダイオードの半導体部の表面に載せる過程にお
いて自動調整効果を生じさせる考えに基づいてい
る。本発明によれば、これは、半導体部の一方の
表面に円形メーサを形成することによつて行われ
る。このメーサは、本体のメーサ表面の直径であ
るメーサ直径がレンズ直径に対して差のある大き
さを有するように、とりわけレンズ直径よりも小
さいか又は著しくは大きくないように選定された
メーサ直径を持つ。この選定は次のことを保証す
る。即ち、接着材が粘着性のある状態においてメ
ーサ表面に載せられた球状のレンズが、接着材の
最終的な硬化までに、メーサ中心に自動調整され
て保持されることである。メーサ表面の直径が大
き過ぎるとあまりにも僅かの正確さの自動調整し
かもたらされず、またメーサ表面の直径が小さ過
ぎると発光点からレンズへの光線の移行のための
半導体部の通過口が不必要に曲げられる。本発明
によるメーサ直径とレンズ直径との相互の調整は
本発明にとつて重要であるが、しかし専門家にと
つて本発明を知つたならば個々の場合に対して問
題なく行うことができる。メーサは、少なくとも
使用接着材が既に本来のメーサの横にある半導体
部表面部分を少なくとも著しくは濡らさないよう
な大きさである高さを有する。簡単化のために、
メーサは発光斑点の上記のゾーンが近くにある方
の半導体部表面と対向する半導体部表面に形成さ
れる。この場合に、半導体部がそのゾーンにおい
て発して放たれる光線にとつて少なくとも大々的
に透過性であることが必要である。特に赤外線発
光ダイオードにとつて、これはこの種のダイオー
ドの構成の通常のことである。
半導体部に生じさせられたメーサは発光斑点の
ゾーンに対して正確に合わせて配置されている。
この種のメーサを作ることは半導体技術上何ら問
題ない。特にメーサの形成は前もつての写真製版
による位置決め後のエツチングにより行われる。
その場合に発光斑点の光放出がもたらされ、それ
によつて写真製版プロセスが特に簡単になる。
半導体装置の半導体部におけるメーサの生成に
関しては米国特許第3067485号明細書にも示され
ている。これには１つのメーサの生成方法が記載
されているが、しかしそれにおいてはpn接合ゾ
ーンがこのメーサの表面に隣接している。しかし
ながら、この公知の生成方法は、発光斑点ゾーン
のpn接合がメーサを含む他方の半導体部表面と
対向する半導体部表面の近くにある本発明におい
ても適用することができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照しながら実施例について更に
詳細に説明する。
第５図および第６図はそれぞれ従来装置の実施
例を示す平面図および側面図、第１図は本発明に
よる発光ダイオードの実施例を示す側面図、第２
図は第１図による発光ダイオードの固定のための
半導体部を示す側面図、第３図は本発明による発
光ダイオードの製造方法を説明するための斜視
図、第４図は第３図による製造方法のための装置
を説明するための斜視図である。
第５図および第６図はそれぞれ玉レンズを備え
た従来の発光ダイオードを平面図および側面図に
て示している。１は半導体部であり、これは特に
サブストレート２とその上にエピタキシヤルで形
成された層３とからなる。発光斑点ゾーンは４で
示されている。
エピタキシヤル層３に対向する半導体部１もし
くはサブストレート２の表面には公知の集光に役
立つ玉レンズ６がある。接着材７によりこのレン
ズ６は表面５に固定されている。周知のように寸
法は次のように決められる。即ち、焦点が発光斑
点４に対して所望もしくは周知の所定の位置を有
するように玉レンズ６の材料の所定のまたは選定
した屈折率において発光斑点４と表面５との距離
およびレンズ半径が互いに同調しているように決
められる。
第５図および第６図から分かるように、玉レン
ズ６は発光斑点４に正確には調整されていない。
これは表面５上に玉レンズ６を十分に正確に載せ
なかつたか、硬化する接着材７が後でゆがんだか
の少なくともいずれか一方に起因する。かゝる調
整失敗の結果、この玉レンズ付き発光ダイオード
の主発射方向８がダイオード（表面５）に対して
斜めになる。これは、後でこれらの発光ダイオー
ドを設けられた通信機器へ組み込んで調整するこ
とを困難にする。
第１図は玉レンズ６を備えた本発明による発光
ダイオード１０を示す。発光ダイオード１０にお
いては半導体部が１１で示されている。特に、こ
れは、同様にその上にエピタキシヤル層１３を有
するサブストレート１２であつてよい。発光斑点
も再び４にて示されている。
図から明らかのように、半導体部１１もしくは
サブストレート１２は、表面１５がメーサ２５を
有することによつて、第５図および第６図におけ
る半導体部１とは異なる。このメーサ２５は円形
であるか、もしくは円形の表面２６を有する。７
はここでも接着材を示し、これにより玉レンズ６
が、しかし本発明ではメーサ表面２６に固定され
ている。８０は光発射の正確に真つ直ぐされた軸
を示す。
第１図から分かるように、メーサ表面２６の直
径d26は玉レンズ６直径d6に対してほぼ等しく、
有利には玉レンズ６直径d6よりも若干小さい。
d26はd6の1.2〜0.5倍、とりわけ0.7〜0.9倍に選定
するとよい。その寸法関係は、発光ダイオード１
０の発光斑点４に対する玉レンズ６の正確に調整
された位置と、レンズ６への発光斑点４の放射の
ための光学的に大きな通過口とを保証する。
半導体部もしくはサブストレートのメーサ形成
は公知である。これは写真製版手法にてエツチン
グにより行われる。写真製版およびエツチングの
技術は高い水準における半導体技術にとつて、そ
してそのような技術の専門家にとつても周知であ
る。メーサ表面２６もしくはメーサ２５は、メー
サの形成プロセスに問題を投げかけることなく、
発光斑点４に対して正確に合わせられる。特に、
発光斑点４の光放出は備えるべきマスキングの写
真製版において自動調整マスキングに関係させら
れることができる。
メーサ２５は円形表面を有する台座を形成し、
この上でまだ粘着性の接着材の表面張力により中
心を合わせられた玉レンズ位置が保証される。勿
論接着材が殆どメーサ表面２６のみを濡らすよう
に接着材量をしかるべく調整して制限することを
配慮すべきである。玉レンズ６またはメーサ表面
２６のいずれか一方が玉レンズ接着前に接着材で
濡らされる。メーサ表面２６に載せられた玉レン
ズ６は硬化時にもこのメーサ表面２６上で中心を
合わされた位置にとどまり、主たる接着材量はメ
ーサの縁部表面には達しない。
上述から製造の実行のための必要な指示が既に
現れている。しかし、発光ダイオード１０は本発
明の原理にしたがつて集積製造法にて多数が生じ
させられることが好ましい。かゝる集積製造法に
より同時に多数の予め用意された発光ダイオード
の上に該当する玉レンズが一動作過程で載せられ
る。その場合に発光ダイオードはウエーハ板の部
分であり、これらは後になつてはじめて個々のダ
イオードに分割される。
第３図は、半導体部１および１１にも使用され
ているような半導体材料からなるウエーハ板５１
の切り抜きの斜視図である。ウエーハ５１の表面
５５には多数のメーサ２５が認められ、これらの
メーサは特に規則正しく分布させられている。こ
れらのメーサ２５は既述の写真製版とエツチング
技術による方法によつて形成される。第３図はウ
エーハ５１をそれぞれのウエーハ表面２６が既に
接着材７を備えさせられている状態で示す。これ
はこれらのメーサ表面２６を接着材５６と接触さ
せるによつて行うことが好ましい。接着材５６は
第３図においてウエーハ５１の上方に配置されて
示されている支持板５７に設けられている。ウエ
ーハ板５１がメーサ表面２６のところで接着材５
６と接触することにより接着材７の適当な上塗り
が行われる。
第４図はウエーハ５１のメーサ表面２６の上に
玉レンズ６を載せる方法手段を示す。このため低
圧装置６１を用意されていて、この低圧装置の開
口６２に玉レンズ６が吸込みによつて保持されて
いる。この装置６１の二次元ラスタはウエーハ板
５１のメーサ２５のラスタに等しい。装置６１お
よびウエーハ板５１を互いに接触させることによ
つてメーサ表面２６の上に玉レンズ６が載せら
れ、即ちそれぞれの接着材へ玉レンズ６が押しつ
けられる。接着材は第３図に適宜対応したやり方
にて装置６１における玉レンズ６の上にも同じ量
をもたらすこともできる。
装置６１における低圧を解除し、装置６１を離
した後に、玉レンズ６がそれぞれのメーサ表面２
６上に残る。本発明により設けられたメーサ２５
のために、本発明においては、又特に集積法の場
合に、それぞれの半導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ
上での玉レンズの特別な付加的調整は全く不要で
ある。個々の発光ダイオード１０ａ…は、公知の
方法によりウエーハ板５１を特に分割みぞを入れ
た後で分割することによつて得られる。
次に設計例について述べる。矩形の半導体部１
１は例えば250μｍおよび150μｍの縁寸法を有す
る。若干細長い形がリード線の簡単なボンデイン
グのために好ましい。かゝるダイオードのために
例えば６は約100μｍの直径を有する。メーサ表
面２６のメーサ直径d26は約50〜120μｍ、特に70
〜90μｍに選定される。これは上述の標準に相当
し、本発明による自動調整を保証する。メーサ２
５の高さは半導体部１１の厚みがメーサ２５の範
囲を除いて例えば60μｍである場合に例えば20μ
ｍである。発光ゾーンもしくは発光斑点４は表面
１３から数μｍの距離にある。
【図面の簡単な説明】
第５図および第６図はそれぞれ従来装置の実施
例を示す平面図および側面図、第１図は本発明に
よる発光ダイオードの実施例を示す側面図、第２
図は第１図による発光ダイオードの固定のための
半導体部を示す側面図、第３図は本発明による発
光ダイオードの製造方法を説明するための斜視
図、第４図は第３図による製造方法のための装置
を説明するための斜視図である。 １……半導体部、２……サブストレート、３…
…エピタキシヤル層、４……発光斑点ゾーン、６
……玉レンズ、７……接着材、１０……発光ダイ
オード、１１……半導体部、１２……サブストレ
ート、２５……メーサ。５１……ウエーハ、５６
……接着材フイルム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 集光のために発光ダイオードに接着材により
    固定された球状のレンズを備え、この発光ダイオ
    ードは発光ゾーンとこの発光ゾーンに対して中心
    を合わせて形成された円形の縁部を有する半導体
    部を含み、その際該縁部はレンズの中心合わせの
    ために用いられかつその直径はレンズの直径に適
    合されるような発光ダイオードにおいて、前記円
    形の縁部は半導体部の平坦なメーサ平面２６を限
    定しており、接着材７は本質的にこの平坦なメー
    サ平面２６と球状のレンズ６の間にのみ存在する
    ことを特徴とする発光ダイオード。 ２ 平坦なメーサ平面２６の直径は、レンズ６の
    直径の0.7〜0.9倍の間にあることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の発光ダイオード。 ３ 多数の発光ゾーンを備えた半導体ウエハ５１
    の表面５５上に、網目状に配置されて多数のメー
    サ２５が作られ、これらのメーサ上にレンズ６が
    接着材７の介在のもとに一動作過程で載せられ、
    半導体ウエハ５１が分割させることを特徴とする
    発光ダイオードの製法。 ４ 接着材７は接着フイルム５６によりメーサ２
    ５上にもたらされることを特徴とする特許請求の
    範囲第３項記載の製法。
JP61215557A 1985-09-13 1986-09-12 発光ダイオ−ドとその製法 Granted JPS6265387A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3532821.5 1985-09-13
DE19853532821 DE3532821A1 (de) 1985-09-13 1985-09-13 Leuchtdiode (led) mit sphaerischer linse

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6265387A JPS6265387A (ja) 1987-03-24
JPH0565068B2 true JPH0565068B2 (ja) 1993-09-16

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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63192280A (ja) * 1987-02-04 1988-08-09 Mitsubishi Electric Corp 端面発光型半導体装置の製造方法
US4875750A (en) * 1987-02-25 1989-10-24 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic coupling element and method for its manufacture
JP2532449B2 (ja) * 1987-03-27 1996-09-11 株式会社日立製作所 半導体レ−ザ装置
GB8728342D0 (en) * 1987-12-03 1988-01-06 Bt & D Technologies Ltd Light sources
US4919506A (en) * 1989-02-24 1990-04-24 General Electric Company Single mode optical fiber coupler
US5214292A (en) * 1991-08-14 1993-05-25 Mission Research Corporation Dynamic infrared scene display
US5616206A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Ricoh Company, Ltd. Method for arranging conductive particles on electrodes of substrate
US5384873A (en) * 1993-10-04 1995-01-24 Motorola, Inc. Optical interface unit and method of making
US5594433A (en) * 1995-08-09 1997-01-14 Terlep; Stephen K. Omni-directional LED lamps
US5734771A (en) * 1996-10-28 1998-03-31 Lucent Technologies Inc. Packaging assembly for a laser array module
JP2000511711A (ja) 1997-03-18 2000-09-05 オブシェストボ エス オグラノチェノイ オトヴェツトヴェノスチウ（コルヴェト ライツ） 発光ダイオード
CA2298491C (en) 1997-07-25 2009-10-06 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US5940564A (en) * 1997-08-05 1999-08-17 Picolight, Inc. Device for coupling a light source or receiver to an optical waveguide
US6525386B1 (en) * 1998-03-10 2003-02-25 Masimo Corporation Non-protruding optoelectronic lens
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
DE60043536D1 (de) * 1999-03-04 2010-01-28 Nichia Corp Nitridhalbleiterlaserelement
US6243508B1 (en) 1999-06-01 2001-06-05 Picolight Incorporated Electro-opto-mechanical assembly for coupling a light source or receiver to an optical waveguide
RU2165580C1 (ru) * 2000-05-19 2001-04-20 Айриян Юрий Аршакович Прицельное устройство, способ изготовления светоизлучающего диода и способ изготовления оптической асферической поверхности
DE10053543B4 (de) * 2000-10-27 2004-11-25 Mühlbauer Ag Vorrichtung zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen
WO2002041362A2 (en) * 2000-11-17 2002-05-23 Emcore Corporation Laser separated die with tapered sidewalls for improved light extraction
AUPR851301A0 (en) * 2001-10-29 2001-11-29 Woodward, Robert Optical guide system
US7042020B2 (en) * 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
US7488117B2 (en) * 2004-03-05 2009-02-10 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Large tolerance fiber optic transmitter and receiver
US7223619B2 (en) * 2004-03-05 2007-05-29 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. VCSEL with integrated lens
US8089370B2 (en) * 2005-01-07 2012-01-03 Simon Nicholas Richmond Illuminated wind indicator
US8077052B2 (en) * 2005-01-07 2011-12-13 Simon Nicholas Richmond Illuminated wind indicator
US20140218901A1 (en) 2005-01-07 2014-08-07 Simon Nicholas Richmond Solar gazing globe
US20060187653A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Olsson Mark S LED illumination devices
US7271963B2 (en) * 2005-03-07 2007-09-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bi-curvature lens for light emitting diodes and photo detectors
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄから光を導くための独立した光学デバイス
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
US7789531B2 (en) * 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
US8172434B1 (en) 2007-02-23 2012-05-08 DeepSea Power and Light, Inc. Submersible multi-color LED illumination system
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
CN101939849A (zh) 2008-02-08 2011-01-05 伊鲁米特克有限公司 用于发射器层成形的系统和方法
TWI362769B (en) * 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
DE102008055936A1 (de) 2008-11-05 2010-05-06 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenanordnung
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US20130052919A1 (en) * 2011-08-25 2013-02-28 Space Administrationo Graphite composite panel polishing fixture and assembly
US9334014B2 (en) 2014-09-01 2016-05-10 Shimano Inc. Bicycle sprocket and bicycle sprocket assembly
US9926038B2 (en) 2015-07-28 2018-03-27 Shimano Inc. Bicycle sprocket, bicycle rear sprocket, and bicycle multiple sprocket assembly
DE102022117495B4 (de) 2022-07-13 2025-07-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren und Vorrichtung zum Anordnen von optischen Elementen an ein Substrat mit einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL241982A (ja) * 1958-08-13 1900-01-01
US4331727A (en) * 1975-09-17 1982-05-25 Stanley Maas Adhesive transfer device
US4152712A (en) * 1977-09-19 1979-05-01 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic displays using uniformly spaced arrays of semisphere light emitting diodes and method of fabricating same
GB2026235B (en) * 1978-06-06 1982-07-21 Nippon Electric Co Light emitting diode mounting structure for optical fibre communications
US4225380A (en) * 1978-09-05 1980-09-30 Wickens Justin H Method of producing light emitting semiconductor display
FR2466029A1 (fr) * 1979-09-21 1981-03-27 Thomson Csf Tete opto-electronique comportant un troncon de fibre optique de tres petit diametre, et dispositif de connexion comportant une telle tete
JPS5718376A (en) * 1980-07-07 1982-01-30 Mitsubishi Electric Corp Condensing device for semiconductor light emitting element
CA1139412A (en) * 1980-09-10 1983-01-11 Northern Telecom Limited Light emitting diodes with high external quantum efficiency
JPS5753989A (en) * 1980-09-17 1982-03-31 Fujitsu Ltd Photo semiconductor device
US4653847A (en) * 1981-02-23 1987-03-31 Motorola, Inc. Fiber optics semiconductor package
US4501637A (en) * 1981-06-12 1985-02-26 Motorola, Inc. LED having self-aligned lens
JPS5839080A (ja) * 1981-09-02 1983-03-07 Mitsubishi Electric Corp 発光ダイオ−ド
JPS59101881A (ja) * 1982-12-02 1984-06-12 Sumitomo Electric Ind Ltd レンズ装荷光通信用ダイオ−ドの製造方法
JPS59121884A (ja) * 1982-12-20 1984-07-14 Fujitsu Ltd 発光ダイオ−ド装置
JPS60413A (ja) * 1983-06-16 1985-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd レンズ装荷方法
JPS609181A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd 光半導体装置
JPS60101510A (ja) * 1983-11-07 1985-06-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子
FR2571504B1 (fr) * 1984-10-05 1987-01-23 Labo Electronique Physique Dispositif de couplage d'une source lumineuse et d'un guide d'onde lumineuse

Also Published As

Publication number Publication date
US4740259A (en) 1988-04-26
DE3532821A1 (de) 1987-03-26
JPS6265387A (ja) 1987-03-24
US4841344A (en) 1989-06-20
DE3532821C2 (ja) 1992-12-17

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