JPH0565101U - コムライン型誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 誘電体フィルタの小型化を図る。 【構成】 誘電体基板１１の裏面に接地導体１２を形成
し、表面には複数の共振スタブ１３を間隔をおいて並設
する。各共振スタブ１３の一端は短絡導体１４を介して
接地導体１２に接続し、他端は開放端とする。隣接する
一対の共振スタブ１３，１３の間に、接地導体に接続し
たシールド線路パタン２１を形成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、一般にマイクロ波領域等の高周波領域で使用される誘電体フィルタ に関し、特にバンドパスフィルタとして狭帯域化を図る場合にも、デバイスとし てのフィルタ形状を小型に留めるための改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】

この種の誘電体フィルタとして、比較的小型なものに、図６に示されるような マイクロストリップ線路パタンを利用したコムライン型誘電体フィルタ１０があ る。 これ自体は周知のため、簡単に説明するが、まず、適当なる誘電率の誘電体基 板１１があり、この表裏両主面の中、この場合裏面には、図６(A) 中、Ａ−Ａ線 に沿う断面図である図６(B) に良く示されているように、接地導体１２が設けら れ、一方、表面には、面内で互いに直交するｘ，ｙの二方向の中、それぞれｘ方 向には長さＬ₁ を持ち、ｙ方向には互いに間隔Ｓ_K をおいて平行に形成されたマ イクロストリップ線路パタンによる共振スタブ１３がある。図示されているもの は三段のバンドパスフィルタ構成例を示しており、この共振スタブ１３は全部で 三本あるが、各共振スタブ１３の一端は誘電体基板１１の一側面の上に形成され た短絡導体１４を介し、裏面側の接地導体１２に電気的に接続されている。 なお、接地導体１２やマイクロストリップ線路パタンによる共振スタブ１３、 そして短絡導体１４等は、一般に銀等の適当なる導電性物質を例えばメッキ、厚 膜形成技術等、適当なる公知技術により誘電体基板１１上に付着させることで形 成されるが、ここで、本書添付の全図面を通じての約束事として、こうした導電 性物質の付着部分には便宜的に鏡面記号を付し（見た目には粗面に見えるような ものの場合にも）、誘電体基板１１の材料が露出している部分（絶縁面部分）に は細かなドット模様を付すものとする。

【０００３】 しかるに、各共振スタブ１３は、原理的に短絡導体１４により一端が短絡され た分布定数線路であるから、その長さＬ₁ を使用周波数の管内波長λ_g の１／４ に選ぶと、それぞれは実質的にキャパシタとインダクタとのＬＣ並列共振回路と 等価となり、適当なる間隔Ｓ_K をおいて隣接する共振スタブ１３，１３間は、集 中定数等価回路的に考えると容量結合と誘導結合の両者により結合された関係と なる。したがって、並設方向で外側に位置する一対の共振スタブ１３，１３に対 し、容量Ｃ_O を介して外部回路に接続を採れば、二端子バンドパスフィルタを構 成することができる。

【０００４】 このような誘電体フィルタ１０において接地導体１２と共振スタブ１３の間に そもそも誘電体基板１１を用いるのは、使用周波数の自由空間波長λに対し、管 内波長λ_g を当該誘電体基板１１の誘電率ε_r の平方根分の一にまで縮めること により、結果として共振スタブ１３の長さＬ₁ を低減し、デバイスとしての完成 寸法を小型化するためである。したがって原則としては、直列抵抗分等による損 失を特に考えなければ、誘電率ε_r の高い誘電体媒質ほど、誘電体基板１１とし て好ましいと言うことができる。通常は適当なるセラミックスが用いられ、その ため、誘電体基板１１はセラミックブロックと呼ばれることもある。

【０００５】 こうしたデバイス構造によれば、確かに、他の公知の同軸型バンドパスフィル タ等に比し、随分と小型なバンドパスフィルタを得ることができるが、従来にお いてもさらに、図７に示されるような構造によって、各共振スタブ１３の長さを 縮めることにより、図６に示されているコムライン型誘電体バンドパスフィルタ のデバイス構造におけるｘ方向寸法Ｘ₁ を縮める工夫が成されていた。 すなわち、各共振スタブ１３の開放端にはｘ方向に僅かな空隙Ｓ_t を介して導 体面１６が臨むようにし、当該導体面１６が第二の短絡導体１５を介して接地導 体１２に接続する。このようにすると、空隙Ｓ_t の寸法を適選することにより、 図７(B) に示されているように、各共振スタブ１３の先端を同調周波数調整用容 量Ｃ_t によって接地導体１２に接続した回路を得ることができるため、各共振ス タブ１３の長さＬ₂ をより低い周波数に共振を採る寸法に設定しても、換言すれ ば使用周波数の四分の一管内波長（λ_g ／４）より短くしても、当該使用周波数 に対するバンドパスフィルタを構成することができる。その結果、図６における バンドパスフィルタデバイスのｘ方向寸法をＸ₁ とするなら、図７におけるバン ドパスフィルタデバイスのｘ方向寸法Ｘ₂ はＸ₂ ＜Ｘ₁ となり、より小型な構造 を得ることができる。なお、図７(B) は、図６(B) と図６(A) との関係と同様、 図７(A) における三本の共振スタブ１３の中、どれか一つの共振スタブ１３の所 でその長さ方向に沿って採った縦断面図である。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

上記のように、従来からも、マイクロストリップ線路を利用したコムライン型 誘電体フィルタ１０は、他の構造原理に従うバンドパスフィルタデバイスに比せ ば十分に小型なデバイスであったし、図６と図７の関係に示されるように、二次 元面内方向の寸法も、共振スタブ１３の長さ方向に沿う寸法に関しては、より小 型化するための工夫が成されていた。 しかし、問題なのは、共振スタブ１３の長さ方向（ｘ方向）と直交するｙ方向 寸法である。明らかなように、図７に示された同調周波数調整用の容量Ｃ_t を持 つ構造においても、ｙ方向寸法には変化がなく、図６に示されるデバイス構造の 当該ｙ方向寸法Ｙ₁ に対し、図７に示されるデバイス構造のｙ方向寸法Ｙ₂ は同 じ寸法であった（Ｙ₁ ＝Ｙ₂ ）。 そこで、このｙ方向寸法に鑑みるに、これは隣接する共振スタブ１３，１３間 の間隔Ｓ_K により決定され、この間隔Ｓ_K はまた、隣接する共振スタブ間に要求 される結合係数Ｋによって決定される（間隔Ｓ_K は中心間隔、すなわちピッチで あっても良い）。したがって、狭帯域のバンドパスフィルタ特性を得ようとする と、結合は疎にする必要があるため、共振スタブ間の間隔Ｓ_K が大きくならざる を得ず、デバイス構造を小型化する方向とは相反する結果になっていた。 本考案は、まさしくこの点の改良を図ったもので、狭帯域のバンドパスフィル タ特性を必要とする場合にも、共振スタブ間隔をできるだけ狭く留めることがで き、ｙ方向寸法も小型に留め得る構成を提供せんとして成されたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】 本考案においては、上述の目的を達成するため、コムライン型誘電体フィルタ を構成する複数の共振スタブにあって互いに隣接する一対の共振スタブの間の部 分の誘電体基板表面上に、接地導体に対し電気的に接続されたシールド線路パタ ンを形成する。

【０００８】

【実施例】

図１には、本考案の基本的な実施例が示されているが、これは、比較対照を容 易にする意味から、図７に示された従来の三段バンドパスフィルタ１０に対する 改良例として構成されている。したがって、従来構成と同様で良い部分から説明 し、かつ、同様で良い構成要素には当該従来例で用いた符号と同じ符号を採用す るが、セラミックスに代表される適当なる誘電体基板１１の一主面、この場合裏 面には接地導体１２が形成され、対向主面、この場合表面にはそれぞれ長さＬ₃ の共振スタブ１３がこの場合三本、互いに間隔Ｓ_KOをおいて平行に並設されてい る。 各共振スタブ１３の一端はそれぞれ誘電体基板１１の一側面に形成された短絡 導体１４を介して裏面接地導体１２に接続され、開放端には空隙Ｓ_t を介し、同 調容量形成用の導体面１６が臨んでいる。当該導体面１６はまた、上記の一側面 に対向する第二の側面に形成された短絡導体１５を介し、接地導体１２に接続さ れ、これにより、空隙Ｓ_t の寸法に応じた同調周波数調整用の容量Ｃ_t(図７(B) 参照：図１には示さず）が形成されている。

【０００９】 これがあれば、ない場合に比し、共振スタブ１３の長さＬ₃ が低減できること は先に説明した通りである。念のため繰り返せば、対象とする使用周波数の管内 波長をλ_g としたとき、各共振スタブ１３の長さＬ₃ は、図７に示された従来例 の長さＬ₂ と同様に、Ｌ₃ ＜λ_g ／４とすることができる。ただし、本考案の目 的からして明らかなように、本考案は専らｙ方向デバイス寸法の低減に興味があ るので、あらかじめ述べておけば、上記のような同調容量Ｃ_t を有さない、図６ に示されるような基本構造に即したバンドパスフィルタに対する改良としても本 考案は適用することができ、その場合には当然、導電面１６や、これを接地導体 １２に対して短絡するための短絡導体１５は不要となる。この点は、以下述べる 本考案の他の実施例においても同様である。

【００１０】 並設されている三本の共振スタブ１３の中、並設方向で最も外側に位置する一 対の共振スタブ１３，１３のさらに外側側縁には、誘電体基板表面上に形成され た導電面パタンによる入出力端子２２，２２が形成され、この入出力端子２２， ２２と各対応する共振スタブ１３，１３との間に狭い空隙Ｓ_O ，Ｓ_O が置かれる ことにより、入出力結合容量（図６中の容量Ｃ_O に相当）が形成されている。も ちろん、可逆定理により、これら一対の入出力端子２２，２２の中、いずれを入 力端子とし、他方を出力端子とするかは任意である。

【００１１】 しかるに、図１に示される誘電体フィルタ２０では、本考案を適用した結果と して、特徴的なことに、隣接する共振スタブ１３，１３の間に、それぞれシール ド線路パタン２１，２１が形成されている。図示の場合、三段構成のバンドパス フィルタが例示されているので、隣接する共振スタブ対は二つであり、したがっ てシールド線路パタン２１も二本となっているが、このシールド線路パタン２１ は、共振スタブ１３と平行に伸び、その両端で一対の短絡導体１４，１５を介し て接地導体１２に接続している。

【００１２】 このようにすると、隣接するＬＣ並列共振回路（共振スタブ）間の結合は疎に することができ、換言すれば、隣接する共振スタブ間の間隔Ｓ_KOを大きく広げる ことなく、バンドパスフィルタの狭帯域化を図ることができる。

【００１３】 例えば、図７に示される従来の構成原理に従って構成された二段のバンドパス フィルタと、本考案に従い共振スタブ間にシールド線路パタン２１を有する二段 のバンドパスフィルタとを比較のためにシミュレーションを行った所、中心周波 数をｆ_O ，バンド幅をΔｆとし、結合特性ＫをＫ＝Δｆ／ｆ_O （％）で表すと、 図７に示される従来構成では、共振スタブ間隔Ｓ_K が６_mmの場合、中心周波数が １．１７ＧＨｚのとき、Ｋは５．７％もあり、共振スタブ間隔Ｓ_K を２０ミリに まで広げて始めて、０．８７％と、どうにか１％を割る結果が得られた。 これに対し、本考案に従い、シールド線路パタンを有するものでは、共振スタ ブ間隔Ｓ_KOが６ミリであっても、Ｋ＝０．６７％という、極めて狭帯域なバンド パス特性が得られた。したがって、同一の帯域で良ければ共振スタブ間隔Ｓ_KOは 従来例に比し約三分の一以下にまで縮めることができ、デバイスとして完成した 後のｙ方向寸法Ｙ₃ の低減効果は大変に大きくなる。

【００１４】 以下では本考案の実施例における各種の改変例等を含めて説明するが、上記の 説明や本考案により得られた効果は、以降においてもそのまま適用することがで きる。また、符号についても、どの実施例でも共通する構成要素には同一の符号 を付し、特に各実施例ごとに適用不能なことを明記しない限り、どれかの実施例 において各構成要素につき説明した内容は、他の実施例においてもそのまま適用 することができる。

【００１５】 まず、入出力端子２２，２２についてであるが、当該各端子とそれらに対応す る共振スタブ１３，１３間の結合容量に関し、ある程度以上に大きな容量値を必 要とする場合には、図２(A) に示されているように、チップコンデンサ２３を外 付けしても良いし、別途なコンデンサ部品を排斥したければ、図２(B) に示され ているように、入出力端子を形成する導電面２２と、対応する共振スタブ側縁部 とに、互いに入れ子に密に隣接し合う櫛型のパタン部分を形成し、容量値を稼い でも良い。なお、図１の場合、入出力端子２２，２２は、対応する各共振スタブ １３，１３の長さ方向途中の部分に結合する位置に設けられているが、これは開 放端近傍部分に結合するようにも変更できるし、もっと根本の短絡端に近い部分 に結合するように変更することもできる。それらは入出力時定数に関しての設計 的な事項である。

【００１６】 また、明らかなように、図２に示されるこうした各手法は、各共振スタブ１３ の長さの低減のため、その開放端と接地導体１２との間に同調用の容量Ｃ_t を形 成するに際しても適用することができる。つまり、図１に示される実施例に即し て言えば、各共振スタブ１３の開放端と、臨向する導電面１６との空隙部分Ｓ_t を渡し越すようにチップコンデンサを設けても良いし、単なる平行空隙Ｓ_t に代 え、図２(B) に示されるような櫛型パタンによって容量を増した構造を設けても 良い。

【００１７】 もちろん、導電面１６は、図示の場合、各共振スタブ１３に臨向する部分でそ れら共振スタブに向かうように突出したパタンとなっているが、そうなっている 必要は必ずしもなく、誘電体基板１１の表面上にあって共振スタブの開放端に対 向する側縁に沿い、所定の一定幅の帯状面として構成されていて良い。

【００１８】 さらに言うなら、短絡導体１４，１５を省略したに等しい構造も提案すること ができる。すなわち、本考案は上述の通り、共振スタブ１３の並設方向に沿うデ バイス寸法Ｙ₃ の低減に主たる効果があるが、図１中、仮想線Ｂ，Ｂであたかも 導電パタンを折り曲げたかのようにして、図３に示される構造を構築すると、ｘ 方向の寸法も大いに低減することができる。 これにつき説明するに、図３に示される本考案誘電体フィルタ２０では、各共 振スタブ１３は、誘電体基板１１の主面に直交し、互いには対向する一対の側面 に跨がって形成されている。つまり、図３(A) に示されているように、裏面短絡 導体１２に接する側面の下縁から伸び出した共振スタブ１３は、当該側縁の上縁 にまで至って誘電体基板表面上に折れ曲がり、対向側面に至った後、反対側面側 から見た図３(B) に示されているように、その側面の上縁から下に折れ曲がって 当該対向側面の高さ方向途中で終わり、開放端を形成している。したがって、必 要に応じ、共振スタブの長さを低減するために同調用の容量を形成するための導 電面１６を設ける場合にも、当該導電面１６はこの対向側面上に設けられる。 当然、本考案により追加されるシールド線路パタン２１も、一方の側面の下縁 にあって裏面接地導体１２に接する所から伸び始め、当該側面から誘電体基板表 面を経由し、対向側面を経て当該対向側面の下縁に至り、再び裏面接地導体１２ に接するようにパタン化されている。

【００１９】 このようなパタンとすると、明らかなように、そのｘ方向寸法Ｘ₄ も、図１に 示される構造の当該寸法Ｘ₃ に比し、大いに低減することができる。また、同調 容量形成用導電面１６を設けるのに代え、共振スタブ１３の開放端自体を接地導 体１２の近くにまで伸ばして当該容量を形成できることも言うまでもない。

【００２０】 図４は、基本的な上位の概念では本考案の一実施例としての誘電体フィルタで はあるが、応用装置の一種として機能ごとに分類すると、いわゆる分波器（ない し可逆定理により合波器）３０を構成し得る実施例を示している。この場合、す でに説明したバンドパスフィルタ構造の共振スタブ１３は全部で四本あり、その 全ては互いに並設関係にあるが、サフィックスａ，ｂを付して組分けしているよ うに、第一の組ａに属する手前二本の共振スタブ１３ａ，１３ａの長さＬａに対 し、第二の組ｂに属する奥二本の共振スタブ１３ｂ，１３ｂの長さＬｂは異なっ ており、したがって使用周波数が異なっている。

【００２１】 第一、第二の組ａ，ｂに属する共振スタブ１３ａ．１３ａ：１３ｂ，１３ｂの 間には、それぞれ、本考案に従ってシールド線路パタン２１ａ．２１ｂが設けら れているが、さらに、各組ａ，ｂにあって相手方の組に近い方の共振スタブ同志 １３ａ，１３ｂの間には、共通端子形成用のマイクロストリップ線路パタン３１ が形成されている。このマイクロストリップ線路パタン３１は、両端開放である が、その側縁にはそれぞれの共振スタブ１３ａ，１３ｂに容量結合するために、 当該各共振スタブに接近する側縁部３２ａ，３２ｂが設けられており、さらに、 一端には同様に周波数調整用の容量を形成するため、短絡導体１４を介し接地導 体１２に接続した導電面１６ｃが臨んでいる。これによる容量は、やはり当該マ イクロストリップ線路パタン３１の長さを低減する効果を持つ。

【００２２】 このような構造によれば、長さＬａの共振スタブ１３ａの群から成る共振回路 に同調する第一の周波数ｆａの信号と、長さＬｂの共振スタブ１３ｂの群から成 る第二共振回路に同調する第二の周波数ｆｂ（≠ｆａ）の信号とを共通端子３１ に入力した場合、第一組の外側に位置する共振スタブ１３ａに容量結合した第一 の端子２２ａから第一の周波数ｆａの信号のみを、また、第二組の外側に位置す る共振スタブ１３ａに容量結合した第二の端子２２ｂから第二の周波数ｆｂの信 号のみをそれぞれ取り出すことのできる分波器が得られるし、その逆に、第一端 子２２ａに入力した第一周波数ｆａの信号と第二端子２２ｂに入力した第二周波 数ｆｂの信号とをいずれも共通端子３１から取り出せる合波器を得ることができ る。もちろん、図４に示された分波器３０では、各組のバンドパスフィルタ構成 がそれぞれ二段型であるが、三段以上、任意段数に変更可能であり、各組の隣接 する共振スタブ間にそれぞれ本考案に従ったシールド線路パタン２１を構成すれ ば良い。

【００２３】 図５は、本考案により構成される誘電体フィルタデバイスの全体をシールドす るのに適した構造例を示している。説明すると、絶縁材料製の（実際には誘電体 基板１１と同一材料で良い）覆い部材４０を別途に用意し、その側面と上面とに 導電物質４１を形成する。その上で、共振スタブ１３や、本考案によるシールド 線路パタン２１を有する本考案誘電体フィルタ２０の誘電体基板１１の回路形成 表面上に当該覆い部材４０をその下面が当接するように被せた後、本考案誘電体 フィルタ２０の側面に形成されている短絡導体１４に対し、例えば半田付け等に より導電物質４１を電気的に接続する。この場合、覆い部材４０の当接面の方に は、図示していないが、誘電体フィルタの各導電パタンを受容するパタンの凹み が形成されていて良い。また、覆い部材４０を被せることにより、各入出力端子 ２２，２２の取り出し配線作業が不能となる場合には、あらかじめ、仮想線で示 すような舌片２２’，２２’を形成しておけば良い。もちろん、こうした構造に よりシールドされるべき誘電体フィルタは、図５に例示の二段バンドパスフィル タに限ることなく、上述したいずれの本考案実施例デバイスであって良い。 ただ、この図５に例示の二段バンドパスフィルタでは、共振スタブ１３，１３ がｘ方向で逆方向に伸び合う場合が併示されている。これに示される通り、これ まで述べた他の実施例でも、共振スタブは、交互に、あるいは幾つかごとに、ｘ 方向に沿い逆方向に伸びるように構成されても構わない。

【００２４】

【考案の効果】

本考案によると、この種のコムライン型誘電体フィルタ技術に対し、これまで にない新たなるフィルタ構築概念を導入でき、極めて小型で簡素なものを提供す ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に従って構成された第一の実施例として
の誘電体フィルタの概略構成図である。

【図２】図１に示される実施例構造において必要とされ
る、各容量形成部分に関しての代替例の説明図である。

【図３】本考案の第二の実施例の概略構成図である。

【図４】本考案に従い、分波器として構成された一実施
例の概略構成図である。

【図５】本考案誘電体フィルタに対し、シールド構造を
設ける場合の説明図である。

【図６】従来提案されていた誘電体フィルタの基本的構
造例の概略構成図である。

【図７】従来提案されていた誘電体フィルタであって、
共振スタブの長さ方向の寸法を低減する工夫の付与され
た構造例の概略構成図である。

【符号の説明】

１１ 誘電体基板， １２ 接地導体， １３ 共振スタブ， １４ 短絡導体， １６ 同調容量形成用導電面， ２０ 全体としての本考案誘電体フィルタ， ２１ シールド線路パタン， ３０ 分波器または合波器， ３１ 共通端子形成用マイクロストリップ線路パタン， ４０ 覆い部材．

Claims (6)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板と、該誘電体基板上に形成さ
   れた接地導体と、該誘電体基板上に形成され、マイクロ
   ストリップ線路パタンにより構成された複数の共振スタ
   ブとから成り、該各共振スタブは、その一端において上
   記接地導体に対し電気的に接続すると共に、該一端から
   他端開放端までの長さが使用周波数の管内波長に応じて
   定められているコムライン型の誘電体フィルタであっ
   て；上記誘電体基板上で、かつ、上記複数の共振スタブ
   にあって互いに隣接する一対の共振スタブの間の部分
   に、上記接地導体に対し電気的に接続されたシールド線
   路パタンを形成したこと；を特徴とするコムライン型誘
   電体フィルタ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のコムライン型誘電体フ
   ィルタであって；上記各共振スタブは上記誘電体基板の
   第一の主面上にのみ形成され；上記接地導体は上記誘電
   体基板の該第一の主面に対向する第二の主面にのみ形成
   されると共に；該誘電体基板の第一、第二の主面に直交
   する一対の側面の一方には、上記各共振スタブの上記一
   端を上記接地導体に接続するための短絡導体が設けられ
   ていること；を特徴とする誘電体フィルタ。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のコムライン型誘電体フ
   ィルタであって；上記各共振スタブは上記誘電体基板の
   第一の主面と該第一の主面に直交し互いには対向する一
   対の側面とに跨がって形成され；該一対の側面の一方の
   上に存在する各共振スタブの上記一端は上記第一の主面
   に対向する第二の主面上に形成されている接地導体に接
   続する一方、該各共振スタブの上記他端開放端は上記一
   対の側面の他方の上に存在すること；を特徴とする誘電
   体フィルタ。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３に記載のコムライ
   ン型誘電体フィルタであって；上記各共振スタブの上記
   他端開放端は、容量を介して上記接地導体に電気的に接
   続することにより、該各共振スタブの上記長さが、該容
   量のない場合に比し、短くなっていること；を特徴とす
   る誘電体フィルタ。
5. 【請求項５】 請求項１，２，３または４に記載のコム
   ライン型誘電体フィルタであって；上記複数の共振スタ
   ブは、それぞれ複数個が隣接して設けられた関係の第一
   の組と第二の組とに分かたれ；該第一の組に属する各共
   振スタブと該第二の組に属する各共振スタブとは互いに
   平行な関係にあるが、該第一の組に属する各共振スタブ
   の長さに対し、該第二の組に属する各共振スタブの長さ
   は、対象とする第一、第二の互いに異なる使用周波数の
   管内波長に応じて定められた結果、互いには異なってお
   り；該第一の組に属する複数の共振スタブにあって互い
   に隣接する一対の共振スタブの間、及び該第二の組に属
   する複数の共振スタブの間には、それぞれ上記シールド
   線路パタンが形成されていると共に；該第一の組に属す
   る複数の共振スタブの中、上記第二の組に最も近い共振
   スタブと、該第二の組の中、該第一の組に最も近い共振
   スタブとの間には、それら共振スタブに対して容量結合
   し、共に開放端である両端のどちらかが共通端子を構成
   する共通端子形成用マイクロストリップ線路パタンが形
   成されていること；を特徴とする、分波器として利用可
   能な誘電体フィルタ。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のコムライン型誘電体フ
   ィルタであって；上記共通端子形成用マイクロストリッ
   プ線路パタンにあって上記共通端子の設けられている側
   とは対向する端部は容量を介し上記接地導体に接続して
   おり、その長さが、該容量がない場合に比し、短くなっ
   ていること；を特徴とする誘電体フィルタ。