JPH0566558A - ネガ型感光性組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および酸性条
件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有する
ネガ型感光性組成物において、該光酸発生剤が5位にベ
ンゾフリル基を直接、又はビニル基を介して結合した2
−ハロメチル−1,3,4−オキサジアゾール誘導体で
あることを特徴とするネガ型感光性組成物。 【効果】本発明のネガ型感光性組成物は、光酸発生剤と
して上記の特定のオキサジアゾール誘導体を含有するこ
とにより、組成物の熱安定性が良好で、しかも高解像力
のパターンプロフィールを得ることができ、特にネガ型
のフォトレジストとして極めて有用である。
件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有する
ネガ型感光性組成物において、該光酸発生剤が5位にベ
ンゾフリル基を直接、又はビニル基を介して結合した2
−ハロメチル−1,3,4−オキサジアゾール誘導体で
あることを特徴とするネガ型感光性組成物。 【効果】本発明のネガ型感光性組成物は、光酸発生剤と
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とにより、組成物の熱安定性が良好で、しかも高解像力
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のフォトレジストとして極めて有用である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に輻射線に感応す
るネガ型感光性組成物に関するものであり、さらに詳し
くは、半導体集積回路を作成するネガ型フォトレジスト
に関するものである。
るネガ型感光性組成物に関するものであり、さらに詳し
くは、半導体集積回路を作成するネガ型フォトレジスト
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積度化は、一般に
言われるように、3年間に4倍のスピードで進行し、例
えばダイナミックランダムアクセスメモリーを例にとれ
ば、現在では4Mビットの記憶容量を持つものが本格生
産されている。
言われるように、3年間に4倍のスピードで進行し、例
えばダイナミックランダムアクセスメモリーを例にとれ
ば、現在では4Mビットの記憶容量を持つものが本格生
産されている。
【0003】集積回路の生産に不可欠のフォトリソグラ
フィー技術に対する要求も年々厳しくなってきている。
例えば、4MビットDRAMの生産には、0.8μmレ
ベルのリソグラフィー技術が必要とされ、更に高集積度
化が進んだ16M、64MDRAMにおいては、それぞ
れ0.5μm、0.3μmレベルのリソグラフィーが必
要とされると予想されている。したがってハーフミクロ
ンリソグラフィーに対応できるレジストの開発が切望さ
れていた。
フィー技術に対する要求も年々厳しくなってきている。
例えば、4MビットDRAMの生産には、0.8μmレ
ベルのリソグラフィー技術が必要とされ、更に高集積度
化が進んだ16M、64MDRAMにおいては、それぞ
れ0.5μm、0.3μmレベルのリソグラフィーが必
要とされると予想されている。したがってハーフミクロ
ンリソグラフィーに対応できるレジストの開発が切望さ
れていた。
【0004】フォトリソグラフィーに使用されるレジス
トとして、環化ゴムと架橋剤としてビスアジドを使用す
るネガ型レジストは周知である。しかしながらこの系は
現像に有機溶剤を必要とするため、現像時に膨張が起こ
り、画像の解像力は3μm程度が限界であり、高集積度
のデバイスを製造するには不適当である。また、現像に
用いる有機溶剤は環境上、健康上の面、或は、引火性の
点で問題が多い。
トとして、環化ゴムと架橋剤としてビスアジドを使用す
るネガ型レジストは周知である。しかしながらこの系は
現像に有機溶剤を必要とするため、現像時に膨張が起こ
り、画像の解像力は3μm程度が限界であり、高集積度
のデバイスを製造するには不適当である。また、現像に
用いる有機溶剤は環境上、健康上の面、或は、引火性の
点で問題が多い。
【0005】一方、高解像力リソグラフィーに対応でき
る候補として、X線リソグラフィー、エレクトロンビー
ムリソグラフィー等があげられるが、前者はハードウェ
アー及び、レジストの面からの立ち後れがめだち、後者
はスループットの面で大量生産に対応できない。また、
ナフトキノンジアジドとアルカリ可溶性樹脂を組み合せ
たポジ型レジストも周知である。しかしながら、この系
はポジ型であるために、高解像性を達成するための有力
な手段である位相シフト法に対応することが難しくハー
フミクロンリソグラフィーには適さない。
る候補として、X線リソグラフィー、エレクトロンビー
ムリソグラフィー等があげられるが、前者はハードウェ
アー及び、レジストの面からの立ち後れがめだち、後者
はスループットの面で大量生産に対応できない。また、
ナフトキノンジアジドとアルカリ可溶性樹脂を組み合せ
たポジ型レジストも周知である。しかしながら、この系
はポジ型であるために、高解像性を達成するための有力
な手段である位相シフト法に対応することが難しくハー
フミクロンリソグラフィーには適さない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の問題点を解決し、UV領域の光を用いて露光
でき、しかも、ハーフミクロンリソグラフィーを達成す
るため位相シフト法にも対応できるパターンプロフィー
ル良好なネガ型レジストを提供することにある。
従来技術の問題点を解決し、UV領域の光を用いて露光
でき、しかも、ハーフミクロンリソグラフィーを達成す
るため位相シフト法にも対応できるパターンプロフィー
ル良好なネガ型レジストを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく種々検討を重ねた結果、アルカリ可溶性樹
脂、光酸発生剤及び架橋剤を組み合わせたレジスト組成
物において、特定の光酸発生剤を用いることにより、レ
ジスト組成物の熱安定性が良好で、しかも露光後、加熱
を行なってアルカリ水で現像するプロセスに於て非膨潤
であり、高解像力のパターンプロフィールを得ることが
できるとの知見を得た。
を達成すべく種々検討を重ねた結果、アルカリ可溶性樹
脂、光酸発生剤及び架橋剤を組み合わせたレジスト組成
物において、特定の光酸発生剤を用いることにより、レ
ジスト組成物の熱安定性が良好で、しかも露光後、加熱
を行なってアルカリ水で現像するプロセスに於て非膨潤
であり、高解像力のパターンプロフィールを得ることが
できるとの知見を得た。
【0008】本発明は、かかる知見を基に完成されたも
のであり、その要旨は、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生
剤及び酸性条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋
剤を含有するネガ型感光性組成物において、該光酸発生
剤が、5位にベンゾフリル基を直接又はビニル基を介し
て結合した2−ハロメチル−1,3,4−オキサジアゾ
ール誘導体であることを特徴とするネガ型感光性組成物
に存する。
のであり、その要旨は、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生
剤及び酸性条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋
剤を含有するネガ型感光性組成物において、該光酸発生
剤が、5位にベンゾフリル基を直接又はビニル基を介し
て結合した2−ハロメチル−1,3,4−オキサジアゾ
ール誘導体であることを特徴とするネガ型感光性組成物
に存する。
【0009】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いられるアルカリ可溶性樹脂としては特に限定されな
いが、フェノール性水酸基をもつものが好ましい。かか
る樹脂として、フェノール、クレゾール、エチルフェノ
ール、t−ブチルフェノール、キシレノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香族化合物をホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒドで縮
重合させたノボラック樹脂、低級アルキル基等の置換基
を有してもよいポリビニルフェノール誘導体、N−(p
−ヒドロキシフェニル)マレイミドポリマー等が挙げら
れる。中でも、クレゾールノボラック樹脂、ポリビニル
フェノール誘導体が好ましい。
用いられるアルカリ可溶性樹脂としては特に限定されな
いが、フェノール性水酸基をもつものが好ましい。かか
る樹脂として、フェノール、クレゾール、エチルフェノ
ール、t−ブチルフェノール、キシレノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香族化合物をホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒドで縮
重合させたノボラック樹脂、低級アルキル基等の置換基
を有してもよいポリビニルフェノール誘導体、N−(p
−ヒドロキシフェニル)マレイミドポリマー等が挙げら
れる。中でも、クレゾールノボラック樹脂、ポリビニル
フェノール誘導体が好ましい。
【0010】架橋剤としては、酸存在下にアルカリ可溶
性樹脂と架橋反応をする化合物であれば特に限定されな
いが、例えば特開昭59−113435号、特開昭60
−263143号、特開昭62−164045号各公報
に引用されている化合物、A.knop、L.A.Pi
lato著 Phenolic Resins記載の化
合物、分子中に−N(CH2OR1)2基または−NH
(CH2OR2)基(但しR1及びR2は水素原子又はアル
キル基を表す)を有する化合物等が挙げられる。
性樹脂と架橋反応をする化合物であれば特に限定されな
いが、例えば特開昭59−113435号、特開昭60
−263143号、特開昭62−164045号各公報
に引用されている化合物、A.knop、L.A.Pi
lato著 Phenolic Resins記載の化
合物、分子中に−N(CH2OR1)2基または−NH
(CH2OR2)基(但しR1及びR2は水素原子又はアル
キル基を表す)を有する化合物等が挙げられる。
【0011】架橋剤は、更に具体的には例えば下記式
[I]〜[IV]で示される化合物が挙げられる。
[I]〜[IV]で示される化合物が挙げられる。
【0012】
【化1】
【0013】尚、上記式[I]〜[IV]に於て、R3
〜R13は夫々独立に水素原子又はアルキル基を表し、A
は置換されていてもよいアルキル基、アルケニル基、ア
リール基又は5〜6員の芳香族複素環基を表わし、Bは
水素原子又は−CH2OR14を表わし、R14はアルキル
基を表わし、Uは2価の有機基を表わし、D1〜D4は夫
々独立して水素原子又は−CH2OR15を表わし、R15
はアルキル基を表わし、nは0又は1を表わす。但しD
1〜D4の少なくとも2つは水素原子ではない。
〜R13は夫々独立に水素原子又はアルキル基を表し、A
は置換されていてもよいアルキル基、アルケニル基、ア
リール基又は5〜6員の芳香族複素環基を表わし、Bは
水素原子又は−CH2OR14を表わし、R14はアルキル
基を表わし、Uは2価の有機基を表わし、D1〜D4は夫
々独立して水素原子又は−CH2OR15を表わし、R15
はアルキル基を表わし、nは0又は1を表わす。但しD
1〜D4の少なくとも2つは水素原子ではない。
【0014】なかでも、上記式[I]で表わされる化合
物が好ましく、特に、ヘキサメトキシメラミンが好まし
い。本発明では、光酸発生剤として5位にベンゾフリル
基を直接又はビニル基を介して結合した2−ハロメチル
−1,3,4−オキサジアゾールを用いることを特徴と
する。
物が好ましく、特に、ヘキサメトキシメラミンが好まし
い。本発明では、光酸発生剤として5位にベンゾフリル
基を直接又はビニル基を介して結合した2−ハロメチル
−1,3,4−オキサジアゾールを用いることを特徴と
する。
【0015】本発明の光酸発生剤自体は光照射によりハ
ロゲンフリーラジカルを生成し、また該ハロゲンフリー
ラジカルが水素引抜剤として水素供与体から水素を引き
抜いて酸を生じることが特開昭59−148784によ
り知られている。本発明に於ける、5位にベンゾフリル
基を直接又はビニル基を介して結合した2−ハロメチル
−1,3,4−オキサジアゾール誘導体は、好ましくは
下記一般式(a)で表わされる。
ロゲンフリーラジカルを生成し、また該ハロゲンフリー
ラジカルが水素引抜剤として水素供与体から水素を引き
抜いて酸を生じることが特開昭59−148784によ
り知られている。本発明に於ける、5位にベンゾフリル
基を直接又はビニル基を介して結合した2−ハロメチル
−1,3,4−オキサジアゾール誘導体は、好ましくは
下記一般式(a)で表わされる。
【0016】
【化2】
【0017】(式中、Xは置換されていてもよいベンゾ
フリル基を、Yはハロメチル基を、Qは置換されていて
もよいビニル基又は連結基を表わす。) Xで表わされるベンゾフリル基の置換基としては、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル、n−ブチル等のC1〜
C4アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポ
キシ基、n−ブトキシ基等のC1〜C4アルコキシ基、塩
素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、フェニル基、フェノキシ基等が挙げられる。又ベン
ゾフリル基の5位と6位が連結基−O−CH2−O−基
を介して結合して5員環を形成していてもよい。
フリル基を、Yはハロメチル基を、Qは置換されていて
もよいビニル基又は連結基を表わす。) Xで表わされるベンゾフリル基の置換基としては、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル、n−ブチル等のC1〜
C4アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポ
キシ基、n−ブトキシ基等のC1〜C4アルコキシ基、塩
素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、フェニル基、フェノキシ基等が挙げられる。又ベン
ゾフリル基の5位と6位が連結基−O−CH2−O−基
を介して結合して5員環を形成していてもよい。
【0018】Qで表わされるビニル基の置換基として
は、メチル基、エチル基、ブチル基等のC1〜C4アルキ
ル基、ハロゲン原子、フェニル基等が挙げられる。Yで
表わされるハロメチル基のハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられるが、好ましく
は塩素原子、臭素原子である。ハロメチル基は、トリハ
ロメチル基、ジハロメチル基、モノハロメチル基のいず
れでもよいが、トリハロメチル基であるのが好ましい。
本発明の光酸発生剤としては、具体的には下記表1の化
合物が挙げられる。
は、メチル基、エチル基、ブチル基等のC1〜C4アルキ
ル基、ハロゲン原子、フェニル基等が挙げられる。Yで
表わされるハロメチル基のハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられるが、好ましく
は塩素原子、臭素原子である。ハロメチル基は、トリハ
ロメチル基、ジハロメチル基、モノハロメチル基のいず
れでもよいが、トリハロメチル基であるのが好ましい。
本発明の光酸発生剤としては、具体的には下記表1の化
合物が挙げられる。
【0019】
【表1】前記式(a)
【0020】本発明の光酸発生剤としては、前記式
(a)に於て、Xがメチル基、メトキシ基又はニトロ基
で置換されていてもよいベンゾフリル基であり、Qがビ
ニル基又は連結基であり、Yがトリクロロメチル基又は
トリブロモメチル基である化合物が好ましく、なかでも
Xが2−ベンゾフリル基であり、Qがビニル基であり、
Yがトリクロロメチル基又はトリブロモメチル基である
化合物を用いた場合、感度が良好で解像性に優れてい
る。
(a)に於て、Xがメチル基、メトキシ基又はニトロ基
で置換されていてもよいベンゾフリル基であり、Qがビ
ニル基又は連結基であり、Yがトリクロロメチル基又は
トリブロモメチル基である化合物が好ましく、なかでも
Xが2−ベンゾフリル基であり、Qがビニル基であり、
Yがトリクロロメチル基又はトリブロモメチル基である
化合物を用いた場合、感度が良好で解像性に優れてい
る。
【0021】本発明のフォトレジスト組成物におけるア
ルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および架橋剤の割合は、
アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.
05〜20重量部、好ましくは0.1〜10重量部、ま
た架橋剤はアルカリ可溶性樹脂100重量部に対し1〜
50重量部、好ましくは5〜30重量部の割合で用いら
れる。
ルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および架橋剤の割合は、
アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.
05〜20重量部、好ましくは0.1〜10重量部、ま
た架橋剤はアルカリ可溶性樹脂100重量部に対し1〜
50重量部、好ましくは5〜30重量部の割合で用いら
れる。
【0022】本発明の組成物は通常溶媒に溶解して使用
されるが、溶媒としては樹脂及び感光剤に対して十分な
溶解度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に
制限はなく、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸ア
ミル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、ジ
メチルフォルムアミド、N−メチルピロリドン等の高極
性溶媒、あるいはこれらの混合溶媒、さらには芳香族炭
化水素を添加した混合溶媒等が挙げられる。溶媒の使用
割合は、固形分の総量に対し重量比として1〜20倍の
範囲である。
されるが、溶媒としては樹脂及び感光剤に対して十分な
溶解度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に
制限はなく、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸ア
ミル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、ジ
メチルフォルムアミド、N−メチルピロリドン等の高極
性溶媒、あるいはこれらの混合溶媒、さらには芳香族炭
化水素を添加した混合溶媒等が挙げられる。溶媒の使用
割合は、固形分の総量に対し重量比として1〜20倍の
範囲である。
【0023】本発明のネガ型感光性組成物は、以下に述
べるような塗布、露光、露光後加熱(ポストエクスポー
ジャーベイク;PEB)、現像の各工程を経て、フォト
レジストとして使用される。塗布には通常スピンコータ
ーが使用され、膜厚としては0.5ミクロン〜2ミクロ
ン程度が適当である。
べるような塗布、露光、露光後加熱(ポストエクスポー
ジャーベイク;PEB)、現像の各工程を経て、フォト
レジストとして使用される。塗布には通常スピンコータ
ーが使用され、膜厚としては0.5ミクロン〜2ミクロ
ン程度が適当である。
【0024】露光には高圧水銀灯の366nm、436
nmが好適に使用されるが、エキシマーレーザー等を光
源とする157nm、193nm、222nm、249
nm等にも適用可能である。また、露光の際は単色光で
なくブロードであっても良い。また、露光後加熱の条件
は、ホットプレートを用いた場合、50℃〜 140℃
・5秒〜5分程度の条件が使用される。ホットプレート
のかわりにコンベンションオーブンを用いることもでき
る。この場合、ホットプレートよりも長い時間が必要と
される。
nmが好適に使用されるが、エキシマーレーザー等を光
源とする157nm、193nm、222nm、249
nm等にも適用可能である。また、露光の際は単色光で
なくブロードであっても良い。また、露光後加熱の条件
は、ホットプレートを用いた場合、50℃〜 140℃
・5秒〜5分程度の条件が使用される。ホットプレート
のかわりにコンベンションオーブンを用いることもでき
る。この場合、ホットプレートよりも長い時間が必要と
される。
【0025】そして、現像液には、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、
n−プロピルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−n−プロピルアミン等の第二級アミン、トリエ
チルアミン、トリメチルアミン等の第3級アミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒド
ロキシエチルアンモニウムハイドロキシド等の第4級ア
ンモニウム塩の水溶液よりなるアルカリ現像液が好適に
使用される。現像液には必要に応じて、アルコール、界
面活性剤を添加して使用することもある。
酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、
n−プロピルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−n−プロピルアミン等の第二級アミン、トリエ
チルアミン、トリメチルアミン等の第3級アミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒド
ロキシエチルアンモニウムハイドロキシド等の第4級ア
ンモニウム塩の水溶液よりなるアルカリ現像液が好適に
使用される。現像液には必要に応じて、アルコール、界
面活性剤を添加して使用することもある。
【0026】なお、フォトレジスト溶液、現像液は、使
用に際しろ過して不溶分を除去して使用される。本発明
のネガ型感光性組成物は、超LSIの製造のみならず、
一般のIC製造用、さらには、液晶表示用、マスク製造
用、平板、凹版、凸版等の作成、プリント配線作成の為
のフォトレジスト、ソルダーレジスト、レリーフ像や画
像複製などの画像形成、光硬化のインク、塗料、接着剤
等に利用できる。
用に際しろ過して不溶分を除去して使用される。本発明
のネガ型感光性組成物は、超LSIの製造のみならず、
一般のIC製造用、さらには、液晶表示用、マスク製造
用、平板、凹版、凸版等の作成、プリント配線作成の為
のフォトレジスト、ソルダーレジスト、レリーフ像や画
像複製などの画像形成、光硬化のインク、塗料、接着剤
等に利用できる。
【0027】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により
制約は受けない。
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により
制約は受けない。
【0028】
【実施例1】重量平均分子量5000のクレゾールノボ
ラック樹脂20g、架橋剤としてヘキサメトキシメチル
メラミン4g及び光酸発生剤として表1のNo.1の化
合物1gをエチルセロンルブアセテート60gに溶解さ
せ、0.2μのテフロン製ろ紙を用いて精密ろ過し、フ
ォトレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト組
成物を4インチのシリコンウエハー上にスピンコーティ
ング装置(ミカサ製1H−2D)を用いて1.2ミクロ
ンの厚さで塗布し、ホットプレート上で100℃、60
秒間乾燥した。
ラック樹脂20g、架橋剤としてヘキサメトキシメチル
メラミン4g及び光酸発生剤として表1のNo.1の化
合物1gをエチルセロンルブアセテート60gに溶解さ
せ、0.2μのテフロン製ろ紙を用いて精密ろ過し、フ
ォトレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト組
成物を4インチのシリコンウエハー上にスピンコーティ
ング装置(ミカサ製1H−2D)を用いて1.2ミクロ
ンの厚さで塗布し、ホットプレート上で100℃、60
秒間乾燥した。
【0029】これをi線ステッパー(ニコン製)を用い
て露光量を変化させてテストパターンを焼付けた後、ホ
ットプレート上で110℃、90秒間PEBを行った。
その後2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液で20℃、60秒間現像することにより
ネガ型の画像を形成した。得られた、レジストパターン
はSEM(明石製作所製)により観察を行い、感度およ
び解像力を求めた。結果を表2に示したが、0.4ミク
ロンのパターンがきれいに解像されており、感度も良好
で、未露光部溶解速度も十分小さいものであった。また
パターンプロフィールもほぼ垂直で優れた解像性を示す
ものであった。
て露光量を変化させてテストパターンを焼付けた後、ホ
ットプレート上で110℃、90秒間PEBを行った。
その後2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液で20℃、60秒間現像することにより
ネガ型の画像を形成した。得られた、レジストパターン
はSEM(明石製作所製)により観察を行い、感度およ
び解像力を求めた。結果を表2に示したが、0.4ミク
ロンのパターンがきれいに解像されており、感度も良好
で、未露光部溶解速度も十分小さいものであった。また
パターンプロフィールもほぼ垂直で優れた解像性を示す
ものであった。
【0030】
【実施例2〜10】実施例1に於て、光酸発生剤を表1
のNo.4〜12の化合物に変えた以外同様にしてフォ
トレジスト組成物を調製し、同様の評価をおこなった結
果を表2に示した。実施例1と同様、優れた解像性を示
すものであった。尚、表2中、光酸発生剤の欄のNo.
は表1のNo.に対応する。
のNo.4〜12の化合物に変えた以外同様にしてフォ
トレジスト組成物を調製し、同様の評価をおこなった結
果を表2に示した。実施例1と同様、優れた解像性を示
すものであった。尚、表2中、光酸発生剤の欄のNo.
は表1のNo.に対応する。
【0031】
【比較例1】実施例1に於て、光酸発生剤を2−トリク
ロロメチル−1,3,4−オキサジアゾールに変えた以
外同様にしてフォトレジスト組成物を調製した。実施例
1と同様の評価をおこなったところ、未露光部分も含め
て全面が現像液に不溶となっていた。次に、塗布、乾燥
をおえたサンプルを露光せずに現像液に1分間浸漬した
ところ、レジストはすでに現像液に不溶となっていた。
即ち、乾燥時の熱のため光照射なしで架橋反応がおこっ
ていた。
ロロメチル−1,3,4−オキサジアゾールに変えた以
外同様にしてフォトレジスト組成物を調製した。実施例
1と同様の評価をおこなったところ、未露光部分も含め
て全面が現像液に不溶となっていた。次に、塗布、乾燥
をおえたサンプルを露光せずに現像液に1分間浸漬した
ところ、レジストはすでに現像液に不溶となっていた。
即ち、乾燥時の熱のため光照射なしで架橋反応がおこっ
ていた。
【0032】
【表2】
【0033】
【発明の効果】本発明のネガ型感光性組成物は、特に光
酸発生剤として5位にベンゾフリル基を直接、又はビニ
ル基を介して結合した2−ハロメチル−1,3,4−オ
キサジアゾール誘導体を用いることにより、組成物の熱
安定性が良好で、しかも高解像力のパターンプロフィー
ルを得ることができ、特にネガ型のフォトレジストとし
て極めて有用である。
酸発生剤として5位にベンゾフリル基を直接、又はビニ
ル基を介して結合した2−ハロメチル−1,3,4−オ
キサジアゾール誘導体を用いることにより、組成物の熱
安定性が良好で、しかも高解像力のパターンプロフィー
ルを得ることができ、特にネガ型のフォトレジストとし
て極めて有用である。
Claims (1)
- 【請求項1】 アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤およ
び酸性条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を
含有するネガ型感光性組成物において、該光酸発生剤が
5位にベンゾフリル基を直接又はビニル基を介して結合
した2−ハロメチル−1,3,4−オキサジアゾール誘
導体であることを特徴とするネガ型感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22738391A JPH0566558A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | ネガ型感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22738391A JPH0566558A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | ネガ型感光性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566558A true JPH0566558A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16859957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22738391A Pending JPH0566558A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | ネガ型感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07128855A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-05-19 | Mitsubishi Chem Corp | ネガ型感光性組成物 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22738391A patent/JPH0566558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07128855A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-05-19 | Mitsubishi Chem Corp | ネガ型感光性組成物 |
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