JPH0566571A - レジストのベーキング方法 - Google Patents
レジストのベーキング方法Info
- Publication number
- JPH0566571A JPH0566571A JP3227577A JP22757791A JPH0566571A JP H0566571 A JPH0566571 A JP H0566571A JP 3227577 A JP3227577 A JP 3227577A JP 22757791 A JP22757791 A JP 22757791A JP H0566571 A JPH0566571 A JP H0566571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- hot plate
- baking
- baking method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストのベーキング方法, 特に多層レジス
トのベーキング方法に関し，基板の汚染および基板搬送
系への熱影響の抑制とを目的とする。 【構成】 １）レジストを塗布した基板を間隔をあけて
ホットプレート上に載せ，該間隔を調節して該基板の昇
温時間を所定の値に設定して，基板当たり１枚のホット
プレートで該基板の加熱を行う。 ２）前記レジストが，多層レジストの下層レジストとス
ピンオングラス(SOG) からなる中間層であることを特徴
とする。 ３）前記ホットプレートを複数個用いて，基板の並行加
熱を行うように構成する。
トのベーキング方法に関し，基板の汚染および基板搬送
系への熱影響の抑制とを目的とする。 【構成】 １）レジストを塗布した基板を間隔をあけて
ホットプレート上に載せ，該間隔を調節して該基板の昇
温時間を所定の値に設定して，基板当たり１枚のホット
プレートで該基板の加熱を行う。 ２）前記レジストが，多層レジストの下層レジストとス
ピンオングラス(SOG) からなる中間層であることを特徴
とする。 ３）前記ホットプレートを複数個用いて，基板の並行加
熱を行うように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジストのベーキング方
法, 特に多層レジストのベーキング方法に関する。
法, 特に多層レジストのベーキング方法に関する。
【０００２】半導体デバイスの微細化に伴い, フォトリ
ソグラフィ工程で基板上の段差の大きい部分でのパター
ニングが困難となってきている。そこで，段差を緩和
（多層レジスト採用の目的の一つ）させるために多層レ
ジストが用いられているが, 下層レジストとスピンオン
グラス(SOG) からなる中間層のキュアベーク時に, 基板
温度が急激に上昇すると下層レジストが破裂するため,
ベーキング方法の改善が求められていた。
ソグラフィ工程で基板上の段差の大きい部分でのパター
ニングが困難となってきている。そこで，段差を緩和
（多層レジスト採用の目的の一つ）させるために多層レ
ジストが用いられているが, 下層レジストとスピンオン
グラス(SOG) からなる中間層のキュアベーク時に, 基板
温度が急激に上昇すると下層レジストが破裂するため,
ベーキング方法の改善が求められていた。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来例によるベーキングの説明図
である。図において，１，２，３はホットプレートで，
それぞれ温度をａ℃，ｂ℃，ｃ℃（ａ＜ｂ＜ｃ）に設定
し，各ホットプレート上の滞留時間をｔ秒とする。
である。図において，１，２，３はホットプレートで，
それぞれ温度をａ℃，ｂ℃，ｃ℃（ａ＜ｂ＜ｃ）に設定
し，各ホットプレート上の滞留時間をｔ秒とする。
【０００４】このように，温度設定を変えた複数のホッ
トプレート上を基板は搬送装置により移動してゆくこと
により，基板温度を段階的に上げる工夫がなされてい
る。
トプレート上を基板は搬送装置により移動してゆくこと
により，基板温度を段階的に上げる工夫がなされてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例では，複数のホ
ットプレート上を基板が通過するため，ゴミがつきやす
くなる。また，多段式ベーキングであるため，搬送ロボ
ットに対する熱影響が増し，搬送中の室温状態の基板に
対して熱が伝わるといった問題が生じていた。
ットプレート上を基板が通過するため，ゴミがつきやす
くなる。また，多段式ベーキングであるため，搬送ロボ
ットに対する熱影響が増し，搬送中の室温状態の基板に
対して熱が伝わるといった問題が生じていた。
【０００６】従って，基板は汚染を受けやすく，基板温
度の制御ができないため塗布膜厚分布の悪化という問題
が起こることになる。本発明は基板の汚染および基板搬
送系への熱影響の抑制とを目的とする。
度の制御ができないため塗布膜厚分布の悪化という問題
が起こることになる。本発明は基板の汚染および基板搬
送系への熱影響の抑制とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）レジストを塗布した基板をホットプレート表面に平
行にかつ一定距離離して該ホットプレート上に載せ，該
一定距離の間隔を調節して該基板の昇温時間を所定の値
に設定して，基板当たり１枚のホットプレートで該基板
の加熱を行うレジストのベーキング方法，あるいは ２）前記レジストが，多層レジストの下層レジストとス
ピンオングラス(SOG) からなる中間層である前記１）記
載のレジストのベーキング方法，あるいは ３）前記ホットプレートを複数個用いて，基板の並行加
熱を行う前記１）または ２）記載のレジストのベーキング方法により達成され
る。
行にかつ一定距離離して該ホットプレート上に載せ，該
一定距離の間隔を調節して該基板の昇温時間を所定の値
に設定して，基板当たり１枚のホットプレートで該基板
の加熱を行うレジストのベーキング方法，あるいは ２）前記レジストが，多層レジストの下層レジストとス
ピンオングラス(SOG) からなる中間層である前記１）記
載のレジストのベーキング方法，あるいは ３）前記ホットプレートを複数個用いて，基板の並行加
熱を行う前記１）または ２）記載のレジストのベーキング方法により達成され
る。
【０００８】
【作用】図１ (A)〜(D) は本発明の原理説明図である。
図１(A) は通常の近接式ホットプレートで，１はホット
プレート，４は基板をホットプレートに近接して載せる
ためのプロキシミティギャップピンである。
図１(A) は通常の近接式ホットプレートで，１はホット
プレート，４は基板をホットプレートに近接して載せる
ためのプロキシミティギャップピンである。
【０００９】この場合，基板とホットプレート間が近接
しているため，基板温度の時間経過は図１(B) のように
急激に立ち上がる。図１(C) において，プロキシミティ
ギャップピンの高さを増すと，基板温度の時間経過は図
１(D) のようになだらかにに立ち上がる。
しているため，基板温度の時間経過は図１(B) のように
急激に立ち上がる。図１(C) において，プロキシミティ
ギャップピンの高さを増すと，基板温度の時間経過は図
１(D) のようになだらかにに立ち上がる。
【００１０】本発明はこの事実を利用して，基板温度の
立ち上がり特性を所望の立ち上がり特性に合わせてプロ
キシミティギャップピンの高さを調整することにより，
１個のホットプレートでベーキングするようにしたもの
である。
立ち上がり特性を所望の立ち上がり特性に合わせてプロ
キシミティギャップピンの高さを調整することにより，
１個のホットプレートでベーキングするようにしたもの
である。
【００１１】
【実施例】図２(A),(B) は本発明の一実施例の説明図で
ある。図２(A) において，ホットプレート１，２，３を
並行処理し，各ホットプレート上の基板の滞留時間を３
ｔ秒（例えばｔ＝60秒）とする。
ある。図２(A) において，ホットプレート１，２，３を
並行処理し，各ホットプレート上の基板の滞留時間を３
ｔ秒（例えばｔ＝60秒）とする。
【００１２】この場合の，各ホットプレート上の基板温
度の時間経過を図２(A) に示す。室温から２ｔ秒後に最
終温度ｃ℃（例えば 270℃）に達するようにプロキシミ
ティギャップピン２の高さを調節し，最終温度での加熱
をｔ秒続けた後基板を取り出す。
度の時間経過を図２(A) に示す。室温から２ｔ秒後に最
終温度ｃ℃（例えば 270℃）に達するようにプロキシミ
ティギャップピン２の高さを調節し，最終温度での加熱
をｔ秒続けた後基板を取り出す。
【００１３】この場合，スループット低下の問題はホッ
トプレート１，２，３を並行処理することにより解決で
きる。このように実施例ではホットプレート１枚／基板
で処理できる。
トプレート１，２，３を並行処理することにより解決で
きる。このように実施例ではホットプレート１枚／基板
で処理できる。
【００１４】
【発明の効果】本発明ではホットプレート１枚／基板で
処理できるため，基板上へのゴミの付着および基板搬送
系への熱影響が抑制され，塗布膜厚分布の向上に寄与す
ることができた。
処理できるため，基板上へのゴミの付着および基板搬送
系への熱影響が抑制され，塗布膜厚分布の向上に寄与す
ることができた。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 従来例によるベーキングの説明図
１，２，３ ホットプレート ４ 基板をホットプレートに近接して載せるプロキシミ
ティギャップピン
ティギャップピン
Claims (3)
- 【請求項１】 レジストを塗布した基板をホットプレー
ト表面に平行にかつ一定距離離して該ホットプレート上
に載せ，該一定距離の間隔を調節して該基板の昇温時間
を所定の値に設定して，基板当たり１枚のホットプレー
トで該基板の加熱を行うことを特徴とするレジストのベ
ーキング方法。 - 【請求項２】 前記レジストが，多層レジストの下層レ
ジストとスピンオングラス(SOG) からなる中間層である
ことを特徴とする請求項１記載のレジストのベーキング
方法。 - 【請求項３】 前記ホットプレートを複数個用いて，基
板の並行加熱を行うこと特徴とする請求項１または２記
載のレジストのベーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227577A JPH0566571A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | レジストのベーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227577A JPH0566571A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | レジストのベーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566571A true JPH0566571A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16863099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227577A Withdrawn JPH0566571A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | レジストのベーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566571A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487699B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2005-05-03 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 레지스트막 베이킹 장치 및 그 방법 |
| KR100689920B1 (ko) * | 2004-01-15 | 2007-03-09 | 가부시끼가이샤 도시바 | 막 형성 방법 및 기판 처리 장치 |
| JP2007214367A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置，熱処理方法及びプログラム |
| WO2015012123A1 (ja) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | 日東電工株式会社 | シートの製造方法およびシート製造装置 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP3227577A patent/JPH0566571A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487699B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2005-05-03 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 레지스트막 베이킹 장치 및 그 방법 |
| KR100689920B1 (ko) * | 2004-01-15 | 2007-03-09 | 가부시끼가이샤 도시바 | 막 형성 방법 및 기판 처리 장치 |
| JP2007214367A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置，熱処理方法及びプログラム |
| WO2015012123A1 (ja) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | 日東電工株式会社 | シートの製造方法およびシート製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |