JPH0566652B2 - - Google Patents
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- JPH0566652B2 JPH0566652B2 JP59169861A JP16986184A JPH0566652B2 JP H0566652 B2 JPH0566652 B2 JP H0566652B2 JP 59169861 A JP59169861 A JP 59169861A JP 16986184 A JP16986184 A JP 16986184A JP H0566652 B2 JPH0566652 B2 JP H0566652B2
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- Japan
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- film
- magnetic recording
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は強磁性金属薄膜を磁気記録層として備
えてなる磁気記録媒体に関し、特に常温より高い
温度環境下での耐久性にすぐれる金属薄膜型磁気
記録媒体に関するものである。 〔従来技術〕 従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体
上にγ−Fe2O3，Coをドープしたγ−Fe2O3，
Fe3O4，CoをドープしたFe3O4，γ−Fe2O3とFe3
O4のベルトライド化合物、CrO2等の磁性粉末あ
るいは強磁性合金粉末等を粉末磁性材料を塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−ブタジエ
ン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめたものを塗布し
乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきてい
る。近年高密度記録への要求の高まりと共に真空
蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング等
のベーパーデポジシヨン法あるいは電気メツキ、
無電解メツキ等のメツキ法により形成される強磁
性金属薄膜を磁気記録層とする、バインダーを使
用しない、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体が注
目を浴びており実用化への努力が種種行なわれて
いる。 従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁
性金属より飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材
料として使用しているため、高密度記録に必要な
薄形化が信号出力の低下をもたらすため限界にき
ており、かつその製造工程も複雑で、溶剤回収あ
るいは公害防止のための大きな附帯設備を要する
という欠点を有している。金属薄膜型の磁気記録
媒体では上記酸化物より大きな飽和磁化を有する
強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有
しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密
度記録化のために超薄形にできるという利点を有
し、しかもその製造工程は簡単である。 高密度記録用の磁気記録媒体に要求される条件
の一つとして、高抗磁力化、薄形化が理論的にも
実験的にも提唱されており、塗布型の磁気記録媒
体よりも一桁小さい薄型化が容易で、飽和磁束密
度も大きい金属薄膜型磁気記録媒体への期待は大
きい。 特に真空蒸着による方法はメツキの場合のよう
な排液処理を必要とせず製造工程も簡単で膜の析
出速度も大きくできるため非常にメリツトが大き
い。真空蒸着によつて磁気記録媒体に望ましい抗
磁力および角型性を有する磁性膜を製造する方法
としては、米国特許3342632号、同3342633号等に
述べられている斜め蒸着法が知られている。 さらに強磁性金属薄膜から成る磁気記録媒体に
かかわる大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する
強度、走行安定性がある。磁気記録媒体は磁気信
号の記録、再生及び消去の過程において磁気ヘツ
ドと高速相対運動のもとにおかれるが、その際走
行がスムーズにしかも安定に行なわれねばならぬ
し、同時にヘツドとの接触による摩耗もしくは破
壊が起つてはならない。又磁性記録媒体の保存中
に腐蝕等による経時変化によつて記録された信号
の減少あるいは消失があつてはならないことも要
求される。耐久性、耐候性を向上させる方法とし
て保護層を設けることが検討されている。 金属薄膜型磁気記録媒体の保護層の１つとして
脂肪酸あるいはこの金属塩より成る単分子層を設
けることが特開昭50−75001号あるいは特開昭56
−41527号に開示されている。脂肪酸あるいはこ
の金属塩（金属としてはアルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属）の単分子層を設けることにより
耐侯性、耐久性、走行性の改善が得られるもので
ある。しかしながら常温以外の環境下での金属薄
膜型磁気記録媒体の耐久性は不十分で、金属薄膜
型磁気記録媒体の実用化に際しなお改良が望まれ
ている。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記の欠点を改良した磁気記
録媒体、すなわち常温より高い温度の環境下での
耐久性が著しく改善された新規な金属薄膜型磁気
記録媒体を提供することである。 〔発明の構成〕 本発明は、非磁性支持体上に設けられた強磁性
金属薄膜表面上に少なくとも一層のラングミユ
ア・ブロジエツト重合膜を設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体に関する。さらに上記ラングミユ
ア・ブロジエツト重合膜が、ステアリン酸ビニ
ル、ω−トリコセン酸、ジアセチレン誘導体から
選ばれた少なくとも一種の重合体膜であることを
特徴とする上記磁気記録媒体に関する。 すなわち本発明は、電気メツキ、無電解メツ
キ、気相メツキ、スパツタリング、蒸着、イオン
プレーテング等の方法により形成された強磁性金
属薄膜の表面上に、ラングミユア・ブロジエツト
重合膜を少なくとも一層形成せしめてなる金属薄
膜型磁気記録媒体に関する。 ここでラングミユア・ブロジエツト重合膜と
は、水面上に形成された単分子凝縮膜をラングミ
ユア・ブロジエツト法〔Physical Review 51，
964（1937）〕により強磁性金属薄膜面上に逐次重
畳累積させ、しかる後電子線あるいは電磁線の照
射により重合させて得られる膜をいう。 すなわち分子内に重合性の２重結合を有する脂
肪酸等をベンゼン、クロロホルム等揮発性溶媒に
溶解させ、これを水面上に滴下して水面上に単分
子膜を形成させる。水中に適当な金属イオンを存
在せしめ金属塩の単分子膜を形成することもでき
る。その後、強磁性金属薄膜を水中に浸漬して引
上げると金属薄膜表面上に単分子膜が移設され、
この方法を繰返すことにより単分子層が幾層にわ
たつて強磁性金属薄膜表面上に形成される。この
際水面上の単分子膜をより稠密にし、強磁性金属
薄膜表面上への単分子膜の移設を容易にするため
液面上の単分子膜に横から表面圧を加えるのが望
ましい。本発明においては表面圧は一般に10〜
40dynes／cmで、特に好ましいのは15〜
35dynes／cmである。こうして得られた強磁性金
属薄膜表面上の単分子膜に電子線、γ線、紫外線
等を照射して重合させ重合膜を形成させる。本発
明において重合膜を得るのに好ましい材料として
はステアリン酸ビニルCH3（CH2）16COOCHCH2，
ω−トリコセン酸CH2CH（CH2）20COOH、ジア
セチレン誘導体CH3（CH2）o-1C4（CH2）8COOH
（ｎ＝８〜15）分子内に重合性の２重結合を有す
る化合物である。 第１図に本発明による保護潤滑層を形成するた
めの装置の一例を示している。強磁性金属薄膜の
形成された磁気テープ原反１は、ガイドローラー
２によつて保護潤滑層形成槽３に導びかれ単分子
膜より構成される保護潤滑層が形成せしめられた
後巻取りロール４に巻取られる。槽３には金属イ
オンを含むあるいは含まない水９が満たされ水面
上には単分子膜５が形成されている。単分子膜形
成材料はノズル８から常時供給されるようになつ
ており、水面上の単分子膜５には浮子６及びバネ
７によつて一定の表面圧が加えられている。磁気
テープ原反１の水面下への移動あるいは水面下か
ら水面上方への移動の際に水面上の単分子膜５は
磁気テープ原反１の強磁性金属薄膜表面上へ移設
される。金属イオンを含む水９は給水管１０およ
び排水管１１により適宜循環されるようになつて
いる。単分子膜の形成された磁気テープ原反１は
照射源１２からのエネルギー線１３が照射され単
分子膜の重合が行なわれる。 保護潤滑層として設ける単分子膜の数は１層以
上、100層位までのスペーシングクロスによる出
力低下の影響の小さい範囲が望ましく、10層程度
位迄でも充分であることが判明した。膜厚として
は15Å〜2000Åの範囲がいい。 本発明において強磁性金属薄膜とは鉄、コバル
ト、ニツケルその他の強磁性金属あるいはFe−
Co，Fe−Ni，Co−Ni，Fe−Rh，Co−Ｐ，Co
−Ｂ，Co−Ｙ，Co−La，Co−Ce，Co−Pr，Co
−Sm，Co−Pt，Co−Mn，Fe−Co−Ni，Co−
Ni−Ｐ，Co−Ni−Ｂ，Co−Ni−Ag，Co−Ni−
Na，Co−Ni−Ce，Co−Ni−Zn，Co−Ni−Cu，
Co−Ni−Ｗ，Co−Ni−Re等の強磁性合金を電
気メツキ、無電解メツキ、気相メツキ、真空蒸
着、スパツタリング、イオンプレーテイング等の
方法によつて薄膜状に形成せしめたもので、その
膜厚は磁気記録媒体として使用する場合0.02〜2μ
ｍの範囲であり、特に0.05〜0.4μｍの範囲が望ま
しい。 上記の強磁性金属薄膜は他にＯ，Ｎ，Cr，Ga，
Ae，Sr，Zr，Nb，Mo，Rh，Pd，Sn，Sb，
Te，Pm，Re，Os，Ir，Au，Hg，Pb，Bl等を
含んでいても良い。 本発明に用いられる基体としてはポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ
塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリフエニレン
サルフアイドのようなプラスチツクベース、また
はAl，Ti，ステンレス鋼などが用いられる。 〔実施例〕 次に実施例をもつて本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例 １ 連続メツキ装置により1/2インチ幅、15μｍ厚
のテープ状ポリエチレンテレフタレートフイルム
上に下記のようなメツキ液、メツキ条件でCo−
Ｐ（Co：98％，Ｐ：２％）磁性膜を0.25μｍ厚と
なるように無電解メツキした。無電解メツキの前
処理液としては日本カニゼン(株)のシユーマーセン
シタイザー及びシユーマー・アクチペーターを使
用した。 塩化コバルト（CoCl2・6H2Ｏ 9.58ｇ／ 次亜リン酸リーダ（NaH2PO2・H2Ｏ）
5.3ｇ／ 塩化アンモニウム 10.7ｇ／ クエン酸 26.5ｇ／ ホウ酸 30.9ｇ／ 〔メツキ条件〕PH：7.5、液温：80℃ さらにCo−Ｐ無電解メツキ磁性膜上に第１図
に示した装置を用いラングミユア・ブロジエツト
重合膜を形成させた。この際表面圧は32dynes／
cmとし、槽３中の水９には塩化バリウムを溶解さ
せた。単分子膜形成材料としてはステアリン酸ビ
ニル、ω−トリコセン酸、ジアセチレン誘導体を
使用し、単分子膜を３層形成させた後それぞれγ
線、電子線、紫外線を照射することにより重合さ
せた。さらに比較のためにステアリン酸のバリウ
ム塩の単分子膜を３層形成させたサンプルも準備
した。こうして得られた磁気テープの40℃、30％
相対湿度および40℃、80％相対湿度環境雰囲気中
でのβ型VTRでのスチル耐久性を調べたところ
表１のごとくであつた。
えてなる磁気記録媒体に関し、特に常温より高い
温度環境下での耐久性にすぐれる金属薄膜型磁気
記録媒体に関するものである。 〔従来技術〕 従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体
上にγ−Fe2O3，Coをドープしたγ−Fe2O3，
Fe3O4，CoをドープしたFe3O4，γ−Fe2O3とFe3
O4のベルトライド化合物、CrO2等の磁性粉末あ
るいは強磁性合金粉末等を粉末磁性材料を塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−ブタジエ
ン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめたものを塗布し
乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきてい
る。近年高密度記録への要求の高まりと共に真空
蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング等
のベーパーデポジシヨン法あるいは電気メツキ、
無電解メツキ等のメツキ法により形成される強磁
性金属薄膜を磁気記録層とする、バインダーを使
用しない、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体が注
目を浴びており実用化への努力が種種行なわれて
いる。 従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁
性金属より飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材
料として使用しているため、高密度記録に必要な
薄形化が信号出力の低下をもたらすため限界にき
ており、かつその製造工程も複雑で、溶剤回収あ
るいは公害防止のための大きな附帯設備を要する
という欠点を有している。金属薄膜型の磁気記録
媒体では上記酸化物より大きな飽和磁化を有する
強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有
しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密
度記録化のために超薄形にできるという利点を有
し、しかもその製造工程は簡単である。 高密度記録用の磁気記録媒体に要求される条件
の一つとして、高抗磁力化、薄形化が理論的にも
実験的にも提唱されており、塗布型の磁気記録媒
体よりも一桁小さい薄型化が容易で、飽和磁束密
度も大きい金属薄膜型磁気記録媒体への期待は大
きい。 特に真空蒸着による方法はメツキの場合のよう
な排液処理を必要とせず製造工程も簡単で膜の析
出速度も大きくできるため非常にメリツトが大き
い。真空蒸着によつて磁気記録媒体に望ましい抗
磁力および角型性を有する磁性膜を製造する方法
としては、米国特許3342632号、同3342633号等に
述べられている斜め蒸着法が知られている。 さらに強磁性金属薄膜から成る磁気記録媒体に
かかわる大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する
強度、走行安定性がある。磁気記録媒体は磁気信
号の記録、再生及び消去の過程において磁気ヘツ
ドと高速相対運動のもとにおかれるが、その際走
行がスムーズにしかも安定に行なわれねばならぬ
し、同時にヘツドとの接触による摩耗もしくは破
壊が起つてはならない。又磁性記録媒体の保存中
に腐蝕等による経時変化によつて記録された信号
の減少あるいは消失があつてはならないことも要
求される。耐久性、耐候性を向上させる方法とし
て保護層を設けることが検討されている。 金属薄膜型磁気記録媒体の保護層の１つとして
脂肪酸あるいはこの金属塩より成る単分子層を設
けることが特開昭50−75001号あるいは特開昭56
−41527号に開示されている。脂肪酸あるいはこ
の金属塩（金属としてはアルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属）の単分子層を設けることにより
耐侯性、耐久性、走行性の改善が得られるもので
ある。しかしながら常温以外の環境下での金属薄
膜型磁気記録媒体の耐久性は不十分で、金属薄膜
型磁気記録媒体の実用化に際しなお改良が望まれ
ている。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記の欠点を改良した磁気記
録媒体、すなわち常温より高い温度の環境下での
耐久性が著しく改善された新規な金属薄膜型磁気
記録媒体を提供することである。 〔発明の構成〕 本発明は、非磁性支持体上に設けられた強磁性
金属薄膜表面上に少なくとも一層のラングミユ
ア・ブロジエツト重合膜を設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体に関する。さらに上記ラングミユ
ア・ブロジエツト重合膜が、ステアリン酸ビニ
ル、ω−トリコセン酸、ジアセチレン誘導体から
選ばれた少なくとも一種の重合体膜であることを
特徴とする上記磁気記録媒体に関する。 すなわち本発明は、電気メツキ、無電解メツ
キ、気相メツキ、スパツタリング、蒸着、イオン
プレーテング等の方法により形成された強磁性金
属薄膜の表面上に、ラングミユア・ブロジエツト
重合膜を少なくとも一層形成せしめてなる金属薄
膜型磁気記録媒体に関する。 ここでラングミユア・ブロジエツト重合膜と
は、水面上に形成された単分子凝縮膜をラングミ
ユア・ブロジエツト法〔Physical Review 51，
964（1937）〕により強磁性金属薄膜面上に逐次重
畳累積させ、しかる後電子線あるいは電磁線の照
射により重合させて得られる膜をいう。 すなわち分子内に重合性の２重結合を有する脂
肪酸等をベンゼン、クロロホルム等揮発性溶媒に
溶解させ、これを水面上に滴下して水面上に単分
子膜を形成させる。水中に適当な金属イオンを存
在せしめ金属塩の単分子膜を形成することもでき
る。その後、強磁性金属薄膜を水中に浸漬して引
上げると金属薄膜表面上に単分子膜が移設され、
この方法を繰返すことにより単分子層が幾層にわ
たつて強磁性金属薄膜表面上に形成される。この
際水面上の単分子膜をより稠密にし、強磁性金属
薄膜表面上への単分子膜の移設を容易にするため
液面上の単分子膜に横から表面圧を加えるのが望
ましい。本発明においては表面圧は一般に10〜
40dynes／cmで、特に好ましいのは15〜
35dynes／cmである。こうして得られた強磁性金
属薄膜表面上の単分子膜に電子線、γ線、紫外線
等を照射して重合させ重合膜を形成させる。本発
明において重合膜を得るのに好ましい材料として
はステアリン酸ビニルCH3（CH2）16COOCHCH2，
ω−トリコセン酸CH2CH（CH2）20COOH、ジア
セチレン誘導体CH3（CH2）o-1C4（CH2）8COOH
（ｎ＝８〜15）分子内に重合性の２重結合を有す
る化合物である。 第１図に本発明による保護潤滑層を形成するた
めの装置の一例を示している。強磁性金属薄膜の
形成された磁気テープ原反１は、ガイドローラー
２によつて保護潤滑層形成槽３に導びかれ単分子
膜より構成される保護潤滑層が形成せしめられた
後巻取りロール４に巻取られる。槽３には金属イ
オンを含むあるいは含まない水９が満たされ水面
上には単分子膜５が形成されている。単分子膜形
成材料はノズル８から常時供給されるようになつ
ており、水面上の単分子膜５には浮子６及びバネ
７によつて一定の表面圧が加えられている。磁気
テープ原反１の水面下への移動あるいは水面下か
ら水面上方への移動の際に水面上の単分子膜５は
磁気テープ原反１の強磁性金属薄膜表面上へ移設
される。金属イオンを含む水９は給水管１０およ
び排水管１１により適宜循環されるようになつて
いる。単分子膜の形成された磁気テープ原反１は
照射源１２からのエネルギー線１３が照射され単
分子膜の重合が行なわれる。 保護潤滑層として設ける単分子膜の数は１層以
上、100層位までのスペーシングクロスによる出
力低下の影響の小さい範囲が望ましく、10層程度
位迄でも充分であることが判明した。膜厚として
は15Å〜2000Åの範囲がいい。 本発明において強磁性金属薄膜とは鉄、コバル
ト、ニツケルその他の強磁性金属あるいはFe−
Co，Fe−Ni，Co−Ni，Fe−Rh，Co−Ｐ，Co
−Ｂ，Co−Ｙ，Co−La，Co−Ce，Co−Pr，Co
−Sm，Co−Pt，Co−Mn，Fe−Co−Ni，Co−
Ni−Ｐ，Co−Ni−Ｂ，Co−Ni−Ag，Co−Ni−
Na，Co−Ni−Ce，Co−Ni−Zn，Co−Ni−Cu，
Co−Ni−Ｗ，Co−Ni−Re等の強磁性合金を電
気メツキ、無電解メツキ、気相メツキ、真空蒸
着、スパツタリング、イオンプレーテイング等の
方法によつて薄膜状に形成せしめたもので、その
膜厚は磁気記録媒体として使用する場合0.02〜2μ
ｍの範囲であり、特に0.05〜0.4μｍの範囲が望ま
しい。 上記の強磁性金属薄膜は他にＯ，Ｎ，Cr，Ga，
Ae，Sr，Zr，Nb，Mo，Rh，Pd，Sn，Sb，
Te，Pm，Re，Os，Ir，Au，Hg，Pb，Bl等を
含んでいても良い。 本発明に用いられる基体としてはポリエチレン
テレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ
塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリフエニレン
サルフアイドのようなプラスチツクベース、また
はAl，Ti，ステンレス鋼などが用いられる。 〔実施例〕 次に実施例をもつて本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例 １ 連続メツキ装置により1/2インチ幅、15μｍ厚
のテープ状ポリエチレンテレフタレートフイルム
上に下記のようなメツキ液、メツキ条件でCo−
Ｐ（Co：98％，Ｐ：２％）磁性膜を0.25μｍ厚と
なるように無電解メツキした。無電解メツキの前
処理液としては日本カニゼン(株)のシユーマーセン
シタイザー及びシユーマー・アクチペーターを使
用した。 塩化コバルト（CoCl2・6H2Ｏ 9.58ｇ／ 次亜リン酸リーダ（NaH2PO2・H2Ｏ）
5.3ｇ／ 塩化アンモニウム 10.7ｇ／ クエン酸 26.5ｇ／ ホウ酸 30.9ｇ／ 〔メツキ条件〕PH：7.5、液温：80℃ さらにCo−Ｐ無電解メツキ磁性膜上に第１図
に示した装置を用いラングミユア・ブロジエツト
重合膜を形成させた。この際表面圧は32dynes／
cmとし、槽３中の水９には塩化バリウムを溶解さ
せた。単分子膜形成材料としてはステアリン酸ビ
ニル、ω−トリコセン酸、ジアセチレン誘導体を
使用し、単分子膜を３層形成させた後それぞれγ
線、電子線、紫外線を照射することにより重合さ
せた。さらに比較のためにステアリン酸のバリウ
ム塩の単分子膜を３層形成させたサンプルも準備
した。こうして得られた磁気テープの40℃、30％
相対湿度および40℃、80％相対湿度環境雰囲気中
でのβ型VTRでのスチル耐久性を調べたところ
表１のごとくであつた。
【表】
【表】
実施例 ２
巻取り式真空蒸着装置中に12.5μｍ厚のポリエ
チレンテレフタレートフイルムを設置し、Co75
重量％・Ni25重量％の合金を電子ビーム蒸発源
より蒸発せしめ入射角60°〜90°の蒸気流が冷却キ
ヤンに沿つて移動するポリエチレンテレフタレー
トフイルムに到達するようにして厚さ0.15μｍと
なる蒸着せしめた。この際蒸気流の入射角60°近
傍のところに酸素ガスを導入するようにした。こ
うして得られた蒸着磁性膜上に実施例１と同様に
して各種ラングミユア・ブロジエツト重合膜を形
成させた。この際表面圧は28dynes／cmとし、単
分子膜は５層形成させた。さらに比較のためにパ
ルミチン酸の単分子膜を５層形成させたサンプル
も準備した。こうして得られた磁気テープの40
℃、30％相対湿度および40℃、80％相対湿度雰囲
気中でのVHS型VTRでのスチル耐久性を測定し
たところ表２のごとくであつた。
チレンテレフタレートフイルムを設置し、Co75
重量％・Ni25重量％の合金を電子ビーム蒸発源
より蒸発せしめ入射角60°〜90°の蒸気流が冷却キ
ヤンに沿つて移動するポリエチレンテレフタレー
トフイルムに到達するようにして厚さ0.15μｍと
なる蒸着せしめた。この際蒸気流の入射角60°近
傍のところに酸素ガスを導入するようにした。こ
うして得られた蒸着磁性膜上に実施例１と同様に
して各種ラングミユア・ブロジエツト重合膜を形
成させた。この際表面圧は28dynes／cmとし、単
分子膜は５層形成させた。さらに比較のためにパ
ルミチン酸の単分子膜を５層形成させたサンプル
も準備した。こうして得られた磁気テープの40
℃、30％相対湿度および40℃、80％相対湿度雰囲
気中でのVHS型VTRでのスチル耐久性を測定し
たところ表２のごとくであつた。
強磁性金属薄膜上にラングミユア・ブロジエツ
ト重合膜を少なくとも一層以上設けてなる磁気記
録媒体は、常温より高い温湿度環境下での耐久性
にすぐれる金属薄膜型磁気記録媒体である。
ト重合膜を少なくとも一層以上設けてなる磁気記
録媒体は、常温より高い温湿度環境下での耐久性
にすぐれる金属薄膜型磁気記録媒体である。
第１図は本発明の磁気記録媒体を製造するため
の装置の一例を示している。 １……磁気テープ原反、２……ガイドローラ
ー、３……水槽、４……巻取りロール、５……単
分子層、６……浮子、７……バネ、８……ノズ
ル、９……水、１０……給水管、１１……排水
管、１２……エネルギー線照射源、１３……エネ
ルギー線。
の装置の一例を示している。 １……磁気テープ原反、２……ガイドローラ
ー、３……水槽、４……巻取りロール、５……単
分子層、６……浮子、７……バネ、８……ノズ
ル、９……水、１０……給水管、１１……排水
管、１２……エネルギー線照射源、１３……エネ
ルギー線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性支持体上に設けられた強磁性金属薄膜
上に少なくとも一層の分子内に重合性２重結合を
有する化合物のラングミユア・ブロジエツト重合
膜を設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 ２ 前記ラングミユア・ブロジエツト重合膜がス
テアリン酸ビニル、ω−トリコセン酸、ジアセチ
レン誘導体から選ばれた少なくとも一種の重合体
膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16986184A JPS6148124A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 磁気記録媒体 |
| US06/765,485 US4690857A (en) | 1984-08-14 | 1985-08-14 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16986184A JPS6148124A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148124A JPS6148124A (ja) | 1986-03-08 |
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Family
ID=15894299
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| JP (1) | JPS6148124A (ja) |
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-
1984
- 1984-08-14 JP JP16986184A patent/JPS6148124A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6148124A (ja) | 1986-03-08 |
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