JPH0567405A - 感光性導電ペースト - Google Patents
感光性導電ペーストInfo
- Publication number
- JPH0567405A JPH0567405A JP22787691A JP22787691A JPH0567405A JP H0567405 A JPH0567405 A JP H0567405A JP 22787691 A JP22787691 A JP 22787691A JP 22787691 A JP22787691 A JP 22787691A JP H0567405 A JPH0567405 A JP H0567405A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- acrylate
- ethylenically unsaturated
- photosensitive conductive
- acrylic copolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】この発明は導電性を有する金属成分粒子、側鎖
にエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、光
反応重合性化合物、および、光重合開始剤を含有する感
光性導電ペーストである。 【効果】本発明の感光性導電ペーストを塗布して形成し
た膜に、パターンマスクを行い露光し、その後、現像液
を用いた現像を行うことにより、線幅１００μｍ以下の
パターンが得られた。これを加熱処理することにより、
線幅１００μｍ以下の導体パターンが得られる。
にエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、光
反応重合性化合物、および、光重合開始剤を含有する感
光性導電ペーストである。 【効果】本発明の感光性導電ペーストを塗布して形成し
た膜に、パターンマスクを行い露光し、その後、現像液
を用いた現像を行うことにより、線幅１００μｍ以下の
パターンが得られた。これを加熱処理することにより、
線幅１００μｍ以下の導体パターンが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック回路基板上に
導体パターンを形成するための感光性導電ペーストに関
する。
導体パターンを形成するための感光性導電ペーストに関
する。
【０００２】
【従来の技術】現在、セラミック基板上に導体パターン
を形成する場合、導体ペーストをスクリーン印刷する方
法が用いられている。スクリーン印刷法での解像度は、
アルミナセラミック基板やガラスセラミック基板に導体
パターンを形成する、銀、銀−白金などの銀系ペースト
や、銅、ニッケルなどの卑金属ペーストでは、１５０〜
２００μｍが現状であり、より微細なパターンを形成す
るのは容易ではない。
を形成する場合、導体ペーストをスクリーン印刷する方
法が用いられている。スクリーン印刷法での解像度は、
アルミナセラミック基板やガラスセラミック基板に導体
パターンを形成する、銀、銀−白金などの銀系ペースト
や、銅、ニッケルなどの卑金属ペーストでは、１５０〜
２００μｍが現状であり、より微細なパターンを形成す
るのは容易ではない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の欠点に鑑み創案されたもので、その目的とするとこ
ろは、１００μｍ以下の導体パターンを、セラミック基
板上に、容易に形成することを可能にする感光性導電ペ
ーストを提供することにある。
術の欠点に鑑み創案されたもので、その目的とするとこ
ろは、１００μｍ以下の導体パターンを、セラミック基
板上に、容易に形成することを可能にする感光性導電ペ
ーストを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
（ａ）導電性を有する金属成分粒子、（ｂ）側鎖にエチ
レン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、（ｃ）光
反応重合性化合物、および（ｄ）光重合開始剤を含有す
ることを特徴とする感光性導電ペーストによって達成さ
れる。
（ａ）導電性を有する金属成分粒子、（ｂ）側鎖にエチ
レン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、（ｃ）光
反応重合性化合物、および（ｄ）光重合開始剤を含有す
ることを特徴とする感光性導電ペーストによって達成さ
れる。
【０００５】上記の感光性導電ペーストは、焼結済みの
セラミック基板、あるいは、未焼成のセラミック粉体を
有機結合剤、可塑剤、溶剤などを用いてスラリー状に
し、ドクターブレード法などでシート状に造膜したもの
（一般にグリーンシートと呼ばれる）の上に塗布され
る。次いで、塗布膜面上がパターンマスクで覆われ、露
光が行われる。そして、現像液への浸漬により未露光部
が除去され、導電性を有する金属成分粒子と有機共重合
体からなる微細なパターンが得られる。その後、高温で
焼成して有機共重合体を熱分解して除去することによ
り、微細な金属の導体パターンを得ることができる。
セラミック基板、あるいは、未焼成のセラミック粉体を
有機結合剤、可塑剤、溶剤などを用いてスラリー状に
し、ドクターブレード法などでシート状に造膜したもの
（一般にグリーンシートと呼ばれる）の上に塗布され
る。次いで、塗布膜面上がパターンマスクで覆われ、露
光が行われる。そして、現像液への浸漬により未露光部
が除去され、導電性を有する金属成分粒子と有機共重合
体からなる微細なパターンが得られる。その後、高温で
焼成して有機共重合体を熱分解して除去することによ
り、微細な金属の導体パターンを得ることができる。
【０００６】本発明で用いられる導電性を有する金属成
分粒子は、金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属およ
びこれらの合金の粒子や、銅、ニッケル、モリブデン、
タングステンなどの卑金属およびこれらの合金の粒子な
どである。これらの粒子は、線幅１００μｍ以下の導体
パターンを形成するためには、平均粒径が５０μｍ以
下、より好ましくは、３０μｍ以下であることが望まし
い。
分粒子は、金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属およ
びこれらの合金の粒子や、銅、ニッケル、モリブデン、
タングステンなどの卑金属およびこれらの合金の粒子な
どである。これらの粒子は、線幅１００μｍ以下の導体
パターンを形成するためには、平均粒径が５０μｍ以
下、より好ましくは、３０μｍ以下であることが望まし
い。
【０００７】本発明の側鎖にエチレン性不飽和基を有す
るアクリル系共重合体は、不飽和カルボン酸とエチレン
性不飽和化合物を共重合させて形成したアクリル系主鎖
ポリマにエチレン性不飽和基をペンダントとして付加さ
せることによって製造することができる。
るアクリル系共重合体は、不飽和カルボン酸とエチレン
性不飽和化合物を共重合させて形成したアクリル系主鎖
ポリマにエチレン性不飽和基をペンダントとして付加さ
せることによって製造することができる。
【０００８】不飽和カルボン酸の具体的な例としては、
アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、
マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、または、これらの
酸無水物などが挙げられる。一方、エチレン性不飽和化
合物の具体的な例としては、アクリル酸メチル、メタク
リル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチ
ル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピ
ル、メタクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロ
ピル、アクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ブチ
ル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−
ブチル、アクリル酸イソ−ブチル、メタクリル酸イソ−
ブチル、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸ｔ
ｅｒｔ−ブチル、アクリル酸ｎ−ペンチル、メタクリル
酸ｎ−ペンチル、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−
メチルスチレン、ｍ−メチルスチレンなどが挙げられる
が特にここに挙げたものに限られるものではない。そし
て、これらのアクリル系主鎖ポリマの共重合成分とし
て、前記に挙げたエチレン性不飽和化合物の中から少な
くともメタクリル酸メチルを含むことによって、熱分解
性の良好な共重合体を得ることができる。
アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、
マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、または、これらの
酸無水物などが挙げられる。一方、エチレン性不飽和化
合物の具体的な例としては、アクリル酸メチル、メタク
リル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチ
ル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピ
ル、メタクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロ
ピル、アクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ブチ
ル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−
ブチル、アクリル酸イソ−ブチル、メタクリル酸イソ−
ブチル、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸ｔ
ｅｒｔ−ブチル、アクリル酸ｎ−ペンチル、メタクリル
酸ｎ−ペンチル、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−
メチルスチレン、ｍ−メチルスチレンなどが挙げられる
が特にここに挙げたものに限られるものではない。そし
て、これらのアクリル系主鎖ポリマの共重合成分とし
て、前記に挙げたエチレン性不飽和化合物の中から少な
くともメタクリル酸メチルを含むことによって、熱分解
性の良好な共重合体を得ることができる。
【０００９】エチレン性不飽和基を有するペンダントと
してはビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基
のようなものがある。このようなペンダントをアクリル
系主鎖ポリマに付加させる方法は、アクリル系主鎖ポリ
マ中のカルボキシル基にグリシジル基を有するエチレン
性不飽和化合物やアクリル酸クロライドを付加反応させ
て作る方法が一般的である。
してはビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基
のようなものがある。このようなペンダントをアクリル
系主鎖ポリマに付加させる方法は、アクリル系主鎖ポリ
マ中のカルボキシル基にグリシジル基を有するエチレン
性不飽和化合物やアクリル酸クロライドを付加反応させ
て作る方法が一般的である。
【００１０】ここで言うグリシジル基を有するエチレン
性不飽和化合物やアクリル酸クロライドとしてはアクリ
ル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリ
シジルエーテル、α−エチルアクリル酸グリシジル、ク
ロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエ
ーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテル、アクリル
酸クロライドメタアクリル酸クロライド、アリルクロラ
イド、メタアリルクロライドなどが挙げられる。また、
これらのエチレン性不飽和化合物あるいはアクリル酸ク
ロライドの付加量は、アクリル系主鎖ポリマ中のカルボ
キシル基に対して０．０５〜１モル当量が望ましく、さ
らに好ましくは０．１〜１モル当量が望ましい。エチレ
ン性不飽和化合物の付加量が０．０５モル当量未満で
は、感光特性が不良となり、パターンの形成が困難にな
る。
性不飽和化合物やアクリル酸クロライドとしてはアクリ
ル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリ
シジルエーテル、α−エチルアクリル酸グリシジル、ク
ロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエ
ーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテル、アクリル
酸クロライドメタアクリル酸クロライド、アリルクロラ
イド、メタアリルクロライドなどが挙げられる。また、
これらのエチレン性不飽和化合物あるいはアクリル酸ク
ロライドの付加量は、アクリル系主鎖ポリマ中のカルボ
キシル基に対して０．０５〜１モル当量が望ましく、さ
らに好ましくは０．１〜１モル当量が望ましい。エチレ
ン性不飽和化合物の付加量が０．０５モル当量未満で
は、感光特性が不良となり、パターンの形成が困難にな
る。
【００１１】本発明で使用される光反応重合性化合物
は、光反応性を有する炭素−炭素不飽和結合を含有する
化合物で、その具体的な例として、アリルアクリラー
ト、ベンジルアクリラート、ブトキシエチルアクリラー
ト、ブトキシトリエチレングリコールアクリラート、シ
クロヘキシルアクリラート、ジシクロペンタニルアクリ
ラート、ジシクロペンテニルアクリラート、２−エチル
ヘキシルアクリラート、グリセロールアクリラート、グ
リシジルアクリラート、ヘプタデカフロロデシルアクリ
ラート、２−ヒドロキシエチルアクリラート、イソボニ
ルアクリラート、２−ヒドロキシプロピルアクリラー
ト、イソデシルアクリラート、イソオクチルアクリラー
ト、ラウリルアクリラート、２−メトキシエチルアクリ
ラート、メトキシエチレングリコールアクリラート、メ
トキシジエチレングリコールアクリラート、オクタフロ
ロペンチルアクリラート、フェノキシエチルアクリラー
ト、ステアリルアクリラート、トリフロロエチルアクリ
ラート、アリル化シクロヘキシルジアクリラート、ビス
フェノールＡジアクリラート、１，４−ブタンジオール
ジアクリラート、１，３−ブチレングリコールジアクリ
ラート、エチレングリコールジアクリラート、ジエチレ
ングリコールジアクリラート、トリエチレングリコール
ジアクリラート、ポリエチレングリコールジアクリラー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリラート、ジペ
ンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリラー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリラート、グ
リセロールジアクリラート、メトキシ化シクロヘキシル
ジアクリラート、ネオペンチルグリコールジアクリラー
ト、プロピレングリコールジアクリラート、ポリプロピ
レングリコールジアクリラート、トリグリセロールジア
クリラート、トリメチロールプロパントリアクリラート
および上記のアクリラートをメタクリラートに変えたも
の、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
１−ビニル−２−ピロリドンなどが挙げられるが、特に
これらに限定されない。本発明ではこれらを１種または
２種以上使用することができる。
は、光反応性を有する炭素−炭素不飽和結合を含有する
化合物で、その具体的な例として、アリルアクリラー
ト、ベンジルアクリラート、ブトキシエチルアクリラー
ト、ブトキシトリエチレングリコールアクリラート、シ
クロヘキシルアクリラート、ジシクロペンタニルアクリ
ラート、ジシクロペンテニルアクリラート、２−エチル
ヘキシルアクリラート、グリセロールアクリラート、グ
リシジルアクリラート、ヘプタデカフロロデシルアクリ
ラート、２−ヒドロキシエチルアクリラート、イソボニ
ルアクリラート、２−ヒドロキシプロピルアクリラー
ト、イソデシルアクリラート、イソオクチルアクリラー
ト、ラウリルアクリラート、２−メトキシエチルアクリ
ラート、メトキシエチレングリコールアクリラート、メ
トキシジエチレングリコールアクリラート、オクタフロ
ロペンチルアクリラート、フェノキシエチルアクリラー
ト、ステアリルアクリラート、トリフロロエチルアクリ
ラート、アリル化シクロヘキシルジアクリラート、ビス
フェノールＡジアクリラート、１，４−ブタンジオール
ジアクリラート、１，３−ブチレングリコールジアクリ
ラート、エチレングリコールジアクリラート、ジエチレ
ングリコールジアクリラート、トリエチレングリコール
ジアクリラート、ポリエチレングリコールジアクリラー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリラート、ジペ
ンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリラー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリラート、グ
リセロールジアクリラート、メトキシ化シクロヘキシル
ジアクリラート、ネオペンチルグリコールジアクリラー
ト、プロピレングリコールジアクリラート、ポリプロピ
レングリコールジアクリラート、トリグリセロールジア
クリラート、トリメチロールプロパントリアクリラート
および上記のアクリラートをメタクリラートに変えたも
の、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
１−ビニル−２−ピロリドンなどが挙げられるが、特に
これらに限定されない。本発明ではこれらを１種または
２種以上使用することができる。
【００１２】本発明で用いる光重合開始剤は周知のもの
であり、その具体的な例として、ベンゾフェノン、ｏ−
ベンゾイル安息香酸メチル、４，４′−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジエチルア
ミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェ
ノン、４−ベンゾイル−４′−メチルジフェニルケト
ン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２′−ジエ
トキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロ
ピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノ
ン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−
クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサント
ン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメ
チルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセター
ル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルア
ントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロル
アントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベ
ンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザ
ルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリ
デン）シクロヘキサノン，６−ビス（ｐ−アジドベンジ
リデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル
−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニ
ル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−
（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−
プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、
１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エ
トキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エト
キシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキ
シム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチ
オ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、
また、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスル
ホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，
４′−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスル
フィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニル
ホスフィン、カンファーキノン、四臭化炭素、トリブロ
モフェニルスルホン、過酸化ベンゾインおよびエオシ
ン、メチレンブルーなどの光還元性色素とアスコルビン
酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせな
どが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明
ではこれらを１種または２種以上使用することができ
る。
であり、その具体的な例として、ベンゾフェノン、ｏ−
ベンゾイル安息香酸メチル、４，４′−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジエチルア
ミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェ
ノン、４−ベンゾイル−４′−メチルジフェニルケト
ン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２′−ジエ
トキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロ
ピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノ
ン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−
クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサント
ン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメ
チルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセター
ル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルア
ントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロル
アントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベ
ンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザ
ルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリ
デン）シクロヘキサノン，６−ビス（ｐ−アジドベンジ
リデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル
−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニ
ル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−
（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−
プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、
１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エ
トキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エト
キシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキ
シム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチ
オ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、
また、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスル
ホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，
４′−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスル
フィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニル
ホスフィン、カンファーキノン、四臭化炭素、トリブロ
モフェニルスルホン、過酸化ベンゾインおよびエオシ
ン、メチレンブルーなどの光還元性色素とアスコルビン
酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせな
どが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明
ではこれらを１種または２種以上使用することができ
る。
【００１３】本発明の感光性導電ペーストにおいて、導
電性を有する金属成分粒子は、側鎖にエチレン性不飽和
基を有するアクリル系共重合体、光反応重合性化合物お
よび光重合開始剤の総和に対し、重量比で１〜２０倍
量、より好ましくは、２〜１０倍量であることが望まし
い。導電性を有する金属成分粒子の量が少なすぎれば、
形成される導体パターンの電気抵抗が大きくなりすぎ
る。一方、導電性を有する金属成分粒子の量が多すぎれ
ば、微細な導体パターンを形成することが困難になる。
また、側鎖にエチレン性不飽和基を有するアクリル系共
重合体は、光反応重合性化合物に対して、通常、重量比
で０．１〜１０倍量用いる。該アクリル系共重合体の量
が少なすぎれば、ペーストの粘度が小さくなりすぎ、導
電性を有する金属成分粒子のペースト中での分散の均一
性が不良となるおそれがある。一方、アクリル系共重合
体の量が多すぎれば、未露光部の現像液への溶解性が不
良となる。さらに、光重合開始剤は、側鎖にエチレン性
不飽和基を有するアクリル系共重合体と光反応重合性化
合物の和に対し、通常、０．１〜５０重量％、より好ま
しくは、２〜２５重量％用いる。光重合開始剤の量が少
なすぎれば、光感度が不良となり、光重合開始剤の量が
多すぎれば、光架橋される成分が少なくなりすぎ、現像
時における露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれが
ある。
電性を有する金属成分粒子は、側鎖にエチレン性不飽和
基を有するアクリル系共重合体、光反応重合性化合物お
よび光重合開始剤の総和に対し、重量比で１〜２０倍
量、より好ましくは、２〜１０倍量であることが望まし
い。導電性を有する金属成分粒子の量が少なすぎれば、
形成される導体パターンの電気抵抗が大きくなりすぎ
る。一方、導電性を有する金属成分粒子の量が多すぎれ
ば、微細な導体パターンを形成することが困難になる。
また、側鎖にエチレン性不飽和基を有するアクリル系共
重合体は、光反応重合性化合物に対して、通常、重量比
で０．１〜１０倍量用いる。該アクリル系共重合体の量
が少なすぎれば、ペーストの粘度が小さくなりすぎ、導
電性を有する金属成分粒子のペースト中での分散の均一
性が不良となるおそれがある。一方、アクリル系共重合
体の量が多すぎれば、未露光部の現像液への溶解性が不
良となる。さらに、光重合開始剤は、側鎖にエチレン性
不飽和基を有するアクリル系共重合体と光反応重合性化
合物の和に対し、通常、０．１〜５０重量％、より好ま
しくは、２〜２５重量％用いる。光重合開始剤の量が少
なすぎれば、光感度が不良となり、光重合開始剤の量が
多すぎれば、光架橋される成分が少なくなりすぎ、現像
時における露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれが
ある。
【００１４】本発明の感光性導電ペーストは、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体と光重合
開始剤を光反応重合性化合物に溶解し、この溶液に導電
性を有する金属成分粒子を分散させることにより製造す
ることができるが、側鎖にエチレン性不飽和基を有する
アクリル系共重合体と光重合開始剤が光反応重合性化合
物に溶解しない場合、あるいは、溶液の粘度を調節した
い場合には、該アクリル系共重合体、光重合開始剤およ
び光反応重合性化合物の混合物が溶解可能である有機溶
媒を加えてもよい。この時使用される有機溶媒は、側鎖
にエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、光
重合開始剤および光反応重合性化合物の混合物を溶解し
うるものであればよく、特に限定されないが、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチ
ルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサ
ノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソ
プロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルス
ルフォキシド、γ−ブチロラクトンなどや、これらのう
ちの１種以上を含有する有機溶媒混合物が好適に用いら
れる。
チレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体と光重合
開始剤を光反応重合性化合物に溶解し、この溶液に導電
性を有する金属成分粒子を分散させることにより製造す
ることができるが、側鎖にエチレン性不飽和基を有する
アクリル系共重合体と光重合開始剤が光反応重合性化合
物に溶解しない場合、あるいは、溶液の粘度を調節した
い場合には、該アクリル系共重合体、光重合開始剤およ
び光反応重合性化合物の混合物が溶解可能である有機溶
媒を加えてもよい。この時使用される有機溶媒は、側鎖
にエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、光
重合開始剤および光反応重合性化合物の混合物を溶解し
うるものであればよく、特に限定されないが、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチ
ルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサ
ノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソ
プロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルス
ルフォキシド、γ−ブチロラクトンなどや、これらのう
ちの１種以上を含有する有機溶媒混合物が好適に用いら
れる。
【００１５】また、光感度を向上させうる増感剤を、本
発明の感光性導電ペーストに添加してもよい。増感剤の
具体的な例として、２，５−ビス（４′−ジエチルアミ
ノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４′−
ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−
ビス（４′−ジエチルアミノベンザル）−４−メチルシ
クロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４′−ビス（ジ
エチルアミノ）−ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジ
メチルアミノ）カルコン、４，４′−ビス（ジエチルア
ミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンイ
ンダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）ベン
ゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニ
レン）−イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４′−
ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−ビス
（４′−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３′
−カルボニル−ビス（７−ジエチルアミノクマリン）、
Ｎ−フェニル−Ｎ′−エチルエタノールアミン、Ｎ−フ
ェニルジエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールア
ミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、ジメチルアミノ
安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミ
ル、３−フェニル−５−イソオキサゾロン、１−フェニ
ル−５−ベンゾイルチオ−テトラゾール、１−フェニル
−５−エトキシカルボニルチオ−テトラゾールなどが挙
げられるが、特にこれらに限定されない。本発明ではこ
れらの増感剤を１種または２種以上使用することができ
る。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても作用す
るものがある。
発明の感光性導電ペーストに添加してもよい。増感剤の
具体的な例として、２，５−ビス（４′−ジエチルアミ
ノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４′−
ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−
ビス（４′−ジエチルアミノベンザル）−４−メチルシ
クロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４′−ビス（ジ
エチルアミノ）−ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジ
メチルアミノ）カルコン、４，４′−ビス（ジエチルア
ミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンイ
ンダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）ベン
ゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニ
レン）−イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４′−
ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−ビス
（４′−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３′
−カルボニル−ビス（７−ジエチルアミノクマリン）、
Ｎ−フェニル−Ｎ′−エチルエタノールアミン、Ｎ−フ
ェニルジエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールア
ミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、ジメチルアミノ
安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミ
ル、３−フェニル−５−イソオキサゾロン、１−フェニ
ル−５−ベンゾイルチオ−テトラゾール、１−フェニル
−５−エトキシカルボニルチオ−テトラゾールなどが挙
げられるが、特にこれらに限定されない。本発明ではこ
れらの増感剤を１種または２種以上使用することができ
る。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても作用す
るものがある。
【００１６】増感剤を本発明の感光性導電ペーストに添
加する場合、その添加量は、側鎖にエチレン性不飽和基
を有するアクリル系共重合体と光反応重合性化合物の和
に対し、通常、０．１〜３０重量％、より好ましくは、
０．５〜１５重量％である。増感剤の量が少なすぎれ
ば、光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量
が多すぎれば、光架橋される成分が少なくなりすぎ、現
像時における露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれ
がある。
加する場合、その添加量は、側鎖にエチレン性不飽和基
を有するアクリル系共重合体と光反応重合性化合物の和
に対し、通常、０．１〜３０重量％、より好ましくは、
０．５〜１５重量％である。増感剤の量が少なすぎれ
ば、光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量
が多すぎれば、光架橋される成分が少なくなりすぎ、現
像時における露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれ
がある。
【００１７】本発明の感光性導電ペーストには、焼成時
における基板との結合成分として、金属酸化物、ケイ素
酸化物、ホウ素酸化物などの微粒子を添加してもよい。
その具体的な例として、酸化アルミニウム、ケイ酸アル
ミニウム、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化コバルト、
酸化鉄、亜酸化銅、酸化第二銅、酸化イットリウム、酸
化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化バリウム、ホ
ウケイ酸鉛、ホウケイ酸ビスマス、ホウケイ酸バリウ
ム、ホウケイ酸カルシウムなどが挙げられるが、特にこ
れらに限定されるわけではない。これらの微粒子は、線
幅１００μｍ以下の導体パターンを形成するためには、
平均粒径が５０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以
下であることが望ましい。これらの微粒子を添加する場
合、その添加量は通常、導電性を有する金属成分粒子の
０．５〜２０重量％、より好ましくは、１〜１０重量％
である。結合成分微粒子の添加量が少なすぎれば、基板
と導体パターンを結合する効果が発揮されず、結合成分
微粒子の添加量が多すぎれば、導体パターンの電気抵抗
が大きくなりすぎる。
における基板との結合成分として、金属酸化物、ケイ素
酸化物、ホウ素酸化物などの微粒子を添加してもよい。
その具体的な例として、酸化アルミニウム、ケイ酸アル
ミニウム、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化コバルト、
酸化鉄、亜酸化銅、酸化第二銅、酸化イットリウム、酸
化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化バリウム、ホ
ウケイ酸鉛、ホウケイ酸ビスマス、ホウケイ酸バリウ
ム、ホウケイ酸カルシウムなどが挙げられるが、特にこ
れらに限定されるわけではない。これらの微粒子は、線
幅１００μｍ以下の導体パターンを形成するためには、
平均粒径が５０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以
下であることが望ましい。これらの微粒子を添加する場
合、その添加量は通常、導電性を有する金属成分粒子の
０．５〜２０重量％、より好ましくは、１〜１０重量％
である。結合成分微粒子の添加量が少なすぎれば、基板
と導体パターンを結合する効果が発揮されず、結合成分
微粒子の添加量が多すぎれば、導体パターンの電気抵抗
が大きくなりすぎる。
【００１８】本発明の感光性導電ペーストに、保存時の
熱的な安定性を向上させるため、熱重合禁止剤を添加す
ることもできる。熱重合禁止剤の具体的な例としては、
ヒドロキノン、Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、フェノ
チアジン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、Ｎ−フェニルナ
フチルアミン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−メチルフ
ェノール、クロラニール、ピロガロールなどが挙げられ
るが特にこれらに限定されない。熱重合禁止剤を添加す
る場合、その添加量は、側鎖にエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体と光反応重合性化合物の和に対
し、通常、０．１〜２０重量％、より好ましくは、０．
５〜１０重量％である。熱重合禁止剤の量が少なすぎれ
ば、保存時の熱的な安定性を向上させる効果が発揮され
ず、熱重合禁止剤の量が多すぎれば、光架橋される成分
が少なくなりすぎ、現像時における露光部の残存率が小
さくなりすぎるおそれがある。
熱的な安定性を向上させるため、熱重合禁止剤を添加す
ることもできる。熱重合禁止剤の具体的な例としては、
ヒドロキノン、Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、フェノ
チアジン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、Ｎ−フェニルナ
フチルアミン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−メチルフ
ェノール、クロラニール、ピロガロールなどが挙げられ
るが特にこれらに限定されない。熱重合禁止剤を添加す
る場合、その添加量は、側鎖にエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体と光反応重合性化合物の和に対
し、通常、０．１〜２０重量％、より好ましくは、０．
５〜１０重量％である。熱重合禁止剤の量が少なすぎれ
ば、保存時の熱的な安定性を向上させる効果が発揮され
ず、熱重合禁止剤の量が多すぎれば、光架橋される成分
が少なくなりすぎ、現像時における露光部の残存率が小
さくなりすぎるおそれがある。
【００１９】また、本発明の感光性導電ペーストには、
保存時における、導電性を有する金属成分粒子、あるい
は、アクリル系共重合体の酸化を防ぐために、酸化防止
剤を添加してもよい。酸化防止剤の具体的な例として、
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾールブチル化ヒド
ロキシアニゾール、２，６−ジ−ｔ−４−エチルフェノ
ール、２，２′−メチレン−ビス−（４−メチル−６−
ｔ−ブチルフェノール）、２，２′−メチレン−ビス−
（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４′
−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロ
キシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ビス［３，
３′−ビス−（４′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチルフ
ェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、ジ
ラウリルチオジプロピオナート、トリフェニルホスファ
イトなどが挙げられるが、特にこれらに限定されない。
酸化防止剤を添加する場合、その添加量は通常、導電性
を有する金属成分粒子、側鎖にエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体、光反応重合性化合物および光
重合開始剤の総和に対し、０．０１〜５重量％、より好
ましくは、０．１〜１重量％である。酸化防止剤の量が
少なすぎれば、保存時の導電性を有する金属成分粒子、
あるいは、アクリル系共重合体の酸化を防ぐ効果が発揮
されず、酸化防止剤の量が多すぎれば、光架橋される成
分が少なくなりすぎ、現像時における露光部の残存率が
小さくなりすぎるおそれがある。
保存時における、導電性を有する金属成分粒子、あるい
は、アクリル系共重合体の酸化を防ぐために、酸化防止
剤を添加してもよい。酸化防止剤の具体的な例として、
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾールブチル化ヒド
ロキシアニゾール、２，６−ジ−ｔ−４−エチルフェノ
ール、２，２′−メチレン−ビス−（４−メチル−６−
ｔ−ブチルフェノール）、２，２′−メチレン−ビス−
（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４′
−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロ
キシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ビス［３，
３′−ビス−（４′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチルフ
ェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、ジ
ラウリルチオジプロピオナート、トリフェニルホスファ
イトなどが挙げられるが、特にこれらに限定されない。
酸化防止剤を添加する場合、その添加量は通常、導電性
を有する金属成分粒子、側鎖にエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体、光反応重合性化合物および光
重合開始剤の総和に対し、０．０１〜５重量％、より好
ましくは、０．１〜１重量％である。酸化防止剤の量が
少なすぎれば、保存時の導電性を有する金属成分粒子、
あるいは、アクリル系共重合体の酸化を防ぐ効果が発揮
されず、酸化防止剤の量が多すぎれば、光架橋される成
分が少なくなりすぎ、現像時における露光部の残存率が
小さくなりすぎるおそれがある。
【００２０】本発明の感光性導電ペーストは、ブレード
コーター、バーコーター、スクリーン印刷法などで、セ
ラミック基板やグリーンシート上に塗布される。なお、
シランカップリング剤、アルミニウムキレート剤、チタ
ニウムキレート剤などの接着助剤で、基板表面を処理し
ておくと、現像時の露光パターンの流失を抑えることが
できる。
コーター、バーコーター、スクリーン印刷法などで、セ
ラミック基板やグリーンシート上に塗布される。なお、
シランカップリング剤、アルミニウムキレート剤、チタ
ニウムキレート剤などの接着助剤で、基板表面を処理し
ておくと、現像時の露光パターンの流失を抑えることが
できる。
【００２１】ペーストを基板上に塗布した後、ペースト
に有機溶媒が含まれている場合は、風乾、加熱乾燥、真
空乾燥などにより、有機溶媒を除去する。この後、塗布
膜は通常のフォトマスクを用いて露光される。この際に
使用される活性光線としては、たとえば、紫外線、電子
線、Ｘ線などが挙げられるが、これらの中では紫外線が
好ましく、その光源としては、たとえば、低圧水銀灯、
高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯な
どが挙げられる。これらの光源の中で超高圧水銀灯が好
適である。また、露光は窒素雰囲気中、あるいは、真空
中で行うのが好ましい。
に有機溶媒が含まれている場合は、風乾、加熱乾燥、真
空乾燥などにより、有機溶媒を除去する。この後、塗布
膜は通常のフォトマスクを用いて露光される。この際に
使用される活性光線としては、たとえば、紫外線、電子
線、Ｘ線などが挙げられるが、これらの中では紫外線が
好ましく、その光源としては、たとえば、低圧水銀灯、
高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯な
どが挙げられる。これらの光源の中で超高圧水銀灯が好
適である。また、露光は窒素雰囲気中、あるいは、真空
中で行うのが好ましい。
【００２２】露光後、現像液を使用して現像を行うが、
この場合、侵漬法やスプレー法を用いることができる。
現像液としては、前記の側鎖にエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体、光反応重合性化合物、およ
び、光重合開始剤の混合物が溶解可能である有機溶媒が
使用できる。また、該有機溶媒に、その溶解力が失われ
ない範囲で水を添加してもよい。また、アクリル系共重
合体の側鎖にカルボキシル基が存在する場合、アルカリ
水溶液でも現像することができる。アルカリ水溶液とし
ては、水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カルシウム水溶
液などのような金属アルカリ水溶液を使用することもで
きるが、有機アルカリ水溶液を用いたほうが、焼成時に
アルカリ成分が除去されやすく好ましい。有機アルカリ
の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
サイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイ
ド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが
挙げられるが、特にこれらに限定されるわけではない。
アルカリ水溶液の濃度は、通常、０．０１〜２０重量
％、より好ましくは、０．１〜１０重量％である。アル
カリ濃度が低すぎれば、未露光部が除去されず、アルカ
リ濃度が高すぎれば、導電性を有する金属成分粒子が腐
食するおそれがある。なお、有機溶媒で現像した場合
は、現像直後に、ヘキサン、ペンタン、エチルアルコー
ルなどの有機溶媒や水でリンスすることが好ましく、ア
ルカリ水溶液で現像した場合は、現像直後に、水あるい
は酸の稀薄水溶液でリンスすることが好ましい。
この場合、侵漬法やスプレー法を用いることができる。
現像液としては、前記の側鎖にエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体、光反応重合性化合物、およ
び、光重合開始剤の混合物が溶解可能である有機溶媒が
使用できる。また、該有機溶媒に、その溶解力が失われ
ない範囲で水を添加してもよい。また、アクリル系共重
合体の側鎖にカルボキシル基が存在する場合、アルカリ
水溶液でも現像することができる。アルカリ水溶液とし
ては、水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カルシウム水溶
液などのような金属アルカリ水溶液を使用することもで
きるが、有機アルカリ水溶液を用いたほうが、焼成時に
アルカリ成分が除去されやすく好ましい。有機アルカリ
の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
サイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイ
ド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが
挙げられるが、特にこれらに限定されるわけではない。
アルカリ水溶液の濃度は、通常、０．０１〜２０重量
％、より好ましくは、０．１〜１０重量％である。アル
カリ濃度が低すぎれば、未露光部が除去されず、アルカ
リ濃度が高すぎれば、導電性を有する金属成分粒子が腐
食するおそれがある。なお、有機溶媒で現像した場合
は、現像直後に、ヘキサン、ペンタン、エチルアルコー
ルなどの有機溶媒や水でリンスすることが好ましく、ア
ルカリ水溶液で現像した場合は、現像直後に、水あるい
は酸の稀薄水溶液でリンスすることが好ましい。
【００２３】こうして得られたパターンは、通常、窒素
雰囲気下、５００〜２０００℃の温度で加熱処理され、
有機共重合体が熱分解して除去されて、金属の導体パタ
ーンとなる。
雰囲気下、５００〜２０００℃の温度で加熱処理され、
有機共重合体が熱分解して除去されて、金属の導体パタ
ーンとなる。
【００２４】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２５】実施例１ １０００ｍｌの４つ口フラスコにイソプロピルアルコー
ルを１００ｇ仕込み、これをオイルバス中で８０℃に保
ち窒素シール、攪拌を行いながらメタクリル酸メチル３
０ｇとスチレン４０ｇ、メタクリル酸３０ｇにＮ．Ｎ−
アゾビスイソブチロニトリル２ｇを混合してこれを滴下
ロートで３０分かけて滴下した。そして、４時間反応を
続けた後、ハイドロキノンモノメチルエーテルを１ｇ添
加してから常温に戻し重合を完了した。この様にして得
られたものをポリマＡとした。つぎにこのポリマＡにイ
ソプロピルアルコールを１００ｇを添加した後、これを
７５℃に保ちながらメタクリル酸グリシジル４０ｇとト
リエチルベンジルアンモニウムクロライド３ｇを添加し
３時間反応させた。この様にして得られたものをポリマ
Ｂとした。ここでメタクリル酸グリシジルの反応率は、
反応前後のポリマ酸価の変化から求めたところ７０％で
あった。したがって付加量は０．７３モル当量であっ
た。
ルを１００ｇ仕込み、これをオイルバス中で８０℃に保
ち窒素シール、攪拌を行いながらメタクリル酸メチル３
０ｇとスチレン４０ｇ、メタクリル酸３０ｇにＮ．Ｎ−
アゾビスイソブチロニトリル２ｇを混合してこれを滴下
ロートで３０分かけて滴下した。そして、４時間反応を
続けた後、ハイドロキノンモノメチルエーテルを１ｇ添
加してから常温に戻し重合を完了した。この様にして得
られたものをポリマＡとした。つぎにこのポリマＡにイ
ソプロピルアルコールを１００ｇを添加した後、これを
７５℃に保ちながらメタクリル酸グリシジル４０ｇとト
リエチルベンジルアンモニウムクロライド３ｇを添加し
３時間反応させた。この様にして得られたものをポリマ
Ｂとした。ここでメタクリル酸グリシジルの反応率は、
反応前後のポリマ酸価の変化から求めたところ７０％で
あった。したがって付加量は０．７３モル当量であっ
た。
【００２６】紫外線遮断下で、エチルセロソルブ１２ｇ
にポリマＢを６ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリラー
トを６ｇ、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニ
ル］−２−モルフォリノ−１−プロパノンを１．２ｇ溶
解させた後、平均粒径４μｍの銅微粒子を４６．８ｇ、
平均粒径１μｍのホウケイ酸鉛微粒子を１．２ｇ混合し
て、感光性導電ペーストを作成した。
にポリマＢを６ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリラー
トを６ｇ、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニ
ル］−２−モルフォリノ−１−プロパノンを１．２ｇ溶
解させた後、平均粒径４μｍの銅微粒子を４６．８ｇ、
平均粒径１μｍのホウケイ酸鉛微粒子を１．２ｇ混合し
て、感光性導電ペーストを作成した。
【００２７】シランカップリング剤で表面を処理したア
ルミナセラミック基板上に、感光性導電ペーストをドク
ターブレードを用いて塗布し、その後、８０℃のホット
プレート上に５分間置いて乾燥し、厚み約３０μｍの膜
を得た。この膜面をパターンマスクし、窒素雰囲気下、
２５ｍＷ／ｃｍ2 の出力の超高圧水銀灯を用いて１０分
間露光を行い、次に、モノエタノールアミンの１重量％
水溶液に浸漬して現像し、その後、水で洗浄して、線幅
８０μｍのパターンを得た。これを窒素雰囲気下、５０
０℃３０分間、８５０℃３０分間のステップで加熱処理
し、線幅８０μｍ、厚み約２０μｍ、シート抵抗約３０
ｍΩ／口の導体パターンを得た。
ルミナセラミック基板上に、感光性導電ペーストをドク
ターブレードを用いて塗布し、その後、８０℃のホット
プレート上に５分間置いて乾燥し、厚み約３０μｍの膜
を得た。この膜面をパターンマスクし、窒素雰囲気下、
２５ｍＷ／ｃｍ2 の出力の超高圧水銀灯を用いて１０分
間露光を行い、次に、モノエタノールアミンの１重量％
水溶液に浸漬して現像し、その後、水で洗浄して、線幅
８０μｍのパターンを得た。これを窒素雰囲気下、５０
０℃３０分間、８５０℃３０分間のステップで加熱処理
し、線幅８０μｍ、厚み約２０μｍ、シート抵抗約３０
ｍΩ／口の導体パターンを得た。
【００２８】実施例２ 実施例１で２−ヒドロキシエチルメタクリラート６ｇの
代わりに、２−ヒドロキシエチルアクリラート６ｇを用
いる以外は同様にして、感光性導電ペーストを作成し
た。これを使用して、実施例１と同様の操作を行い、線
幅８０μｍ、厚み約２０μｍ、シート抵抗約３０ｍΩ／
口の導体パターンを得た。
代わりに、２−ヒドロキシエチルアクリラート６ｇを用
いる以外は同様にして、感光性導電ペーストを作成し
た。これを使用して、実施例１と同様の操作を行い、線
幅８０μｍ、厚み約２０μｍ、シート抵抗約３０ｍΩ／
口の導体パターンを得た。
【００２９】実施例３ １０００ｍｌの４つ口フラスコにイソプロピルアルコー
ルを１００ｇ仕込み、これをオイルバス中で８０℃に保
ち窒素シール、攪拌を行いながらメタクリル酸メチル１
０ｇとスチレン６０ｇ、メタクリル酸３０ｇにＮ．Ｎ−
アゾビスイソブチロニトリル２ｇを混合してこれを滴下
ロートで３０分かけて滴下した。そして、４時間反応を
続けた後、ハイドロキノンモノメチルエーテルを１ｇ添
加してから常温に戻し重合を完了した。この様にして得
られたものをポリマＣとした。つぎにこのポリマＣにイ
ソプロピルアルコールを１００ｇを添加した後、これを
７５℃に保ちながらメタクリル酸グリシジル４０ｇとト
リエチルベンジルアンモニウムクロライド３ｇを添加し
３時間反応させた。この様にして得られたものをポリマ
Ｄとした。ここでメタクリル酸グリシジルの反応率は、
反応前後のポリマ酸価の変化から求めたところ７０％で
あった。したがって付加量は０．７３モル当量であっ
た。
ルを１００ｇ仕込み、これをオイルバス中で８０℃に保
ち窒素シール、攪拌を行いながらメタクリル酸メチル１
０ｇとスチレン６０ｇ、メタクリル酸３０ｇにＮ．Ｎ−
アゾビスイソブチロニトリル２ｇを混合してこれを滴下
ロートで３０分かけて滴下した。そして、４時間反応を
続けた後、ハイドロキノンモノメチルエーテルを１ｇ添
加してから常温に戻し重合を完了した。この様にして得
られたものをポリマＣとした。つぎにこのポリマＣにイ
ソプロピルアルコールを１００ｇを添加した後、これを
７５℃に保ちながらメタクリル酸グリシジル４０ｇとト
リエチルベンジルアンモニウムクロライド３ｇを添加し
３時間反応させた。この様にして得られたものをポリマ
Ｄとした。ここでメタクリル酸グリシジルの反応率は、
反応前後のポリマ酸価の変化から求めたところ７０％で
あった。したがって付加量は０．７３モル当量であっ
た。
【００３０】紫外線遮断下で、エチルセロソルブ１２ｇ
にポリマＤを５ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリラー
トを７ｇ、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニ
ル］−２−モルフォリノ−１−プロパノンを１．２ｇ溶
解させた後、平均粒径４μｍの銅微粒子を４６．８ｇ、
平均粒径１μｍのホウケイ酸鉛微粒子を１．２ｇ混合し
て、感光性導電ペーストを作成した。これを使用して、
実施例１と同様の操作を行い、線幅８０μｍ、厚み約２
０μｍ、シート抵抗約３０ｍΩ／口の導体パターンを得
た。
にポリマＤを５ｇ、２−ヒドロキシエチルメタクリラー
トを７ｇ、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニ
ル］−２−モルフォリノ−１−プロパノンを１．２ｇ溶
解させた後、平均粒径４μｍの銅微粒子を４６．８ｇ、
平均粒径１μｍのホウケイ酸鉛微粒子を１．２ｇ混合し
て、感光性導電ペーストを作成した。これを使用して、
実施例１と同様の操作を行い、線幅８０μｍ、厚み約２
０μｍ、シート抵抗約３０ｍΩ／口の導体パターンを得
た。
【００３１】
【発明の効果】本発明の感光性導電ペーストは上述のご
とく構成したので、これを用いて、露光、現像および熱
処理を行うことにより、セラミック基板上に線幅１００
μｍ以下の導体パターンを確実に得ることができという
顕著な実用効果を奏するものである。
とく構成したので、これを用いて、露光、現像および熱
処理を行うことにより、セラミック基板上に線幅１００
μｍ以下の導体パターンを確実に得ることができという
顕著な実用効果を奏するものである。
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）導電性を有する金属成分粒子、
（ｂ）側鎖にエチレン性不飽和基を有するアクリル系共
重合体、（ｃ）光反応重合性化合物、および（ｄ）光重
合開始剤を含有することを特徴とする感光性導電ペース
ト。 - 【請求項２】側鎖にエチレン性不飽和基を有するアクリ
ル系共重合体が少なくともメタクリル酸メチルを共重合
成分として含むことを特徴とする請求項１記載の感光性
導電ペースト。 - 【請求項３】側鎖にエチレン性不飽和基を有するアクリ
ル系共重合体が、カルボキシル基を有するアクリル系主
鎖ポリマにグリシジル基を有するエチレン性不飽和化合
物を付加させたものである請求項１記載の感光性導電ペ
ースト。
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