JPH0567444A - リニアイオン源 - Google Patents

リニアイオン源

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Publication number
JPH0567444A
JPH0567444A JP3227324A JP22732491A JPH0567444A JP H0567444 A JPH0567444 A JP H0567444A JP 3227324 A JP3227324 A JP 3227324A JP 22732491 A JP22732491 A JP 22732491A JP H0567444 A JPH0567444 A JP H0567444A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
discharge chamber
ion source
microwave
linear ion
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3227324A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Kato
光雄 加藤
Kazuya Tsurusaki
一也 鶴崎
Ichiro Yamashita
一郎 山下
Kuniyuki Kajinishi
邦幸 梶西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP3227324A priority Critical patent/JPH0567444A/ja
Publication of JPH0567444A publication Critical patent/JPH0567444A/ja
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波放電を利用しECR条件でリニア
なイオンビームを作る。 【構成】 導波管10の除去された側面に横長の引出し
電極13を接続して放電室14を形成し、放電室14内
にインピーダンス低下防止用に絶縁物15を設け、放電
室14外に設けた磁石16によりマイクロ波の電界方向
に対し垂直なリニアな磁場をかけてECR条件でプラズ
マを形成し、引出し電極13から断面線状のリニアなイ
オンビームを出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置やイオ
ンアシスト蒸着装置に用いて有用なイオン源に関し、特
に、長尺物に対応できるように、マイクロ波を用いてE
CR(Electron Cyclotron Resonance)条件下で、イオ
ンビーム進行方向から見て線状、即ちリニアなイオンビ
ームを発生できるための改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のイオン源として、直流型イオン源
とマイクロ波放電型イオン源が知られている。
【0003】直流型イオン源では、カソードより熱電子
を放出し、放電室内でプラズマ維持を行い、ここからイ
オンを引出す構成となっている。
【0004】マイクロ波放電型イオン源では図5、図6
に示すように、マイクロ波を伝送する同軸導波管1を円
筒状放電室2に挿入し、導波管1先端にマイクロ波アン
テナ3を形成すると共に放電室2外周に永久磁石4を配
置し、放電室2先端に円板状の引出し電極5を配置する
ことにより、断面形状が円形のイオンビーム6を発生す
るようになっている。図5、図6中で、7はニュートラ
ライザー、8は冷却水管である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】直流型イオン源にはイ
オンビーム断面が線状のリニアイオン源があるが、原理
上、放電室内を高真空に維持する必要があり、また、イ
オン化率が低い、多価イオンの発生に対応しにくいとい
う問題がある。
【0006】一方、マイクロ波放電型イオン源にはリニ
アイオン源はなく、イオンビーム6の断面が円形である
ため、長尺物を対象としてイオンビーム6を照射するの
に適していない。また、口径が大きいという問題があ
る。更に、ECR条件では放電室2内のプラズマのイン
ピーダンスが極めて低いので、同軸導波管1のインピー
ダンスとの整合がうまくとれずマイクロ波電力のプラズ
マへの入力効率か悪いため、共鳴磁界より高い非共鳴磁
界とする必要がある。
【0007】本発明は上述した従来技術の問題点を解消
した、ECR条件で動作でき、且つ断面線状のイオンビ
ームを発生できるリニアイオン源を提供することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるリニアイオ
ン源の構成は、側面が除去されたマイクロ波伝送用導波
管と、この導波管の前記除去された側面部分に形成され
た引出し電極と、この引出し電極と導波管で形成される
領域に設置された絶縁物と、前記領域にマイクロ波の電
界方向に対して垂直の磁場をリニアに形成する磁石とを
具備することを特徴とするものである。
【0009】
【作用】導波管と引出し電極とが形成する領域が放電室
となり、ここにプラズマ生成用ガスを導入し、導波管内
の電界分布を利用してプラズマを発生する。この場合、
導波管内の高電圧部と接地部とは、絶縁物によって、プ
ラズマによるインピーダンス低下を防止される。また、
引出し電極が導波管の接地側導体の一部を形成し、導波
管としての機能を保つ。そして、電界方向に対し垂直な
磁場により、電界方向に進むプラズマ中の電子がサイク
ロトロン運動を行い、低気圧下においても高密度のプラ
ズマが形成される。即ちECR条件で動作する。イオン
は、導波管側面の除去した部分の長さに対応した幅で、
引出し電極を通してリニア即ち断面線状になって取出さ
れる。
【0010】
【実施例】本発明の第1の実施例を図1、図2を参照し
て説明する。これらの図において、マイクロ波給電用同
軸導波管10の側面、この場合は外部導体11の一部を
軸方向に沿って除去し、代りに横長の引出し電極13を
接続して放電室14を形成してある。放電室12のうち
内部導体12と引出し電極13との間にインピーダンス
低下防止用に絶縁物15を設けてある。また放電室14
の外側にECR条件を作るため、長い永久磁石16を軸
方向に設けてマイクロ波の電界方向に対して垂直な磁場
をリニアに与えるようにしてある。そして、ビーム加速
のため、引出し電極13の前面に絶縁物17を介して加
速電極18を設けてある。19はイオンビームを示す。
放電室14の両端は閉じている。
【0011】次に、図3、図4を参照して本発明の第2
の実施例を説明する。この実施例では、マイクロ波給電
用同軸導波管20をトロフウェイブガイド(trough wav
eguide:かいば桶) と称される方形導波管21に接続
し、この方形導波管21の側面を除去し、代りに横長の
引出し電極13を接続して放電室14を形成してある。
放電室12内にインピーダンス低下防止用に断面コ字形
状の絶縁物22を設けてある。また放電室14の外側に
ECR条件を作るため、長い永久磁石22を設けてマイ
クロ波の電界方向に対して垂直な磁場をリニアに与える
ようにしている。そして、ビーム加速のため、引出し電
極13の前面に絶縁物17を介して加速電極18を設け
てある。19はイオンビームを示す。放電室14の両端
は閉じている。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、ECR条件でマイクロ
波放電を利用してリニアなイオンビームを作ることがで
きる。また、低真空圧力での放電及びイオン引出しが可
能であり、多価イオンの発生も可能である。更に、導波
管の一部を利用して放電室とするのでコンパクトなイオ
ン源を作ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の一部破断した斜視図。
【図2】図1の断面図。
【図3】本発明の他の実施例の一部破断した斜視図。
【図4】図3の断面図。
【図5】従来例の斜視図。
【図6】図5の断面図。
【符号の説明】 10,20 同軸導波管 11 外部導体 12 内部導体 13 引出し電極 14 放電室 15 絶縁物 16 永久磁石 17 絶縁物 18 加速電極 19 イオンビーム 21 方形導波管 22 絶縁物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梶西 邦幸 広島県広島市西区観音新町四丁目6番22号 三菱重工業株式会社広島研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 側面が除去されたマイクロ波伝送用導波
    管と、この導波管の前記除去された側面部分に形成され
    た引出し電極と、この引出し電極と導波管で形成される
    領域に設置された絶縁物と、前記領域にマイクロ波の電
    界方向に対して垂直の磁場をリニアに形成する磁石とを
    具備することを特徴とするリニアイオン源。
JP3227324A 1991-09-06 1991-09-06 リニアイオン源 Withdrawn JPH0567444A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3227324A JPH0567444A (ja) 1991-09-06 1991-09-06 リニアイオン源

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JP3227324A JPH0567444A (ja) 1991-09-06 1991-09-06 リニアイオン源

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JPH0567444A true JPH0567444A (ja) 1993-03-19

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ID=16859028

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JP3227324A Withdrawn JPH0567444A (ja) 1991-09-06 1991-09-06 リニアイオン源

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115665962A (zh) * 2022-12-19 2023-01-31 广东省新兴激光等离子体技术研究院 引出带状离子束的离子源

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115665962A (zh) * 2022-12-19 2023-01-31 广东省新兴激光等离子体技术研究院 引出带状离子束的离子源
CN115665962B (zh) * 2022-12-19 2024-01-23 广东省新兴激光等离子体技术研究院 引出带状离子束的离子源

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Effective date: 19981203