JPH0567563A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
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- JPH0567563A JPH0567563A JP3229070A JP22907091A JPH0567563A JP H0567563 A JPH0567563 A JP H0567563A JP 3229070 A JP3229070 A JP 3229070A JP 22907091 A JP22907091 A JP 22907091A JP H0567563 A JPH0567563 A JP H0567563A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 渦電流による電子ビーム照射位置誤差を補正
し、高速・高精度な描画を可能とする構成が簡単で安価
な電子ビーム描画装置を得る。 【構成】 直行する２軸の少なくとも一方の軸で走査時
に電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂ周辺の導電性の構造体に誘
導される渦電流による磁界により走査方向に垂直方向に
発生する電子ビーム照射位置の誤差を走査軸の偏向信号
に基づいて補正回路２０Ａ，２０Ｂで模擬し、その出力
により非走査軸の偏向信号を補正する構成とする。
し、高速・高精度な描画を可能とする構成が簡単で安価
な電子ビーム描画装置を得る。 【構成】 直行する２軸の少なくとも一方の軸で走査時
に電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂ周辺の導電性の構造体に誘
導される渦電流による磁界により走査方向に垂直方向に
発生する電子ビーム照射位置の誤差を走査軸の偏向信号
に基づいて補正回路２０Ａ，２０Ｂで模擬し、その出力
により非走査軸の偏向信号を補正する構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子ビームをターゲ
ット上の所定の位置に高精度位置決めして照射する電子
ビーム描画装置に関するものである。
ット上の所定の位置に高精度位置決めして照射する電子
ビーム描画装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は例えば特開昭５９ー１２４７１９
号公報に示された従来の電子ビーム照射装置の偏向系の
を示す構成図であり、図において、１は電子銃、２は電
子銃１から放射される電子ビーム、３は磁界を発生して
電子ビーム２を大振幅で偏向する電磁偏向レンズ、４は
電磁偏向レンズ３に出力電流Ｉを供給する電流偏向アン
プで、電流偏向レンズ３と共に電磁偏向系を構成してい
る。６は静電的に電子ビーム２を偏向する広帯域偏向レ
ンズ、７Ａ，７Ｂは広帯域偏向レンズ６に電圧を供給す
る広帯域偏向アンプで、広帯域偏向レンズ６と共に広帯
域偏向系を構成している。８は電子ビーム２が照射され
るターゲット、９は電子ビーム２を偏向してターゲット
８上に所望のパターンを描くためのパターンデータが格
納されたコンピュータ、１０はコンピュータ９に接続さ
れたデジタル制御回路（以下、ＤＣＴと称す）、１１は
ＤＣＴ１０からのパターンデータをデジタル値からアナ
ログ値に変換するデジタルアナログ変換器（以下、ＤＡ
Ｃと称す）、１２はＤＡＣ１１からのアナログパターン
データを増幅して電磁偏向信号Ｄ１を電磁偏向アンプ４
へ出力するアンプ、１３はアンプ１２に接続されて電磁
偏向信号Ｄ１を反転した基準信号を出す反転アンプ、１
４は電磁偏向レンズ３とグランドとの間に挿入された出
力モニタ抵抗器で、出力電流Ｉを検出するようになって
いる。１５は反転アンプ１３からの基準信号と出力モニ
タ抵抗器１４からの出力電流Ｉの信号とを比較する加算
アンプであり、比較結果を誤差信号ｅ1 として出力して
いる。１６は加算アンプ１５からの誤差信号ｅ1 を反転
した誤差信号ｅ2 を出力する反転アンプであり、誤差信
号ｅ1 ，ｅ2 はそれぞれ抵抗器を介して広帯域偏向アン
プ７Ａ，７Ｂに入力されている。１７はコンピュータ９
に接続されたＤＣＴ、１８Ａ，１８ＢはＤＣＴ１７に接
続されたＤＡＣ、１９Ａ，１９ＢはそれぞれＤＡＣ１８
Ａ，１８Ｂに接続されて広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂ
を出力するアンプであり、広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２
Ｂはそれぞれ抵抗器を介して広帯域偏向アンプ７Ａ，７
Ｂに入力されている。なお、図５では２軸（Ｘ軸，Ｙ
軸）のうち１軸のみの構成が示されている。
号公報に示された従来の電子ビーム照射装置の偏向系の
を示す構成図であり、図において、１は電子銃、２は電
子銃１から放射される電子ビーム、３は磁界を発生して
電子ビーム２を大振幅で偏向する電磁偏向レンズ、４は
電磁偏向レンズ３に出力電流Ｉを供給する電流偏向アン
プで、電流偏向レンズ３と共に電磁偏向系を構成してい
る。６は静電的に電子ビーム２を偏向する広帯域偏向レ
ンズ、７Ａ，７Ｂは広帯域偏向レンズ６に電圧を供給す
る広帯域偏向アンプで、広帯域偏向レンズ６と共に広帯
域偏向系を構成している。８は電子ビーム２が照射され
るターゲット、９は電子ビーム２を偏向してターゲット
８上に所望のパターンを描くためのパターンデータが格
納されたコンピュータ、１０はコンピュータ９に接続さ
れたデジタル制御回路（以下、ＤＣＴと称す）、１１は
ＤＣＴ１０からのパターンデータをデジタル値からアナ
ログ値に変換するデジタルアナログ変換器（以下、ＤＡ
Ｃと称す）、１２はＤＡＣ１１からのアナログパターン
データを増幅して電磁偏向信号Ｄ１を電磁偏向アンプ４
へ出力するアンプ、１３はアンプ１２に接続されて電磁
偏向信号Ｄ１を反転した基準信号を出す反転アンプ、１
４は電磁偏向レンズ３とグランドとの間に挿入された出
力モニタ抵抗器で、出力電流Ｉを検出するようになって
いる。１５は反転アンプ１３からの基準信号と出力モニ
タ抵抗器１４からの出力電流Ｉの信号とを比較する加算
アンプであり、比較結果を誤差信号ｅ1 として出力して
いる。１６は加算アンプ１５からの誤差信号ｅ1 を反転
した誤差信号ｅ2 を出力する反転アンプであり、誤差信
号ｅ1 ，ｅ2 はそれぞれ抵抗器を介して広帯域偏向アン
プ７Ａ，７Ｂに入力されている。１７はコンピュータ９
に接続されたＤＣＴ、１８Ａ，１８ＢはＤＣＴ１７に接
続されたＤＡＣ、１９Ａ，１９ＢはそれぞれＤＡＣ１８
Ａ，１８Ｂに接続されて広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂ
を出力するアンプであり、広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２
Ｂはそれぞれ抵抗器を介して広帯域偏向アンプ７Ａ，７
Ｂに入力されている。なお、図５では２軸（Ｘ軸，Ｙ
軸）のうち１軸のみの構成が示されている。
【０００３】次に動作について説明する。電子銃１から
放射された電子ビーム２は集束レンズ（図示せず）によ
りターゲット８上に集束される。同時に、コンピュータ
９からのパターンデータに基づく電磁偏向信号Ｄ１およ
び広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂが生成されて、それぞ
れ電磁偏向アンプ４、広帯域偏向アンプ７Ａ，７Ｂに入
力される。電磁偏向アンプ４はその出力電流Iにより電
磁偏向レンズ３を駆動し、電子ビーム２をターゲット８
上の全偏向領域（例えば、大きさ５ｍｍ×５ｍｍ）内の
所望の小区画領域（例えば、１００μｍ×１００μｍ）
（共に図示せず）に位置決めする。一方、広帯域偏向ア
ンプ７Ａ，７Ｂはその出力信号により広帯域偏向レンズ
６を駆動し、電子ビーム２を上記小区画領域内で走査し
て高精度なパターンを描く。ところで、大きな偏向領域
を持つ電磁偏向レンズ３を駆動する電磁偏向アンプ４は
誘導性負荷のため周波数帯域が狭く、過渡特性が悪い。
図６は、何ら補正が行なわれないと仮想して図５の電磁
偏向アンプ４へステップ状の入力をしたときの出力電流
I を説明するための波形図で、出力電流I が設定値に達
して落ちつくまでに長い時間ｔ1 を要することを示す。
そこで、これを改善するために、以下ように補正が行わ
れている。まず、電磁偏向レンズ３の出力電流Ｉを出力
モニタ抵抗器１４で検出し、これを加算アンプ１５によ
り、反転アンプ１３の出力として得られる基準信号と比
較して誤差信号ｅ1 を取り出す。誤差信号ｅ1 およびこ
れを反転した誤差信号ｅ2 はそれぞれ広帯域偏向アンプ
７Ａ，７Ｂに入力される。広帯域偏向アンプ７Ａ，７Ｂ
は広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂにそれぞれ誤差信号ｅ
1 ，ｅ2 が加算された信号により広帯域偏向レンズ６を
駆動する。こうして、電磁偏向系の過渡特性の悪さに起
因する電子ビーム２のターゲット８への照射位置誤差を
補正し、位置設定に要する時間ｔ1 を短くしている。
放射された電子ビーム２は集束レンズ（図示せず）によ
りターゲット８上に集束される。同時に、コンピュータ
９からのパターンデータに基づく電磁偏向信号Ｄ１およ
び広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂが生成されて、それぞ
れ電磁偏向アンプ４、広帯域偏向アンプ７Ａ，７Ｂに入
力される。電磁偏向アンプ４はその出力電流Iにより電
磁偏向レンズ３を駆動し、電子ビーム２をターゲット８
上の全偏向領域（例えば、大きさ５ｍｍ×５ｍｍ）内の
所望の小区画領域（例えば、１００μｍ×１００μｍ）
（共に図示せず）に位置決めする。一方、広帯域偏向ア
ンプ７Ａ，７Ｂはその出力信号により広帯域偏向レンズ
６を駆動し、電子ビーム２を上記小区画領域内で走査し
て高精度なパターンを描く。ところで、大きな偏向領域
を持つ電磁偏向レンズ３を駆動する電磁偏向アンプ４は
誘導性負荷のため周波数帯域が狭く、過渡特性が悪い。
図６は、何ら補正が行なわれないと仮想して図５の電磁
偏向アンプ４へステップ状の入力をしたときの出力電流
I を説明するための波形図で、出力電流I が設定値に達
して落ちつくまでに長い時間ｔ1 を要することを示す。
そこで、これを改善するために、以下ように補正が行わ
れている。まず、電磁偏向レンズ３の出力電流Ｉを出力
モニタ抵抗器１４で検出し、これを加算アンプ１５によ
り、反転アンプ１３の出力として得られる基準信号と比
較して誤差信号ｅ1 を取り出す。誤差信号ｅ1 およびこ
れを反転した誤差信号ｅ2 はそれぞれ広帯域偏向アンプ
７Ａ，７Ｂに入力される。広帯域偏向アンプ７Ａ，７Ｂ
は広帯域偏向信号Ｄ２Ａ，Ｄ２Ｂにそれぞれ誤差信号ｅ
1 ，ｅ2 が加算された信号により広帯域偏向レンズ６を
駆動する。こうして、電磁偏向系の過渡特性の悪さに起
因する電子ビーム２のターゲット８への照射位置誤差を
補正し、位置設定に要する時間ｔ1 を短くしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム描画
装置は以上のように構成されているので、電磁偏向レン
ズの電流偏向レンズの電流の現れる誤差量は補正できる
が、それ以降の時間に発生する現象、即ち、渦電流によ
つて生じる磁界については誤差を補正できない。電磁偏
向レンズ近辺の他のレンズ類、あるいは真空保持用の筒
などの構造体に導電体が用いられており電磁偏向レンズ
の発生する磁界が近辺の導体構造物内に過渡的に渦電流
を誘起する。この渦電流による磁界は電子ビームを偏向
する磁界の誤差になり、ターゲット上のビーム照射位置
の位置誤差となる。特に、電子ビーム走査方向と垂直方
向に発生する誤差は電子ビーム照射位置精度に直接影響
する。図４はターゲット上でＸ方向に電子ビームを走査
したときの電子ビーム軌跡の一例であり、電子ビーム走
査方向（Ｘ方向）に垂直方向（Ｙ方向）に位置誤差を発
生する。更に渦電流による磁界の過渡特性は、電磁偏向
系などの電気的な応答の遅れよりも時定数が大きい場合
が多く、高速かつ高精度を要する加工や露光に用いられ
る電子ビーム描画装置にとって、重大な問題点であっ
た。
装置は以上のように構成されているので、電磁偏向レン
ズの電流偏向レンズの電流の現れる誤差量は補正できる
が、それ以降の時間に発生する現象、即ち、渦電流によ
つて生じる磁界については誤差を補正できない。電磁偏
向レンズ近辺の他のレンズ類、あるいは真空保持用の筒
などの構造体に導電体が用いられており電磁偏向レンズ
の発生する磁界が近辺の導体構造物内に過渡的に渦電流
を誘起する。この渦電流による磁界は電子ビームを偏向
する磁界の誤差になり、ターゲット上のビーム照射位置
の位置誤差となる。特に、電子ビーム走査方向と垂直方
向に発生する誤差は電子ビーム照射位置精度に直接影響
する。図４はターゲット上でＸ方向に電子ビームを走査
したときの電子ビーム軌跡の一例であり、電子ビーム走
査方向（Ｘ方向）に垂直方向（Ｙ方向）に位置誤差を発
生する。更に渦電流による磁界の過渡特性は、電磁偏向
系などの電気的な応答の遅れよりも時定数が大きい場合
が多く、高速かつ高精度を要する加工や露光に用いられ
る電子ビーム描画装置にとって、重大な問題点であっ
た。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、渦電流に起因する走査方向に
垂直方向（以下、非走査方向と称す）に発生する誤差を
補正して、高速かつ高精度にターゲット上に電子ビーム
の照射位置を定めることができる簡単な構成で安価な電
子ビーム描画装置を得ることを目的とする。
るためになされたもので、渦電流に起因する走査方向に
垂直方向（以下、非走査方向と称す）に発生する誤差を
補正して、高速かつ高精度にターゲット上に電子ビーム
の照射位置を定めることができる簡単な構成で安価な電
子ビーム描画装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電子ビー
ム描画装置は電子ビームを直行する２軸の偏向器で偏向
し、ターゲット上の所定の位置に位置決めする電子ビー
ム描画装置において、上記２軸の少なくとも一方の軸で
走査時に、上記偏向器周辺の導電性の構造体に誘導され
る渦電流による磁界により走査方向に垂直方向に発生す
る電子ビーム照射位置の誤差を走査軸の偏向信号に基づ
いて模擬する補正回路を設け、該補正回路の出力により
非走査軸の偏向信号を補正するようにしたものである。
ム描画装置は電子ビームを直行する２軸の偏向器で偏向
し、ターゲット上の所定の位置に位置決めする電子ビー
ム描画装置において、上記２軸の少なくとも一方の軸で
走査時に、上記偏向器周辺の導電性の構造体に誘導され
る渦電流による磁界により走査方向に垂直方向に発生す
る電子ビーム照射位置の誤差を走査軸の偏向信号に基づ
いて模擬する補正回路を設け、該補正回路の出力により
非走査軸の偏向信号を補正するようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、渦電流による磁界が電子
ビームを非走査方向に偏向させる作用を走査方向の偏向
信号をもとに補正回路で模擬し、補正量として非走査軸
の偏向信号に付加し、その信号で非走査軸側の電磁偏向
アンプ、電磁偏向レンズを駆動することにより、渦電流
の影響と補正の影響が相殺しあい、電子ビームはターゲ
ット上の正しい位置に照射される。
ビームを非走査方向に偏向させる作用を走査方向の偏向
信号をもとに補正回路で模擬し、補正量として非走査軸
の偏向信号に付加し、その信号で非走査軸側の電磁偏向
アンプ、電磁偏向レンズを駆動することにより、渦電流
の影響と補正の影響が相殺しあい、電子ビームはターゲ
ット上の正しい位置に照射される。
【０００８】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図につにて説明
する。図１はこの発明の一実施例を示す構成図であり、
図において１〜４，８〜１１は図５の場合と同様である
のでその説明を省略する。２０Ａ，２０Ｂは夫々にＤＡ
Ｃ１１Ａ，１１Ｂの出力側に設けられた補正回路で、偏
向器としての電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂが発生する磁界
によってその周辺の導電性の構造体（図示せず）に誘導
される渦電流に起因する電子ビーム照射位置の非走査方
向に発生する位置誤差を電気信号で模擬し補正するため
のものであり、コンピュータ９のパターンデータに基づ
く信号を夫々ＤＣＴ１０Ａ，ＤＡＣ１１Ａ及びＤＣＴ１
０Ｂ，ＤＡＣ１１Ｂを介して受け、走査方向の偏向信号
をもとに非走査方向の偏向信号を補正する。２１Ａは補
正回路２０Ｂの出力をＤＡＣ１１Ａの出力に加算して電
磁偏向アンプ４Ａに出力する加算器、２１Ｂは補正回路
２０Ａの出力をＤＡＣ１１Ｂの出力に加算して偏向アン
プ４Ｂに出力する加算器である。補正回路２０Ａと２０
Ｂは同様の構成をしており、その構成の一例を代表的に
補正回路２０Ａについて図２に示す。図２において、２
２はＤＡＣ１１Ａの出力を微分する微分回路、２３はＤ
ＡＣ１１Ａの出力に基づいて渦電流の時定数を模擬する
時定数回路例えばＲＣ回路、２４はＤＡＣ１１Ａの出力
と所定の比例定数を乗算する乗算器、２５は微分回路２
２、ＲＣ回路２３及び乗算器２４の各出力を乗算する乗
算器である。
する。図１はこの発明の一実施例を示す構成図であり、
図において１〜４，８〜１１は図５の場合と同様である
のでその説明を省略する。２０Ａ，２０Ｂは夫々にＤＡ
Ｃ１１Ａ，１１Ｂの出力側に設けられた補正回路で、偏
向器としての電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂが発生する磁界
によってその周辺の導電性の構造体（図示せず）に誘導
される渦電流に起因する電子ビーム照射位置の非走査方
向に発生する位置誤差を電気信号で模擬し補正するため
のものであり、コンピュータ９のパターンデータに基づ
く信号を夫々ＤＣＴ１０Ａ，ＤＡＣ１１Ａ及びＤＣＴ１
０Ｂ，ＤＡＣ１１Ｂを介して受け、走査方向の偏向信号
をもとに非走査方向の偏向信号を補正する。２１Ａは補
正回路２０Ｂの出力をＤＡＣ１１Ａの出力に加算して電
磁偏向アンプ４Ａに出力する加算器、２１Ｂは補正回路
２０Ａの出力をＤＡＣ１１Ｂの出力に加算して偏向アン
プ４Ｂに出力する加算器である。補正回路２０Ａと２０
Ｂは同様の構成をしており、その構成の一例を代表的に
補正回路２０Ａについて図２に示す。図２において、２
２はＤＡＣ１１Ａの出力を微分する微分回路、２３はＤ
ＡＣ１１Ａの出力に基づいて渦電流の時定数を模擬する
時定数回路例えばＲＣ回路、２４はＤＡＣ１１Ａの出力
と所定の比例定数を乗算する乗算器、２５は微分回路２
２、ＲＣ回路２３及び乗算器２４の各出力を乗算する乗
算器である。
【０００９】次に動作について説明する。通常、電磁偏
向レンズ３Ａ，３Ｂが発生する磁界によってその周辺の
導電性の構造体に誘導される渦電流の大きさ、時定数、
電子ビームへの影響の度合いは電磁偏向レンズ３Ａ，３
Ｂ近辺の導電性の構造体の材質、形状、位置や組み立て
精度に依存して異なる。また、渦電流の電子ビームに与
える影響は電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂ付近の電子ビーム
２の通過位置にも依存する。さらに、渦電流の大きさは
電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂの発生する磁界Ｂの時間変化
量ｄＢ／ｄｔにも比例する。これらを補正回路２０Ａ，
２０Ｂで模擬し、補正する。ここで、例えばＸ軸を走査
軸、Ｙ軸を非走査軸とした場合を例に、渦電流による誤
差量を求め補正する動作を説明する。電磁偏向レンズ３
Ａの発生する磁界Ｂの時間変化量ｄＢ／ｄｔはＤＡＣ１
１Ａから出力されるＸ軸の偏向信号Ｖｘの時間微分ｄＶ
ｘ／ｄｔに比例するため、微分回路２２で時間変化量で
ｄＢ／ｄｔに比例した電圧ＶD （＝Ａ・ｄＶｘ／ｄｔ）
を算出する。また、渦電流の時定数は偏向信号Ｖｘの変
動状態を時間の関数としてＲＣ回路２３で模擬し、電圧
ＶRc（例えばＶRC ＝Ｂ（１−ｅ -t/τ））を算出す
る。電磁偏向レンズ３Ａ付近の電子ビーム２の通過位置
は電子ビーム照射位置を示す偏向信号Ｖｘに比例してお
り、この偏向信号に比例した電圧ＶM （＝Ｃ・Ｖｘ）を
乗算器２４で算出できる。電磁偏向レンズ近辺の導電性
の構造体の材質等に依存する渦電流の大きさや電子ビー
ムへの影響の度合いに,基づいて決められる比例定数
Ａ，Ｂ，Ｃや時定数τなどは予め把握して補正回路２０
Ａを調整しておく。これらの電圧ＶD ，ＶRC，ＶM の値
を乗算器２５で乗算し、Ｙ軸の補正量ＶCYとし、これを
ＤＡＣ１１Ｂから出力されるＹ軸の偏向信号Ｖｙに加算
した偏向したＶｙ´（＝Ｖｙ＋ＶCY）を加算器２１Ｂで
求める。この補正された偏向信号Ｖｙ´を電磁偏向アン
プ４Ｂに入力し、その出力で電磁偏向レンズ３Ｂを駆動
する。これにより、渦電流の影響と補正の影響が相殺し
あい、電子ビーム２はターゲット８上の正しい位置に照
射される。Ｙ軸を走査時も、上記説明と同様にＤＡＣ１
１Ｂから出力されるＹ軸の偏向信号Ｖｙをもとに補正回
路２０Ｂで補正量ＶCXを算出し、これをＤＡＣ１１Ａか
ら出力されるＸ軸の偏向信号Ｖｘに加算器２１Ａで加算
して補正された偏向信号Ｖｘ´を得、これで電磁偏向ア
ンプ４Ａ、電磁偏向レンズ３Ａを駆動する。また、Ｘ，
Ｙ両軸による走査時においても、同様の動作で補正でき
る。
向レンズ３Ａ，３Ｂが発生する磁界によってその周辺の
導電性の構造体に誘導される渦電流の大きさ、時定数、
電子ビームへの影響の度合いは電磁偏向レンズ３Ａ，３
Ｂ近辺の導電性の構造体の材質、形状、位置や組み立て
精度に依存して異なる。また、渦電流の電子ビームに与
える影響は電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂ付近の電子ビーム
２の通過位置にも依存する。さらに、渦電流の大きさは
電磁偏向レンズ３Ａ，３Ｂの発生する磁界Ｂの時間変化
量ｄＢ／ｄｔにも比例する。これらを補正回路２０Ａ，
２０Ｂで模擬し、補正する。ここで、例えばＸ軸を走査
軸、Ｙ軸を非走査軸とした場合を例に、渦電流による誤
差量を求め補正する動作を説明する。電磁偏向レンズ３
Ａの発生する磁界Ｂの時間変化量ｄＢ／ｄｔはＤＡＣ１
１Ａから出力されるＸ軸の偏向信号Ｖｘの時間微分ｄＶ
ｘ／ｄｔに比例するため、微分回路２２で時間変化量で
ｄＢ／ｄｔに比例した電圧ＶD （＝Ａ・ｄＶｘ／ｄｔ）
を算出する。また、渦電流の時定数は偏向信号Ｖｘの変
動状態を時間の関数としてＲＣ回路２３で模擬し、電圧
ＶRc（例えばＶRC ＝Ｂ（１−ｅ -t/τ））を算出す
る。電磁偏向レンズ３Ａ付近の電子ビーム２の通過位置
は電子ビーム照射位置を示す偏向信号Ｖｘに比例してお
り、この偏向信号に比例した電圧ＶM （＝Ｃ・Ｖｘ）を
乗算器２４で算出できる。電磁偏向レンズ近辺の導電性
の構造体の材質等に依存する渦電流の大きさや電子ビー
ムへの影響の度合いに,基づいて決められる比例定数
Ａ，Ｂ，Ｃや時定数τなどは予め把握して補正回路２０
Ａを調整しておく。これらの電圧ＶD ，ＶRC，ＶM の値
を乗算器２５で乗算し、Ｙ軸の補正量ＶCYとし、これを
ＤＡＣ１１Ｂから出力されるＹ軸の偏向信号Ｖｙに加算
した偏向したＶｙ´（＝Ｖｙ＋ＶCY）を加算器２１Ｂで
求める。この補正された偏向信号Ｖｙ´を電磁偏向アン
プ４Ｂに入力し、その出力で電磁偏向レンズ３Ｂを駆動
する。これにより、渦電流の影響と補正の影響が相殺し
あい、電子ビーム２はターゲット８上の正しい位置に照
射される。Ｙ軸を走査時も、上記説明と同様にＤＡＣ１
１Ｂから出力されるＹ軸の偏向信号Ｖｙをもとに補正回
路２０Ｂで補正量ＶCXを算出し、これをＤＡＣ１１Ａか
ら出力されるＸ軸の偏向信号Ｖｘに加算器２１Ａで加算
して補正された偏向信号Ｖｘ´を得、これで電磁偏向ア
ンプ４Ａ、電磁偏向レンズ３Ａを駆動する。また、Ｘ，
Ｙ両軸による走査時においても、同様の動作で補正でき
る。
【００１０】実施例２．なお、上記実施例では補正回路
２０Ａと加算器２１Ａ及び補正回路２０Ｂと加算器２１
Ｂを夫々ＤＡＣ１１Ａ及び１１Ｂの出力側に設けてアナ
ログ信号で補正を行う場合について説明したが、図３に
示すように補正回路２０Ａ´と加算器２１Ａ´及び補正
回路２０Ｂ´と加算器２１Ｂ´を夫々ＤＣＴ１０Ａ及び
１０Ｂの出力側に設けてデジタル信号を用いデジタル演
算で補正を行っても同様の効果を奏する。また、上記実
施例における補正回路２０Ａ，２０Ｂでは、微分回路、
ＲＣ回路、乗算器を用いたが、電子ビーム照射位置に現
れる誤差に応じて他の関数による回路を用いてもよい。
２０Ａと加算器２１Ａ及び補正回路２０Ｂと加算器２１
Ｂを夫々ＤＡＣ１１Ａ及び１１Ｂの出力側に設けてアナ
ログ信号で補正を行う場合について説明したが、図３に
示すように補正回路２０Ａ´と加算器２１Ａ´及び補正
回路２０Ｂ´と加算器２１Ｂ´を夫々ＤＣＴ１０Ａ及び
１０Ｂの出力側に設けてデジタル信号を用いデジタル演
算で補正を行っても同様の効果を奏する。また、上記実
施例における補正回路２０Ａ，２０Ｂでは、微分回路、
ＲＣ回路、乗算器を用いたが、電子ビーム照射位置に現
れる誤差に応じて他の関数による回路を用いてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、電子
ビームを直行する２軸の偏向器で偏向し、ターゲット上
の所定の位置に位置決めする電子ビーム描画装置におい
て、上記２軸の少なくとも一方の軸で走査時に、上記偏
向器周辺の導電性の構造体に誘導される渦電流による磁
界により走査方向に垂直方向に発生する電子ビーム照射
位置の誤差を走査軸の偏向信号に基づいて模擬する補正
回路を設け該補正回路の出力により非走査軸の偏向信号
を補正するようにしたので、上記電子ビーム照射位置が
補正され、高速かつ高精度にターゲット上に電子ビーム
照射位置を定めることができ、しかも従来例に比し構成
が簡単で安価になるという効果を奏する。
ビームを直行する２軸の偏向器で偏向し、ターゲット上
の所定の位置に位置決めする電子ビーム描画装置におい
て、上記２軸の少なくとも一方の軸で走査時に、上記偏
向器周辺の導電性の構造体に誘導される渦電流による磁
界により走査方向に垂直方向に発生する電子ビーム照射
位置の誤差を走査軸の偏向信号に基づいて模擬する補正
回路を設け該補正回路の出力により非走査軸の偏向信号
を補正するようにしたので、上記電子ビーム照射位置が
補正され、高速かつ高精度にターゲット上に電子ビーム
照射位置を定めることができ、しかも従来例に比し構成
が簡単で安価になるという効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】この発明の要部を示すブロック図である。
【図３】この発明の他の実施例を示す構成図である。
【図４】電子ビーム描画装置において補正のない場合の
ビーム照射位置の軌跡を示す図である。
ビーム照射位置の軌跡を示す図である。
【図５】従来の電子ビーム描画装置の偏向系を示す構成
図である。
図である。
【図６】図５の電子ビーム描画装置において補正なしと
仮定したときの電磁偏向アンプの出力電流を示す波形図
である。
仮定したときの電磁偏向アンプの出力電流を示す波形図
である。
２ 電子ビーム ３Ａ，３Ｂ 電磁偏向レンズ ８ ターゲット ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ａ´，２０Ｂ´ 補正回路 ２１Ａ，２１Ｂ，２１Ａ´，２１Ｂ´ 加算器
Claims (1)
- 【請求項１】 電子ビームを直行する２軸の偏向器で偏
向し、ターゲット上の所定の位置に位置決めする電子ビ
ーム描画装置において、 上記２軸の少なくとも一方の軸で走査時に、上記偏向器
周辺の導電性の構造体に誘導される渦電流による磁界に
より走査方向に垂直方向に発生する電子ビーム照射位置
の誤差を走査軸の偏向信号に基づいて模擬する補正回路
を設け、 該補正回路の出力により非走査軸の偏向信号を補正する
ようにしたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229070A JPH0567563A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229070A JPH0567563A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567563A true JPH0567563A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16886269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229070A Pending JPH0567563A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567563A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017517882A (ja) * | 2014-06-13 | 2017-06-29 | インテル・コーポレーション | 電子ビームのユニバーサルカッタ |
| JP2018160533A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用のブランキング装置 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP3229070A patent/JPH0567563A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017517882A (ja) * | 2014-06-13 | 2017-06-29 | インテル・コーポレーション | 電子ビームのユニバーサルカッタ |
| US10216087B2 (en) | 2014-06-13 | 2019-02-26 | Intel Corporation | Ebeam universal cutter |
| US10578970B2 (en) | 2014-06-13 | 2020-03-03 | Intel Corporation | Ebeam universal cutter |
| JP2018160533A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用のブランキング装置 |
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