JPH0567718A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】アウタリードの強度及び熱伝導容量を低下させ
ることなく、インナリードのファインピッチ化、半導体
装置の薄型化を図りうるようにする。 【構成】半導体チップが搭載されるアイランド４０と，
アイランド４０に搭載された半導体チップの電極に接続
されるインナリード２０とが、インナリード２０に連続
形成され樹脂封止時に樹脂から外に露出するアウタリー
ド３０よりも薄くなるように凹部６１を形成する。凹部
６１の範囲は、樹脂封止時に樹脂によってモールドされ
るモールド部６５よりも小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用のリードフ
レームに関するものである。更に詳しくは、ＩＣパッケ
ージ等に用いるリードフレームに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣパッケージ等の半導体装置は、ダイ
ボンディング(チップボンディング)，ワイヤボンディン
グ，樹脂モールド等の工程処理を経て製造されるが、こ
れら一連の工程は金属薄板を打ち抜いて形成されるリー
ドフレームに対して行われる。

【０００３】図６は従来例の要部構成を示す平面図であ
り、Ｐは１個分のパッケージに対応する範囲を示してい
る。同図に示すように、リードフレーム１０は、主とし
て、半導体チップが搭載されるアイランド４０と，アイ
ランド４０に搭載された半導体チップの電極に接続され
る複数のインナリード２０(斜線)と，インナリード２０
に連続形成され、基板等へ接続するためのアウタリード
３０(斜線)と，位置合わせ用のガイド穴５５等が設けら
れたガイドレール５０とを備えて構成される。

【０００４】通常、上記リードフレーム１０は、導電性
の金属薄板をパンチング金型を用いて打ち抜き形成さ
れ、又はエッチングの手法を利用して形成される。上記
リードフレーム１０を用いて半導体装置を製造するに
は、先ず、チップボンディング工程において、リードフ
レーム１０のアイランド４０に半導体チップをボンディ
ングした後、ワイヤボンディング工程において、アイラ
ンド４０に向かって延びるインナリード２０の先端部と
半導体チップの電極とを金線等により結線する。その
後、アイランド４０及びインナリード２０を包み込むよ
うにしてこれらを樹脂によってモールドする樹脂モール
ド工程、上記モールドされた半導体装置をリードフレー
ムから切り離すリードカット工程等の工程処理を経て、
半導体装置が完成される。上記リードフレーム１０は、
上記アイランド４０にボンディングされる半導体チップ
の形状、端子数等の仕様に応じて、各半導体装置毎に製
造される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般にリードフレーム
は、フラットな金属板の打ち抜き等によって製造される
ため、インナリードやアウタリード等も同一の厚さで形
成されることになる。その板厚は、一般にＤＩＰ(Dual
In-Line Package)で０．２５ｍｍ、ＳＯＰ(Small Outline Package)，ＱＦＰ(Quad Flat Package)で０．
１５ｍｍである。

【０００６】一方、インナリード２０でのファインピッ
チ化(微細加工)については、リードフレームの厚さによ
り支配的であるが、アウタリード(外装リード)３０につ
いては、機械的強度が要求されるため、板厚を薄くする
ことに限界がある。また、ＩＣパッケージ等の半導体装
置の厚さは、リードフレームとそのアイランド上の半導
体チップ，ボンディング用のワイヤ等により決まる。

【０００７】従って、リードフレームを薄くした場合、
アウタリードが強度不足となったり、熱伝導容量が低下
したりするといった問題があり、リードフレームを厚く
した場合、インナリードのファイン化に限界があり、半
導体装置の薄型化が図れないといった問題がある。

【０００８】本発明はこれらの問題点に鑑みなされたも
のであって、アウタリードの強度及び熱伝導容量を低下
させることなく、インナリードのファインピッチ化を図
りうる半導体装置用のリードフレームを提供することを
目的とする。また、本発明の他の目的は、アウタリード
の強度及び熱伝導容量を低下させることなく、半導体装
置の薄型化を図りうる半導体装置用のリードフレームを
提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置用のリードフレームは、樹脂封止時
に樹脂によってモールドされるインナリードと，該イン
ナリードに連続形成され、前記樹脂から外に露出するア
ウタリードとを備えた半導体装置用のリードフレームに
おいて、前記インナリードがアウタリードよりも薄く形
成されていることを特徴としている。

【００１０】また、本発明の半導体装置用のリードフレ
ームは、半導体チップが搭載され、樹脂封止時に樹脂に
よってモールドされるアイランドと，該アイランドに搭
載された半導体チップの電極に接続され、樹脂封止時に
樹脂によってモールドされるインナリードと，該インナ
リードに連続形成され、前記樹脂から外に露出するアウ
タリードとを備えた半導体装置用のリードフレームにお
いて、前記アイランドがアウタリードよりも薄く形成さ
れていることを特徴としている。

【００１１】前記リードフレームは、例えば１個の半導
体装置に相当する部分がアウタリード側で隣接するよう
にして複数個設けられているものである。

【００１２】

【作用】上記構成によれば、インナリードがアウタリー
ドよりも薄く形成されているため、アウタリードを薄く
しなくてもインナリードは微細加工に適し、インナリー
ドを厚くしなくてもインナリードは樹脂によってモール
ドされているので、樹脂封止後は外部からの力に対して
影響を受けにくい。

【００１３】また、アイランドがアウタリードよりも薄
く形成されているため、アウタリードを薄くしなくても
半導体チップの搭載による半導体装置の厚さがアイラン
ドが薄くされた分だけ薄くなり、アイランドを厚くしな
くてもアイランドは樹脂によってモールドされているの
で、樹脂封止後は外部からの力に対して影響を受けにく
い。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、従来例(図６)と同一部分には同一の符号を付
して詳しい説明を省略する。図２は、本実施例における
半導体装置としてのパッケージ１個分に相当する範囲を
示している。実際には、１個のパッケージに相当する部
分がアウタリード側で隣接するようにして複数個設けら
れている。そして、ダイボンディング等の処理は、所定
の長さ単位(例えば、パッケージ１０個分)やフープ状
(ロール状)でリール等に巻かれた状態において施され
る。尚、図２の(ａ)は平面図、(ｂ)はそのＸ−Ｘ’線断
面図である。

【００１５】本実施例は、凹部６１が設けられているほ
かは、前記従来例(図６)と同一の構成となっている。凹
部６１は、樹脂によって封止される範囲であるモールド
部６５(破線)よりも小さく形成されている。そして、リ
ードフレーム１０は、従来例と同様に、半導体チップが
搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされるア
イランド４０と，アイランド４０に搭載された半導体チ
ップの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモー
ルドされるインナリード２０と，インナリード２０に連
続形成され、樹脂から外に露出するアウタリード３０と
を備えている。従って、凹部６１が形成されている範囲
にあるインナリード２０，アイランド４０等は、樹脂に
よって被覆されることになる。

【００１６】また、凹部６１はリードフレーム１０の片
面にのみ形成されており、他方の面は均一にフラットに
なっている。従って、凹部６１が形成されている範囲に
あるインナリード２０等は、凹部２０外の範囲にあるア
ウタリード３０等よりも薄くなっている。

【００１７】次に、リードフレーム１０の製造方法につ
いて説明する。本実施例の製造方法は、リードフレーム
用部材のインナリード２０及びアイランド４０が形成さ
れる部分に凹部を形成した後、その凹部にインナリード
２０及びアイランド４０を形成する方法である。尚、リ
ードフレーム用部材とは、従来よりリードフレーム１０
の材料として用いられているＮｉ合金及び銅合金材等を
いう。

【００１８】先ず、上記リードフレーム用部材に凹部を
形成する。図１は、本実施例に用いる金属板５の要部を
示しており、(ａ)は平面図であり、(ｂ)はそのＡ−Ａ’
線断面図である。この金属板５は、従来よりリードフレ
ーム用部材として用いられているフラットな金属板に凹
部６０を形成することによって得られる。尚、同図中、
Ｓは図２に示す１個分のパッケージに対応する範囲を示
しており、凹部６０，アウタリード部分７０及びガイド
レール部分８０が、図２中の凹部６１，アウタリード３
０及びガイドレール５０にそれぞれ対応する。

【００１９】凹部６０の形成は、例えば圧延，スタンピ
ング，エッチング等によって行うことができる。フープ
状にされたフラットな金属板の薄くしたい部分をプレ
ス，金型等によりスタンプしたり圧延したりすることに
よって、塑性変形させ、部分的に薄くする。また、アイ
ランド４０だけを薄くすることによって、パッケージの
薄型化を図ることもできる。

【００２０】図５(ａ)は、上記圧延に用いられるローラ
(圧延部材)１１０を示している。ローラ１１０の周面に
は、凸部１１５が設けられている。ローラ１１０をフラ
ットな金属板上で押圧しながら転がすことによって、図
１に示すような凹部６０を形成することができる。

【００２１】図５(ｂ)は、上記スタンピングに用いられ
るスタンピング部材１２０を示している。スタンピング
部材１２０には、凸部１２５が設けられている。スタン
ピング部材１２０をフラットな金属板に対して押圧する
ことによって、図１に示すような凹部６０を形成するこ
とができる。

【００２２】また、上記エッチングについては、公知の
エッチング技術を採用することができる。例えば、所定
の開口を有するマスクを介してエッチング液と接触させ
ることにより行うことができる。

【００２３】次に、金属板５にインナリード２０等のリ
ードパターンを形成する。リードパターンの形成はパン
チング，エッチング等により行うことができる。パンチ
ング，エッチング等の加工方法としては、従来より一般
に行われている方法を採用することができる。

【００２４】本実施例では、凹部６０は金属板５の片面
にのみ形成されているが、図５に示すような部材をフラ
ットな金属板の両面から接触させて金属板の両面に凹部
を形成してもよい。よって、金属板の断面はコの字状に
限らない。また、本実施例では、図１(ｂ)に示すように
金属板５が２種類の厚さを有しているが、複数の厚さを
有するものであってもよい。

【００２５】他の製造方法として、フラットなリードフ
レーム用部材にインナリード２０，アイランド４０等の
リードパターンを形成した後、そのリードパターンが形
成された部分に凹部を形成する方法を用いてもよい。こ
の方法は、凹部形成工程をリードパターン形成工程の後
に行うほかは前述の製造方法と同様に行うことができ
る。

【００２６】図４は、本実施例のリードフレーム１０が
適用されたパッケージ１００の外観を示す斜視図であ
る。樹脂モールド９０からはアウタリード３０のみが露
出しており、インナリード２０やアイランド４０等の凹
部６１の範囲にある部分は、樹脂モールド９０によって
モールドされている。

【００２７】図３は本発明の他の実施例に用いる金属板
６の要部構成を示す平面図である。この金属板６には、
両側のガイドレール部分８１の間に凹部６２が２列設け
られており、各列の凹部６２と凹部６２との間は、樹脂
注入部分９５となっている。樹脂注入部分９５は、金型
に設けられているランナーのガイド部分に対応する。本
実施例のように凹部６２をフラットな金属板に複数列設
けることによって、樹脂封止を一度に行うことができ
る。凹部６２の形成は、前述の実施例(図１及び図２)と
同様の方法で行うことができる。例えば、設ける凹部６
２の列の数(本実施例では２列)に応じた数の凸部を有す
る圧延部材１１０(図５(ａ))やスタンピング部材１２０
(図５(ｂ))等を用いればよい。

【００２８】以上、本発明のリードフレームについて説
明したが、本発明はかかる実施例に限らず、半導体製品
に用いられる種々のフレームとしても適用可能である。

【００２９】

【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、樹脂
封止時に樹脂によってモールドされるインナリードと，
該インナリードに連続形成され、前記樹脂から外に露出
するアウタリードとを備えた半導体装置用のリードフレ
ームにおいて、前記インナリードがアウタリードよりも
薄く形成されているので、アウタリードの強度及び熱伝
導容量を低下させることなく、インナリードのファイン
ピッチ化を図りうる半導体装置用のリードフレームを実
現することができる。更に、リードフレーム送り用のサ
イドレールやアウタリードの強度をより向上させること
も可能である。

【００３０】また、上記のようにインナリードをアウタ
リードよりも薄くすることによって、インナリードの微
細化に対応しうる結果、フレーム設計についてもより自
由度が増すといった効果がある。

【００３１】また、本発明によれば、半導体チップが搭
載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされるアイ
ランドと，該アイランドに搭載された半導体チップの電
極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされ
るインナリードと，該インナリードに連続形成され、前
記樹脂から外に露出するアウタリードとを備えた半導体
装置用のリードフレームにおいて、前記アイランドがア
ウタリードよりも薄く形成されているので、アウタリー
ドの強度及び熱伝導容量を低下させることなく、ＩＣパ
ッケージ等の半導体装置の薄型化を図りうる半導体装置
用のリードフレームを実現することができる。更に、リ
ードフレーム送り用のサイドレールやアウタリードの強
度をより向上させることも可能である。

【００３２】また、上記のようにインナリードやアイラ
ンドを薄くすることによって、リードフレーム材のコス
トダウンが図れるといった効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に用いる金属板の要部を示す
図。

【図２】本発明の一実施例におけるパッケージ１個分に
相当する範囲を示す図。

【図３】本発明の他の実施例に用いる金属板の要部を示
す平面図。

【図４】本発明の実施例が適用されたパッケージの外観
を示す斜視図。

【図５】本発明の実施例の凹部を形成するために用いる
圧延部材及びスタンピング部材の外観を示す斜視図。

【図６】従来例の要部を示す平面図。

【符号の説明】

５ …金属板 ６ …金属板 １０ …リードフレーム ２０ …インナリード ３０ …アウタリード ４０ …アイランド ５０ …ガイドレール ５５ …ガイド穴 ６０ …凹部 ６１ …凹部 ６２ …凹部 ６５ …モールド部 ７０ …アウタリード部分 ８０ …ガイドレール部分 ８１ …ガイドレール部分 ９０ …樹脂モールド ９５ …樹脂注入部分 １００ …パッケージ １１０ …ローラ(圧延部材) １１５ …凸部 １２０ …スタンピング部材 １２５ …凸部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂封止時に樹脂によってモールドされる
   インナリードと，該インナリードに連続形成され、前記
   樹脂から外に露出するアウタリードとを備えた半導体装
   置用のリードフレームにおいて、 前記インナリードがアウタリードよりも薄く形成されて
   いることを特徴とする半導体装置用のリードフレーム。
2. 【請求項２】半導体チップが搭載され、樹脂封止時に樹
   脂によってモールドされるアイランドと，該アイランド
   に搭載された半導体チップの電極に接続され、樹脂封止
   時に樹脂によってモールドされるインナリードと，該イ
   ンナリードに連続形成され、前記樹脂から外に露出する
   アウタリードとを備えた半導体装置用のリードフレーム
   において、 前記アイランドがアウタリードよりも薄く形成されてい
   ることを特徴とする半導体装置用のリードフレーム。
3. 【請求項３】１個の半導体装置に相当する部分がアウタ
   リード側で隣接するようにして複数個設けられているこ
   とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装
   置用のリードフレーム。