JPH02197158A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH02197158A JPH02197158A JP1498289A JP1498289A JPH02197158A JP H02197158 A JPH02197158 A JP H02197158A JP 1498289 A JP1498289 A JP 1498289A JP 1498289 A JP1498289 A JP 1498289A JP H02197158 A JPH02197158 A JP H02197158A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- plating process
- lead
- lead frame
- inner lead
- Prior art date
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、リードフレームの製造方法に関するものであ
る。
る。
（従来の技術）
半導体素子を搭載したパッケージの中で、樹脂封止タイ
プは、約８０％を占めており、そのほとんどのものにリ
ードフレームが用いられている。
プは、約８０％を占めており、そのほとんどのものにリ
ードフレームが用いられている。
これらのリードフレームを用いたＩＣノくツケージの製
造方法について第６図をもちいて説明すると。
造方法について第６図をもちいて説明すると。
基材として鉄、鉄合金（例えば４２合金）、銅。
銅合金（例えばＣ１９４００，Ｃ５０７１０）等が用し
Ａられ。
Ａられ。
基材厚０．１５〜０ 、２５ｍｍ程度の薄板をウニ・ノ
トエ・ノチングや、プレスを使用したスタンピングで外
枠部１０（上下レール、サイトレール）１アウタ一リー
ド部比 インナーリード部１３は吊りビン１４を介して
上下レール１０ａ、 １０ｂに連結されている。このよ
うにして、パターンが形成されたのち、ワイヤボンデン
グの為のめっきがインナーリード１２の先端に施され、
必要に応じてデイプレスや、インナーリードの変形を押
さえるためのテーピング加工が行われる。
トエ・ノチングや、プレスを使用したスタンピングで外
枠部１０（上下レール、サイトレール）１アウタ一リー
ド部比 インナーリード部１３は吊りビン１４を介して
上下レール１０ａ、 １０ｂに連結されている。このよ
うにして、パターンが形成されたのち、ワイヤボンデン
グの為のめっきがインナーリード１２の先端に施され、
必要に応じてデイプレスや、インナーリードの変形を押
さえるためのテーピング加工が行われる。
半導体装置は、半導体素子をリードフレームのダイパッ
ド１３にエポキシペーストや金−シリコン共晶でマウン
トし、半導体素子上のボンデングノ＜ラドとインナーリ
ード１２の先端のめつき部を金細線（例えばφ２５ｕＩ
１１）で接続する。いわゆるワイヤボンデングを行い、
エポキシ樹脂等を用いてトランスファーモールドする。
ド１３にエポキシペーストや金−シリコン共晶でマウン
トし、半導体素子上のボンデングノ＜ラドとインナーリ
ード１２の先端のめつき部を金細線（例えばφ２５ｕＩ
１１）で接続する。いわゆるワイヤボンデングを行い、
エポキシ樹脂等を用いてトランスファーモールドする。
その後、吊りビン１４．ダムバー１５．そしてサイトレ
ール部とアラクーリード先端の接続部１６を切り離し、
アウターリード１１を所定の形状に折り曲げて製造され
る。
ール部とアラクーリード先端の接続部１６を切り離し、
アウターリード１１を所定の形状に折り曲げて製造され
る。
（発明が解決しようとする諜Ｂ）
上記の従来の技術においては、リードフレームをウェッ
トエツチングやスタンピングで加工したのちの取扱い、
めっき工程でのめっき治具や洗浄からの外圧により、イ
ンナーリードが変形してしまうことがあり、工程歩留り
を低下させるという問題があった。
トエツチングやスタンピングで加工したのちの取扱い、
めっき工程でのめっき治具や洗浄からの外圧により、イ
ンナーリードが変形してしまうことがあり、工程歩留り
を低下させるという問題があった。
このインナーリードの変形は、最近の多ビン化傾向によ
り、さらに顕著になってきている。つまり。
り、さらに顕著になってきている。つまり。
多ビン化になるとインナーリードの先端ピンチが狭くな
り、これを実現する一方法として基材厚を薄くしてきた
。
り、これを実現する一方法として基材厚を薄くしてきた
。
このようなことからインナーリードは変形しやすく、少
しの変形でもすぐ隣のインナーリードに接触し、その為
、そのリードフレームは不良になってしまう。
しの変形でもすぐ隣のインナーリードに接触し、その為
、そのリードフレームは不良になってしまう。
又、従来の技術（特開昭６２−１１５８５３．６０−１
７６２６０ ）においては、ウェットエツチングにより
、ダイパッド部とインナーリードの先端部との隙間を先
に設け、後プレス加工する方法が採られており、加工後
のダイパッド部とインナーリードの先端部との間隔が大
きくなるという制限があった。これにより、後のアセン
ブリ工程において、モールド時ワイヤたれ、変形、ショ
ートがおこるという問題があった。
７６２６０ ）においては、ウェットエツチングにより
、ダイパッド部とインナーリードの先端部との隙間を先
に設け、後プレス加工する方法が採られており、加工後
のダイパッド部とインナーリードの先端部との間隔が大
きくなるという制限があった。これにより、後のアセン
ブリ工程において、モールド時ワイヤたれ、変形、ショ
ートがおこるという問題があった。
従って１本発明の目的は２以上の技術的課題を解決し、
めっき工程でのめっき治具や洗浄からの外圧による変形
や８後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ、変形、ショートを効果的に防ぐことの可能なリード
フレームを捉供することにある。
めっき工程でのめっき治具や洗浄からの外圧による変形
や８後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ、変形、ショートを効果的に防ぐことの可能なリード
フレームを捉供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記の問題点を解決すべく１種々研究の結果リードフレ
ームの製造方法は、導電性の金属薄板からなる基材をエ
ツチング法または１ ブレス法の加工により、吊りビン
を介してダイパッド部をアウターリード部からダイパッ
ド部の縁周に延設された複数のインナーリードの先端部
が連結されるよう形成した後、少なくとも、めっき工程
を経た後、ダイパッド縁周に連結されているインナーリ
ードの先端部を切り離すことを特徴とすることを見出し
て本発明を完成したものである。
ームの製造方法は、導電性の金属薄板からなる基材をエ
ツチング法または１ ブレス法の加工により、吊りビン
を介してダイパッド部をアウターリード部からダイパッ
ド部の縁周に延設された複数のインナーリードの先端部
が連結されるよう形成した後、少なくとも、めっき工程
を経た後、ダイパッド縁周に連結されているインナーリ
ードの先端部を切り離すことを特徴とすることを見出し
て本発明を完成したものである。
即ち９本発明は、インナーリード部の先端が、ダイパッ
ドに連結された状態で、めっき工程の処理を行うことを
要旨とするものである。
ドに連結された状態で、めっき工程の処理を行うことを
要旨とするものである。
（作用）
本発明のリードフレームのように、全てのインナーリー
ド部の先端が、ダイパッドに連結された状態で、めっき
工程の処理を行えば、インナーリード部は、めっき工程
でのめっき治具や洗浄からの外圧に極めて安定である。
ド部の先端が、ダイパッドに連結された状態で、めっき
工程の処理を行えば、インナーリード部は、めっき工程
でのめっき治具や洗浄からの外圧に極めて安定である。
しかも２本発明では、ウェットエツチングにより。
ダイパッド部とインナーリードの先端部との隙間を先に
設けない為１プレス後のダイパッド部とインナーリード
の先端部との間隔を小さくすることができる。これによ
り、後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ、変形、ショートを防止できる。
設けない為１プレス後のダイパッド部とインナーリード
の先端部との間隔を小さくすることができる。これによ
り、後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ、変形、ショートを防止できる。
（実施例）
上記の本発明について、以下に実施例を挙げて更に詳細
に説明する。
に説明する。
第１図１工は本発明のリードフレーム製造の製造途中の
ダイパッド近辺を示したものである。
ダイパッド近辺を示したものである。
先ず、金属薄板をエツチングにて第６図のように。
外枠部１０．アウターリード部１１．インナーリード部
１２．そしてダイパッド部１３を形成する。この時。
１２．そしてダイパッド部１３を形成する。この時。
グイバンド部近傍は第１図のごとく、吊りビン１４を介
して１ダイパッド部１３が設けられ、この縁周にインナ
ーリード１２ａがアウターリードから延設され、かつ、
連結された状態に形成する。
して１ダイパッド部１３が設けられ、この縁周にインナ
ーリード１２ａがアウターリードから延設され、かつ、
連結された状態に形成する。
次に、グイボンディングやワイヤポンディング作業の為
にめっき１７を行う。めっきは必要に応じダイパッド部
１３にも行うことがある。
にめっき１７を行う。めっきは必要に応じダイパッド部
１３にも行うことがある。
次いで、ダイパッド部縁周のインナーリードの先端連結
部１８を第２図３０のように切断する。
部１８を第２図３０のように切断する。
切断位置は、第３図４０のように、グイバンドの縁周に
インナーリードの一部が残るようにしてもよい。また、
第４図５（ｌは、半導体素子を１グイボンデイングする
側と反対の側からみたリードフレームの平面図であるが
、切断が容易になるよう所定の箇所１９ａ、 １９ｂに
ハーフエッチでグループを入れてもよい。
インナーリードの一部が残るようにしてもよい。また、
第４図５（ｌは、半導体素子を１グイボンデイングする
側と反対の側からみたリードフレームの平面図であるが
、切断が容易になるよう所定の箇所１９ａ、 １９ｂに
ハーフエッチでグループを入れてもよい。
このように、インナーリードが、グイバンドと連結され
ている状態で切断すると、エツチングからめっき完成比
のハンドリングやめっき処理時の外圧によるインナーリ
ードの変形は、完全に防止できる。
ている状態で切断すると、エツチングからめっき完成比
のハンドリングやめっき処理時の外圧によるインナーリ
ードの変形は、完全に防止できる。
上記の実施例では、めっき工程後１インナーリードの切
断をしたが１めっき工程後１デイプレス。
断をしたが１めっき工程後１デイプレス。
テーピングを行いインナーリード先端を切断することも
ある。
ある。
（発明の効果）
上記の本発明によるリードフレームの製造においてイン
ナーリードをダイパッドに連結した状態にエツチングで
形成したので、シートから個々のリードフレームを分離
させる時の取扱いや、めっき工程及びその前後の洗浄処
理時、且つ又、デイプレスやテーピングを行う場合の作
業取扱いで発生するインナーリードの変形は、はぼ完全
に防止でき１歩留り向上と同時に作業性の向上にも役立
つ。
ナーリードをダイパッドに連結した状態にエツチングで
形成したので、シートから個々のリードフレームを分離
させる時の取扱いや、めっき工程及びその前後の洗浄処
理時、且つ又、デイプレスやテーピングを行う場合の作
業取扱いで発生するインナーリードの変形は、はぼ完全
に防止でき１歩留り向上と同時に作業性の向上にも役立
つ。
更に１本発明では、ウェットエツチングにより。
ダイパッド部とインナーリードの先端部との隙間を先に
設けない為、プレス後のダイパッド部とインナーリード
の先端部との間隔を小さくすることができる。これによ
り、後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ１変形、ショートを防止でき、半導体素子のポンディ
ングパッドとリードフレームの接続作業であるワイヤボ
ンディングの歩留り及び作業性向上とともに安定した信
頼性の確保が得られることが推定される。
設けない為、プレス後のダイパッド部とインナーリード
の先端部との間隔を小さくすることができる。これによ
り、後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ１変形、ショートを防止でき、半導体素子のポンディ
ングパッドとリードフレームの接続作業であるワイヤボ
ンディングの歩留り及び作業性向上とともに安定した信
頼性の確保が得られることが推定される。
第１図は９本発明によるリードフレームの製造途中の要
点を示す平面図であり、第２図、第３図は１本発明に係
わるリードフレームの要部を示す平面図、第４図は１本
発明に係わるリードフレームの要部を裏面からみた平面
図であり、第５図は。 第４図の一部の断面図である。 第６図は、従来のリードフレームの例を示す平面図であ
る。 １２ａ−−−インナーリード １３−−−ダイパッド部 １４−一一吊りピン １７−−−めっき部 １８−ｍ−先端連結部
点を示す平面図であり、第２図、第３図は１本発明に係
わるリードフレームの要部を示す平面図、第４図は１本
発明に係わるリードフレームの要部を裏面からみた平面
図であり、第５図は。 第４図の一部の断面図である。 第６図は、従来のリードフレームの例を示す平面図であ
る。 １２ａ−−−インナーリード １３−−−ダイパッド部 １４−一一吊りピン １７−−−めっき部 １８−ｍ−先端連結部
Claims (1)
- 半導体装置用のリードフレームにおいて、導電性の金属
板からなる基材をエッチング法または、プレス法の加工
により吊りピンを介してダイパッド部をアウターリード
部からダイパッド部の縁周に延設された複数のインナー
リードの先端部が連結されるよう形成した後、少なくと
もめっき工程を経た後、ダイパッド縁周に連結されてい
るインナーリードの先端部を切り離すことを特徴とする
リードフレームの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1498289A JPH02197158A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1498289A JPH02197158A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02197158A true JPH02197158A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11876172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1498289A Pending JPH02197158A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02197158A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02210854A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-22 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
| EP0701280A3 (en) * | 1994-08-11 | 1997-03-12 | Shinko Electric Ind Co | Conductor frame and manufacturing method |
| US5696029A (en) * | 1993-08-31 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Process for manufacturing a lead frame |
| EP0887850A3 (en) * | 1997-06-23 | 2001-05-02 | STMicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1498289A patent/JPH02197158A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02210854A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-22 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
| US5696029A (en) * | 1993-08-31 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Process for manufacturing a lead frame |
| EP0701280A3 (en) * | 1994-08-11 | 1997-03-12 | Shinko Electric Ind Co | Conductor frame and manufacturing method |
| EP0887850A3 (en) * | 1997-06-23 | 2001-05-02 | STMicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
| US6586821B1 (en) | 1997-06-23 | 2003-07-01 | Stmicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
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