JPH0567865A - プリント配線板の表面処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プリント配線板の表面処理方法に関し、該プ
リント配線板に表面実装型の電子部品を半田付けして実
装する際、ショート等の半田付け不良の発生の防止を目
的とする。 【構成】 銅パターン層７上に半田メッキ層６の形成工
程を終了した導体層パターン１を有するプリント配線板
２の電子部品と半田付けを行う導体層パターン領域1A
を、レジスト膜４で選択的に被覆して前記プリント配線
板２をエッチングし、電子部品と半田付けしない導体層
パターン領域1Bの銅パターン層７を選択的に露出した
後、前記レジス膜４を剥離し、次いで前記銅パターン層
７の露出した導体層パターン領域1Bにソルダーレジスト
膜８を選択的に被覆する工程を有することで構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板の表面処
理方法に係り、特に表面実装型の電子部品を実装するプ
リント配線板の表面処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図2(a)および該図2(a)のＡ−Ａ´線断面
図の図2(b)に示すように銅パターン層上に半田メッキ層
を形成した導体層パターン１を有するプリント配線板２
に、図2(c)に示すようなＱＦＰ(Quad Flat Package) 等
の表面実装型の電子部品３の端子５を半田付けして実装
する際の従来のプリント配線板の表面処理方法に付いて
述べる。

【０００３】図2(a)に示すように、銅箔を所定のパター
ンに形成した導体層パターン１を有するプリント配線板
２に於いて、図2(b)、図2(c)に示すように電子部品３の
端子５と半田付けしない導体層パターン領域1Bのみを、
選択的にレジスト膜４で被覆する。

【０００４】次いで該レジスト膜４で被覆した導体層パ
ターン１を有するプリント配線板２を、半田が溶融して
いる槽、或いは半田が噴流となって上昇する半田コート
装置を通過させ、電子部品３の端子５と半田付けをすべ
き導体層パターン領域1Aに半田層を形成する。

【０００５】次いでこの半田層を形成した導体層パター
ン領域1Aに電子部品３の端子５を半田付けしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】然し、上記した従来方
法では、高密度実装を図るために、上記電子部品３の端
子５の各々の間の距離が益々狭くなる傾向があり、この
端子５と接続するそれぞれの導体層パターン１の各々の
間の距離が益々狭くなる傾向になり、半田コート作業の
途中でこの各々の導体層パターン１間が半田でショート
する不都合が生じる。

【０００７】そのため、最近では上記導体層パターン１
を半田メッキ工程を施さずに、銅パターンよりなる導体
層パターン１に表面実装型の電子部品３の端子５を半田
付けして実装しており、この場合には、この導体層パタ
ーン１の半田付けを実施する導体層パターン領域1Aに、
半田クリームをスクリーン印刷方法を用いて塗布してい
る。

【０００８】然し、この場合に於いても導体層パターン
１の間のピッチが狭い場合は、上記スクリーン印刷方法
で半田クリームを塗布する際に、導体層パターン１同志
が塗布した半田クリームによりショートする問題があ
る。

【０００９】本発明は上記した問題点を解決し、導体層
パターン間がショートしないようにしたプリント配線板
の表面処理方法の提供を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のプリント配線板
の表面処理方法は、半田メッキ層の形成工程を終了した
導体層パターンを有するプリント配線板の電子部品と半
田付けを行う導体層パターン領域に、レジスト膜を選択
的に被覆して前記プリント配線板をエッチングし、電子
部品と半田付けしない領域の導体層パターン領域の銅パ
ターン層の部分を選択的に露出した後、前記レジスト膜
を剥離し、次いで前記銅パターン層の露出した導体層パ
ターンにソルダーレジスト膜を選択的に被覆する工程を
有すること特徴とする。

【００１１】

【作用】本発明は導体層パターンの全てに半田メッキ層
を形成した後、電子部品と半田付けを実施する導体層パ
ターンの領域にのみ、選択的にレジストパターンを被覆
したのち、このレジストパターンを被覆した領域以外の
導体層パターン領域を選択的にエッチングする。

【００１２】すると、導体層パターンの電子部品の端子
と半田付けする領域は、電解半田メッキ方法により形成
されており、この電解半田メッキ方法は、半田層の形成
速度が遅いために、導体層パターン間で半田がショート
する現象が避けられ、半田コート作業や、半田クリーム
の塗布作業の工程が入らないため、導体層パターン間で
半田がショートする現象が避けられる。

【００１３】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例に付き詳
細に説明する。図1(a)および図1(b)のＡ−Ａ´線断面図
に示すように、本発明の表面処理方法は、プリント配線
板２の銅パターン層７上に半田メッキ層６の形成工程を
終了した導体層パターン１で、電子部品と半田付けを行
う導体層パターン領域1Aを、レジスト膜４で選択的に被
覆する。

【００１４】次いで図1(c)に示すように、前記レジスト
膜４で被覆した導体層パターン１の半田メッキ層６はエ
ッチングするが、銅パターン層７はエッチングしない選
択エッチング液を用いて、電子部品と半田付けを行わな
い導体層パターン領域1Bを選択的にエッチングして、こ
の導体層パターン領域1Bの半田メッキ層６のみを選択的
にエッチングし、導体層パターン１の銅パターン層７を
露出する。

【００１５】そして電子部品と半田付けをする導体層パ
ターン領域1Aのみが、選択的に半田メッキ層６が形成さ
れている状態となり、この半田メッキ層６は電解半田メ
ッキ方法で形成されている。

【００１６】そのため、この半田メッキ層６の形成速度
は、従来の半田が溶融している槽、或いは半田が噴流と
なって上昇する半田コート装置を通過させて半田層を形
成する方法に比較して遅い。

【００１７】そのため、ピッチの狭い導体層パターン１
の間に跨がって半田層が析出するような事故がなくな
り、選択的に半田付けすべき導体層パターン1Aのみが半
田メッキされたことになり、半田層同士がショートする
現象が無くなる。

【００１８】次いで前記レジスト膜４をレジスト除去液
で除去したのち、図1(d)に示すようにこのように形成し
たプリント配線板の露出した銅パターン層７のみを、選
択的にソルダーレジスト膜８で被覆し、導体層パターン
１の半田メッキ層６を、赤外線ランプ等を備えた加熱炉
を通過させることで溶融させ、電子部品の端子と、溶融
した半田メッキ層とを半田付けする。

【００１９】このようにすると、導体層パターン１の電
子部品の端子と半田付けをする領域1Aにのみ、選択的に
半田メッキ層６が形成されるので、導体層パターン１間
に跨がって半田メッキ層６が形成される恐れが無くな
り、電子部品の端子に確実に半田付けされるのでショー
ト等の不良が発生する事故が無くなり、高信頼度の電子
部品の実装が行い得る。

【００２０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の表面処理方
法によれば、半田付けを必要とする導体層パターンの領
域に選択的に、確実に半田層が形成されるので、半田付
け不良が減少する効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の方法の説明図である。

【図２】 従来の方法の説明図である。

【符号の説明】

1 導体層パターン 1A,1B 導体層パターン領域 2 プリント配線板 3 電子部品 4 レジスト膜 5 端子 6 半田メッキ層 7 銅パターン層 8 ソルダーレジスト膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 銅パターン層(7) 上に半田メッキ層(6)
   の形成工程を終了した導体層パターン(1) を有するプリ
   ント配線板(2) の電子部品と半田付けを行う導体層パタ
   ーン領域(1A)を、レジスト膜(4) で選択的に被覆して前
   記プリント配線板(2) をエッチングし、 電子部品と半田付けしない導体層パターン領域(1B)の銅
   パターン層(7) を選択的に露出した後、前記レジス膜
   (4) を剥離し、 次いで前記銅パターン層(7) の露出した導体層パターン
   領域(1B)にソルダーレジスト膜(8) を選択的に被覆する
   工程を有することを特徴とするプリント配線板の表面処
   理方法。