JPH0568053B2 - - Google Patents
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- JPH0568053B2 JPH0568053B2 JP62316335A JP31633587A JPH0568053B2 JP H0568053 B2 JPH0568053 B2 JP H0568053B2 JP 62316335 A JP62316335 A JP 62316335A JP 31633587 A JP31633587 A JP 31633587A JP H0568053 B2 JPH0568053 B2 JP H0568053B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zone
- support lead
- insulating
- heating wire
- coating
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- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本発明は、ゲツター装置及びその製造方法に関
するものであり、特には内部通電加熱型ゲツター
装置において使用される絶縁材料に割れが生じな
いよう補強されたゲツター装置及びその製造方法
に関する。 (従来の技術) 非蒸発型ゲツター装置は良く知られている。産
業界で広く受け入れられているゲツター装置の一
つは、米国特許第3584253号に記載されている内
部通電加熱型のものである。これは、絶縁材料で
絶縁されている通電加熱用のコイルを粉末状ゲツ
ター材料で被覆したものである。加熱用コイルに
は、支持リード線が接続されている。加熱用コイ
ルの絶縁材料はゲツター材料から支持リード線に
沿つて外方に露出している。絶縁材料は一般に電
気泳動により付着されたアルミナである。 第1図は、そうした従来からの内部通電加熱型
の非蒸発型ゲツター装置100の断面を示す。こ
のゲツター装置は通電加熱用のワイヤ102を備
えている。2本の支持リード線104,104′
が部位106,106′においてワイヤ102と
一体に接続されている。電気泳動により付着され
た絶縁被覆108がワイヤ102と支持リード線
104,104′の下方部分110,110′を覆
つている。非蒸発型ゲツター材料112が絶縁被
覆108を取り巻いている。但し、支持リード線
の基端部を覆う絶縁被覆の一部は、非蒸発型ゲツ
ター材料112から外方に突出して114,11
4′として露出している。この露出部分114,
114′は、支持リード線104,104′と非蒸
発型ゲツター材料112との間のまた支持リード
線104,104′同志間の電気的絶縁を提供す
る。 (発明が解決しようとする課題) 電気泳動により付着された絶縁被覆は非常に脆
い。ゲツター装置が使用される容器(電気放電装
置、真空容器、希ガス充填装置)への取り付けの
ために取扱及び組み立て操作を受けるとき、支持
リード線に何らかの機械的力或いは衝撃が加わ
り、支持リード線が曲がることがある。こうした
支持リード線の曲がりは脆い絶縁被覆の露出部分
に直接伝達されて、その割れを生ぜしめる傾向が
ある。これは付着性の弱い粒子を生じ、ゲツター
装置が使用される容器内部で粒子の離脱を生じる
危険がある。これはゲツター装置を使用する装置
の作動を損なう原因となる。絶縁愛材料の割れと
粒子離脱は通常支持リード線が金属質のゲツター
材料から外部へ突出する部分において起こるの
で、短絡の危険も存在する。 本発明の課題は、内部通電加熱型の非蒸発型ゲ
ツター装置において、絶縁材料の割れや粒子の離
脱を生じない対策を講じることである。 (課題を解決するための手段) 本発明は、この課題を、支持リード線の基部を
その直径よりわずかに大きな内径を有する中空絶
縁筒により取り巻くことにより解決する。絶縁筒
の基端は支持リード線と加熱用ワイヤとの接続部
分に近接する。電気泳動により付着された絶縁被
覆は、(a)加熱用ワイヤを覆う第1帯域と、(b)第1
帯域と一体に形成されそして各絶縁筒の外周部分
を覆う第2帯域と、(c)第1帯域と一体に形成され
そして支持リード線の外周と絶縁筒の内面との間
に伸延する第3帯域とを含むものとして形成され
る。非蒸発型ゲツター材料が第1帯域及び第2帯
域を覆つてそして絶縁筒の一部を覆つて設けられ
る。この構成により、電気泳動により付着された
絶縁被覆は、支持リード線の外周と絶縁筒の内面
との間の狭い間〓を通してわずかに露出すること
を除いて、ゲツター材料により完全に被覆され
る。 斯くして、本発明は、 A 加熱用ワイヤと、 B 該加熱用ワイヤと一体に形成された2本の支
持リード線と、 C 各支持リード線を取り巻き、該支持リード線
より大きな内径を有する内面と外面とを有する
中空絶縁筒にして、各絶縁筒の一端は支持リー
ド線と加熱用ワイヤとの一体形成位置に近接し
て位置づけられる中空絶縁筒と、 D (a)加熱用ワイヤを覆う第1帯域と、(b)第1帯
域と一体に形成されそして各絶縁筒の外面部分
を覆う第2帯域と、(c)第1帯域と一体に形成さ
れそして支持リード線の外周と絶縁筒の内面と
の間に伸延する第3帯域と含む、電気泳動によ
り付着された絶縁被覆と、 E 前記電気泳動により付着された絶縁被覆の第
1帯域及び第2帯域を包囲しそして絶縁筒の外
面部分を覆つて設けられる非蒸発性ゲツター材
料とを備える非蒸発型ゲツター装置を提供す
る。 本発明はまた、加熱用ワイヤと、支持リード線
と中空絶縁筒との小組立体を絶縁被覆の電気泳動
用被覆懸濁中に浸漬する段階と、絶縁被覆を電気
泳動により付着して補強されたヒータ組立体を生
成する段階と、それを焼結する段階と、ゲツター
材料を被覆する段階とを含む、上記装置の便宜な
製造方法をも提供する。 (作用) 各支持リード線を取り巻き、基端を支持リード
線と加熱用ワイヤとの一体形成位置に近接して位
置づけられる中空絶縁筒は、支持リード線に加え
られた衝撃を封じ込め、外方に伝達されるのを防
止し、第1図と関連して示した絶縁被覆露出部分
114,114′の必要性を排除する。支持リー
ド線は、絶縁筒と支持リード線外周及び絶縁筒内
面の間の狭い間〓に形成された絶縁被覆とにより
しつかりと支持される。中空絶縁筒は、絶縁被覆
がゲツター材料により実質上完全に被覆されるこ
とを可能ならしめる。従つて、支持リード線に衝
撃が加わつても、絶縁被覆の割れや粒子の離脱を
生じることはない。支持リード線とゲツター材料
との短絡も防止され得る。加熱用ワイヤと、支持
リード線と中空絶縁筒との小組立体を絶縁被覆の
電気泳動用被覆懸濁液中に浸漬することにより懸
濁液は支持リード線と中空絶縁筒との間〓に表面
張力により侵入するので、絶縁被覆は電気泳動に
より障害なく付着される。 (実施例) 第2図を参照されたい。ここには本発明の非蒸
発型ゲツター装置200が示されている。第2図
の破線で囲んだ部分の拡大図である第3図をも参
照されたい。第2図と第3図の同じ部品には同じ
参照番号が付してある。焼結プロセスに耐えるこ
とが出来そして通電に際してヒーターとして機能
しうる任意の材料製とされる、螺旋状に巻かれた
加熱用ワイヤ204が示されている。螺旋状に巻
かれた加熱用ワイヤ204は、2つの端208,
208′を有する円筒表面206を構成する。円
筒表面206は中心軸線210を中心として配置
される。実質同長の2本の支持リード線212,
212′は、加熱用ワイヤ204と一体に形成さ
れておりそして同じ直径を有する。各支持リード
線212,212′は、円筒表面206の同一側
端208から伸延しそして互いに且つ中心軸線2
10に対して平行である。更に、これらは円筒表
面206の直径方向に対向して位置づけられてい
る。各支持リード線212,212′は、中空の、
電気的に絶縁性の、Al2O3セラミツク製筒21
4,214′によりそれぞれ取り巻かれている。
各絶縁筒は、外面216,216′及び内面21
8,218′を有する。セラミツク筒214の内
面218の内径220は支持リード線212の直
径222よりも1〜30%、好ましくは5〜20%大
きい。支持リード線212′に対するセラミツク
筒214′の内面218′の関係も同じである。セ
ラミツク筒214,214′の各々の一端224,
224′は、支持リード線212,212′と加熱
用ワイヤ204との一体形成位置226,22
6′に近接している。便宜上、第3図を参照して
説明するが、同じことは第2図の支持リード線2
12′とセラミツク筒214′についても言える。
電気泳動により付着されたAl2O3製絶縁被覆22
8が設けられ、これは、螺旋巻きモリブデン製の
加熱用ワイヤを0.03〜0.5mm、好ましくは0.05〜
0.2mmの厚さまで覆う第1帯域230を備えてい
る。絶縁被覆の第2帯域232は、第1帯域と一
体に形成され、セラミツク筒の外面216をその
長さの25〜90%の、好ましくは30〜60%の距離に
わたり覆つている。絶縁被覆の第3帯域234
は、前記第1帯域と一体に形成され、支持リード
線の外周とセラミツク筒の内面との間にその長さ
の80〜98%、好ましくはその長さの90〜98%の距
離まで伸延している。更に、電気液動により付着
されたAl2O3製絶縁被覆228の第1帯域230
及び第2達帯域232を完全に包囲して非蒸発性
ゲツター材料236が設けられる。更に、この非
蒸発性ゲツター材料236は、セラミツク筒21
4の外面216を第2帯域232と第3帯域23
4により覆われる距離間の10〜80%、好ましくは
20〜60%の距離まで覆つている。 本発明においては、任意の非蒸発性ゲツター材
料が使用され得るが、好ましいものは、次の成分
から構成される多孔質非蒸発性ゲツター材料であ
る: (a) チタン、ジルコニウム及びそれらの水素化物
から成る群から選択される粒状非蒸発性ゲツタ
ー材料; (b) () グラフアイト、 () アルミニウムを5〜30重量%含有するジ
ルコニウムとアルミニウムの合金、 () ジルコニウムウとM1及びM2(ここで、
M1はバナジウム或はニオブら成る群から選
択され、そしてM2は鉄及びニツケルから成
る群から選択される)との合金、 () 重量%組成がZr、V及びFeの三元組成図
にプロツトするとき(重量%)、その隅角点
として、 75%Zr−20%V−5%Fe 45%Zr−20%V−35%Fe 45%Zr−50%V−5%Fe により定義される点を有する三角形内にある Zr−V−Fe合金 から成る群から選択される粒状焼結防止剤。 つぎの表1は、被覆下に置かれるセラミツク筒
の幾つかの長さ間の好ましい関係を示す。
するものであり、特には内部通電加熱型ゲツター
装置において使用される絶縁材料に割れが生じな
いよう補強されたゲツター装置及びその製造方法
に関する。 (従来の技術) 非蒸発型ゲツター装置は良く知られている。産
業界で広く受け入れられているゲツター装置の一
つは、米国特許第3584253号に記載されている内
部通電加熱型のものである。これは、絶縁材料で
絶縁されている通電加熱用のコイルを粉末状ゲツ
ター材料で被覆したものである。加熱用コイルに
は、支持リード線が接続されている。加熱用コイ
ルの絶縁材料はゲツター材料から支持リード線に
沿つて外方に露出している。絶縁材料は一般に電
気泳動により付着されたアルミナである。 第1図は、そうした従来からの内部通電加熱型
の非蒸発型ゲツター装置100の断面を示す。こ
のゲツター装置は通電加熱用のワイヤ102を備
えている。2本の支持リード線104,104′
が部位106,106′においてワイヤ102と
一体に接続されている。電気泳動により付着され
た絶縁被覆108がワイヤ102と支持リード線
104,104′の下方部分110,110′を覆
つている。非蒸発型ゲツター材料112が絶縁被
覆108を取り巻いている。但し、支持リード線
の基端部を覆う絶縁被覆の一部は、非蒸発型ゲツ
ター材料112から外方に突出して114,11
4′として露出している。この露出部分114,
114′は、支持リード線104,104′と非蒸
発型ゲツター材料112との間のまた支持リード
線104,104′同志間の電気的絶縁を提供す
る。 (発明が解決しようとする課題) 電気泳動により付着された絶縁被覆は非常に脆
い。ゲツター装置が使用される容器(電気放電装
置、真空容器、希ガス充填装置)への取り付けの
ために取扱及び組み立て操作を受けるとき、支持
リード線に何らかの機械的力或いは衝撃が加わ
り、支持リード線が曲がることがある。こうした
支持リード線の曲がりは脆い絶縁被覆の露出部分
に直接伝達されて、その割れを生ぜしめる傾向が
ある。これは付着性の弱い粒子を生じ、ゲツター
装置が使用される容器内部で粒子の離脱を生じる
危険がある。これはゲツター装置を使用する装置
の作動を損なう原因となる。絶縁愛材料の割れと
粒子離脱は通常支持リード線が金属質のゲツター
材料から外部へ突出する部分において起こるの
で、短絡の危険も存在する。 本発明の課題は、内部通電加熱型の非蒸発型ゲ
ツター装置において、絶縁材料の割れや粒子の離
脱を生じない対策を講じることである。 (課題を解決するための手段) 本発明は、この課題を、支持リード線の基部を
その直径よりわずかに大きな内径を有する中空絶
縁筒により取り巻くことにより解決する。絶縁筒
の基端は支持リード線と加熱用ワイヤとの接続部
分に近接する。電気泳動により付着された絶縁被
覆は、(a)加熱用ワイヤを覆う第1帯域と、(b)第1
帯域と一体に形成されそして各絶縁筒の外周部分
を覆う第2帯域と、(c)第1帯域と一体に形成され
そして支持リード線の外周と絶縁筒の内面との間
に伸延する第3帯域とを含むものとして形成され
る。非蒸発型ゲツター材料が第1帯域及び第2帯
域を覆つてそして絶縁筒の一部を覆つて設けられ
る。この構成により、電気泳動により付着された
絶縁被覆は、支持リード線の外周と絶縁筒の内面
との間の狭い間〓を通してわずかに露出すること
を除いて、ゲツター材料により完全に被覆され
る。 斯くして、本発明は、 A 加熱用ワイヤと、 B 該加熱用ワイヤと一体に形成された2本の支
持リード線と、 C 各支持リード線を取り巻き、該支持リード線
より大きな内径を有する内面と外面とを有する
中空絶縁筒にして、各絶縁筒の一端は支持リー
ド線と加熱用ワイヤとの一体形成位置に近接し
て位置づけられる中空絶縁筒と、 D (a)加熱用ワイヤを覆う第1帯域と、(b)第1帯
域と一体に形成されそして各絶縁筒の外面部分
を覆う第2帯域と、(c)第1帯域と一体に形成さ
れそして支持リード線の外周と絶縁筒の内面と
の間に伸延する第3帯域と含む、電気泳動によ
り付着された絶縁被覆と、 E 前記電気泳動により付着された絶縁被覆の第
1帯域及び第2帯域を包囲しそして絶縁筒の外
面部分を覆つて設けられる非蒸発性ゲツター材
料とを備える非蒸発型ゲツター装置を提供す
る。 本発明はまた、加熱用ワイヤと、支持リード線
と中空絶縁筒との小組立体を絶縁被覆の電気泳動
用被覆懸濁中に浸漬する段階と、絶縁被覆を電気
泳動により付着して補強されたヒータ組立体を生
成する段階と、それを焼結する段階と、ゲツター
材料を被覆する段階とを含む、上記装置の便宜な
製造方法をも提供する。 (作用) 各支持リード線を取り巻き、基端を支持リード
線と加熱用ワイヤとの一体形成位置に近接して位
置づけられる中空絶縁筒は、支持リード線に加え
られた衝撃を封じ込め、外方に伝達されるのを防
止し、第1図と関連して示した絶縁被覆露出部分
114,114′の必要性を排除する。支持リー
ド線は、絶縁筒と支持リード線外周及び絶縁筒内
面の間の狭い間〓に形成された絶縁被覆とにより
しつかりと支持される。中空絶縁筒は、絶縁被覆
がゲツター材料により実質上完全に被覆されるこ
とを可能ならしめる。従つて、支持リード線に衝
撃が加わつても、絶縁被覆の割れや粒子の離脱を
生じることはない。支持リード線とゲツター材料
との短絡も防止され得る。加熱用ワイヤと、支持
リード線と中空絶縁筒との小組立体を絶縁被覆の
電気泳動用被覆懸濁液中に浸漬することにより懸
濁液は支持リード線と中空絶縁筒との間〓に表面
張力により侵入するので、絶縁被覆は電気泳動に
より障害なく付着される。 (実施例) 第2図を参照されたい。ここには本発明の非蒸
発型ゲツター装置200が示されている。第2図
の破線で囲んだ部分の拡大図である第3図をも参
照されたい。第2図と第3図の同じ部品には同じ
参照番号が付してある。焼結プロセスに耐えるこ
とが出来そして通電に際してヒーターとして機能
しうる任意の材料製とされる、螺旋状に巻かれた
加熱用ワイヤ204が示されている。螺旋状に巻
かれた加熱用ワイヤ204は、2つの端208,
208′を有する円筒表面206を構成する。円
筒表面206は中心軸線210を中心として配置
される。実質同長の2本の支持リード線212,
212′は、加熱用ワイヤ204と一体に形成さ
れておりそして同じ直径を有する。各支持リード
線212,212′は、円筒表面206の同一側
端208から伸延しそして互いに且つ中心軸線2
10に対して平行である。更に、これらは円筒表
面206の直径方向に対向して位置づけられてい
る。各支持リード線212,212′は、中空の、
電気的に絶縁性の、Al2O3セラミツク製筒21
4,214′によりそれぞれ取り巻かれている。
各絶縁筒は、外面216,216′及び内面21
8,218′を有する。セラミツク筒214の内
面218の内径220は支持リード線212の直
径222よりも1〜30%、好ましくは5〜20%大
きい。支持リード線212′に対するセラミツク
筒214′の内面218′の関係も同じである。セ
ラミツク筒214,214′の各々の一端224,
224′は、支持リード線212,212′と加熱
用ワイヤ204との一体形成位置226,22
6′に近接している。便宜上、第3図を参照して
説明するが、同じことは第2図の支持リード線2
12′とセラミツク筒214′についても言える。
電気泳動により付着されたAl2O3製絶縁被覆22
8が設けられ、これは、螺旋巻きモリブデン製の
加熱用ワイヤを0.03〜0.5mm、好ましくは0.05〜
0.2mmの厚さまで覆う第1帯域230を備えてい
る。絶縁被覆の第2帯域232は、第1帯域と一
体に形成され、セラミツク筒の外面216をその
長さの25〜90%の、好ましくは30〜60%の距離に
わたり覆つている。絶縁被覆の第3帯域234
は、前記第1帯域と一体に形成され、支持リード
線の外周とセラミツク筒の内面との間にその長さ
の80〜98%、好ましくはその長さの90〜98%の距
離まで伸延している。更に、電気液動により付着
されたAl2O3製絶縁被覆228の第1帯域230
及び第2達帯域232を完全に包囲して非蒸発性
ゲツター材料236が設けられる。更に、この非
蒸発性ゲツター材料236は、セラミツク筒21
4の外面216を第2帯域232と第3帯域23
4により覆われる距離間の10〜80%、好ましくは
20〜60%の距離まで覆つている。 本発明においては、任意の非蒸発性ゲツター材
料が使用され得るが、好ましいものは、次の成分
から構成される多孔質非蒸発性ゲツター材料であ
る: (a) チタン、ジルコニウム及びそれらの水素化物
から成る群から選択される粒状非蒸発性ゲツタ
ー材料; (b) () グラフアイト、 () アルミニウムを5〜30重量%含有するジ
ルコニウムとアルミニウムの合金、 () ジルコニウムウとM1及びM2(ここで、
M1はバナジウム或はニオブら成る群から選
択され、そしてM2は鉄及びニツケルから成
る群から選択される)との合金、 () 重量%組成がZr、V及びFeの三元組成図
にプロツトするとき(重量%)、その隅角点
として、 75%Zr−20%V−5%Fe 45%Zr−20%V−35%Fe 45%Zr−50%V−5%Fe により定義される点を有する三角形内にある Zr−V−Fe合金 から成る群から選択される粒状焼結防止剤。 つぎの表1は、被覆下に置かれるセラミツク筒
の幾つかの長さ間の好ましい関係を示す。
【表】
第4図は、本発明の非蒸発型ゲツター装置の製
造方法に有用な装置400を示す。装置400
は、Al2O3の電気泳動被覆に適合した被覆用懸濁
液404の浴を保持するタンク402を備える。
被覆用懸濁液浴は、1250〜1750gの、好ましくは
1400〜1600gのアルミナタイプA(38−900)を含
む。浴はまた、750〜1250g、好ましくは900〜
1100gのアルミナ型DYNAMITを含有している。
25〜75gの、好ましくは40〜60gの乾燥硝酸マグ
ネシウムも添加される。1600〜2000cm3、好ましく
は1700〜1900cm3の95%エチルアルコールが、1000
〜1500cm3、好ましくは1150〜1350cm3の蒸留水と共
に添加される。最後に、115〜155cm3、好ましくは
125〜145cm3の液状結合剤が添加される。液状結合
剤は、斯界で周知の方法に従い硝酸アルミニウム
の溶液にアルミニウム削り屑を溶かすことにより
好適に調製しうる。ヒータ小組立体406が螺旋
巻きモリブデン加熱用ワイヤ408を二つの端4
12,412′を有する。中心軸線414を中心
とする円筒表面410を形成するように付形する
ことにより作製される。更に実質同じ長さの2本
の支持リード線416,416′が加熱用ワイヤ
408と一体に形成される。支持リード線は、加
熱用ワイヤと同一直径を有しそして円筒表面の端
412から中心軸線に平行な方向に伸延しそして
直径方向に対向して位置づけられる。各支持リー
ド線は中空の、電気的に絶縁性のAl2O3セラミツ
ク筒418,418′により取り巻かれる。絶縁
筒は、外面420,420′と内面422,42
2′とを有する。その内径は支持リード線の直径
より1〜30%、好ましくは5〜20%大きい。各セ
ラミツク筒418,418′の一端424,42
4′は、支持リード線と加熱用ワイヤとの一体形
成位置426,426′に近接している。こうし
て作製されたヒータ小組立体の寸法を以下の表2
に示す。
造方法に有用な装置400を示す。装置400
は、Al2O3の電気泳動被覆に適合した被覆用懸濁
液404の浴を保持するタンク402を備える。
被覆用懸濁液浴は、1250〜1750gの、好ましくは
1400〜1600gのアルミナタイプA(38−900)を含
む。浴はまた、750〜1250g、好ましくは900〜
1100gのアルミナ型DYNAMITを含有している。
25〜75gの、好ましくは40〜60gの乾燥硝酸マグ
ネシウムも添加される。1600〜2000cm3、好ましく
は1700〜1900cm3の95%エチルアルコールが、1000
〜1500cm3、好ましくは1150〜1350cm3の蒸留水と共
に添加される。最後に、115〜155cm3、好ましくは
125〜145cm3の液状結合剤が添加される。液状結合
剤は、斯界で周知の方法に従い硝酸アルミニウム
の溶液にアルミニウム削り屑を溶かすことにより
好適に調製しうる。ヒータ小組立体406が螺旋
巻きモリブデン加熱用ワイヤ408を二つの端4
12,412′を有する。中心軸線414を中心
とする円筒表面410を形成するように付形する
ことにより作製される。更に実質同じ長さの2本
の支持リード線416,416′が加熱用ワイヤ
408と一体に形成される。支持リード線は、加
熱用ワイヤと同一直径を有しそして円筒表面の端
412から中心軸線に平行な方向に伸延しそして
直径方向に対向して位置づけられる。各支持リー
ド線は中空の、電気的に絶縁性のAl2O3セラミツ
ク筒418,418′により取り巻かれる。絶縁
筒は、外面420,420′と内面422,42
2′とを有する。その内径は支持リード線の直径
より1〜30%、好ましくは5〜20%大きい。各セ
ラミツク筒418,418′の一端424,42
4′は、支持リード線と加熱用ワイヤとの一体形
成位置426,426′に近接している。こうし
て作製されたヒータ小組立体の寸法を以下の表2
に示す。
【表】
ヒータ小組立体はその後、被覆用懸濁液404
を収納する装置400内に、被覆用懸濁液が加熱
用ワイヤを覆いそして各セラミツク筒をその長さ
の25〜90%、好ましくは30〜60%の距離まで覆う
ような深さまで漬けられる、液はまた、支持リー
ド線の外周の各筒の内面との間の空間にその長さ
の90〜98%の距離まで侵入する。 その後、75VとD.C.電圧が、加熱用ワイヤと小
組立体406を取り巻く円形電極(図示無し)と
の間に30秒間適用されて、Al2O3絶縁被覆を電気
泳動により付着し、似つて螺旋巻きモリブデン加
熱用ワイヤ408を0.05〜0.3mmの厚さまで覆う
第1帯域と、第1帯域と一体に形成されそして各
セラミツク筒の外面をその長さの30〜60%の距離
まで覆う第2帯域と、第1帯域と一体に形成され
そして支持リード線の外周と各筒の内面との間に
その長さの90〜98%の距離まで伸延する第3帯域
とを創成する。こうして、補強されたヒータ小組
立体が生成される。表3は作製された補強ヒータ
小組立体の寸法を示す。
を収納する装置400内に、被覆用懸濁液が加熱
用ワイヤを覆いそして各セラミツク筒をその長さ
の25〜90%、好ましくは30〜60%の距離まで覆う
ような深さまで漬けられる、液はまた、支持リー
ド線の外周の各筒の内面との間の空間にその長さ
の90〜98%の距離まで侵入する。 その後、75VとD.C.電圧が、加熱用ワイヤと小
組立体406を取り巻く円形電極(図示無し)と
の間に30秒間適用されて、Al2O3絶縁被覆を電気
泳動により付着し、似つて螺旋巻きモリブデン加
熱用ワイヤ408を0.05〜0.3mmの厚さまで覆う
第1帯域と、第1帯域と一体に形成されそして各
セラミツク筒の外面をその長さの30〜60%の距離
まで覆う第2帯域と、第1帯域と一体に形成され
そして支持リード線の外周と各筒の内面との間に
その長さの90〜98%の距離まで伸延する第3帯域
とを創成する。こうして、補強されたヒータ小組
立体が生成される。表3は作製された補強ヒータ
小組立体の寸法を示す。
【表】
補強ヒータ組立体は、その後、水素炉において
1600〜1700℃の温度で3′から10′焼結されて、焼
結補強ヒータ組立体を生成する。その後、焼結補
強ヒータ組立体は、斯界で周知の技術のいずれか
に従い、非蒸発性ゲツター材料で被覆される。非
蒸発性ゲツター材料は好ましくは多孔質でありそ
して次のものから成る: (a) チタン、ジルコニウム及びそれらの水素化物
から成る群から選択される粒状非蒸発性ゲツタ
ー材料; (b) () グラフアイト、 () アルミニウムを5〜30重量%含有するジ
ルコニウムとアルミニウム合金、 () ジルコニウムとM1及びM2(ここで、M1
はバナジウム或はニオブから成る群から選択
され、そしてM2は鉄及びニツケルから成る
群から選択される)との合金、 () 重量%組成がZr、V及びFeと三元組成図
にプロツトするとき(重量%)、その隅角点
として、 75%Zr−20%V−5%Fe 45%Zr−20%V−35%Fe 45%Zr−50%V−5%Fe により定義される点を有する三角形内にある Zr−V−Fe合金 から成る群から選択される粒状焼結防止剤。 非蒸発性ゲツター材料は、電気泳動により付着
されたAl2O3絶縁被覆の第1及び第2帯域を完全
に包囲しそして各セラミツク筒の外面を第2及び
第3帯域により覆われる距離間の中間の距離まで
被覆する。 Al2O3セラミツク筒が様々の形態を散りうるこ
とが認識されよう。例えば、第5図は、筒部分5
02に追加筒翼部分504に設けたまま別の
Al2O3セラミツク筒を示す。当業者は、本発明の
範囲内で幾つかの改変を実現しよう。例えば、筒
外面に、そこに凹入する或はそこから凸出する垂
直溝乃至螺旋溝を設けることが出来る。翼部分は
単一でも良いし或は筒長さに沿つて複数個設けて
も良い。 第6図は、本発明の、また別の非蒸発型ゲツタ
ー装置600の概略断面を示す。これは、ヒータ
が螺旋形態ではなく、直線形態を有する点を除い
て、すべての点で第2図のゲツター装置と同等で
ある。 (発明の効果) 内部帯電加熱型の非蒸発型ゲツター装置におい
て、絶縁材料の割れや粒子の離脱を生じない簡便
な対策の確立に成功した。
1600〜1700℃の温度で3′から10′焼結されて、焼
結補強ヒータ組立体を生成する。その後、焼結補
強ヒータ組立体は、斯界で周知の技術のいずれか
に従い、非蒸発性ゲツター材料で被覆される。非
蒸発性ゲツター材料は好ましくは多孔質でありそ
して次のものから成る: (a) チタン、ジルコニウム及びそれらの水素化物
から成る群から選択される粒状非蒸発性ゲツタ
ー材料; (b) () グラフアイト、 () アルミニウムを5〜30重量%含有するジ
ルコニウムとアルミニウム合金、 () ジルコニウムとM1及びM2(ここで、M1
はバナジウム或はニオブから成る群から選択
され、そしてM2は鉄及びニツケルから成る
群から選択される)との合金、 () 重量%組成がZr、V及びFeと三元組成図
にプロツトするとき(重量%)、その隅角点
として、 75%Zr−20%V−5%Fe 45%Zr−20%V−35%Fe 45%Zr−50%V−5%Fe により定義される点を有する三角形内にある Zr−V−Fe合金 から成る群から選択される粒状焼結防止剤。 非蒸発性ゲツター材料は、電気泳動により付着
されたAl2O3絶縁被覆の第1及び第2帯域を完全
に包囲しそして各セラミツク筒の外面を第2及び
第3帯域により覆われる距離間の中間の距離まで
被覆する。 Al2O3セラミツク筒が様々の形態を散りうるこ
とが認識されよう。例えば、第5図は、筒部分5
02に追加筒翼部分504に設けたまま別の
Al2O3セラミツク筒を示す。当業者は、本発明の
範囲内で幾つかの改変を実現しよう。例えば、筒
外面に、そこに凹入する或はそこから凸出する垂
直溝乃至螺旋溝を設けることが出来る。翼部分は
単一でも良いし或は筒長さに沿つて複数個設けて
も良い。 第6図は、本発明の、また別の非蒸発型ゲツタ
ー装置600の概略断面を示す。これは、ヒータ
が螺旋形態ではなく、直線形態を有する点を除い
て、すべての点で第2図のゲツター装置と同等で
ある。 (発明の効果) 内部帯電加熱型の非蒸発型ゲツター装置におい
て、絶縁材料の割れや粒子の離脱を生じない簡便
な対策の確立に成功した。
第1図は、絶縁ヒータを備える先行技術のゲツ
ター装置の断面図を示す。第2図は、本発明の非
蒸発型ゲツター装置の断面図である。第3図は、
第2図の破線内に囲まれた部分の拡大断面図であ
る。第4図は、ゲツター装置作製に有用な、ヒー
タ小組立体を浸漬した電気泳動付着浴の断面図で
ある。第5図は、絶縁筒の変更例の断面図であ
る。第6図は、本発明の非蒸発型ゲツター装置の
別の具体的の断面図である。 200:ゲツター装置、204:加熱用ワイ
ヤ、212:支持リード線、214:筒、21
6:外面、218:内面、228:絶縁被覆、2
30:第1帯域、232:第2帯域、234:第
3帯域、236:非蒸発性ゲツター材料、40
2:タンク、404:被覆用懸濁液。
ター装置の断面図を示す。第2図は、本発明の非
蒸発型ゲツター装置の断面図である。第3図は、
第2図の破線内に囲まれた部分の拡大断面図であ
る。第4図は、ゲツター装置作製に有用な、ヒー
タ小組立体を浸漬した電気泳動付着浴の断面図で
ある。第5図は、絶縁筒の変更例の断面図であ
る。第6図は、本発明の非蒸発型ゲツター装置の
別の具体的の断面図である。 200:ゲツター装置、204:加熱用ワイ
ヤ、212:支持リード線、214:筒、21
6:外面、218:内面、228:絶縁被覆、2
30:第1帯域、232:第2帯域、234:第
3帯域、236:非蒸発性ゲツター材料、40
2:タンク、404:被覆用懸濁液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 非蒸発性ゲツター装置にして、 A 加熱用ワイヤと、 B 該加熱用ワイヤと一体に形成された2本の支
持リード線と、 C 各支持リード線を取り巻き、該支持リード線
の直径より大きな内径を有する内面と外面とを
有する中空絶縁筒にして、各絶縁筒の一端は支
持リード線と加熱用ワイヤとの一体形成位置に
近接して位置づけられる中空絶縁筒と、 D (a)加熱用ワイヤを覆う第1帯域、(b)該第1帯
域と一体に形成されそして各絶縁筒の外面部分
を覆う第2帯域及び(c)前記第1帯域と一体に形
成されそして支持リード線の外周と絶縁筒の内
周との間に伸延する第3帯域を含む、電気泳動
により付着された絶縁被覆と、 E 電気泳動により付着された絶縁被覆の第1帯
域及び第2帯域を包囲しそして絶縁筒の外面部
分を覆つて設けられる非蒸発性ゲツター材料と
を備える非蒸発型ゲツター装置。 2 絶縁筒の内径が支持リード線の直径より1〜
30%大きい特許請求の範囲第1項記載のゲツター
装置。 3 絶縁筒の内径が支持リード線の直径より5〜
20%大きい特許請求の範囲第1項記載のゲツター
装置。 4 電気泳動付着絶縁被覆の第1帯域が0.03〜
0.5mmの厚さを有する特許請求の範囲第1項記載
のゲツター装置。 5 電気泳動付着絶縁被覆の第2帯域が絶縁筒外
面をその長さの25〜90%の距離まで覆う特許請求
の範囲第1項記載のゲツター装置。 6 電気泳動付着絶縁被覆の第3帯域が支持リー
ド線の外周とセラミツク筒の内面との間にその長
さの80〜98%の距離まで伸延している特許請求の
範囲第1項記載のゲツター装置。 7 A 二つの端を有し、中心軸線を中心として
配置される円筒表面を形成する螺旋巻きモリブ
テン加熱用ワイヤと、 B 実質同長で、加熱用ワイヤと一体に形成され
そして同じ直径を有する2本の支持リード線に
して、前記円筒表面の同一側端から中心軸線に
平行に伸延しそして直径方向に対向して位置ず
けられる2本の支持リード線と、 C 各支持リード線を取り巻き、該支持リード線
の直径より5〜20%大きな内径を有する内面と
外面とを有する、中空の電気的に絶縁性の
Al2O3セラミツク筒にして、各セラミツク筒の
一端は支持リード線と加熱用ワイヤとの一体形
成位置に近接して位置づけられる中空セラミツ
ク筒と、 D (a)螺旋巻きモリブデン加熱用ワイヤを0.05〜
0.2mmの範囲の厚さに覆う第1帯域、(b)該第1
帯域と一体に形成されそして各セラミツク筒の
外面部分をその長さの30〜60%の距離まで覆う
第2帯域及び(c)前記第1帯域と一体に形成され
そして支持リード線の外周とセラミツク筒の内
周の間にその長さの90〜98%の距離まで伸延す
る第3帯域を含む電気泳動により付着された
Al2O3絶縁被覆と、 E 非蒸発性ゲツター材料にして、 (a) チタン、ジルコニウム及びそれらの水素化
物から成る群から選択される粒状非蒸発性ゲ
ツター材料;及び (b) () グラフアイト、 () アルミニウムを5〜30重量%含有する
ジルコニウムとアルミニウムの合金、 () ジルコニウムとM1及びM2(ここで、
M1はバナジウム或はニオブから成る群か
ら選択され、そしてM2は鉄及びニツケル
から成る群から選択される)との合金、 () 重量%組成がZr、V及びFeの三元組成
図にプロツトするとき(重量%)、その隅
角点として、 75%Zr−20%V−5%Fe 45%Zr−20%V−35%Fe 45%Zr−50%V−5%Fe により定義される点を有する三角形内にあ
る Zr−V−Fe合金 から成る群から選択される粒状焼結防止剤 を含有し、該非蒸発性ゲツター材料が電気泳動
により付着されたAl2O3絶縁被覆の第1帯域及
び第2帯域を包囲しそしてセラミツク筒の外面
部分を第2及び第3電気泳動付着帯域により覆
われる距離間の20〜60%の距離まで覆つて設け
られる非蒸発性ゲツター材料 を備える特許請求の範囲第1項記載の非蒸発型ゲ
ツター装置。 8 非蒸発性ゲツター装置を製造する方法であつ
て、 ()A 加熱用ワイヤと、 B 該加熱用ワイヤと一体に形成された2本の
支持リード線と、 C 各支持リード線を取り巻き、該支持リード
線の直径より大きな内径を有する内面と外面
とを有する中空絶縁筒にして、各絶縁筒の一
端は支持リード線と加熱用ワイヤとの一体形
成位置に近接して位置づけられる中空絶縁筒
と を包含するヒータ小組立体を、絶縁被覆の電気
泳動付着用被覆懸濁液の浴中に、被覆懸濁液
が、(a)加熱用ワイヤを覆い、(b)各セラミツク筒
の外面部分を覆いそして(c)支持リード線の外周
とセラミツク筒の内周の間に侵入するような深
さまで浸漬する段階と、 () 絶縁被覆を電気泳動により付着して、(a)加
熱用ワイヤを覆う第1帯域、(b)該第1帯域と一
体に形成されそして各絶縁筒の外面部分を覆う
第2帯域及び(c)前記第1帯域と一体に形成され
そして支持リード線の外周と絶縁筒の内周の間
に伸延する第3帯域を生成し、以つて補強され
たヒータ組立体を生成する段階と、 () ついで、該補強されたヒータ組立体を焼結
して、焼結補強ヒータ組立体を生成する段階
と、 () 該焼結補強ヒータ組立体を非蒸発性ゲツタ
ー材料で、該ゲツター材料が電気泳動により付
着された絶縁被覆の第1帯域及び第2帯域を包
囲しそして絶縁筒の外面部分を覆うように被覆
する段階と を包含する非蒸発発性ゲツター装置製造方法。 9 絶縁筒の内径が支持リード線の直径より1〜
30%大きい特許請求の範囲第8項記載の非蒸発性
ゲツター装置製造方法。 10 絶縁筒の内径が支持リード線の直径より5
〜20%大きい特許請求の範囲第8項記載の非蒸発
性ゲツター装置製造方法。 11 電気泳動付着された絶縁被覆の第1帯域が
0.03〜0.5mmの厚さに被覆される特許請求の範囲
第8項記載の非蒸発性ゲツター装置製造方法。 12 電気泳動付着絶縁被覆の第2帯域が絶縁筒
外面をその長さの25〜90%の距離まで覆う特許請
求の範囲第8項記載の非蒸発性ゲツター装置製造
方法。 13 電気泳動付着絶縁被覆の第3帯域が支持リ
ード線の外周とセラミツク筒の内面との間にその
長さの80〜98%の距離まで付着される特許請求の
範囲第8項記載の非蒸発性ゲツター装置製造方
法。 14 非蒸発性ゲツター装置製造方法にして、 A 二つの端を有し、中心軸線を中心として配置
される円筒表面を形成する螺旋巻きモリブデン
加熱用ワイヤと、 B 実質同長で、加熱用ワイヤと一体に形成され
そして同じ直径を有する2本の支持リード線に
して、円筒表面の同一側端から中心軸線に平行
に伸延しそして直径方向に対向して位置づけら
れている2本の支持リード線と、 C 各支持リード線を取り巻き、該支持リード線
の直径より5〜20%大きな内径を有する内面と
外面とを有する中空の電気的に絶縁性のAl2O3
セラミツク筒にして、各セラミツク筒の一端は
支持リード線と加熱用ワイヤとの一体形成位置
に近接して位置づけられる中空セラミツク筒
と、 を包含するヒータ小組立体を、Al2O3の電気泳動
被覆用被覆懸濁液の欲中に、被覆懸濁液が、(a)加
熱用ワイヤを覆い、(b)各セラミツク筒をその長さ
の30〜60%の距離まで覆いそして(c)支持リード線
の外周とセラミツク筒の内周の間にその長さの90
〜98%の距離まで侵入するような深さまで浸漬す
る段階と、 () Al2O3絶縁被覆を電気泳動により付着し、
(a)螺旋巻きモリブデン加熱用ワヤを0.05〜0.2
mmの範囲の厚さに覆う第1帯域、(b)該第1帯域
と一体に形成されそして各セラミツク筒の外面
部分をその長さの30〜60%の距離まで覆う第2
帯域及び(c)前記第1帯域と一体に形成されそし
て支持リード線の外周とセラミツク筒の内周の
間にその長さの90〜98%伸延する第3帯域を生
成し、以つて補強されたヒータ組立体を生成す
る段階と、 () ついで、該補強されたヒータ組立体を水素
炉において1600〜1700℃の温度で3分から10分
の間焼結して、焼結補強ヒータ組立体を生成す
る段階と、 () 焼結補強ヒータ組立体を、 (a) チタン、ジルコニウム及びそれらの水素化物
から成る群から選択される粒状非蒸発性ゲツタ
ー材料; (b) () グラフアイト、 () アルミニウムを5〜30重量%含有する
ジルコニウムとアルミニウムの合金、 () ジルコニウムとM1及びM2(ここで、
M1はバナジウム或はニオブから成る群か
ら選択され、そしてM2は鉄及びニツケル
から成る群ら選択される)との合金、 () 重量%組成がZr、V及びFeの三元組成
図にプロツトするとき(重量%)、その隅
角点として、 75%Zr−20%V−5%Fe 45%Zr−20%V−35%Fe 45%Zr−50%V−5%Fe により定義される点を有する三角形内にあ
る Zr−V−Fe合金 から成る群から選択される粒状焼結防止剤 を含有する非蒸発性ゲツター材料によつて、該非
蒸発性ゲツター材料が電気泳動により付着された
Al2O3絶縁被覆の第1帯域及び第2帯域を包囲し
そしてセラミツク筒の外面部分を第2及び第3電
気泳動付着帯域により覆われる距離間の20〜60%
の距離まで覆うようにして被覆する段階とを包含
する特許請求の範囲第8項記載の非蒸発性ゲツタ
ー装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62316335A JPH01169828A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 非蒸発型ゲッター装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62316335A JPH01169828A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 非蒸発型ゲッター装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169828A JPH01169828A (ja) | 1989-07-05 |
| JPH0568053B2 true JPH0568053B2 (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=18075978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62316335A Granted JPH01169828A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 非蒸発型ゲッター装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169828A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10450199B2 (en) | 2015-03-02 | 2019-10-22 | Basf Se | Nanoparticles for the use as pinning centers in superconductors |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248523A (en) * | 1975-10-16 | 1977-04-18 | Ise Electronics Corp | Production method of getter |
| IT1198325B (it) * | 1980-06-04 | 1988-12-21 | Getters Spa | Struttura e composizione getteranti,particolarmente adatti per basse temperature |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP62316335A patent/JPH01169828A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01169828A (ja) | 1989-07-05 |
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