JPH0568396A - インダクタンスコイルの通電制御装置 - Google Patents

インダクタンスコイルの通電制御装置

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JPH0568396A
JPH0568396A JP3303727A JP30372791A JPH0568396A JP H0568396 A JPH0568396 A JP H0568396A JP 3303727 A JP3303727 A JP 3303727A JP 30372791 A JP30372791 A JP 30372791A JP H0568396 A JPH0568396 A JP H0568396A
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capacitor
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    • F16CSHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
    • F16C32/00Bearings not otherwise provided for
    • F16C32/04Bearings not otherwise provided for using magnetic or electric supporting means
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、インダクタンスコイルの通電電流
の制御を時間おくれなしに正確に行なう装置を得ること
である。 【構成】 インダクタンスコイル1の電源正負極側にト
ランジスタ3,4のような半導体スイッチング素子を2
個接続し、入力信号電圧に比例した励磁電流とするチョ
ッパ回路を構成し、インダクタンスコイルの通電が断た
れたときの磁気エネルギを小容量のコンデンサ5に充電
して高電圧とすることにより、励磁電流の降下を急速と
し、通電が開始されたときに、コンデンサ5の高電圧に
より励磁電流の立上がりを急速とすることにより、入力
信号電圧に正確に比例した励磁電流が得られる構成とな
っている。上述した構成では、インダクタンスコイル1
の鉄損と銅損により磁気エネルギが消耗するので、励磁
電流の制御の応答性が充分でない。この欠点を除去する
為にインダクタンスコイル1aをサイクリックに通電
し、そのときの磁気エネルギをコンデンサ5に充電して
応答性をより高速とする構成が付加される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】出力が大きい電動機の電機子コイ
ルの通電電流を高速度回転のときに、指定した波形の通
電制御を行なう場合に利用される。又磁気軸受の電磁石
の電流の制御は、その励磁コイルのインダクタンスが大
きいので、回転子を浮上せしめる為の通電電流の急速な
変化が困難となる。かかる困難な問題が、本発明の手段
を利用することにより除去される。
【従来の技術】インダクタンスコイルの通電電流のチョ
ッパ回路の応答性を良好とする為には、インダクタンス
コイルのインダクタンスが大きい場合には、対応して電
源電圧を高くして、通電電流の立上がりを急速とし、イ
ンダクタンスによる蓄積磁気エネルギを電源に還流する
ことにより、通電電流の降下を急速として応答性を速く
して通電流の制御を行なっている。
【発明が解決しようとする課題】第1の課題 前項で説
明したように、チョッパ回路によるインダクタンスコイ
ルの通電電流の応答性を高速とするには、電源電圧を高
くする手段があるが、より高速な応答性を得る為には、
電源電圧が著しく高くなり、実用性が失なわれる問題点
がある。例えば、出力500ワットの一般の電動機、リ
ラクタンス型の電動機の場合に、電機子電流のチョッパ
制御のパルス巾を数マイクロセコンド位とする為には、
駆動トルクを得る為の印加電圧の5〜10倍の電圧が必
要となり、実用性が失なわれる問題点がある。上述した
問題は、磁気軸受の電磁石の励磁コイルの急速制御につ
いても全く同じ欠点となっている。第2の課題 図2に
ついて後述するが、通電電流を制御する信号電圧曲線1
4の立上がりと降下が急速な場合には、インダクタンス
コイル1の通電電流が追随して変更されない問題点があ
る。チョッパ電流についても同じ問題点がある。
【0002】
【課題を解決するための手段】磁心に捲着された第1の
インダクタンスコイルならびにその両端に接続された第
1,第2の半導体スイッチング素子と、第1の半導体ス
イッチング素子側が正極に接続され、第2の半導体スイ
ッチング素子側が負極に接続されて第1のインダクタン
スコイルに供電する直流電源と、第1のインダクタンス
コイルと第2の半導体スイッチング素子の直列接続体に
逆接続された第1のダイオードと、第1のインダクタン
スコイルと第2の半導体スイッチング素子の接続部に入
力側が接続された第2のダイオードと、第1のインダク
タンスコイルの通電電流を検出して検出信号を得る電流
検出回路と、設定された任意の波形の電圧の信号電圧
と、第1,第2の半導体スイッチング素子が不導通に転
化したときに、第1のインダクタンスコイルの蓄積磁気
エネルギを第2のダイオードを介して流入充電するよう
に、直流電源正極若しくは負極側と第2のダイオードの
出力側との間に両極が接続されたコンデンサと、第1の
半導体スイッチング素子と直流電源正極との間に順方向
に挿入された第3のダイオードと、磁路の閉じた磁心に
捲着された第2のインダクタンスコイルと第3の半導体
スイッチング素子との直列接続体と、該直列接続体の第
2のインダクタンスコイル側が正極に接続され、負極側
を第3の半導体スイッチング素子側に接続して供電する
前記した直流電源と、該直列接続体に逆接続された第4
のダイオードと、第3の半導体スイッチング素子と第2
のインダクタンスコイルの接続部に入力側が接続された
第5のダイオードと、第3の半導体スイッチング素子が
不導通に転化したときに、第2のインダクタンスコイル
の蓄積磁気エネルギを第5のダイオードを介して前記し
たコンデンサに流入充電する電気回路と、所定のパルス
巾の矩形波の電気信号を設定された周期で出力する電気
回路と、該電気回路の出力電気信号の巾だけ第3の半導
体スイッチング素子を導通せしめ、コンデンサの充電電
圧を高電圧の設定電圧に保持するように、前記した出力
電気信号のパルス巾を変更する電気回路と、前記した電
流検出回路の検出信号電圧が前記した信号電圧を越える
と第1,第2の半導体スイッチング素子を不導通に転化
して、第1のインダクタンスコイルの蓄積磁気エネルギ
を、第2のダイオードを介してコンデンサに流入充電し
て高電圧とすることにより通電電流を急速に降下せし
め、所定値まで降下すると第1,第2の半導体スイッチ
ング素子を導通せしめて、コンデンサの高電圧を第1の
インダクタンスコイルに印加して通電電流の立上がりを
急速とすチョッパ回路とより構成されたものである。
【0003】
【作用】図1について作用を説明する。トランジスタ
3,4が不導通に転化すると、インダクタンスコイル1
の蓄積磁気エネルギは、ダイオード4a,4bを介して
コンデンサ5を図示の極性に充電する。インダクタンス
コイル1のインダクタンスに対応した容量のコンデンサ
5を選択することにより、各素子の耐電圧の限界(一般
に600ボルト位)までコンデンサ5は充電される。従
って通電電流の降下は急速となる。通電電流が所定値だ
け降下すると、トランジスタ3,4が導通する。コンデ
ンサ5の電圧により、通電電流の立上がりが急速とな
る。以上のサイクルを繰返すチョッパ回路となっている
ので、信号電圧の曲線14に対応したインダクタンスコ
イル1の通電制御を時間おくれなしに正確に行なうこと
ができて、前記した第1の課題を解決する作用がある。
コンデンサ5の充電されるエネルギはインダクタンスコ
イル1の鉄損その他の損失により実測によると1/2位
となる。従ってチョッパ電流の立上りの末期で立上がり
がおくれる欠点がある。このときに、インダクタンスコ
イル1aを含む電気回路により、コンデンサ5の容量を
大きくし、高電圧に充電して保持しておくことにより鉄
損その他の損失で失なわれたエネルギを補充するので、
立上がりが急速となる作用がある。又図2の曲線14の
立上がりと降下が急速な場合にも同様な理由でインダク
タンスコイル1の通電制御が良好となる。従って第2の
課題を解決する作用がある。
【0004】
【実施例】図1において、記号1は、インダクタンスコ
イルで、例えば磁気軸受の磁心を励磁する励磁コイルで
ある。コイルの磁心は省略して図示していない。インダ
クタンスコイル1の両端には、トランジスタ3,4が接
続され、インダクタンスコイル1とトランジスタ3の直
列接続体にダイオード4bが逆接続される。インダクタ
ンスコイル1の励磁電流は、抵抗9の電圧降下として検
出され、その出力は、オペアンプ11の+端子に入力さ
れている。−端子の入力は端子10の信号電圧となって
いる。信号電圧は、図2のタイムチャートの曲線14と
して一例が示されている。直流電源正負端子2a,2b
により、インダクタンスコイル1は、順方向に接続され
たダイオード7を介して供電される。図2の曲線14で
示す基準電圧はオペアンプ11に入力されたときに、オ
ペアンプ11の出力はローレベルとなる。このときに単
安定回路13の出力もローレベルなので、反転回路13
aを介する出力はハイレベルとなり、反転回路13bを
介する出力はローレベルとなる。従ってトランジスタ
3,4が導通するので、励磁電流が増大し、オペアンプ
11の+端子の電圧が−端子の電圧を越えると、その出
力がハイレベルに転化する。この出力信号は微分回路1
2に入力され、立上り部の微分パルスが単安定回路13
に入力されるので、出力は所定の巾となり、その電気パ
ルスが反転回路13a,13bによりローレベルとハイ
レベルの信号となり、トランジスタ3,4を所定の巾だ
け不導通とする。従って、インダクタンスコイル1の蓄
積磁気エネルギは、ダイオード4a,4bを介してコン
デンサ5に流入充電する。コンデンサ5は小容量なので
急速に電圧が上昇して、励磁電流を急速に降下する。励
磁電流が所定値まで降下すると、単安定回路13の出力
はローレベルに復帰するのでトランジスタ3,4は導通
して励磁電流を増大する。ダイオード7は、コンデンサ
5が高電圧となったときに直流電源に端子2a,2bを
介して放電されることを防止している。
【0005】励磁電流が増大して、再びトランジスタ
3,4が不導通に転化すると、単安定回路13の出力巾
だけトランジスタ3,4は不導通に転化する。かかる通
電制御が繰返されるチョッパ回路となるので、図2の曲
線14に比例した励磁電流を得ることのできる特徴があ
る。図2の矢印8は曲線14の巾を示し、点線15は平
均励磁電流曲線である。電流曲線15a,15cは励磁
電流の立上り部を示し、電流曲線15b,15d…は降
下部を示している。点線曲線14aは曲線14の1部を
時間的に拡大して示すものである。
【0006】曲線15は、曲線15a,15b,…を平
滑化した平均電流曲線である。インダクタンスコイル1
のインダクタンスが一定のときに、曲線15b,15
d,…の時間巾は単安定回路13の出力パルス巾で規制
され、曲線15a,15c,…の時間巾は、コンデンサ
5の容量により変化され、容量が小さい程時間巾が小さ
くなる特徴がある。以上の事実は、インダクタンスコイ
ル1とコンデンサ5は直列共振回路と相似した性質があ
るので、コンデンサ5の容量が小さくなる程共振周波数
が大きくなることからも推定されるものである。
【0007】インダクタンスコイル1の抵抗によるジユ
ール損失分と鉄損分だけは、直流電源より電流の立上り
部の末期において供給される。周知の手段によると、直
流電源電圧を高くして、磁気エネルギの蓄積を急速とす
ることにより電流の立上りを急速とし、蓄積磁気エネル
ギを電源に還流することにより降下を急速としている。
従って、印加電庄は高い電圧となり、チョッパ周波数
(曲線15a,15b,…の時間巾)を小さくすること
には限界がある。従って、信号電圧曲線14の矢印8の
巾が小さく100マイクロセコンド位となると、曲線1
4の図示のような凹凸に対応する時定数の小さい応答は
不可能となる欠点がある。本発明装置によると、印加電
圧を低くしても、コンデンサ5の容量を小さくすること
により、応答性を高速度とすることができる効果があ
る。実測によると、出力300ワット位のリラクタンス
型の電動機の磁極の励磁コイルの通電制御を行なった場
合に、印加直流電圧100ボルトで、曲線15a,15
b,…の巾は0.5マイクロセコンドとなる。このとき
のコンデンサ5の容量は、0.1マイクロフアラッドで
ある。従って、大きいインダクタンス負荷の場合でも、
励磁電流の応答性のよい通電制御を行なうことができる
ので、磁気軸受の電磁石の励磁コイルの通電制御を行な
うことにより、回転体の磁気浮上をより正確に行なうこ
とができる作用効果がある。
【0008】単安定回路13の出力パルス巾及びコンデ
ンサ5の容量は、インダクタンスコイル1のインダクタ
ンスの大きさにより調整する必要がある。トランジスタ
3,4の代りに、IGBTのような高速度スイッチング
素子を使用すると、上述した応答性は更に良好となる。
図1の曲線14をサイン波とすると、インバータに本発
明手段を利用できるので、高速度で振動の少ない高速誘
導機を得ることができる。図1において、コンデンサ5
を電源正極側に記号5aで示す位置に設けても同じ作用
効果がある。
【0009】前述したように、チョッパ電流の立上り部
において、インダクタンスコイル1の鉄損、銅損分だけ
コンデンサ5の充電電力が小さくなるので、立上がり電
流は中途で端子2a,2bの低電圧により立上りがおく
れる。従って、図2の記号15a,15bで示す電流波
形をグラフの最下段で同一記号で示すように、1/2位
電流が増大した点線8a以降は立上りが鈍化する。従っ
て応答性も鈍化し、インダクタンスコイル1の通電電流
の高速制御に限界を生ずる不都合がある。又図2の曲線
14の立上り部と降下部が急速な場合にも上述した理由
により、通電電流は大幅におくれる欠点を発生する。本
発明装置では、上述した欠点を除去する為に図1のイン
ダクタンスコイル1aが付加される。次にその詳細を説
明する。
【0010】図1において、インダクタンスコイル1a
は、直流電源端子2a,2bより、トランジスタ3aを
介して通電される。パルス発振器19の出力は、図3の
タイムチャートに記号23a,23b,…として示さ
れ、その周波数は所定値となっている。パルス信号23
a,23b,…は単安定回路18に入力され、そり出力
は、図3において曲線21a,21b,…として示され
ている。曲線21aの電気信号がトランジスタ3aのベ
ースに入力されて導通すると、インダクタンスコイル1
aの電流は曲線22aのように立上り、曲線21aの末
端でトランジスタ3aが不導通に転化すると、蓄積電磁
エネルギは、ダイオード4c,4dを介してコンデンサ
5を図示の極性に充電する。次の電気信号曲線21b,
21c,…により同様なコンデンサ5の充電が行なわれ
る。このときの電流曲線が記号22b,22c,…とし
て示される。通電の巾は矢印Eの巾となる。コンデンサ
5の電圧は抵抗16a,16bで分割されてオペアンプ
11aの−端子の入力となり、基準電圧端子10aの電
圧は+端子の入力となっている。
【0011】コンデンサ5の電圧が低いときには、オペ
アンプ11aの出力電圧が大きいが、ツエナダイオード
20の作用で設定電圧が単安定回路18に入力されて、
その出力電圧の巾を設定値(矢印Eの巾)としている。
しかし上述したコンデンサ5の充電が繰返されると、オ
ペアンプ11aの−端子の入力電圧が上昇し、出力電圧
が降下するので、ツエナダイオード20が不導通に転化
して、並列抵抗の電圧降下により、単安定回路18の出
力パルス巾を減少せしめてトランジスタ3aの導通巾も
比例して小さくなる。例えば曲線21d,21eに示す
ように巾が小さくなると、電流曲線は22d,22eに
示すようにピーク値が降下し、コンデンサ5を充電する
磁気エネルギは減少する。上述した理由により、コンデ
ンサ5の充電電圧は、基準電圧端子10aの電圧により
規制することができる。
【0012】トランジスタ3aのベース入力制御の手段
は、同じ目的を達するものであれば他の手段でもよい。
コンデンサ5の充電は、電気スイッチ17の閉成ととも
に行なわれ設定された高電圧(600ボルト位)となる
まで行なわれる。このときに、端子10に図2の曲線1
4で示す電圧が入力されると、その立上り部が急速で
も、コンデンサ5の電圧により所要のチョッパ制御が行
なわれる。コンデンサ5の容量は上述したインダクタン
スコイル1の電流が充分得られる大きい容量のコンデン
サ5を使用する必要がある。次の電流変化の少ない区間
におけるチョッパ作用のときにおける立上り部の鈍化現
象(図2の最下段の点線8aの上の部分の立上り電流曲
線)も、コンデンサ5の高電圧により除去することがで
きる。上述した説明より理解されるように、インダクタ
ンスコイル1aがない場合のコンデンサ5の容量は小さ
くてもよいが、インダクタンスコイル1aを付加した場
合には一般に10倍以上の容量のものが必要となるが、
インダクタンスコイル1の通電の制御特性が良好となる
作用効果がある。
【0013】
【発明の効果】大きいインダクタンス負荷は、磁気エネ
ルギの放出と蓄積に時間を要するので、応答性の良好な
通電制御を行なう為に、印加電圧を高くしてチョッパ回
路を利用する周知の手段があるが、使用する半導体回路
と電源の性能により実用的に応答性に限界がある。本発
明の手段によると、印加電圧を低くして、しかも応答性
のより良好なインダクタンス負荷の通電制御を行なうこ
とができる効果がある。インダクタンスの大きい電動機
のサーボ制御若しくは応答性の速い制御の必要な磁気軸
受の電磁石の励磁コイルの通電制御手段として有効であ
る。
【0014】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明装置の実施例の電気回路図
【図2】図1の回路の各部の電気信号のタイムチヤート
【図3】図1のトランジスタ3aのベース入力信号のタ
イムチャート
【0015】
【符号の説明】
1,1a インダクタンスコイル 2a,2b 直流電源正負極 5,5a コンデンサ 3,3a,4 トランジスタ 10 信号電圧端子 11,11a オペアンプ 12 微分回路 13 単安定回路 13a,13b 反転回路 14,14a 信号電圧曲線 15,15a,15b,…励磁電流曲線 10a 基準電圧端子 18 パルス発振器 19 単安定回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁心に捲着された第1のインダクタンスコ
    イルならびにその両端に接続された第1,第2の半導体
    スイッチング素子と、第1の半導体スイッチング素子側
    が正極に接続され、第2の半導体スイッチング素子側が
    負極に接続されて第1のインダクタンスコイルに供電す
    る直流電源と、第1のインダクタンスコイルと第2の半
    導体スイッチング素子の直列接続体に逆接続された第1
    のダイオードと、第1のインダクタンスコイルと第2の
    半導体スイッチング素子の接続部に入力側が接続された
    第2のダイオードと、第1のインダクタンスコイルの通
    電電流を検出して検出信号を得る電流検出回路と、設定
    された任意の波形の電圧の信号電圧と、第1,第2の半
    導体スイッチング素子が不導通に転化したときに、第1
    のインダクタンスコイルの蓄積磁気エネルギを第2のダ
    イオードを介して流入充電するように、直流電源正極若
    しくは負極側と第2のダイオードの出力側との間に両極
    が接続されたコンデンサと、第1の半導体スイッチング
    素子と直流電源正極との間に順方向に挿入された第3の
    ダイオードと、磁路の閉じた磁心に巻着された第2のイ
    ンダクタンスコイルと第3の半導体スイッチング素子と
    の直列接続体と、該直列接続体の第2のインダクタンス
    コイル側が正極に接続され、負極側を第3の半導体スイ
    ッチング素子側に接続して供電する前記した直流電源
    と、該直列接続体に逆接続された第4のダイオードと、
    第3の半導体スイッチング素子と第2のインダクタンス
    コイルの接続部に入力側が接続された第5のダイオード
    と、第3の半導体スイッチング素子が不導通に転化した
    ときに、第2のインダクタンスコイルの蓄積磁気エネル
    ギを第5のダイオードを介して前記したコンデンサに流
    入充電する電気回路と、所定のパルス巾の矩形波の電気
    信号を設定された周期で出力する電気回路と、該電気回
    路の出力電気信号の巾だけ第3の半導体スイッチング素
    子を導通せしめ、コンデンサの充電電圧を高電圧の設定
    電圧に保持するように、前記した出力電気信号のパルス
    巾を変更する電気回路と、前記した電流検出回路の検出
    信号電圧が前記した信号電圧を越えると第1,第2の半
    導体スイッチング素子を不導通に転化して、第1のイン
    ダクタンスコイルの蓄積磁気エネルギを、第2のダイオ
    ードを介してコンデンサに流入充電して高電圧とするこ
    とにより通電電流を急速に降下せしめ、所定値まで降下
    すると第1,第2の半導体スイッチング素子を導通せし
    めて、コンデンサの高電圧を第1のインダクタンスコイ
    ルに印加して通電電流の立上がりを急速とするチョッパ
    回路とより構成されたことを特徴とするインダクタンス
    コイルの通電制御装置。
JP3303727A 1991-09-06 1991-09-06 インダクタンスコイルの通電制御装置 Expired - Lifetime JP3002918B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5901383A (en) * 1993-12-27 1999-05-11 Toto Ltd. Support structure for a toilet cover unit
WO2011004546A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Three Eye Co., Ltd. Reluctance motor apparatus

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WO2011004546A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Three Eye Co., Ltd. Reluctance motor apparatus

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