JPH0569057B2 - - Google Patents
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- JPH0569057B2 JPH0569057B2 JP63257648A JP25764888A JPH0569057B2 JP H0569057 B2 JPH0569057 B2 JP H0569057B2 JP 63257648 A JP63257648 A JP 63257648A JP 25764888 A JP25764888 A JP 25764888A JP H0569057 B2 JPH0569057 B2 JP H0569057B2
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、電子デバイス用誘電体磁器組成
物、特に、磁器組成物の特性が低損失で、温度特
性の良好なることを利用する各種デバイス用、す
なわち、温度補償用コンデンサを初め、SHF帯
で低損失なることを利用する衛星放送直接受信
用、ダウンコバータ用等の誘電体共振器、マイク
ロ波ストリツプライン基板等に用いられる誘電体
磁器組成物に係り、特定の３価金属イオンを含有
させることにより、組成中のZnを所要値に制御
して内質的に均一で特性のすぐれた磁器となした
電子デバイス用誘電体磁器組成物に関する。 背景技術 一般に、SHF帯用として用いられる誘電体磁
器組成物としては、従来、ペロブスカイ型化合物
中でも特に下記組成物の Ba（B1/3・A2/3）O3型 （但しＡ；Ta、Nb Ｂ；２価金属イオン（Znまたはさらに、Ni、
Co、Mnの１種または２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されて
いる。 すなわち、 (1) Ba（Zn1/3・Ta2/3）O3系材 (2) Ba（Zn1/3・Nb2/3）O3系材 等である。 このSHF帯に利用される誘電体磁器組成物に
要求される高εr、高Ｑ、τf＝０、等の特性は厳し
く、かかる特性に合致させるためには、組成制御
が重要である。 従来の誘電体磁器組成物では組成制御、特に、
前記組成物中に含有されるZnが蒸発し易いため、
Znの制御が重要であり、また、Znは焼成時に、
セラミツクス外面に拡散、凝集して所謂“皮”を
形成し易く、内質の均一なセラミツクスを安定し
て得ることが困難であり、特性の安定したセラミ
ツクスを得ることが困難であつた｛参考文献J.
Am.CeramSoc.68［10］546−51（1985）｝ 発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合
物のかかる現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物
と同等またはそれ以上のＱ、τf、εr特性を有し、
磁器組成物中に含有のZnの蒸発を抑制して、組
成制御を容易にし、かつ内質均一のセラミツクス
を安定的に得ることができる電子デバイス用誘電
体磁器組成物の提供を目的としている。 発明の概要 この発明は、前記複合プロブスカイト型化合物
の欠点を解消し、誘電体磁器組成物におけるZn
の制御を目的に、前記Ba（Zn１／３・Ａ２／３）O3組 成ついて種々検討した結果、特定の３価金属イオ
ンを含有させることにより、組成中のZnを所要
値に制御して内質的に均一で特性のすぐれた磁器
が得られることを知見し、完成したものである。 この発明は、基本組成を、 XBa（Zn1/3・A2/3）O3−YSr（B1/2・A1/2）O3 と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値を満
足する組成からなることを特徴とする電子デバイ
ス用誘電体磁器組成物である。 0.85≦Ｘ＜1.0 ０＜Ｙ≦0.15 但しＡ；Ta、Nb Ｂ；Sm、Yb 発明の構成 この発明において、好ましい誘電体磁器組成物
は、 (1) Ba（Zn1/3・Ta2/3）O3−Sr（Sm1/2・Ta1/2）
O3系 (2) Ba（Zn1/3・Nb2/3）O3−Sr（Sm1/2・Ta1/2）
O3系 この発明において、0.85≦Ｘ＜1.0、０＜Ｙ≦
0.15に限定した理由は、Ｘ値が0.85未満、Ｙ値が
0.15を越えると、得られる誘電体磁器組成物はＱ
値の劣化が著しく、また温度係数の劣化も大きく
なり、また、Ｘ値が1.0以上、Ｙ値が０では、Ｑ
値の改善効果が見られないため、0.85≦Ｘ＜1.0、
０＜Ｙ≦0.15の範囲とする。 発明の効果 この発明の誘電体磁器組成物は、9GHzにおけ
るＱは5000〜9000、τf≦50ppm／℃、εr31〜42と
なり、従来の誘電体愛磁器組成物と同等またはそ
れ以上の特性のものが得られ、焼成時において
も、磁器組成物中に含まれるZnの蒸発がある程
度抑制されるため、組成の制御がより容易とな
り、また、セラミツクス内のZnの偏析も防止し
易く、内質均一なセラミツクスを安定的に得るこ
とができる。 なお、この発明においては、ZnをNi2+、Co2+、
Mn2+などの２価金属イオンやCa2+、Mg2+等のア
ルカリ土類イオンで約20mol／％まで置換しても
ほぼ同等の効果が得られる。 実施例 原料を第１表に示した組成になるように秤量
し、ボールミルにて混式混合し、1300℃に２時間
仮焼した後、再後ボールミルにて平均粒径1μｍ
程度に粉砕した。 この粉砕粉を加圧成形し、1500℃〜1650℃に焼
成して、寸法10mmφ×20mmの焼結体を得た。 得られた焼結体について、25℃、9GHzにおけ
る比誘電率εr、Ｑ、共振周波数の温度係数τf
（ppm／℃）を測定し、その結果を第１表に示す。 なお、第１表における比誘電率とＱは、Hakki
and Celemanらによる誘電体共振器法により測
定したもので、共振周波数の温度係数τf、誘電
率、誘電率の温度係数τεとは、磁器の線熱膨張係
数αとの間に下記式の如き関係がある。 τf＝−1/2τε−α 第１表の結果より明らかなように、この発明に
よる誘電体磁器組成物は、共振周波数の温度係数
は、０近傍から＋50ppm／℃付近まで広く、低損
失、高誘電率材料であることが分る。 【表】
物、特に、磁器組成物の特性が低損失で、温度特
性の良好なることを利用する各種デバイス用、す
なわち、温度補償用コンデンサを初め、SHF帯
で低損失なることを利用する衛星放送直接受信
用、ダウンコバータ用等の誘電体共振器、マイク
ロ波ストリツプライン基板等に用いられる誘電体
磁器組成物に係り、特定の３価金属イオンを含有
させることにより、組成中のZnを所要値に制御
して内質的に均一で特性のすぐれた磁器となした
電子デバイス用誘電体磁器組成物に関する。 背景技術 一般に、SHF帯用として用いられる誘電体磁
器組成物としては、従来、ペロブスカイ型化合物
中でも特に下記組成物の Ba（B1/3・A2/3）O3型 （但しＡ；Ta、Nb Ｂ；２価金属イオン（Znまたはさらに、Ni、
Co、Mnの１種または２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されて
いる。 すなわち、 (1) Ba（Zn1/3・Ta2/3）O3系材 (2) Ba（Zn1/3・Nb2/3）O3系材 等である。 このSHF帯に利用される誘電体磁器組成物に
要求される高εr、高Ｑ、τf＝０、等の特性は厳し
く、かかる特性に合致させるためには、組成制御
が重要である。 従来の誘電体磁器組成物では組成制御、特に、
前記組成物中に含有されるZnが蒸発し易いため、
Znの制御が重要であり、また、Znは焼成時に、
セラミツクス外面に拡散、凝集して所謂“皮”を
形成し易く、内質の均一なセラミツクスを安定し
て得ることが困難であり、特性の安定したセラミ
ツクスを得ることが困難であつた｛参考文献J.
Am.CeramSoc.68［10］546−51（1985）｝ 発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合
物のかかる現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物
と同等またはそれ以上のＱ、τf、εr特性を有し、
磁器組成物中に含有のZnの蒸発を抑制して、組
成制御を容易にし、かつ内質均一のセラミツクス
を安定的に得ることができる電子デバイス用誘電
体磁器組成物の提供を目的としている。 発明の概要 この発明は、前記複合プロブスカイト型化合物
の欠点を解消し、誘電体磁器組成物におけるZn
の制御を目的に、前記Ba（Zn１／３・Ａ２／３）O3組 成ついて種々検討した結果、特定の３価金属イオ
ンを含有させることにより、組成中のZnを所要
値に制御して内質的に均一で特性のすぐれた磁器
が得られることを知見し、完成したものである。 この発明は、基本組成を、 XBa（Zn1/3・A2/3）O3−YSr（B1/2・A1/2）O3 と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値を満
足する組成からなることを特徴とする電子デバイ
ス用誘電体磁器組成物である。 0.85≦Ｘ＜1.0 ０＜Ｙ≦0.15 但しＡ；Ta、Nb Ｂ；Sm、Yb 発明の構成 この発明において、好ましい誘電体磁器組成物
は、 (1) Ba（Zn1/3・Ta2/3）O3−Sr（Sm1/2・Ta1/2）
O3系 (2) Ba（Zn1/3・Nb2/3）O3−Sr（Sm1/2・Ta1/2）
O3系 この発明において、0.85≦Ｘ＜1.0、０＜Ｙ≦
0.15に限定した理由は、Ｘ値が0.85未満、Ｙ値が
0.15を越えると、得られる誘電体磁器組成物はＱ
値の劣化が著しく、また温度係数の劣化も大きく
なり、また、Ｘ値が1.0以上、Ｙ値が０では、Ｑ
値の改善効果が見られないため、0.85≦Ｘ＜1.0、
０＜Ｙ≦0.15の範囲とする。 発明の効果 この発明の誘電体磁器組成物は、9GHzにおけ
るＱは5000〜9000、τf≦50ppm／℃、εr31〜42と
なり、従来の誘電体愛磁器組成物と同等またはそ
れ以上の特性のものが得られ、焼成時において
も、磁器組成物中に含まれるZnの蒸発がある程
度抑制されるため、組成の制御がより容易とな
り、また、セラミツクス内のZnの偏析も防止し
易く、内質均一なセラミツクスを安定的に得るこ
とができる。 なお、この発明においては、ZnをNi2+、Co2+、
Mn2+などの２価金属イオンやCa2+、Mg2+等のア
ルカリ土類イオンで約20mol／％まで置換しても
ほぼ同等の効果が得られる。 実施例 原料を第１表に示した組成になるように秤量
し、ボールミルにて混式混合し、1300℃に２時間
仮焼した後、再後ボールミルにて平均粒径1μｍ
程度に粉砕した。 この粉砕粉を加圧成形し、1500℃〜1650℃に焼
成して、寸法10mmφ×20mmの焼結体を得た。 得られた焼結体について、25℃、9GHzにおけ
る比誘電率εr、Ｑ、共振周波数の温度係数τf
（ppm／℃）を測定し、その結果を第１表に示す。 なお、第１表における比誘電率とＱは、Hakki
and Celemanらによる誘電体共振器法により測
定したもので、共振周波数の温度係数τf、誘電
率、誘電率の温度係数τεとは、磁器の線熱膨張係
数αとの間に下記式の如き関係がある。 τf＝−1/2τε−α 第１表の結果より明らかなように、この発明に
よる誘電体磁器組成物は、共振周波数の温度係数
は、０近傍から＋50ppm／℃付近まで広く、低損
失、高誘電率材料であることが分る。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基本組成を XBa（Zn1/3・A2/3）O3−YSr（B1/2・A1/2）O3 と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値を満
足する組成からなることを特徴とする電子デバイ
ス用誘電体磁器組成物。 0.85≦Ｘ＜1.0 ０＜Ｙ≦0.15 但しＡ；Ta、Nb Ｂ；Sm、Yb
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257648A JPH02107551A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257648A JPH02107551A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107551A JPH02107551A (ja) | 1990-04-19 |
| JPH0569057B2 true JPH0569057B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=17309168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257648A Granted JPH02107551A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02107551A (ja) |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63257648A patent/JPH02107551A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02107551A (ja) | 1990-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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