JPH0569292B2 - - Google Patents

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JPH0569292B2
JPH0569292B2 JP60103652A JP10365285A JPH0569292B2 JP H0569292 B2 JPH0569292 B2 JP H0569292B2 JP 60103652 A JP60103652 A JP 60103652A JP 10365285 A JP10365285 A JP 10365285A JP H0569292 B2 JPH0569292 B2 JP H0569292B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、集積回路チツプの凹所に金属を充填
する方法に関する。
従来の技術 集積回路チツプを処理する際には、例えば、酸
化物層のような絶縁材の凹所に金属導体物質を充
填することがしばしば必要となる。米国特許第
4617193号明細書には、このような処理を行うた
めの方法が開示されている。簡単に述べると、チ
ツプの表面に金属フイルムが付与される。このフ
イルムの深さは、少なくとも絶縁材の凹所を充填
し且つ金属フイルムの上表面に凹所を残すに十分
なものである。金属フイルム上にホトレジスト被
膜を設けて金属フイルムの凹所を充填し平らな上
表面を形成する。次いで、このホトレジスト被膜
を反応性イオンエツチング方法によつてエツチン
グし、金属フイルムの凹所にホトレジストを残す
ようにする。次いで、金属をエツチングし、凹所
の外側の金属を除去する。その後、残りのホトレ
ジストを除去し、凹所に金属を残すようにする。
この方法は、一般に、一様な巾の凹所を有するチ
ツプにおける10ミクロン以下の巾を有する凹所を
充填する場合に限定される。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、凹所の巾が著しく変化したり、ある
いは凹所の巾が約10ミクロン以上の場合であつて
も、金属と凹所の間に不所望なギヤツプ等を形成
することなく、その凹所を金属によつて満足に充
填する方法を提供する。
問題点を解決するための手段 本発明の特徴によれば、絶縁材の凹所に金属フ
イルムを充填する新規で且つ改良された方法が提
供される。凹所を形成すべき絶縁材の領域は、ホ
トレジストによつて定められ、その領域が凹所を
形成すべくエツチングされるのであるが、このと
き、ホトレジストがその凹所に若干張り出すよう
にされる。次いで、その凹所に充填するように、
少なくともその凹所とその周囲のホトレジストの
前面にわたつて金属フイルムを冷間スパツタリン
グする。この状態においては、その金属は、ホト
レジストの上表面及び張り出し部の境界を定める
ホトレジストの側面をも覆つている。ホトレジス
トの側面を覆つている金属は、凹所に付与された
金属とは分離されている。次いで、金属の表面
を、例えば、ホトレジストの層で覆う。このホト
レジスト層は、部分的にエツチング除去され、そ
の下のホトレジスト層の角部付近の金属の縁が露
出するようにする。次いで、その露出された金属
をエツチング除去し、その下のホトレジストの角
部を露出させる。次いで、下方のホトレジスト層
を除去し、これにより、それを覆つていた金属及
び上方のホトレジスト層も除去される。同時に、
凹所の金属を覆つているホトレジストを除去す
る。
実施例 次に、添附図面に基づいて、本発明の実施例に
ついて、本発明をより詳細に説明する。
第１Ａ図は、ホトレジストの層１０２で覆われ
た基体１００を有する集積回路チツプを示してい
る。ホトレジスト層１０２には、全体的に参照符
号１０４として示した穴が通常の仕方で形成され
ており、基体１００には、側面１０７にて定めら
れた凹所１０６が形成されている。従つて、ホト
レジスト層１０２は、穴１０４の周囲を定める側
面１０３を有している。凹所１０６は、この凹所
１０６を定める側面１０７の上にホトレジスト層
１０２の張り出し部１０８が与えられるように、
指向性のある反応性イオンエツチングによつて形
成されている。
凹所１０６に充填しようとする金属を、チツプ
の表面上に、凹所１０６を充填するに十分な深さ
まで冷間スパツタリングする（第１Ｂ参照）。ホ
トレジスト１０２上の金属フイルム１１２の深さ
は、凹所内の深さとほぼ同じである。第１Ｂ図に
示すように、張り出し部の付近では、ホトレジス
トを覆う金属が、ホトレジスト層１０２の側面１
０３及び上表面によつて定められた角部の周りで
湾曲している。金属フイルムの深さには限度があ
るのと、張り出し部１０８が与えられているのと
で、凹所内のフイルム１１０の表面は、張り出し
部の下で若干凹状になつており、従つて、ホトレ
ジストを覆う金属フイルムは、凹所内の金属フイ
ルムとは接触していない。
次いで、チツプの全面を第２のホトレジスト層
１１４で覆う（第１Ｃ図参照）。凹所１０６の領
域では、第２のホトレジスト層の上表面が若干凹
状となり、穴１０４の周囲を定める側面１０３付
近の領域の方がチツプの他の領域よりも全体的に
薄くなる。反応性イオンエツチングを用いて、ホ
トレジスト１１４の表面の部分を除去して、ホト
レジスト層１０２の穴１０４の周囲付近にある金
属フイルム１１２の角部を露出させる（第１Ｄ図
参照）。次いで、ウエツト金属エツチングを使用
して、金属層１１２の露出部分を、その下のホト
レジスト層１０２を露出させるに十分な程、エツ
チングする（第１Ｅ図参照）。凹所の金属層１１
０は、残りのホトレジスト層１１４によつて覆わ
れており、このホトレジスト層１１４及び張り出
し部１０８によつてウエツト金属エツチングから
保護されているので、金属層１１０は、ウエツト
金属エツチングによつて損傷を受けない。更に、
ホトレジスト層１０２は、通常の仕方で除去さ
れ、このホトレジスト層１０２に共に、その上の
金属層１１２及びホトレジスト層１１４も除去さ
れる。これと同時に、金属層１１０上のホトレジ
スト層１１４も除去され、第１Ｆ図に示す構成が
得られる。
以上、特定の実施例について、本発明の種々な
特徴について説明した。しかしながら、本発明
は、前述した以外の種々な変形においても、本発
明の効果のうちのいくつか、またはすべてを達成
することができるものであることは、明らかであ
ろう。したがつて、本特許請求の範囲の記載は、
本発明の真の精神および範囲内に包含されるよう
なすべての変形態様をカバーしようとするもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図から第１Ｆ図は、本発明により凹所に
金属フイルムを充填する方法を詳細に示す断面図
である。 １００……基体、１０２……ホトレジスト層、
１０６……凹所、１０８……張り出し部、１１０
……金属層、１１２……金属層、１１４……ホト
レジスト層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 集積回路チツプに凹所を形成して該凹所に金
    属を充填する方法において、 Ａ 前記チツプ上にホトレジストの層を付与し、
    前記凹所を形成すべき領域におけるホトレジス
    トを除去し、 Ｂ 前記除去されたホトレジストによつて定めら
    れた前記チツプの領域に、凹所を、ホトレジス
    トがその凹所上に張り出すようにして、形成
    し、 Ｃ 前記凹所及び前記ホトレジスト層の表面の上
    に金属の層をスパツタリングして、前記金属
    が、前記凹所に層状に付与され、且つ前記ホト
    レジスト層の上面及び側面を覆い、しかも、前
    記ホトレジスト層上の金属は、前記凹所の金属
    層から分離されているようにし、 Ｄ 前記凹所上にくぼみができるに十分な深さま
    で前記チツプの表面をマスキング材料で覆い、 Ｅ 前記マスキング材料の層をエツチングして、
    前記ホトレジスト層の上表面および側面によつ
    て定められた前記ホトレジスト層の角部の上の
    前記金属層の部分を露出させ、 Ｆ 前記露出した金属をエツチングして、前記ホ
    トレジスト層の角部の領域における前記ホトレ
    ジスト層の上表面及び側面を露出させ、 Ｇ 前記ホトレジスト層を除去して、その上のマ
    スキング材料層および金属層を除去し、 Ｈ 前記凹所における前記金属層上のマスキング
    材料層を除去する。 ことを特徴とする方法。 ２ 前記マスキング材料は、前記ホトレジストを
    除去する段階と前記マスキング材料層を除去する
    段階とを同時に行えるように、ホトレジストであ
    る特許請求の範囲第１項に記載の方法。
JP60103652A 1984-05-15 1985-05-15 集積回路チップにおける金属充填方法 Granted JPS6144470A (ja)

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