JPH0569574A - サーマルヘツドの抵抗値調整方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ドット抵抗体のカッティング量を減らすこと
により、画質を向上させるサーマルヘッドの抵抗値調整
方法および装置を提供すること。 【構成】 レーザーパワーを適切に選定してやれば、レ
ーザー照射によりドット抵抗体の抵抗値を下げることが
出来るという事実の発見に基づき、抵抗値が目標抵抗値
より大であるドット抵抗体に対しては、抵抗値を下げる
レーザーパワーで照射する。一方、抵抗値が目標抵抗値
より小であるドット抵抗体に対しては、従来と同様のレ
ーザーパワーで照射し、カッティングにより抵抗値をあ
げる。このように、２つのレーザーパワーを使い分けて
調整すると、個々の抵抗補正量は少なくなり、抵抗値を
上昇させる場合のカッティング量も減少する。これによ
り、ドット抵抗体の形状のバラツキを少なくすることが
出来るので、印字ドットのサイズが均一化され、画質が
向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ワープロ，パソコン等
の出力装置として用いられるサーマルプリンタや、ファ
クシミリ装置の記録部等に使用されるサーマルヘッドの
抵抗値調整方法および装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】サーマルヘッドを用いた印刷装置は、印
刷時の騒音が小さい上、現像・定着工程が不用で取り扱
い易い等の利点を有しているため、広く用いられてい
る。

【０００３】図９に、サーマルヘッドの要部を示す。図
９において、５はドット抵抗体、７はサーマルヘッド、
８は共通電極、９は個別電極である。ドット抵抗体５，
共通電極８，個別電極９は、図示しない絶縁基板上に形
成される。共通電極８と１つの個別電極９との間に、１
つのドット抵抗体５が配設される。ドット抵抗体５は発
熱抵抗体であり、共通電極８→ドット抵抗体５→個別電
極９へと電流が流された時に発熱する。

【０００４】１つのドット抵抗体５が、印刷時の１つの
ドットに対応させられており、ドット抵抗体５の発熱に
より、そのドットは例えば黒色に印字される。どのドッ
ト抵抗体５に通電するかは、印刷すべき内容によって決
められる。

【０００５】各ドット抵抗体５へは同じ共通電極８から
給電されるから、ドット抵抗体５間で抵抗値が異なる
と、発熱量も異なる。発熱量が大のドット抵抗体５で印
字されたドットは濃い黒色となるが、発熱量が小のドッ
ト抵抗体５で印字されたドットは薄い黒色となるという
ように、ドット間で濃度むらが生ずる。

【０００６】ドット抵抗体５をスパッタリング等の薄膜
技術を用いて形成した場合には、抵抗値を均一なものと
することが出来るが、生産性が低いという欠点がある。
これに対して厚膜技術は安価で生産性も高い。しかし、
スクリーン印刷等の厚膜技術を用いて形成すると、ドッ
ト抵抗体５の抵抗値は均一とはならず、濃度むらが生ず
る。そのため、ドット抵抗体５の抵抗値を調整して、略
同じ値に揃えることが行われている。

【０００７】従来行われていた抵抗値調整法の１つに、
パルストリミング法がある（特開昭61− 83053号公報参
照）。これは、電界を印加すると、その電界強度に応じ
て抵抗値が減少するという性質を利用して、ドット抵抗
体５に熱破壊が起こらない範囲の電界を印加して抵抗値
を調整する方法である。この方法によれば、サーマルヘ
ッドを構成するドット抵抗体５の抵抗値のバラツキが、
±３％の範囲内に納まるところまで調整することが出来
る。

【０００８】厚膜技術を用いてドット抵抗体５を製造す
る方法として、より一層抵抗値を均一化し、ドット密度
を高めることが出来る方法も提案されている。それは、
例えば特開平１−220402号公報に示されているＭＯＤ法
である（Metallo-OrganicDeposition）。このＭＯＤ法
は、まずスクリーン印刷，ロールコーティング等の塗布
技術により絶縁基板表面に金属有機物抵抗体材料を塗布
し、次いでそれを焼成してドット抵抗体５を形成する。
ＭＯＤ法によって形成すると、隣接するドット抵抗体５
間での抵抗値のバラツキは少ない。しかし、金属有機物
抵抗体材料を塗布する際に、ある程度の膜厚むらが生じ
ることはどうしても避けられず、サーマルヘッド全体で
は、抵抗値のバラツキを±５％より狭い範囲内に納める
ことは困難であった。

【０００９】しかし、中間調をも表示する高画質印字に
おいては、各ドット抵抗体５の発熱量を均一化するた
め、抵抗値のバラツキを±１％以下にすることが要求さ
れている。その要求を満たす方法として、ドット抵抗体
５の一部をレーザーを照射して削り取り（カッティング
し）、抵抗値を揃えるというレーザートリミング法が知
られている。

【００１０】図１０は、ドット抵抗体５に対する従来の
レーザートリミングを説明する図である。６はレーザー
照射領域、Ｌは照射長、Ｌ_T はドット抵抗体長、Ｗは照
射幅、Ｗ_T はドット抵抗体幅である。この図は、ドット
抵抗体５に、照射幅Ｗで照射長Ｌだけレーザーを照射し
た状態を示している。レーザー照射領域６のところは、
ドット抵抗体５の抵抗体材料が削り取られる。

【００１１】図１１は、ドット抵抗体をカッティングす
る際のレーザー照射幅と抵抗値変化率との関係を示す図
である。図１１（イ）は一般的な特性を示す図であり、
広い幅で照射するほどカッティングされる面積が増え、
ドット抵抗体の抵抗値変化率も大となることを示してい
る。図１１（ロ）は、後に説明するように具体例であ
る。

【００１２】図１２は、従来のレーザートリミングによ
るサーマルヘッドの抵抗値調整装置を示す図である。図
１２において、１はドット抵抗値検出部、２は目標抵抗
値設定部、３は比較部、４はレーザー照射制御部、５は
ドット抵抗体である。ドット抵抗値検出部１でドット抵
抗体５の抵抗値を検出し、その検出値を比較部３で目標
抵抗値設定部２と比較する。目標抵抗値設定部２には、
調整により揃えたいとしている目標抵抗値を設定してお
く。レーザー照射制御部４は、レーザーを発射してドッ
ト抵抗体５の一部を焼き切りつつ（カッティングしつ
つ）、抵抗値を徐々に上げて行く。比較部３での比較結
果がゼロとなった時、即ち、焼き切られつつあるドット
抵抗体５の抵抗値が目標抵抗値と一致した時、レーザー
の照射は停止される。

【００１３】図１３に、上記した従来のレーザートリミ
ングにより抵抗値が調整される様子を示す。横軸は個々
のドット抵抗体５を区別するドットナンバー、縦軸はド
ット抵抗体５の抵抗値を示す。この例の場合、サーマル
ヘッドを構成する各ドット抵抗体５の抵抗値は、抵抗値
Ｒ₀ を中心とする±１０％の範囲内にバラツイていると
仮定している。図中の点線イは＋１０％のレベル（抵抗
値１．１Ｒ₀ ）を示し、点線ロは０％のレベル（抵抗値
Ｒ₀ ）を示し、点線ハは−１０％のレベル（抵抗値０．
９Ｒ₀ ）を示している。

【００１４】レーザートリミングによる抵抗値の調整
は、抵抗値を上げることにより行うから、目標抵抗値
は、バラツイているドット抵抗体の抵抗値の最高値以上
の値に設定される。仮に点線イのレベルの値（１．１Ｒ
₀ ）に設定されると、ドットナンバー２のドット抵抗体
は、レーザートリミングにより１．１Ｒ₀ との差である
ΔＲ₂ だけ高くされる。このΔＲ₂ が、ドットナンバー
２のドット抵抗体に対する抵抗補正量である。同様にし
て、ドットナンバー４のドット抵抗体に対する抵抗補正
量はΔＲ₄ とされ、ドットナンバー７のドット抵抗体に
対する抵抗補正量はΔＲ₇ とされる。このようにして抵
抗値のバラツキは、±１％以下にされる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】

（問題点）しかしながら、前記した従来のレーザートリ
ミングでは、ドット抵抗体間でカッティング量に大きな
バラツキが生じ、印字画質を低下させるという問題点が
あった。

【００１６】（問題点の説明）レーザートリミングで
は、抵抗値を上げる方向でしか調整できない。そのた
め、図１３のドットナンバー７のように元の抵抗値が低
いドット抵抗体では、レーザーによるカッティング量が
非常に大きくなるが、ドットナンバー４のように元の抵
抗値が高いドット抵抗体では、ほとんどカッティングさ
れないことになる。カッティング量が異なると、ドット
抵抗体５の発熱表面積が異なるから、印字した場合の個
々のドットの大きさが異なって来る。これでは画質が低
下してしまい、高品質の中間調を表示することは出来な
くなる。

【００１７】本発明は、このような問題点を解決するこ
とを課題とするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、サーマルヘッドを構成する各ドット抵
抗体にレーザーを照射して抵抗値を目標抵抗値に揃える
サーマルヘッドの抵抗値調整方法において、検出した抵
抗値が目標抵抗値より大であるドット抵抗体に対しては
抵抗値を低下させるパワーでレーザーを照射し、検出し
た抵抗値が目標抵抗値より小であるドット抵抗体に対し
ては抵抗値を増加させるパワーでレーザーを照射し、抵
抗値が目標抵抗値となったところで照射を停止すること
とした。

【００１９】その方法に関連して、サーマルヘッドの抵
抗値調整装置を、サーマルヘッドを構成するドット抵抗
体の抵抗値を検出するドット抵抗値検出部と、ドット抵
抗体の目標抵抗値を設定する目標抵抗値設定部と、検出
した抵抗値が目標抵抗値より大か小かを判定する比較部
と、ドット抵抗体の抵抗値を低下させる範囲にあり且つ
予め定められている第１のレーザーパワーかドット抵抗
体の抵抗値を増加させる範囲にあり且つ予め定められて
いる第２のレーザーパワーかのいずれかを前記比較部の
判定結果に応じて選択するレーザーパワー選択部と、選
択されたレーザーパワーでレーザーを発射するレーザー
発射部とを具えるものとした。

【００２０】また、サーマルヘッドを構成する各ドット
抵抗体にレーザーを照射して抵抗値を目標抵抗値に揃え
るサーマルヘッドの抵抗値調整方法において、目標抵抗
値をバラツイているドット抵抗体の抵抗値の最低値以下
に設定し、抵抗値を低下させるパワーでレーザーを照射
し、抵抗値が目標抵抗値となったところで照射を停止す
ることも出来る。

【００２１】それに伴い、サーマルヘッドの抵抗値調整
装置を、サーマルヘッドを構成するドット抵抗体の抵抗
値を検出するドット抵抗値検出部と、目標抵抗値をバラ
ツイているドット抵抗体の抵抗値の最低値以下に設定す
る目標抵抗値設定部と、検出した抵抗値と目標抵抗値と
を比較する比較部と、該比較部での比較結果に応じてレ
ーザーパワーを選択するレーザーパワー選択部と、選択
されたレーザーパワーでレーザーを発射するレーザー発
射部とを具えるものとすることが出来る。

【００２２】更に、サ─マルヘッドを構成する各ドット
抵抗体にレーザーを照射して抵抗値を目標抵抗値に揃え
るサーマルヘッドの抵抗値調整方法は、目標抵抗値をバ
ラツイているドット抵抗体の抵抗値の最低値以下に設定
し、前記目標抵抗値との差に応じてドット抵抗体の抵抗
値を低下させる範囲内にあるレーザーパワーを選択する
と共に照射幅を決定し、該レーザーパワー，該照射幅で
ドット抵抗体を所定長照射することにより抵抗値を調整
するものとすることも出来る。

【００２３】それに伴い、サーマルヘッドの抵抗値調整
装置を、サーマルヘッドを構成するドット抵抗体の抵抗
値を検出するドット抵抗値検出部と、ドット抵抗体の目
標抵抗値を設定する目標抵抗値設定部と、検出した抵抗
値と目標抵抗値とを比較して差を出力する比較部と、該
差に応じてドット抵抗体の抵抗値を低下させる範囲内に
あるレーザーパワーを選択するレーザーパワー選択部
と、該差に応じて照射幅を決定する照射幅決定部と、選
択されたレーザーパワーおよび決定された照射幅でレー
ザーを発射するレーザー発射部とを具え、ドット抵抗体
の表面上を所定長照射するものとすることが出来る。

【００２４】

【作 用】レーザーパワーを適切に選定してやれば、
レーザー照射によりドット抵抗体の抵抗値を下げること
が出来るという事実の発見に基づき、抵抗値が目標抵抗
値より大であるドット抵抗体に対しては、抵抗値を下げ
るレーザーパワーで照射する。一方、抵抗値が目標抵抗
値より小であるドット抵抗体に対しては、従来と同様の
レーザーパワーで照射し、カッティングにより抵抗値を
上げる。

【００２５】このように、２つのレーザーパワーを使い
分けて調整すると、個々の抵抗補正量は少なくなり、抵
抗値を上昇させる場合のカッティング量も減少する。こ
れにより、ドット抵抗体の形状のバラツキを少なくする
ことが出来るので、印字ドットのサイズが均一化され、
画質が向上する。

【００２６】また、目標抵抗値を設定する際、バラツイ
ているドット抵抗体の抵抗値の最低値以下に設定すれ
ば、抵抗値を下げる範囲内にあるレーザーパワーのみを
使用して、抵抗値を調整することも出来る。この場合の
照射では、ドット抵抗体はカッティングされないので、
印字ドットの均一性は更に良好となる。

【００２７】

【実施例】

（第１の実施例）以下、本発明の実施例を図面に基づい
て詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施例にか
かわるサーマルヘッドの抵抗値調整装置を示す図であ
る。符号は図１２のものに対応し、４−１はレーザーパ
ワー選択部、４−２はレーザー発射部である。本発明
は、照射するレーザーのパワーを或る範囲の値にする
と、ドット抵抗体５の抵抗値を低下させることが出来る
という事実の発見に基礎を置いている。

【００２８】図２は、ドット抵抗体にレーザーを照射し
た場合のレーザーパワーと抵抗値変化率との関係を示す
図である。Ａ〜Ｄは、特性曲線上の点である。ドット抵
抗体を照射するレーザーのパワー（具体的には、レーザ
ーの励起ランプ入力電流）を徐々に上げて行った場合、
或るレーザーパワーＰ_A （点Ａ）まではドット抵抗体の
抵抗値は変化しない（抵抗値変化率＝０％）。それ以上
にすると、まず下がり始める（抵抗値変化率がマイナス
となる）。

【００２９】更にレーザーパワーを上げて行くと、最大
のマイナス値を示した後（点Ｂ）、マイナスの程度は小
さくなって行き、やがて或るレーザーパワーＰ_C で抵抗
値変化率が０％に戻る（点Ｃ）。レーザーパワーをＰ_C
より大にすると、照射された部分が焼き切られることに
なり、ドット抵抗体の抵抗値変化率はプラスとなる（点
Ｄ）。なお、或るレーザーパワーの範囲で抵抗値が下が
る理由は、その範囲のレーザー光が、ちょうどドット抵
抗体を抵抗値小の材質に変質させるのに都合のよい強さ
であるからと推測される。

【００３０】図３は、ドット抵抗体にレーザーを照射し
た場合のレーザーパワーと抵抗値変化率との関係の具体
例を示す図である。図３（イ）は、ドット抵抗体幅Ｗ_T
＝７８μｍ，ドット抵抗体長Ｌ_T ＝１６０μｍのサイズ
のドット抵抗体に対して、照射幅Ｗ＝２６μｍでドット
抵抗体長Ｌ_T だけ照射した場合の例であり、図３（ロ）
は同様のドット抵抗体に対して、照射幅Ｗ＝１３μｍで
照射した場合の例である。なお、いずれの場合も、レー
ザー光の３２％をカットするフィルターをかけて照射し
ている（レーザーは、パワーが低い領域では安定な出力
が得られないので、安定な出力が得られる高いパワー領
域で出力した上で、フィルターによって必要なパワーに
落として使用する）。

【００３１】図４は、抵抗値変化率がマイナスとなるレ
ーザーパワーで照射した場合のレーザー照射幅と抵抗値
変化率との関係を示す図である。図４（イ）は一般的な
傾向を表したものであり、照射幅に略比例して、抵抗値
変化率のマイナスの度合いも大きくなっている。図４
（ロ）は具体例を示したものであり、レーザー励起ラン
プ入力電流１３Ａのレーザーパワーで、ドット抵抗体幅
Ｗ_T ＝７８μｍ，ドット抵抗体長Ｌ_T ＝１６０μｍのサ
イズのドット抵抗体に対して、ドット抵抗体長Ｌ_T だけ
照射した場合の関係を示している。これによれば、例え
ば照射幅を１９μｍとすると、抵抗値を１０％低下させ
ることが出来る。

【００３２】従来のレーザートリミングは、図２で言う
ならば、点Ｃより左方の範囲（抵抗値変化率がプラスの
範囲）を利用して調整していたことになるわけである
が、本発明の第１の実施例では、次の，を併用し
て、サーマルヘッドを構成する各ドット抵抗体の抵抗値
を揃える。 目標抵抗値より大きい抵抗値のドット抵抗体に対して
は、図２の点Ａと点Ｃとの間の範囲（抵抗値変化率がマ
イナスの範囲）を利用して抵抗値を下げる。 目標抵抗値より小さい抵抗値のドット抵抗体に対して
は、図２の点Ｃより左方の範囲（抵抗値変化率がプラス
の範囲）を利用して抵抗値を上げる。

【００３３】即ち、第１の実施例では、抵抗値を下げる
のに使用する第１のレーザーパワーと、抵抗値を上げる
のに使用する第２のレーザーパワーとを予め定めておく
（例えば、図２を参照して、第１のレーザーパワー＝Ｐ
_B ，第２のレーザーパワー＝Ｐ_D と定めておく）。そし
て、それらのいずれかをレーザーパワー選択部４−１で
選択する。

【００３４】次に図１の各部の動作を、順を追って説明
する。図５は、本発明の第１の実施例で抵抗値が調整さ
れる様子を示す図である。座標軸および符号は、図１３
のものに対応している。ドット抵抗値検出部１では、こ
れから調整しようとしている１つのドット抵抗体の抵抗
値を検出する。検出は、抵抗値の調整中も行われる。図
５にプロットした黒丸は、調整前に検出された抵抗値を
表している。

【００３５】各ドット抵抗体の抵抗値が、抵抗値Ｒ₀ を
中心にして±１０％の範囲にバラツイている場合、バラ
ツキの中心の点線ロのレベル（抵抗値Ｒ₀ ）を目標抵抗
値に設定する。比較部３では、ドット抵抗値検出部１で
検出した抵抗値が、目標抵抗値より大か小かを判定す
る。

【００３６】比較した結果、図５のドットナンバー２の
ドット抵抗体のように目標抵抗値より小である場合に
は、レーザーパワー選択部４−１で、抵抗を上げるとこ
ろの第２のレーザーパワー（Ｐ_D ）を選択する。レーザ
ー発射部４−２からは、レーザーパワー選択部４−１で
選択したパワーでレーザーが発射され、ドット抵抗体５
を照射する。この場合の抵抗値調整は、従来のレーザー
トリミングと同様、ドット抵抗体５の一部をカッティン
グすることにより行われる。カッティングしている間も
抵抗値は測定され、目標抵抗値と等しくなったところ
で、照射が停止される。抵抗値はΔＲ₂ だけ引き上げら
れてＲ₀ とされるが、このΔＲ₂ が、この場合の抵抗補
正量である。

【００３７】逆に、ドットナンバー４のドット抵抗体の
ように目標抵抗値より大である場合には、レーザーパワ
ー選択部４−１で、抵抗を下げるところの第１のレーザ
ーパワー（Ｐ_B ）を選択する。抵抗補正量ΔＲ₄ だけ低
下させ、目標抵抗値と一致したところで、照射は停止さ
れる。他のドット抵抗体に対しても同様にして調整され
る。

【００３８】図６は、ドット抵抗体に対するレーザーの
照射の仕方の例を示す図である。符号は、図１０のもの
に対応し、６Ａはレーザー照射領域である。第１の実施
例でレーザーを照射する場合、図６（イ）〜（ハ）のい
ずれを採用してもよい。図６（イ），（ロ）は、照射幅
Ｗを一定と決めておき、照射長Ｌを変えるやり方であ
る。照射幅Ｗを（イ）のように広く決めておくと、照射
長Ｌは短い。（ロ）のように狭く決めておくと、レーザ
ー照射領域６は何往復もする長さとなることもある。

【００３９】図６（ハ）は、照射長Ｌはドット抵抗体長
Ｌ_T と等しくし、抵抗補正量に応じて照射幅をＷ₁ とか
Ｗ₂ とかにするものである。なお、それらの照射幅は、
図４（抵抗値を下げる場合）や図１１（抵抗値を上げる
場合）に示されるレーザー照射幅と抵抗値変化率との関
係を参照して決める。

【００４０】なお、図１１（ロ）は、図１１（イ）の特
性曲線の具体例を示す図である。即ち、ドット抵抗体幅
Ｗ_T ＝７８μｍ，ドット抵抗体長Ｌ_T ＝１６０μｍのサ
イズのドット抵抗体５に対して、レーザー励起ランプ入
力電流＝１６Ａのレーザーパワーのレーザーに、３２％
の光をカットするフィルターをかけて照射する場合の特
性である。

【００４１】（第２の実施例）第１の実施例では、ドッ
ト抵抗体の抵抗値を上げるレーザーパワーと下げるレー
ザーパワーのレーザーを併用しているが、カッティング
を伴わないところの下げるレーザーパワーのレーザーの
みを使用して調整することが出来る。ブロック構成図は
図１と同様となるが、ただレーザーパワー選択部４−１
で選択する種類が、図２の点Ａ〜Ｃの範囲内にあるレー
ザーパワーのものばかりとなる点が異なる。

【００４２】図２の点Ａ〜Ｃの範囲内のレーザーパワー
といっても、レーザーパワーの値によって抵抗値変化率
は異なっている。従って、選択の候補となるレーザーパ
ワーは、複数種類決めておくことも出来るし、１種類に
決めておくことも出来る。比較部３では、検出抵抗値と
目標抵抗値とを比較して差を求め、その差に応じてレー
ザーパワーを選択するわけであるが、用意されている候
補が１種類の場合は常に同じレーザーパワーということ
になる。複数種類用意してある場合には、照射により抵
抗値の差が減少して行くにつれ次々とレーザーパワーを
切り換えることも考えられるが、制御が煩雑となるのを
避けるため、レーザーパワーの選択は、当初の差に応じ
て行う１回だけとしてもよい。

【００４３】図８は、第２の実施例で抵抗値が調整され
る様子を示す図である。符号は、図１３のものに対応し
ている。第２実施例では抵抗値を下げて調整するから、
目標抵抗値は、バラツイているドット抵抗体の抵抗値の
最低値以下（例えば、点線ハのレベル…抵抗値０．９Ｒ
₀ ）に設定することになる。

【００４４】調整しようとしているドット抵抗体の抵抗
値を照射中も検出し続け、目標抵抗値と一致したところ
で照射を停止する。その結果、ドットナンバー２のドッ
ト抵抗体はΔＲ₂ だけ低下させられて０．９Ｒ₀ にさ
れ、ドットナンバー６のドット抵抗体はΔＲ₆ だけ低下
させられて０．９Ｒ₀ にされている。この実施例によれ
ば、ドット抵抗体をカッティングしないので、発熱面積
にバラツキが生ぜず、画質が向上する。

【００４５】（第３の実施例）図７は、本発明の第３の
実施例にかかわるサーマルヘッドの抵抗値調整装置を示
す図である。符号は図１のものに対応し、４−３は照射
幅決定部である。この実施例は、ドット抵抗体の抵抗値
を下げる範囲内にあるレーザーパワーで、所定長照射す
るのみで、抵抗値を調整するものである。所定長は任意
に決定することが出来、例えばドット抵抗体長Ｌ_T とし
てもよい。

【００４６】レーザーパワーを図２の点Ａ〜Ｃまでの範
囲の或るパワーにしてドット抵抗体を照射すると、図４
に示したように、レーザー照射幅に応じて抵抗値変化率
は変わる。仮に照射幅をＷとした場合に、抵抗値変化率
が−２０％であるとすると、発熱面積を変形してしまう
カッティングをしなくとも、２０％の範囲内のバラツキ
は調整できることになる。なお、図４の特性曲線は、ド
ット抵抗体の上端から下端まで、ドット抵抗体長Ｌ_T 全
体にわたって照射した場合に得られる特性曲線である。

【００４７】図８は、本発明の第３の実施例で抵抗値が
調整される様子をも示している図である。符号は、図１
３のものに対応している。ドット抵抗体の抵抗値は、±
１０％の範囲（つまり２０％の範囲）にバラツイてい
る。従って、抵抗値を下げる範囲のレーザーパワーを選
択し、抵抗値変化率が−２０％まで下げれる照射幅がも
しあれば、下げる方向に抵抗値を変えるという調整方法
を採用するだけで、どのドット抵抗体の抵抗値も同じ値
に揃えることが出来る。

【００４８】この場合の目標抵抗値は、バラツイている
抵抗値の最低値以下、例えば点線ハのレベルの０．９Ｒ
₀ に設定されることになる。ドットナンバー２のドット
抵抗体の抵抗値を調整する場合は、先ず図７のドット抵
抗値検出部１にて抵抗値が検出され、比較部３にて目標
抵抗値設定部２の目標抵抗値（０．９Ｒ₀ ）と比較され
る。第３実施例では、単に目標抵抗値より大か小かを見
るのではなく、差の値が幾らかまで求める。ドットナン
バー２の場合は、差はΔＲ₂ だけ大であると求められ
る。

【００４９】それに基づき、レーザーパワー選択部４−
１では、抵抗値を下げる範囲内にあるレーザーパワーで
あって予め定めてあるものの中から適当なものを選択す
る。図２の点Ａ〜Ｃにおける曲線が変化していることか
ら容易に理解されるように、レーザーパワーによって抵
抗値変化率が異なっており、それぞれのレーザーパワー
に応じて図４に相当する特性曲線も少しずつ異なる。従
って、同じ照射幅でも使用するレーザーパワーの値によ
り低下される抵抗量が異なる。従って、選択の候補とな
るレーザーパワーは複数種類決めておいてもよいし、１
種類に決めておいてもよい。

【００５０】照射幅決定部４−３では、目標抵抗値から
の差の値に応じ、選択したレーザーパワーに対応する図
４の特性を参照しつつ、照射幅を決定する。レーザー発
射部４−２は、上記のレーザーパワー，照射幅にてレー
ザーを発射し、ドットナンバー２のドット抵抗体５を照
射する。その結果、その抵抗値はΔＲ₂ だけ下げられ
て、０．９Ｒ₀ にされる。他のドット抵抗体５に対して
も同様な照射がなされ、抵抗値が０．９Ｒ₀ に揃えられ
る。第３実施例ではカッティングされないので、ドット
抵抗体の表面積は変形せず、印字ドットの均一性が保た
れ、高画質となる。

【００５１】なお、図７に示した第３実施例では、図１
のように照射中にドット抵抗体５の抵抗値を測定してフ
ィードバックすることはしていない。図４を参照して照
射幅を決定する時に、所望の抵抗値になることは相当の
確度で予測されるからである。しかし勿論、必要に応じ
てフィードバック制御することも可能である。

【００５２】

【発明の効果】以上述べた如く、本発明のサーマルヘッ
ドの抵抗値調整方法および装置によれば、ドット抵抗体
の抵抗値を下げるレーザーパワーとカッティングにより
抵抗値を上げるレーザーパワーとを使い分けることによ
り、カッティング量を減らし、画質を向上させることが
出来る。

【００５３】この場合、ドット抵抗体の抵抗値のバラツ
キの中心付近に目標抵抗値を設定して、その上下から抵
抗値を接近させて調整するので、当初の抵抗値バラツキ
範囲が従来より大であっても、調整することが出来る。

【００５４】また、目標抵抗値をバラツイているドット
抵抗体の抵抗値の最低値以下に設定し、抵抗値を下げる
範囲内にあるレーザーパワーのみを使用して、抵抗値を
調整した場合には、ドット抵抗体はカッティングされな
いので、画質は更に良好となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施例にかかわるサーマルヘ
ッドの抵抗値調整装置を示す図

【図２】 ドット抵抗体にレーザーを照射した場合のレ
ーザーパワーと抵抗値変化率との関係を示す図

【図３】 ドット抵抗体にレーザーを照射した場合のレ
ーザーパワーと抵抗値変化率との関係の具体例を示す図

【図４】 抵抗値変化率がマイナスとなるレーザーパワ
ーで照射した場合のレーザー照射幅と抵抗値変化率との
関係を示す図

【図５】 本発明の第１の実施例で抵抗値が調整される
様子を示す図

【図６】 ドット抵抗体に対するレーザー照射の仕方の
例を示す図

【図７】 本発明の第３の実施例にかかわるサーマルヘ
ッドの抵抗値調整装置を示す図

【図８】 本発明の第２の実施例および第３の実施例で
抵抗値が調整される様子を示す図

【図９】 サーマルヘッドの要部を示す図

【図１０】ドット抵抗体に対する従来のレーザートリミ
ングを説明する図

【図１１】ドット抵抗体をカッティングする際のレーザ
ー照射幅と抵抗値変化率との関係を示す図

【図１２】従来のレーザートリミングによるサーマルヘ
ッドの抵抗値調整装置を示す図

【図１３】従来のレーザートリミングにより抵抗値が調
整される様子を示す図

【符号の説明】

１…ドット抵抗値検出部、２…目標抵抗値設定部、３…
比較部、４…レーザー照射制御部、４−１…レーザーパ
ワー選択部、４−２…レーザー発射部、４−３…照射幅
決定部、５…ドット抵抗体、６，６Ａ…レーザー照射領
域、７…サーマルヘッド、８…共通電極、９…個別電
極、Ｌ…照射長、Ｌ_T …ドット抵抗体長Ｌ_T 、ΔＲ₂ ，
ΔＲ₄ ，ΔＲ₆ ，ΔＲ₇ …抵抗補正量、Ｒ₀ …抵抗値、
Ｗ，Ｗ₁ ，Ｗ₂ …照射幅、Ｗ_T …ドット抵抗体幅

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 サーマルヘッドを構成する各ドット抵抗
   体にレーザーを照射して抵抗値を目標抵抗値に揃えるサ
   ーマルヘッドの抵抗値調整方法において、検出した抵抗
   値が目標抵抗値より大であるドット抵抗体に対しては抵
   抗値を低下させるパワーでレーザーを照射し、検出した
   抵抗値が目標抵抗値より小であるドット抵抗体に対して
   は抵抗値を増加させるパワーでレーザーを照射し、抵抗
   値が目標抵抗値となったところで照射を停止することを
   特徴とするサーマルヘッドの抵抗値調整方法。
2. 【請求項２】 サーマルヘッドを構成するドット抵抗体
   の抵抗値を検出するドット抵抗値検出部と、ドット抵抗
   体の目標抵抗値を設定する目標抵抗値設定部と、検出し
   た抵抗値が目標抵抗値より大か小かを判定する比較部
   と、ドット抵抗体の抵抗値を低下させる範囲にあり且つ
   予め定められている第１のレーザーパワーかドット抵抗
   体の抵抗値を増加させる範囲にあり且つ予め定められて
   いる第２のレーザーパワーかのいずれかを前記比較部の
   判定結果に応じて選択するレーザーパワー選択部と、選
   択されたレーザーパワーでレーザーを発射するレーザー
   発射部とを具えたことを特徴とするサーマルヘッドの抵
   抗値調整装置。
3. 【請求項３】 サーマルヘッドを構成する各ドット抵抗
   体にレーザーを照射して抵抗値を目標抵抗値に揃えるサ
   ーマルヘッドの抵抗値調整方法において、目標抵抗値を
   バラツイているドット抵抗体の抵抗値の最低値以下に設
   定し、抵抗値を低下させるパワーでレーザーを照射し、
   抵抗値が目標抵抗値となったところで照射を停止するこ
   とを特徴とするサーマルヘッドの抵抗値調整方法。
4. 【請求項４】 サーマルヘッドを構成するドット抵抗体
   の抵抗値を検出するドット抵抗値検出部と、目標抵抗値
   をバラツイているドット抵抗体の抵抗値の最低値以下に
   設定する目標抵抗値設定部と、検出した抵抗値と目標抵
   抗値とを比較する比較部と、該比較部での比較結果に応
   じてレーザーパワーを選択するレーザーパワー選択部
   と、選択されたレーザーパワーでレーザーを発射するレ
   ーザー発射部とを具えたことを特徴とするサーマルヘッ
   ドの抵抗値調整装置。
5. 【請求項５】 サーマルヘッドを構成する各ドット抵抗
   体にレーザーを照射して抵抗値を目標抵抗値に揃えるサ
   ーマルヘッドの抵抗値調整方法において、目標抵抗値を
   バラツイているドット抵抗体の抵抗値の最低値以下に設
   定し、前記目標抵抗値との差に応じてドット抵抗体の抵
   抗値を低下させる範囲内にあるレーザーパワーを選択す
   ると共に照射幅を決定し、該レーザーパワー，該照射幅
   でドット抵抗体を所定長照射することにより抵抗値を調
   整することを特徴とするサーマルヘッドの抵抗値調整方
   法。
6. 【請求項６】 サーマルヘッドを構成するドット抵抗体
   の抵抗値を検出するドット抵抗値検出部と、ドット抵抗
   体の目標抵抗値を設定する目標抵抗値設定部と、検出し
   た抵抗値と目標抵抗値とを比較して差を出力する比較部
   と、該差に応じてドット抵抗体の抵抗値を低下させる範
   囲内にあるレーザーパワーを選択するレーザーパワー選
   択部と、前記差に応じて照射幅を決定する照射幅決定部
   と、選択されたレーザーパワーおよび決定された照射幅
   でレーザーを発射するレーザー発射部とを具え、ドット
   抵抗体の表面上を所定長照射することを特徴とするサー
   マルヘッドの抵抗値調整装置。