JPH056989A - 撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH056989A JPH056989A JP3287523A JP28752391A JPH056989A JP H056989 A JPH056989 A JP H056989A JP 3287523 A JP3287523 A JP 3287523A JP 28752391 A JP28752391 A JP 28752391A JP H056989 A JPH056989 A JP H056989A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コストダウンと薄型化が可能なパッケージ構
造を有する撮像素子とその製造方法を提供する。 【構成】 透明板３の一方の面に配線５が設けられ、各
配線の内端は透明板３の中央部をはさむ位置に並び、外
端は透明板３の長辺に沿って並び、外部との接続端子と
なっている。撮像素子１は、配線５のそれぞれの内端に
バンプ電極６と導電性接着剤（図示せず）によって電気
的に接続され、その受光面を透明板３に向けて固定され
ている。撮像素子１の受光面にはフィルタ２が被着され
ている。撮像素子１の裏面からその周囲にかけてはエポ
キシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆われ
ており、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空間は
密閉されている。
造を有する撮像素子とその製造方法を提供する。 【構成】 透明板３の一方の面に配線５が設けられ、各
配線の内端は透明板３の中央部をはさむ位置に並び、外
端は透明板３の長辺に沿って並び、外部との接続端子と
なっている。撮像素子１は、配線５のそれぞれの内端に
バンプ電極６と導電性接着剤（図示せず）によって電気
的に接続され、その受光面を透明板３に向けて固定され
ている。撮像素子１の受光面にはフィルタ２が被着され
ている。撮像素子１の裏面からその周囲にかけてはエポ
キシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆われ
ており、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空間は
密閉されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビデオカメラ等に用いら
れる撮像装置とその製造方法に関する。
れる撮像装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の撮像装置の断面図である。
図５において、２０はベース、２１は撮像素子、２２は
リード、２３はワイヤー、２４はフィルタ、２５はフレ
ア防止板、２６は透明板である。
図５において、２０はベース、２１は撮像素子、２２は
リード、２３はワイヤー、２４はフィルタ、２５はフレ
ア防止板、２６は透明板である。
【０００３】多層セラミック製のベース２０の中央凹部
に、ＣＣＤなどの撮像素子２１が固定され、撮像素子２
１の電極とリード２２はワイヤー２３で接続されてい
る。撮像素子２１の受光面にはフィルタ２４が接着され
ている。ベース２０の中央凹部の中段にはフレア防止板
２５が設けられ、その上が透明板２６で封じられてい
る。
に、ＣＣＤなどの撮像素子２１が固定され、撮像素子２
１の電極とリード２２はワイヤー２３で接続されてい
る。撮像素子２１の受光面にはフィルタ２４が接着され
ている。ベース２０の中央凹部の中段にはフレア防止板
２５が設けられ、その上が透明板２６で封じられてい
る。
【０００４】一方、従来の製造方法としては、多層セラ
ミック製のベース２０の中央凹部に、ＣＣＤなどの撮像
素子２１を固定し、撮像素子２１の電極とリード２２の
をワイヤー２３で接続する。撮像素子２１の受光面には
フィルタ２４を接着し、ベース２０の中央凹部の中段に
はフレア防止板２５を設ける。その後、透明板２６をそ
の周縁部においてベース２０に接着して密封構造として
いた。
ミック製のベース２０の中央凹部に、ＣＣＤなどの撮像
素子２１を固定し、撮像素子２１の電極とリード２２の
をワイヤー２３で接続する。撮像素子２１の受光面には
フィルタ２４を接着し、ベース２０の中央凹部の中段に
はフレア防止板２５を設ける。その後、透明板２６をそ
の周縁部においてベース２０に接着して密封構造として
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の撮
像装置では、コスト面からはベースに用いられる多層セ
ラミックやフレア防止板が高価であり、コストダウンの
障害となっていた。また、撮像素子がベースの凹部に収
納される構造なので、完成後の撮像装置の薄型化に限界
があった。また、従来の製造方法では、撮像素子をベー
スに固定してからの工程が長くかつ複雑であって、拡散
工程完了後のリードタイム短縮の妨げになっていただけ
でなく、これらの工程で不良が発生した場合には、既に
搭載された良品である撮像素子もあわせて廃棄せざるを
得ず、不良品廃棄による損害が大きかった。
像装置では、コスト面からはベースに用いられる多層セ
ラミックやフレア防止板が高価であり、コストダウンの
障害となっていた。また、撮像素子がベースの凹部に収
納される構造なので、完成後の撮像装置の薄型化に限界
があった。また、従来の製造方法では、撮像素子をベー
スに固定してからの工程が長くかつ複雑であって、拡散
工程完了後のリードタイム短縮の妨げになっていただけ
でなく、これらの工程で不良が発生した場合には、既に
搭載された良品である撮像素子もあわせて廃棄せざるを
得ず、不良品廃棄による損害が大きかった。
【０００６】本発明は上記の問題を解決し、低コスト
で、かつ薄型化に適した撮像装置とその製造方法の提供
を目的としている。
で、かつ薄型化に適した撮像装置とその製造方法の提供
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第１の発明の撮像装置は、少なくとも央部に透明
部を有する板状体と、この板状体の一つの面に形成され
た複数の導体パターンと、導体パターンのそれぞれの内
端に電極が接続され、板状体に受光面を向けて固定され
た撮像素子と、板状体と撮像素子受光面との間の空間を
密閉すべく設けられた封止手段とを有している。
めに、第１の発明の撮像装置は、少なくとも央部に透明
部を有する板状体と、この板状体の一つの面に形成され
た複数の導体パターンと、導体パターンのそれぞれの内
端に電極が接続され、板状体に受光面を向けて固定され
た撮像素子と、板状体と撮像素子受光面との間の空間を
密閉すべく設けられた封止手段とを有している。
【０００８】また、第２の発明の撮像装置は、央部に窓
を有するベースと、ベース表面に設けられそれぞれ一端
が窓内に延び、他端がベース外部に延びる複数の導体
と、ベースに接着された、少なくとも央部に透明部を有
する板状体と、導体の内端に電極を接続し受光面を前記
板状体に向けて前記窓内に保持された撮像素子と、前記
板状体と撮像素子受光面との間の空間を密閉する封止手
段とを有している。
を有するベースと、ベース表面に設けられそれぞれ一端
が窓内に延び、他端がベース外部に延びる複数の導体
と、ベースに接着された、少なくとも央部に透明部を有
する板状体と、導体の内端に電極を接続し受光面を前記
板状体に向けて前記窓内に保持された撮像素子と、前記
板状体と撮像素子受光面との間の空間を密閉する封止手
段とを有している。
【０００９】さらに、第３の発明の撮像装置では、第２
の発明の撮像装置において、ベースと板状体とを接着す
る接着剤の一部が、板状体の中央部に向かって延びフレ
ア防止層となっている。
の発明の撮像装置において、ベースと板状体とを接着す
る接着剤の一部が、板状体の中央部に向かって延びフレ
ア防止層となっている。
【００１０】一方、第４の発明の撮像装置の製造方法
は、少なくとも央部に透光部を有する板状体と、板状体
の一つの面に形成された複数の導体パターンとを有する
構体を用意する工程と、撮像素子の電極が導体パターン
のそれぞれの内端に接続され、撮像素子を板状体に受光
面を向けて固定する工程と、板状体と撮像素子受光面と
の間の空間を密閉する封止工程とを有している。
は、少なくとも央部に透光部を有する板状体と、板状体
の一つの面に形成された複数の導体パターンとを有する
構体を用意する工程と、撮像素子の電極が導体パターン
のそれぞれの内端に接続され、撮像素子を板状体に受光
面を向けて固定する工程と、板状体と撮像素子受光面と
の間の空間を密閉する封止工程とを有している。
【００１１】第５の発明の撮像装置の製造方法は、央部
に窓を有するベースと、ベース表面に設けられそれぞれ
一端が窓内に延び、他端がベース周縁部ないし外部に延
びる複数の導体と、ベースに接着され、少なくとも央部
に透光部を有する板状体とを有する構体を用意する工程
と、撮像素子の電極が導体の内端に接続され、撮像素子
をその受光面を板状体に向けて窓内に固定する工程と、
撮像素子の受光面と板状体との間の空間を密閉する封止
工程とを有している。
に窓を有するベースと、ベース表面に設けられそれぞれ
一端が窓内に延び、他端がベース周縁部ないし外部に延
びる複数の導体と、ベースに接着され、少なくとも央部
に透光部を有する板状体とを有する構体を用意する工程
と、撮像素子の電極が導体の内端に接続され、撮像素子
をその受光面を板状体に向けて窓内に固定する工程と、
撮像素子の受光面と板状体との間の空間を密閉する封止
工程とを有している。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、高価な多層構造のベースが
不要となり、コストダウンが図られるとともに、ベース
に撮像素子を収納する深さが不要となるので、撮像装置
の薄型化も実現される。また、ダイスボンド工程やワイ
ヤボンド工程が不要となるだけでなく、撮像素子固定後
の工程も短く、リードタイムの短縮が図られるととも
に、不良発生時の廃棄による損害も最小限に抑えられ
る。
不要となり、コストダウンが図られるとともに、ベース
に撮像素子を収納する深さが不要となるので、撮像装置
の薄型化も実現される。また、ダイスボンド工程やワイ
ヤボンド工程が不要となるだけでなく、撮像素子固定後
の工程も短く、リードタイムの短縮が図られるととも
に、不良発生時の廃棄による損害も最小限に抑えられ
る。
【００１３】
【実施例】図１は第１の発明の一実施例装置の断面図、
図２はその平面図である。なお、図１は図２のＸ−Ｙの
位置における断面図である。両図において、１は撮像素
子、２はフィルタ、３は透明板、４は封止樹脂、５は配
線、６はバンプ電極である。１ｍｍ〜２ｍｍの厚さのガ
ラスでなる透明板３の一方の面に蒸着金属あるいはスク
リーン印刷によって形成された複数の導体パターンによ
り配線５が設けられている。各配線の内端は透明板３の
中央部をはさむ位置に並び、その外端が透明板３の長辺
に沿って並んで外部との接続端子となっている。配線の
外端は封止樹脂４には覆われていない。この接続端子に
二段突起状のバンプ電極を設けておいてもよい。撮像素
子１は、配線５のそれぞれの内端にバンプ電極６と導電
性接着剤（図示せず）によって電気的に接続され、その
受光面を透明板３に向けて固定されている。バンプ電極
６はめっき法またはスタッドバンプ法によって金を材料
として撮像素子１の表面に形成しておくか、あらかじめ
配線５の所定位置に転写しておけばよい。スタッドバン
プ法で形成されたバンプ電極は、押しつぶされたボール
でなるベース部分と、このベース部分から延びるワイヤ
ーを折り返して形成した突起部とからなる二段突起形状
をしている。このような電極を用いれば、従来の形状の
バンプ電極よりも高さの大きい電極を形成することがで
きる。本実施例装置においてバンプ電極６として二段突
起電極を用いれば、透明板３と撮像素子１の表面との間
隔を充分広くとることができ、フィルタ２を余裕を持っ
て設けることが可能となる。また、二段突起電極はその
形状から、衝撃を緩和する作用があり、配線５に接続す
る際の機械的衝撃を吸収して透明板や撮像素子にダメー
ジを与えない。バンプ電極と配線との接続は直接圧着し
てもよいし、導電性接着剤を介して接着してもよい。導
電性接着剤は一括転写して用いる。撮像素子１の受光面
にはフィルタ２が被着されている。撮像素子１の裏面か
らその周囲にかけてはエポキシ樹脂またはシリコーン樹
脂等の封止樹脂４で覆われており、撮像素子１の受光面
と透明板３との間の空間には不活性ガスである窒素ガス
が封入され、密閉されている。本実施例装置の構造によ
れば、導体パターンで形成された配線５が外部リードを
兼ねており、外部リードを別に設ける必要がないという
メリットとともに、装置の薄型化が実現される。
図２はその平面図である。なお、図１は図２のＸ−Ｙの
位置における断面図である。両図において、１は撮像素
子、２はフィルタ、３は透明板、４は封止樹脂、５は配
線、６はバンプ電極である。１ｍｍ〜２ｍｍの厚さのガ
ラスでなる透明板３の一方の面に蒸着金属あるいはスク
リーン印刷によって形成された複数の導体パターンによ
り配線５が設けられている。各配線の内端は透明板３の
中央部をはさむ位置に並び、その外端が透明板３の長辺
に沿って並んで外部との接続端子となっている。配線の
外端は封止樹脂４には覆われていない。この接続端子に
二段突起状のバンプ電極を設けておいてもよい。撮像素
子１は、配線５のそれぞれの内端にバンプ電極６と導電
性接着剤（図示せず）によって電気的に接続され、その
受光面を透明板３に向けて固定されている。バンプ電極
６はめっき法またはスタッドバンプ法によって金を材料
として撮像素子１の表面に形成しておくか、あらかじめ
配線５の所定位置に転写しておけばよい。スタッドバン
プ法で形成されたバンプ電極は、押しつぶされたボール
でなるベース部分と、このベース部分から延びるワイヤ
ーを折り返して形成した突起部とからなる二段突起形状
をしている。このような電極を用いれば、従来の形状の
バンプ電極よりも高さの大きい電極を形成することがで
きる。本実施例装置においてバンプ電極６として二段突
起電極を用いれば、透明板３と撮像素子１の表面との間
隔を充分広くとることができ、フィルタ２を余裕を持っ
て設けることが可能となる。また、二段突起電極はその
形状から、衝撃を緩和する作用があり、配線５に接続す
る際の機械的衝撃を吸収して透明板や撮像素子にダメー
ジを与えない。バンプ電極と配線との接続は直接圧着し
てもよいし、導電性接着剤を介して接着してもよい。導
電性接着剤は一括転写して用いる。撮像素子１の受光面
にはフィルタ２が被着されている。撮像素子１の裏面か
らその周囲にかけてはエポキシ樹脂またはシリコーン樹
脂等の封止樹脂４で覆われており、撮像素子１の受光面
と透明板３との間の空間には不活性ガスである窒素ガス
が封入され、密閉されている。本実施例装置の構造によ
れば、導体パターンで形成された配線５が外部リードを
兼ねており、外部リードを別に設ける必要がないという
メリットとともに、装置の薄型化が実現される。
【００１４】本実施例装置の望ましい製造方法として
は、まず、透明板３に配線５を形成した構体をあらかじ
め用意しておき、その構体を洗浄後、バンプ電極６とフ
ィルタ２を設けた撮像素子１を配線５の内端に接続す
る。その後、窒素ガス雰囲気中で撮像素子１の裏面から
その周囲にかけてをエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂
等の封止樹脂４で覆い、撮像素子１の受光面と透明板３
との間の空間は密閉すればよい。
は、まず、透明板３に配線５を形成した構体をあらかじ
め用意しておき、その構体を洗浄後、バンプ電極６とフ
ィルタ２を設けた撮像素子１を配線５の内端に接続す
る。その後、窒素ガス雰囲気中で撮像素子１の裏面から
その周囲にかけてをエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂
等の封止樹脂４で覆い、撮像素子１の受光面と透明板３
との間の空間は密閉すればよい。
【００１５】この製造方法によれば、撮像素子を接続し
た後の工程は封止工程のみとなるので、いわゆる拡散工
程完了後のリードタイムが短縮されるとともに、撮像素
子を接続した後で工程不良が発生することが少なく、撮
像素子を含む半製品を不良品として廃棄することが少な
くなり、不良発生による損害を最小限に抑えられる。ま
た、撮像素子１の表面がある空間は不活性ガスである窒
素ガスで満たされているので、酸化や吸湿による素子の
劣化が起こらない。
た後の工程は封止工程のみとなるので、いわゆる拡散工
程完了後のリードタイムが短縮されるとともに、撮像素
子を接続した後で工程不良が発生することが少なく、撮
像素子を含む半製品を不良品として廃棄することが少な
くなり、不良発生による損害を最小限に抑えられる。ま
た、撮像素子１の表面がある空間は不活性ガスである窒
素ガスで満たされているので、酸化や吸湿による素子の
劣化が起こらない。
【００１６】図３は第２の発明の一実施例おける撮像装
置の断面図である。同図において、７はベース、８はリ
ード、９は接着剤である。単層セラミック製のベース７
はその央部に撮像素子１を収納できるサイズの長方形の
窓を有し、一方の面には複数のリード８が形成されてい
る。リード８はたとえば、鉄系合金などの導体で成り、
それぞれその内端が前記ベース７の窓に突出している。
この突出部分にはバンプ電極６との接合性を高めるため
に、たとえばバンプ電極６が金の場合にはリード８の表
面に錫メッキを施しておけば好ましい。リード８の他端
はベース７の外部にまで延長され、ベース７の側面に沿
って下方に曲げられ、外部リードとなっている。撮像素
子１は、リード８のそれぞれの内端にバンプ電極６によ
って電気的に接続され、その受光面を透明板３に向けて
ベース７の窓内に固定されている。リード８の内端とバ
ンプ電極６との電気的接続は熱圧着による一括接合によ
ればよい。バンプ電極６はめっき法またはスタッドバン
プ法で撮像素子１の表面に形成しておくか、あらかじめ
リード８の所定位置に転写しておけばよい。スタッドバ
ンプ法で形成されたバンプ電極は、押しつぶされたボー
ルでなるベース部分と、このベース部分から延びるワイ
ヤーを折り返して形成した突起部とからなる二段突起形
状をしている。このような電極を用いれば、従来の形状
のバンプ電極よりも高さの大きい電極を形成することが
できる。本実施例装置においてバンプ電極６として二段
突起電極を用いれば、透明板３と撮像素子１の表面との
間隔を充分広くとることができ、フィルタ２を余裕を持
って設けることが可能となる。また、二段突起電極はそ
の形状から衝撃を緩和する作用があり、配線５に接続す
る際の機械的衝撃を吸収して配線や撮像素子にダメージ
を与えない。
置の断面図である。同図において、７はベース、８はリ
ード、９は接着剤である。単層セラミック製のベース７
はその央部に撮像素子１を収納できるサイズの長方形の
窓を有し、一方の面には複数のリード８が形成されてい
る。リード８はたとえば、鉄系合金などの導体で成り、
それぞれその内端が前記ベース７の窓に突出している。
この突出部分にはバンプ電極６との接合性を高めるため
に、たとえばバンプ電極６が金の場合にはリード８の表
面に錫メッキを施しておけば好ましい。リード８の他端
はベース７の外部にまで延長され、ベース７の側面に沿
って下方に曲げられ、外部リードとなっている。撮像素
子１は、リード８のそれぞれの内端にバンプ電極６によ
って電気的に接続され、その受光面を透明板３に向けて
ベース７の窓内に固定されている。リード８の内端とバ
ンプ電極６との電気的接続は熱圧着による一括接合によ
ればよい。バンプ電極６はめっき法またはスタッドバン
プ法で撮像素子１の表面に形成しておくか、あらかじめ
リード８の所定位置に転写しておけばよい。スタッドバ
ンプ法で形成されたバンプ電極は、押しつぶされたボー
ルでなるベース部分と、このベース部分から延びるワイ
ヤーを折り返して形成した突起部とからなる二段突起形
状をしている。このような電極を用いれば、従来の形状
のバンプ電極よりも高さの大きい電極を形成することが
できる。本実施例装置においてバンプ電極６として二段
突起電極を用いれば、透明板３と撮像素子１の表面との
間隔を充分広くとることができ、フィルタ２を余裕を持
って設けることが可能となる。また、二段突起電極はそ
の形状から衝撃を緩和する作用があり、配線５に接続す
る際の機械的衝撃を吸収して配線や撮像素子にダメージ
を与えない。
【００１７】本実施例の構造によれば、撮像素子１が、
ベース７の窓内中空に突出したリード８の内端において
接続されているので、封止樹脂４の硬化の際の応力をリ
ード８のフレキシビリティーによって吸収することがで
きる。
ベース７の窓内中空に突出したリード８の内端において
接続されているので、封止樹脂４の硬化の際の応力をリ
ード８のフレキシビリティーによって吸収することがで
きる。
【００１８】撮像素子１の受光面にはフィルタ２が被着
されている。撮像素子１の裏面からその周囲にかけては
エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆
われており、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空
間は密閉され窒素ガスが封入されている。
されている。撮像素子１の裏面からその周囲にかけては
エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆
われており、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空
間は密閉され窒素ガスが封入されている。
【００１９】本実施例装置の望ましい製造方法として
は、まず、ベース７、リード８、接着剤９、透明板３に
よって構成される構体をあらかじめ用意しておき、その
構体を洗浄後、バンプ電極６とフィルタ２を設けた撮像
素子１をリード８の内端に接続する。その後、窒素ガス
雰囲気中で撮像素子１の裏面からその周囲にかけてをエ
ポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆
い、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空間は密閉
すればよい。この製造方法によれば、撮像素子を接続し
た後の工程は封止工程のみとなるので、いわゆる拡散工
程完了後のリードタイムが短縮されるとともに、撮像素
子を接続した後で工程不良が発生することが少なく、撮
像素子を含む半製品を不良品として廃棄することが少な
くなり、不良発生による損害を最小限に抑えられる。ま
た、撮像素子１の表面がある空間は不活性ガスである窒
素ガスで満たされているので、酸化や吸湿による素子の
劣化が起こらない。さらに、単層セラミック製のベース
７を用いているので、多層セラミック製のベースを用い
ていた従来の構造に比べて安価な撮像装置を実現でき
る。
は、まず、ベース７、リード８、接着剤９、透明板３に
よって構成される構体をあらかじめ用意しておき、その
構体を洗浄後、バンプ電極６とフィルタ２を設けた撮像
素子１をリード８の内端に接続する。その後、窒素ガス
雰囲気中で撮像素子１の裏面からその周囲にかけてをエ
ポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆
い、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空間は密閉
すればよい。この製造方法によれば、撮像素子を接続し
た後の工程は封止工程のみとなるので、いわゆる拡散工
程完了後のリードタイムが短縮されるとともに、撮像素
子を接続した後で工程不良が発生することが少なく、撮
像素子を含む半製品を不良品として廃棄することが少な
くなり、不良発生による損害を最小限に抑えられる。ま
た、撮像素子１の表面がある空間は不活性ガスである窒
素ガスで満たされているので、酸化や吸湿による素子の
劣化が起こらない。さらに、単層セラミック製のベース
７を用いているので、多層セラミック製のベースを用い
ていた従来の構造に比べて安価な撮像装置を実現でき
る。
【００２０】図４は第３の発明の一実施例の撮像装置の
断面図である。同図において、１０はフレア防止層であ
る。単層セラミック製のベース７はその央部に窓を有
し、一方の面には複数のリード８が形成されている。リ
ード８はそれぞれその内端が前記ベース７の窓に突出し
ている。撮像素子１は、リード８のそれぞれの内端にバ
ンプ電極６によって電気的に接続され、その受光面を透
明板３に向けてベース７の窓内に固定されている。リー
ド８の内端とバンプ電極６との電気的接続は熱圧着によ
る一括接合によればよい。バンプ電極６はめっき法また
はスタッドバンプ法で撮像素子１の表面に形成しておく
か、あらかじめリード８の所定位置に転写しておけばよ
い。スタッドバンプ法で形成されたバンプ電極は、押し
つぶされたボールでなるベース部分と、このベース部分
から延びるワイヤーを折り返して形成した突起部とから
なる二段突起形状をしている。このような電極を用いれ
ば、従来の形状のバンプ電極よりも高さの大きい電極を
形成することができる。本実施例装置においてバンプ電
極６として二段突起電極を用いれば、透明板３と撮像素
子１の表面との間隔を充分広くとることができ、フィル
タ２を余裕を持って設けることが可能となる。また、二
段突起電極はその形状から衝撃を緩和する作用があり、
配線５に接続する際の機械的衝撃を吸収して配線や撮像
素子にダメージを与えない。リード８の他端はベース７
の外部にまで延長され、ベース７の側面に沿って下方に
曲げられ、外部リードとなっている。
断面図である。同図において、１０はフレア防止層であ
る。単層セラミック製のベース７はその央部に窓を有
し、一方の面には複数のリード８が形成されている。リ
ード８はそれぞれその内端が前記ベース７の窓に突出し
ている。撮像素子１は、リード８のそれぞれの内端にバ
ンプ電極６によって電気的に接続され、その受光面を透
明板３に向けてベース７の窓内に固定されている。リー
ド８の内端とバンプ電極６との電気的接続は熱圧着によ
る一括接合によればよい。バンプ電極６はめっき法また
はスタッドバンプ法で撮像素子１の表面に形成しておく
か、あらかじめリード８の所定位置に転写しておけばよ
い。スタッドバンプ法で形成されたバンプ電極は、押し
つぶされたボールでなるベース部分と、このベース部分
から延びるワイヤーを折り返して形成した突起部とから
なる二段突起形状をしている。このような電極を用いれ
ば、従来の形状のバンプ電極よりも高さの大きい電極を
形成することができる。本実施例装置においてバンプ電
極６として二段突起電極を用いれば、透明板３と撮像素
子１の表面との間隔を充分広くとることができ、フィル
タ２を余裕を持って設けることが可能となる。また、二
段突起電極はその形状から衝撃を緩和する作用があり、
配線５に接続する際の機械的衝撃を吸収して配線や撮像
素子にダメージを与えない。リード８の他端はベース７
の外部にまで延長され、ベース７の側面に沿って下方に
曲げられ、外部リードとなっている。
【００２１】撮像素子１の受光面にはフィルタ２が被着
されている。撮像素子１の裏面からその周囲にかけては
エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆
われており、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空
間は密閉され、窒素ガスが封入されている。
されている。撮像素子１の裏面からその周囲にかけては
エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等の封止樹脂４で覆
われており、撮像素子１の受光面と透明板３との間の空
間は密閉され、窒素ガスが封入されている。
【００２２】本発明の基本的な構造は図３に示した例と
共通しているが、本発明の特徴としては、ベース７と透
明板３とを接着する接着剤９の一部が透明板３の接着面
において透明板３の中央に向かって延び、フレア防止層
１０を形成していることである。フレア防止層１０は、
撮像素子１の有効画素領域に垂直に入射する光を妨げな
い部分にのみ設けられている。接着剤９は黒色にしたエ
ポキシ樹脂等を用い、遮光性と吸光性を持たせればよ
い。このような構造にすることにより、フレア防止のた
めの部材を別に設ける必要がなくなり、コストダウンと
ともに、薄型で耐フレア性の優れた撮像装置が実現され
る。また、単層セラミック製のベース７を用いているの
で、多層セラミック製のベースを用いていた従来の構造
に比べて安価な撮像装置を実現できる。
共通しているが、本発明の特徴としては、ベース７と透
明板３とを接着する接着剤９の一部が透明板３の接着面
において透明板３の中央に向かって延び、フレア防止層
１０を形成していることである。フレア防止層１０は、
撮像素子１の有効画素領域に垂直に入射する光を妨げな
い部分にのみ設けられている。接着剤９は黒色にしたエ
ポキシ樹脂等を用い、遮光性と吸光性を持たせればよ
い。このような構造にすることにより、フレア防止のた
めの部材を別に設ける必要がなくなり、コストダウンと
ともに、薄型で耐フレア性の優れた撮像装置が実現され
る。また、単層セラミック製のベース７を用いているの
で、多層セラミック製のベースを用いていた従来の構造
に比べて安価な撮像装置を実現できる。
【００２３】また、本実施例の構造によれば、撮像素子
１が、ベース７の窓内中空に突出したリード８の内端に
おいて接続されているので、封止樹脂４の硬化の際の応
力をリード８のフレキシビリティーによって吸収するこ
とができる。
１が、ベース７の窓内中空に突出したリード８の内端に
おいて接続されているので、封止樹脂４の硬化の際の応
力をリード８のフレキシビリティーによって吸収するこ
とができる。
【００２４】上記各実施例におけるスタッドバンプ法に
ついては、たとえば、特開昭６３−３０４５８７号公報
に詳しく示されている。
ついては、たとえば、特開昭６３−３０４５８７号公報
に詳しく示されている。
【００２５】なお、以上の各実施例においては、板状体
として全体が透明なガラス板を用いたが、撮像素子の有
効画素領域に入射する光が通過する央部のみが透明材料
で形成された板状のものを用いてもよい。
として全体が透明なガラス板を用いたが、撮像素子の有
効画素領域に入射する光が通過する央部のみが透明材料
で形成された板状のものを用いてもよい。
【００２６】また、図３、図４に示した実施例において
は、リード８の導出部分をベース７の側面に沿って下方
に折り曲げて、いわゆるデュアルインライン型のリード
形状になっているが、このリード形状はフラットパッケ
ージ型の形状（ガルウィング型）にしてもよい。
は、リード８の導出部分をベース７の側面に沿って下方
に折り曲げて、いわゆるデュアルインライン型のリード
形状になっているが、このリード形状はフラットパッケ
ージ型の形状（ガルウィング型）にしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上詳しく述べたように、本発明の撮像
装置およびその製造方法によれば、高価な多層構造のベ
ースが不要となり、コストダウンが図られるとともに、
ベースに撮像素子を収納する深さが不要となるので、撮
像装置の薄型化も実現される。また、撮像素子固定後の
工程が短く、リードタイムの短縮が図られるとともに、
不良発生時の廃棄による損害も最小限に抑えられる。
装置およびその製造方法によれば、高価な多層構造のベ
ースが不要となり、コストダウンが図られるとともに、
ベースに撮像素子を収納する深さが不要となるので、撮
像装置の薄型化も実現される。また、撮像素子固定後の
工程が短く、リードタイムの短縮が図られるとともに、
不良発生時の廃棄による損害も最小限に抑えられる。
【図１】本発明実施例装置を示す断面図
【図２】本発明実施例装置を示す平面図
【図３】本発明実施例装置を示す断面図
【図４】本発明実施例装置を示す断面図
【図５】従来例装置を示す断面図
１ 撮像素子
３ 透明板
４ 封止樹脂
５ 配線
６ バンプ電極
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも央部に透光部を有する板状体
と、前記板状体の一つの面に形成された複数の導体パタ
ーンと、前記導体パターンのそれぞれの内端に電極が接
続され、前記板状体に受光面を向けて固定された撮像素
子と、前記板状体と前記撮像素子受光面との間の空間を
密閉する封止手段とを有する撮像装置。 - 【請求項２】 央部に窓を有するベースと、前記ベース
表面に設けられそれぞれ、一端が前記窓内に延び、他端
が前記ベース外部に延びた複数の導体と、前記ベースに
接着された、少なくとも央部に透光部を有する板状体
と、前記導体の内端に電極が接続され、受光面を前記板
状体に向けて前記窓内に固定された撮像素子と、前記板
状体と前記撮像素子受光面との間の空間を密閉する封止
手段とを有する撮像装置。 - 【請求項３】 ベースと板状体とを接着する接着剤の一
部が前記板状体の中央部に向かって展在し、フレア防止
層となっている請求項２に記載の撮像装置。 - 【請求項４】 少なくとも央部に透光部を有する板状体
と、前記板状体の一つの面に形成された複数の導体パタ
ーンとを有する構体を用意する工程と、撮像素子の電極
を前記導体パターンのそれぞれの内端に接続して前記撮
像素子を前記板状体に受光面を向けて固定する工程と、
前記板状体と前記撮像素子受光面との間の空間を密閉す
る封止工程とを有する撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 央部に窓を有するベースと、前記ベース
の表面に設けられそれぞれ一端が前記窓内に延び、他端
が前記ベース周縁部ないし外部に延びる複数の導体と、
前記ベースに接着され少なくとも央部に透光部を有する
板状体とを有する構体を用意する工程と、撮像素子の電
極を前記導体の内端に接続し前記撮像素子をその受光面
を前記板状体に向けて前記窓内に固定する工程と、前記
撮像素子の受光面と前記板状体との間の空間を密閉する
封止工程とを有する撮像装置の製造方法。 - 【請求項６】 撮像素子の電極が二段突起状電極でなる
請求項１、請求項２または請求項３に記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287523A JP2769255B2 (ja) | 1990-11-05 | 1991-11-01 | 撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30084990 | 1990-11-05 | ||
| JP2-300849 | 1990-11-05 | ||
| JP3287523A JP2769255B2 (ja) | 1990-11-05 | 1991-11-01 | 撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056989A true JPH056989A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2769255B2 JP2769255B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=26556759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3287523A Expired - Lifetime JP2769255B2 (ja) | 1990-11-05 | 1991-11-01 | 撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2769255B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786589A (en) * | 1993-05-28 | 1998-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric converting device with anisotropically conductive film for connecting leads of wiring board and electrode pads of photoelectric converting device |
| JPH11274460A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
| WO2000033022A3 (de) * | 1998-11-27 | 2000-10-05 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische baueinheit |
| US6399995B1 (en) * | 1996-01-17 | 2002-06-04 | Sony Corporation | Solid state image sensing device |
| JP2006128432A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーパッケージおよびその製造方法 |
| JP2007158184A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
| US7250664B2 (en) | 2002-04-18 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit device packaging structure and packaging method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3955487B2 (ja) | 2002-03-19 | 2007-08-08 | 松下電器産業株式会社 | 集積回路素子の実装方法 |
Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63274162A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Fujitsu Ltd | 半導体パッケ−ジ |
| JPS63304587A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気的接続接点の形成方法 |
| JPH0187562U (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-09 | ||
| JPH02231761A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH02270374A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP3287523A patent/JP2769255B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
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| JP2002531936A (ja) * | 1998-11-27 | 2002-09-24 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 光電子構造ユニット |
| US6605828B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-08-12 | Dr. Johanns Hudenheim Gmbh | Optoelectronic component with a space kept free from underfiller |
| US7250664B2 (en) | 2002-04-18 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit device packaging structure and packaging method |
| US7663200B2 (en) | 2002-04-18 | 2010-02-16 | Panasonic Corporation | Integrated circuit device packaging structure and packaging method |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2769255B2 (ja) | 1998-06-25 |
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