JPH057007A - マイクロレンズおよびその製造方法 - Google Patents

マイクロレンズおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH057007A
JPH057007A JP15694091A JP15694091A JPH057007A JP H057007 A JPH057007 A JP H057007A JP 15694091 A JP15694091 A JP 15694091A JP 15694091 A JP15694091 A JP 15694091A JP H057007 A JPH057007 A JP H057007A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microlens
light
melting
light collecting
photodiode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15694091A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Hamamoto
辰雄 濱本
Akiya Izumi
章也 泉
Takaaki Kuji
卓見 久慈
Toshio Nakano
寿夫 中野
Kazumi Kanesaka
和美 金坂
Takashi Isoda
高志 磯田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Device Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Device Engineering Co Ltd
Priority to JP15694091A priority Critical patent/JPH057007A/ja
Publication of JPH057007A publication Critical patent/JPH057007A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 集光部に光の無駄なく集光を行う。 【構成】 マトリックス状に配置された集光部における
各列方向の集光部群をそれぞれ覆うストライプ状の樹脂
層を形成し、これら各樹脂層を溶融することによりレン
ズを形成するマイクロレンズの製造方法において、各集
光部間に位置付けられる前記各樹脂層に行方向の溝が形
成された状態で溶融を行い、かつ溶融後に前記溝部で隣
接する樹脂層がつながるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロレンズおよび
その製造方法に係り、特に、マトリックス状に配置され
た集光部における各列方向の集光部群をそれぞれ覆う樹
脂層の溶融により形成されたマイクロレンズおよびその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、半導体基板の主表面にマトリ
ックス状に複数のフォトダイオードが形成され、光像照
射により各フォトダイオードに蓄積される電荷をCCD
素子等により順次転送しこれら各電荷を電圧に変換して
出力として取り出す固体撮像素子がある。
【0003】このような構成からなる固体撮像素子は、
たとえば「映像情報INDUSTRIAL.5月号.1
986.産業開発機構KK発行」等において知られてい
る。
【0004】そして、近年になって、各フォトダイオー
ドに取り入れる光量の増大を図り、これにより感度を向
上させるようにするために、各フォトダイオードの上面
にそれぞれマイクロレンズを形成する技術が知られるよ
うになってきた(特開昭54−17620号公報参
照)。
【0005】このようなマイクロレンズの形成方法の一
例としては、マトリックス状に配置されたフォトダイオ
ードにおける各列方向のフォトダイオード群をそれぞれ
覆うストライプ状の樹脂層を形成し、これら各樹脂層を
溶融することにより、その表面にレンズ面を形成するも
のが知られている。
【0006】このように列方向のフォトダイオード群毎
に共通のマイクロレンズ(シリンドリカルレンズ)を形
成するのはその製造が容易であることに基づくものであ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
法でマイクロレンズを形成した場合、その曲率は幅方向
のみに形成されていることになるため、光の集光個所は
マイクロレンズ長手方向に沿った領域となり、フォトダ
イオードの形成領域以外の領域においても光照射がなさ
れることになる。
【0008】図8は、このようなマイクロレンズを溶融
によって形成する前段階のストライプ状の樹脂層80が
その幅方向に規則正しく配列された状態を示した図であ
る。
【0009】同図において、(a)は平面図、(b)は
(a)のb−b線における断面図、(c)は(a)にお
けるc−c線における断面図である。
【0010】同図に示す樹脂層80を溶融することによ
り、図中点線で示すような形状(シリンドリカル)のマ
イクロレンズ81が形成されることになり、その幅方向
における集光は、図9のようになる。
【0011】しかし、この集光は、マイクロレンズの長
手方向においては全く同様で、図8(a)に示すフォト
ダイオード82の形成領域以外の領域においても光照射
がなされることになる。
【0012】したがって、フォトダイオード82にでき
るだけ光を集光させ、感度を向上させるマイクロレンズ
の機能からみれば、充分なものでないという問題が残さ
れていた。
【0013】それ故、本発明は、このような事情に基づ
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、フォトダイオード等の集光部に無駄なく集光を行う
ことができるマイクロレンズの製造方法を提供するもの
である。
【0014】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、マトリックス状に配置された集光
部における各列方向の集光部群をそれぞれ覆うストライ
プ状の樹脂層を形成し、これら各樹脂層を溶融すること
によりレンズを形成するマイクロレンズの製造方法にお
いて、各集光部間に位置付けられる前記各樹脂層に行方
向の溝が形成された状態で溶融を行い、かつ溶融後に前
記溝部で隣接する樹脂層がつながるようにしたことを特
徴とするものである。
【0015】
【作用】このように構成したマイクロレンズの製造方法
は、各集光部間に位置付けられる前記各樹脂層に行方向
の溝が形成された状態で溶融を行なうものであるが、特
に、前記溝の幅は比較的小さく設定し、これにより、溶
融後において隣接する樹脂層が該溝部の個所でつながる
ようにしたものである。
【0016】このようにすることにより、溶融の際、樹
脂層は前記溝部において溶融だれが生じる結果、凹陥部
が形成されるとともに該凹陥部の側面にレンズ面が形成
されることになる。
【0017】したがって、集光部間における前記凹陥部
およびその近傍に照射される光は前記レンズ面によって
集光部に屈折されるようになり、無駄なく集光がなされ
るようになる。
【0018】
【実施例】図2は、本発明によるマイクロレンズの製造
方法を適用させる固体撮像装置の一実施例を示す概略構
成図である。
【0019】同図は、一チップの半導体基板の主表面に
図示のような配列で各素子が形成されたものとなってい
る。同図において、前記半導体基板の主表面の光像投影
領域に複数のフォトダイオード1がマトリックス状に配
列されて形成されている。
【0020】また、列方向に配列されたフォトダイオー
ド1の群毎に該列方向に沿って形成された垂直レジスタ
2があり、これら各垂直レジスタ2はCCD素子から構
成されている。
【0021】これら垂直レジスタ2は、それぞれ列方向
に配列された各フォトダイオード1にて発生した電荷を
読出すとともに列方向に沿って前記光像投影領域外に転
送させるものとなっている。
【0022】なお、各フォトダイオード1から垂直レジ
スタ2への電荷読出しは、図示しない電荷読出しゲート
によりなされるようになっている。
【0023】さらに、各垂直レジスタ2からそれぞれ転
送されてきた電荷は、水平シフトレジスタ4に出力さ
れ、この水平シフトレジスタ4によって水平方向に転送
されるようになっている。この水平シフトレジスタ4
は、前記各垂直シフトレジスタ2と同様にCCD素子に
より構成されている。
【0024】水平シフトレジスタ4からの出力は、出力
回路5に入力され、この出力回路5において例えば電圧
に変換され、外部に取り出されるようになっている。
【0025】そして、このように各素子が形成された半
導体基板の主表面には、各フォトダイオード1が形成さ
れている領域において開口が形成されることにより、各
フォトダイオード1のみを露呈させる遮光膜(図示せ
ず)が形成されている。
【0026】図3は、図2のIII−III線における断面を
示す構成図である。
【0027】同図において、まず、N型半導体基板11
があり、このN型半導体基板11の表面にはP型ウェル
層12が形成されている。このP型ウェル層12の主表
面側は、光像投影領域となっており、この光像投影領域
側の前記P型半導体基板面31には、複数のN型拡散層
13が散在的に(平面的に観た場合、マトリックス状
に)形成されている。
【0028】これらN型拡散層13は、それぞれ、P型
ウェル層12との間にPN接合面を形成し、フォトダイ
オードを構成するようになっている。
【0029】そして、フォトダイオードを構成する前記
N型拡散層13の表面には暗電流発生防止のための濃度
の濃いP型拡散層14が形成されている。
【0030】また、図中、各フォトダイオードの間の各
領域には、CCD素子の電荷転送路となる濃度の小さい
N型拡散層15が図中紙面裏から紙面表に沿って形成さ
れている。
【0031】このN型拡散層15は、また濃度の濃いP
型拡散層16の表面に形成されたものとなっている。P
型拡散層16は、電荷吐き出しのためにN型半導体基板
11にパルスを印加した(いわゆる電子シャッタ)際、
N型拡散層15内に転送されている電荷がN型半導体基
板11側に移動するのを妨げる層となるものである。
【0032】さらに、フォトダイオードを構成するN型
拡散層13に対し電荷が転送される側のN型拡散層15
と逆側に位置づけられるN型拡散層15との間には、ア
イソレーション層となる濃度の濃いP型拡散層17が形
成されている。
【0033】このように各拡散層が形成された表面には
透明な半導体酸化膜18が形成され、この半導体酸化膜
18の表面には、たとえばポリシリコン層からなる転送
電極19(CCD素子の)が形成されている。この転送
電極19は、異なる層に形成された他の転送電極20と
ともに2相駆動電極構造を構成するようになっている。
【0034】このうち、転送電極19は、フォトダイオ
ードを構成するN型拡散層13の領域にまで延在され、
電荷読出電極を兼ねているようになっている。すなわ
ち、転送電極19に電圧が印加されるとN型拡散層13
とN型拡散層15を接続させるNチャンネル層が形成さ
れることになり、フォトダイオード側の電荷がCCD素
子側に読みだされるようになる。
【0035】そして、転送電極19、20が形成された
半導体酸化膜18面には、前記転送電極19、20をも
覆って半導体酸化膜18Aが形成され、この半導体酸化
膜18A面には、フォトダイオードの上方領域を除いて
たとえばアルミニュウムからなる遮光膜21が形成され
ている。これにより、この遮光膜21からは前記半導体
酸化膜を通してフォトダイオードが露呈されるようにな
っている。
【0036】さらに、遮光膜21が形成された半導体酸
化膜18A面には、前記遮光膜21をも覆って有機性透
明保護膜22Aが形成され、この有機性透明保護膜22
A面には、フォトダイオードの上方の領域に色分解用フ
ィルタ膜23が形成されている。
【0037】色分解用フィルタ膜23が形成された有機
性透明保護膜22A面には、前記色分解用フィルタ膜2
3をも覆って有機性透明保護膜22Bが形成され、この
有機性透明保護膜22B面には、フォトダイオードの上
方の領域に、すなわち、前記色分解用フィルタ膜23に
重畳させてマイクロレンズ24が形成されている。
【0038】このマイクロレンズ24は有機樹脂などを
熱軟化して、図示のように曲率をもたせて形成されたも
のとなっている。
【0039】図1は、このマイクロレンズ24を特に示
した構成図であり、(a)は平面図、(b)は(a)の
b−b線における断面図、(c)は(a)のc−c線に
おける断面図である。
【0040】図1(a)は、フォトダイオード10の上
方に位置付けられたマイクロレンズ24であり、その平
面的形状は図中Y方向に延在したストライプ形状をなし
ている。そして、前記フォトダイオード10は、マイク
ロレンズ24の長手方向に沿って等間隔に配置されたも
のとなっている。
【0041】また、マイクロレンズ24は、その幅方向
に並設されたものとなっており、このことから、フォト
ダイオード10は、全体としてマトリックス状に配列さ
れたものとなっている。
【0042】このマイクロレンズ24は、全体としてい
わゆるシリンドリカルレンズを構成しているが、各フォ
トダイオード10の間の領域には、X方向(行方向)に
沿って凹陥部30が形成され、この凹陥部30の側面は
レンズ面となっている。
【0043】そして、このような構成からなるマイクロ
レンズ24を形成する溶融前の樹脂層は、図中点線に示
すように形成されている。すなわち、ストライプ状に配
置される樹脂層35において、各フォトダイオード10
の間の領域にX方向に延在する溝36が形成されるよう
になっている。この溝36の幅は比較的小さく、樹脂層
35の溶融によって、この溝36の個所で互いに隣接す
る樹脂層35がつながるようになっている。
【0044】なお、各樹脂層35は、熱,紫外線架橋性
を有するポジレジストからなるもので、周知のフォトエ
ッチングにより形成されるものである。
【0045】このような状態で、各樹脂層35を溶融す
ることにより、該樹脂層35は表面に曲率を有する形状
に変化することになるが、この際、前記溝36を形成し
た個所においても、該溝36のために溶融だれが生じ、
図1(b)に示すように、この近傍においてレンズ面が
形成されることになる。
【0046】このようなレンズ面が形成されると、各フ
ォトダイオード10の間の領域に光照射がなされると、
その光はフォトダイオード10側へ屈折されてフォトダ
イオード10へ入射されることになる。このような屈折
の状況を図4に示す。
【0047】図5は、本実施例によりマイクロレンズを
形成した場合の効果を示した説明図である。同図は、光
線追跡によりシミュレートした集光分布を示した図であ
る。図中、太線枠65がフォトダイオードであり、この
太線枠65を囲む太線枠64がマイクロレンズを示した
ものとなっている。また、図中の数値は、照射面におけ
る光強度に対応する数値である。
【0048】このことから明らかなように、フォトダイ
オードから外れる近傍領域には、ほとんど光照射が存在
せず、フォトダイオードの中央に集光していることが判
明する。
【0049】一方、図6は、従来の場合を示したもので
あり、図5と対応づけている。従来にあっては、フォト
ダイオードから外れる近傍領域に光照射されていること
が判る。
【0050】また、図7は、フォトダイオード内に入射
する光量がレンズのない場合に比べて何倍になるかをシ
ミュレートした結果を示す図で、本実施例により曲率半
径を大きくしていくことにより、従来(図中、×印で示
す)に比べて向上していることが判る。
【0051】実施例に示したマイクロレンズの製造方法
は、各フォトダイオード10間に位置付けられる前記各
樹脂層に行方向の溝36が形成された状態で溶融を行な
うものであるが、特に、前記溝36の幅は比較的小さく
設定し、これにより、溶融後において隣接する樹脂層が
該溝36部の個所でつながるようにしたものである。
【0052】このようにすることにより、溶融の際、樹
脂層は前記溝36部において溶融だれが生じる結果、凹
陥部30が形成されるとともに該凹陥部30の側面にレ
ンズ面30Aが形成されることになる。
【0053】したがって、フォトダイオード10間にお
ける前記凹陥部30およびその近傍に照射される光は前
記レンズ30A面によってフォトダイオード10側に屈
折されるようになり、無駄なく集光がなされるようにな
る。
【0054】上述した実施例は、本発明を固体撮像素子
に適用したものである。しかし、近年、液晶表示基板に
おいても、その画素毎にマイクロレンズを形成するとい
う試みがあることから、このような液晶表示基板におい
ても適用できるものである。
【0055】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるマイクロレンズおよびその製造方法によれ
ば、集光部に無駄なく集光を行うことができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)ないし(c)は、本発明によるマイクロ
レンズの製造方法の一実施例を示す説明図である。
【図2】本発明が適用される固体撮像素子の一実施例を
示す概略平面図である。
【図3】本発明が適用される固体撮像素子の一実施例を
示す断面図である。
【図4】本発明によるマイクロレンズの製造方法により
形成されたマイクロレンズの長手方向における集光状態
を示した説明図である。
【図5】本発明によるマイクロレンズの製造方法により
形成されたマイクロレンズの効果を示す説明図である。
【図6】図5と対応し従来のマイクロレンズの製造方法
により形成されたマイクロレンズの特性を示す説明図で
ある。
【図7】本発明によるマイクロレンズの製造方法により
形成されたマイクロレンズの効果を示す説明図である。
【図8】(a)ないし(c)は、従来のマイクロレンズ
の製造方法の一例を示した説明図である。
【図9】従来のマイクロレンズの幅方向における集光状
態を示した説明図である。
【符号の説明】
10 フォトダイオード 24 マイクロレンズ 30 凹陥部 35 樹脂層 36 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久慈 卓見 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 中野 寿夫 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 金坂 和美 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 磯田 高志 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マトリックス状に配置された集光部にお
    ける各列方向の集光部群をそれぞれ覆うストライプ状の
    樹脂層を形成し、これら各樹脂層を溶融することにより
    レンズを形成するマイクロレンズの製造方法において、
    各集光部間に位置付けられる前記各樹脂層に行方向の溝
    が形成された状態で溶融を行い、かつ溶融後に前記溝部
    で隣接する樹脂層がつながるようにしたことを特徴とす
    るマイクロレンズの製造方法。
  2. 【請求項2】 マトリックス状に配置された集光部にお
    ける各列方向の集光部群をそれぞれ覆う樹脂層の溶融に
    より形成されたマイクロレンズにおいて、各集光部間に
    位置付けられる部分に行方向に延在する凹陥部が形成さ
    れ、この凹陥部の側面はレンズ面を構成していることを
    特徴とするマイクロレンズ。
JP15694091A 1991-06-27 1991-06-27 マイクロレンズおよびその製造方法 Pending JPH057007A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15694091A JPH057007A (ja) 1991-06-27 1991-06-27 マイクロレンズおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15694091A JPH057007A (ja) 1991-06-27 1991-06-27 マイクロレンズおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH057007A true JPH057007A (ja) 1993-01-14

Family

ID=15638675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15694091A Pending JPH057007A (ja) 1991-06-27 1991-06-27 マイクロレンズおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH057007A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100223853B1 (ko) * 1996-08-26 1999-10-15 구본준 고체촬상소자의 구조 및 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100223853B1 (ko) * 1996-08-26 1999-10-15 구본준 고체촬상소자의 구조 및 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0619614B1 (en) Lens array for photodiode device with an aperture having a lens region and a non-lens region
KR0147401B1 (ko) 고체촬상소자 및 그 제조방법
JP2011216896A (ja) マイクロレンズ付き固体イメージセンサ及び非テレセントリック撮像レンズを備えた光学系
JP3180748B2 (ja) 固体撮像装置
NL8004768A (nl) Halfgeleider kleurenbeeldopnemer.
JPH0645569A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US7608866B2 (en) Solid-state image sensor with micro-lenses for anti-shading
JPH0750401A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JPH1093060A (ja) 固体撮像素子の構造及び製造方法
KR100649023B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조방법
JPH0774332A (ja) Ccd型固体撮像装置
US20050280729A1 (en) CMOS image sensor
JP3138502B2 (ja) 固体撮像素子
JPH0150157B2 (ja)
JPH057007A (ja) マイクロレンズおよびその製造方法
JP3108475B2 (ja) マイクロレンズの製造方法
JP2768261B2 (ja) 固体撮像素子
JPH056987A (ja) マイクロレンズおよびその製造方法
JPH053313A (ja) 固体撮像素子
JPH05328233A (ja) 固体撮像素子
JPH10242447A (ja) 固体撮像装置
KR100766248B1 (ko) 이미지 소자 및 이의 제조 방법
JPS59122193A (ja) 固体撮像装置
JP2000091548A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JPH0653457A (ja) カラー固体撮像装置