JPH1093060A - 固体撮像素子の構造及び製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の構造及び製造方法Info
- Publication number
- JPH1093060A JPH1093060A JP9221462A JP22146297A JPH1093060A JP H1093060 A JPH1093060 A JP H1093060A JP 9221462 A JP9221462 A JP 9221462A JP 22146297 A JP22146297 A JP 22146297A JP H1093060 A JPH1093060 A JP H1093060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flat layer
- imaging device
- state imaging
- solid
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/156—CCD or CID colour image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロレンズの集光効率を良くして感度を
向上させるのに適した固体撮像素子の構造及び製造方法
を提供すること。 【解決手段】 一定の幅で一定方向に延びる突条を垂直
電荷転送領域の部分に対応する位置に配置する。光電変
換素子の列の部分にはその突条がかからないようにす
る。そして、この突条の間の光電変換素子に対応する位
置に隣接する突条の表面に短軸方向の両端部分が載るよ
うにマイクロレンズを形成させている。
向上させるのに適した固体撮像素子の構造及び製造方法
を提供すること。 【解決手段】 一定の幅で一定方向に延びる突条を垂直
電荷転送領域の部分に対応する位置に配置する。光電変
換素子の列の部分にはその突条がかからないようにす
る。そして、この突条の間の光電変換素子に対応する位
置に隣接する突条の表面に短軸方向の両端部分が載るよ
うにマイクロレンズを形成させている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明の固体撮像素子に係
り、特にマイクロレンズの長軸方向の曲率半径と短軸方
向の曲率半径をほぼ同一に形成するようにした固体撮像
素子の構造及び製造方法に関する。
り、特にマイクロレンズの長軸方向の曲率半径と短軸方
向の曲率半径をほぼ同一に形成するようにした固体撮像
素子の構造及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は一般的な固体撮像素子のレイアウ
ト図である。固体撮像素子は光学的な画像を電気信号に
変換する装置であって、現在ＣＣＤを利用したものが主
に使われている。
ト図である。固体撮像素子は光学的な画像を電気信号に
変換する装置であって、現在ＣＣＤを利用したものが主
に使われている。
【０００３】一般に、固体撮像素子は図１に示すよう
に、一定間隔を置いてマトリックス状に配列され、光の
信号を電気信号に変換して映像信号電荷を生成する複数
のフォトダイオード（ＰＤ）領域と、垂直方向のフォト
ダイオード領域の間にそれぞれ形成され、フォトダイオ
ード領域からの送られた映像信号電荷を垂直方向に転送
する複数の垂直電荷転送（ＶＣＣＤ）領域と、垂直方向
に転送された映像信号電荷を水平方向に転送する水平電
荷転送（ＨＣＣＤ）領域と、水平方向に転送された映像
信号電荷を感知するセンスアンプ（ＳＡ）とを有してい
る。さらに、図１には示していないが、前記各フォトダ
イオード領域上にはカラーフィルタ層及びマイクロレン
ズが形成される。
に、一定間隔を置いてマトリックス状に配列され、光の
信号を電気信号に変換して映像信号電荷を生成する複数
のフォトダイオード（ＰＤ）領域と、垂直方向のフォト
ダイオード領域の間にそれぞれ形成され、フォトダイオ
ード領域からの送られた映像信号電荷を垂直方向に転送
する複数の垂直電荷転送（ＶＣＣＤ）領域と、垂直方向
に転送された映像信号電荷を水平方向に転送する水平電
荷転送（ＨＣＣＤ）領域と、水平方向に転送された映像
信号電荷を感知するセンスアンプ（ＳＡ）とを有してい
る。さらに、図１には示していないが、前記各フォトダ
イオード領域上にはカラーフィルタ層及びマイクロレン
ズが形成される。
【０００４】次に、前記した一般な固体撮像素子の内部
構造を説明する。図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った一般
な固体撮像素子の構造断面図である。固体撮像素子は図
２に示すように、半導体基板１に光の信号を電気信号に
変換するフォトダイオード領域２が一定の間隔でマトリ
ックス状に配列される。マトリックス状に配列されたフ
ォトダイオード領域２の各列の間には信号電荷を垂直方
向に転送するための垂直電荷転送領域３が形成されてい
る。この垂直電荷転送領域３上に金属遮光層４が形成さ
れ、金属遮光層４を含んだ全面に第１平坦層５が形成さ
れている。第１平坦層５上にはカラーフィルタ層（第
１，第２，第３染色層）６が形成される。カラーフィル
タ層６を含んだ全面に第２平坦層７が形成され、第２平
坦層７上には前記各フォトダイオード領域２に対向して
マイクロレンズ８が形成される。このマイクロレンズ８
は被写体の光を最大に該当するフォトダイオード領域２
に集束させるためのものである。
構造を説明する。図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った一般
な固体撮像素子の構造断面図である。固体撮像素子は図
２に示すように、半導体基板１に光の信号を電気信号に
変換するフォトダイオード領域２が一定の間隔でマトリ
ックス状に配列される。マトリックス状に配列されたフ
ォトダイオード領域２の各列の間には信号電荷を垂直方
向に転送するための垂直電荷転送領域３が形成されてい
る。この垂直電荷転送領域３上に金属遮光層４が形成さ
れ、金属遮光層４を含んだ全面に第１平坦層５が形成さ
れている。第１平坦層５上にはカラーフィルタ層（第
１，第２，第３染色層）６が形成される。カラーフィル
タ層６を含んだ全面に第２平坦層７が形成され、第２平
坦層７上には前記各フォトダイオード領域２に対向して
マイクロレンズ８が形成される。このマイクロレンズ８
は被写体の光を最大に該当するフォトダイオード領域２
に集束させるためのものである。
【０００５】図３は図２の一般な固体撮像素子の構造に
よる光の集束距離を説明するための図である。図３ａは
一般な固体撮像素子のマイクロレンズを示すもので、マ
イクロレンズ８はフォトダイオード領域２と垂直電荷転
送領域３の構造によって細長い楕円形になっている。従
って、その長軸方向での曲率半径が短軸方向の曲率半径
より大きくなる。従って、図３ａのＡ−Ａ’及びＢ−
Ｂ’線の断面で示すマイクロレンズの長軸と短軸による
光の集光距離は互いに異る。これを図３ｂに示した。
よる光の集束距離を説明するための図である。図３ａは
一般な固体撮像素子のマイクロレンズを示すもので、マ
イクロレンズ８はフォトダイオード領域２と垂直電荷転
送領域３の構造によって細長い楕円形になっている。従
って、その長軸方向での曲率半径が短軸方向の曲率半径
より大きくなる。従って、図３ａのＡ−Ａ’及びＢ−
Ｂ’線の断面で示すマイクロレンズの長軸と短軸による
光の集光距離は互いに異る。これを図３ｂに示した。
【０００６】このため、一般な固体撮像素子の構造は次
のような問題点があった。固体撮像素子において、マイ
クロレンズの曲率半径が小さければ小さいほどマイクロ
レンズから近い距離にフォーカシングされる。ところ
が、一般の固体撮像素子におけるマイクロレンズは、単
純に遮光領域と投光領域に区分されたマスクを用いて露
光及び現像工程で感光膜をセル模様に応じた長方形状に
パターニングして、それを熱処理して形成していた。し
たがって、短軸方向の曲率半径は小さくなる。
のような問題点があった。固体撮像素子において、マイ
クロレンズの曲率半径が小さければ小さいほどマイクロ
レンズから近い距離にフォーカシングされる。ところ
が、一般の固体撮像素子におけるマイクロレンズは、単
純に遮光領域と投光領域に区分されたマスクを用いて露
光及び現像工程で感光膜をセル模様に応じた長方形状に
パターニングして、それを熱処理して形成していた。し
たがって、短軸方向の曲率半径は小さくなる。
【０００７】つまり、長方形状に形成されたマイクロレ
ンズでは、縦方向と横方向の曲率半径の差が大きくなっ
て受光した光を該当するフォトダイオード領域に正確に
フォーカシングせず、受光された光の一部をその他の地
域、例えばＶＣＣＤ上のアルミニウム（Ａｌ）遮光層に
フォーカシングされるので、光の損失が大きく且つ解像
度が低下する。
ンズでは、縦方向と横方向の曲率半径の差が大きくなっ
て受光した光を該当するフォトダイオード領域に正確に
フォーカシングせず、受光された光の一部をその他の地
域、例えばＶＣＣＤ上のアルミニウム（Ａｌ）遮光層に
フォーカシングされるので、光の損失が大きく且つ解像
度が低下する。
【０００８】以下、添付図面を参照してこのような問題
を解決するようにした従来の固体撮像素子の構造及び製
造方法を説明する。図４は従来の固体撮像素子の構造を
示す構造断面図である。従来の固体撮像素子は、図４に
示すように、半導体基板１１上に光の信号を電気信号に
変換するフォトダイオード領域１２が一定の間隔を置い
てマトリックス状に配列される。そのマトリックス状に
配列されたフォトダイオード領域１２の列の間にフォト
ダイオードで形成された信号電荷を垂直方向に転送する
垂直電荷転送領域１３が形成される。垂直電荷転送領域
１３上には受光領域以外の部分への光の染込みを防ぐた
めの金属遮光層１４が形成される。この金属遮光層１４
を含んだ全面に保護膜用絶縁膜１５及び第１平坦層１６
が順次形成され、第１平坦層１６上にはフォトダイオー
ド領域１２に特定波長の光のみを通過させるためのカラ
ーフィルタ層（第１，第２，第３染色層）１７が形成さ
れる。カラーフィルタ層１７を含んだ全面に第２平坦層
１８が形成されている。この第２平坦層１８上に各フォ
トダイオード領域１２に対応してブロックストレートパ
ターン１９が形成され、ブロックストレートパターン１
９を覆うようにフォトダイオード領域１２に対応したマ
イクロレンズ２０ａが形成される。
を解決するようにした従来の固体撮像素子の構造及び製
造方法を説明する。図４は従来の固体撮像素子の構造を
示す構造断面図である。従来の固体撮像素子は、図４に
示すように、半導体基板１１上に光の信号を電気信号に
変換するフォトダイオード領域１２が一定の間隔を置い
てマトリックス状に配列される。そのマトリックス状に
配列されたフォトダイオード領域１２の列の間にフォト
ダイオードで形成された信号電荷を垂直方向に転送する
垂直電荷転送領域１３が形成される。垂直電荷転送領域
１３上には受光領域以外の部分への光の染込みを防ぐた
めの金属遮光層１４が形成される。この金属遮光層１４
を含んだ全面に保護膜用絶縁膜１５及び第１平坦層１６
が順次形成され、第１平坦層１６上にはフォトダイオー
ド領域１２に特定波長の光のみを通過させるためのカラ
ーフィルタ層（第１，第２，第３染色層）１７が形成さ
れる。カラーフィルタ層１７を含んだ全面に第２平坦層
１８が形成されている。この第２平坦層１８上に各フォ
トダイオード領域１２に対応してブロックストレートパ
ターン１９が形成され、ブロックストレートパターン１
９を覆うようにフォトダイオード領域１２に対応したマ
イクロレンズ２０ａが形成される。
【０００９】次に、このような構造をもつ従来の固体撮
像素子の製造方法を説明する。図５ａ〜ｂは従来の固体
撮像素子の製造方法を示す工程断面図である。従来の固
体撮像素子の製造方法はまず、図５ａに示すように、半
導体基板１１上に光の信号を電気信号に変換するフォト
ダイオード領域１２を一定の間隔でマトリックス状に形
成する。そして、マトリックス状に配列されたフォトダ
イオード領域１２の各列の間に信号電荷を垂直方向に転
送する垂直電荷転送領域１３を形成する。次に、垂直電
荷転送領域１３上に受光領域以外の部分への光の染込み
を防ぐための金属遮光層１４を形成し、金属遮光層１４
を含んだ全面にパッシベーション用絶縁膜１５を形成
し、その全面に後工程における段差を減らすための第１
平坦層１６を形成する。次に、第１平坦層１６の上部に
加熱性フォトレジスト（図示せず）を塗布した後、露光
及び現像工程でパターニングする。そのパターニングさ
れたフォトレジストに染色装備で染色を施して第１染色
層を形成する。さらに、第１染色層の形成と同一の方法
で第１平坦層１６上の所定の部分に第２染色層を形成
し、第２染色層に一部がオーバーラップするように第１
平坦層上の所定の部分に第３染色層を順次形成する。第
１，第２，第３染色層はカラーフィルタ層１７を形成し
ている。次に、カラーフィルタ層１７を含んだ全面に第
２平坦層１８を形成する。そして、第２平坦層１８上に
透過率の良い感光性樹脂を塗布した後、前記フォトダイ
オード領域１２に対応するように露光及び現像工程を施
してブロックストレートパターン１９を形成する。次
に、前記ブロックストレートパターン１９を含んだ全面
にマイクロレンズ用感光膜を塗布した後、前記ブロック
ストレートパターン１９上にのみ残るように露光及び現
像工程でパターニングして感光膜パターン２０を形成す
る。そして、前記マイクロレンズ用感光膜パターン２０
をリフロー工程によって図５ｂのようなマイクロレンズ
２０ａに形成する。
像素子の製造方法を説明する。図５ａ〜ｂは従来の固体
撮像素子の製造方法を示す工程断面図である。従来の固
体撮像素子の製造方法はまず、図５ａに示すように、半
導体基板１１上に光の信号を電気信号に変換するフォト
ダイオード領域１２を一定の間隔でマトリックス状に形
成する。そして、マトリックス状に配列されたフォトダ
イオード領域１２の各列の間に信号電荷を垂直方向に転
送する垂直電荷転送領域１３を形成する。次に、垂直電
荷転送領域１３上に受光領域以外の部分への光の染込み
を防ぐための金属遮光層１４を形成し、金属遮光層１４
を含んだ全面にパッシベーション用絶縁膜１５を形成
し、その全面に後工程における段差を減らすための第１
平坦層１６を形成する。次に、第１平坦層１６の上部に
加熱性フォトレジスト（図示せず）を塗布した後、露光
及び現像工程でパターニングする。そのパターニングさ
れたフォトレジストに染色装備で染色を施して第１染色
層を形成する。さらに、第１染色層の形成と同一の方法
で第１平坦層１６上の所定の部分に第２染色層を形成
し、第２染色層に一部がオーバーラップするように第１
平坦層上の所定の部分に第３染色層を順次形成する。第
１，第２，第３染色層はカラーフィルタ層１７を形成し
ている。次に、カラーフィルタ層１７を含んだ全面に第
２平坦層１８を形成する。そして、第２平坦層１８上に
透過率の良い感光性樹脂を塗布した後、前記フォトダイ
オード領域１２に対応するように露光及び現像工程を施
してブロックストレートパターン１９を形成する。次
に、前記ブロックストレートパターン１９を含んだ全面
にマイクロレンズ用感光膜を塗布した後、前記ブロック
ストレートパターン１９上にのみ残るように露光及び現
像工程でパターニングして感光膜パターン２０を形成す
る。そして、前記マイクロレンズ用感光膜パターン２０
をリフロー工程によって図５ｂのようなマイクロレンズ
２０ａに形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の固体撮像素子の構造及び製造方法は次の問題点があ
った。即ち、後に図１１ａ−２とともに説明するよう
に、マイクロレンズがブロック１９の上に形成されるの
で、両端のＰとして示す部分を透過する光がフォトダイ
オード領域に集束されず、損失となるので、長軸方向と
短軸方向との曲率半径が一致しても、その損失分によっ
て長・短軸集光効果が喪失される。本発明はかかる問題
点を解決するためのもので、マイクロレンズの集光効率
を良くして感度を向上させるのに適した固体撮像素子の
構造及び製造方法を提供することを目的とする。
来の固体撮像素子の構造及び製造方法は次の問題点があ
った。即ち、後に図１１ａ−２とともに説明するよう
に、マイクロレンズがブロック１９の上に形成されるの
で、両端のＰとして示す部分を透過する光がフォトダイ
オード領域に集束されず、損失となるので、長軸方向と
短軸方向との曲率半径が一致しても、その損失分によっ
て長・短軸集光効果が喪失される。本発明はかかる問題
点を解決するためのもので、マイクロレンズの集光効率
を良くして感度を向上させるのに適した固体撮像素子の
構造及び製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の固体撮像素子の構造は、従来例のブロッ
クストレートパターンと似た一定の幅で一定方向に延び
ている突条を従来例とは違って垂直電荷転送領域の部分
に対応する位置に配置したことを特徴とするものであ
る。すなわち、本発明においては、光電変換素子の列の
部分にはその突条がかからないようにされている。そし
て、この突条の間の光電変換素子に対応する位置に隣接
する突条の表面に短軸方向の両端部分が載るようにマイ
クロレンズを形成させている。
めに、本発明の固体撮像素子の構造は、従来例のブロッ
クストレートパターンと似た一定の幅で一定方向に延び
ている突条を従来例とは違って垂直電荷転送領域の部分
に対応する位置に配置したことを特徴とするものであ
る。すなわち、本発明においては、光電変換素子の列の
部分にはその突条がかからないようにされている。そし
て、この突条の間の光電変換素子に対応する位置に隣接
する突条の表面に短軸方向の両端部分が載るようにマイ
クロレンズを形成させている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施形態の固体撮像素子の構造及び製造方法を詳細
に説明する。図６は本実施形態の固体撮像素子の構造を
示す構造断面図である。この固体撮像素子の構造は図６
に示すように、半導体基板３１上に光の信号を電気信号
に変換する、光電変換素子としてのフォトダイオード領
域３２が一定の間隔で従来同様マトリックス状に配列さ
れる。マトリックス状に配列されたフォトダイオード領
域３２の各列の間に信号電荷を垂直方向に転送するため
の垂直電荷転送領域３３が形成される。この垂直電荷転
送領域３３上には受光領域以外の部分への光の染込みを
防ぐための金属遮光層３４が形成されている。金属遮光
層３４を含んだ全面にパッシベーション用絶縁膜３５が
形成される。
の一実施形態の固体撮像素子の構造及び製造方法を詳細
に説明する。図６は本実施形態の固体撮像素子の構造を
示す構造断面図である。この固体撮像素子の構造は図６
に示すように、半導体基板３１上に光の信号を電気信号
に変換する、光電変換素子としてのフォトダイオード領
域３２が一定の間隔で従来同様マトリックス状に配列さ
れる。マトリックス状に配列されたフォトダイオード領
域３２の各列の間に信号電荷を垂直方向に転送するため
の垂直電荷転送領域３３が形成される。この垂直電荷転
送領域３３上には受光領域以外の部分への光の染込みを
防ぐための金属遮光層３４が形成されている。金属遮光
層３４を含んだ全面にパッシベーション用絶縁膜３５が
形成される。
【００１３】このように形成された構造を黒白固体撮像
素子という。前記のように形成された黒白固体撮像素子
の前記パッシベーション用絶縁膜３５上に第１平坦層２
６を形成し、第１平坦層３６上にはそれぞれのフォトダ
イオード領域３２に特定波長の光のみを通過させるため
のカラーフィルタ層（第１，第２，第３染色層）３７が
形成される。カラーフィルタ層３７を含んだ全面に第２
平坦層３８が形成され、第２平坦層３８上に一定の間隔
でフォトダイオード領域１２の間の部分に対応させて複
数個のブロックストレートパターン、すなわち突条３９
が形成される。本実施形態の場合、突条３９を従来のよ
うにフォトダイオード領域１２の上ではなく、その領域
１２の間の垂直電荷転送領域の部分に形成させている。
この突条３９の幅は電荷転送領域３３の幅とほぼ等し
く、フォトダイオード領域３２の列をあけるように形成
させてある。そして、フォトダイオード領域１２に対応
してマイクロレンズ４１が突条３９と突条３９の間に形
成される。この時、前記突条３９は三角柱、四角柱、半
円柱などの多様な多角形柱状にすることができる。
素子という。前記のように形成された黒白固体撮像素子
の前記パッシベーション用絶縁膜３５上に第１平坦層２
６を形成し、第１平坦層３６上にはそれぞれのフォトダ
イオード領域３２に特定波長の光のみを通過させるため
のカラーフィルタ層（第１，第２，第３染色層）３７が
形成される。カラーフィルタ層３７を含んだ全面に第２
平坦層３８が形成され、第２平坦層３８上に一定の間隔
でフォトダイオード領域１２の間の部分に対応させて複
数個のブロックストレートパターン、すなわち突条３９
が形成される。本実施形態の場合、突条３９を従来のよ
うにフォトダイオード領域１２の上ではなく、その領域
１２の間の垂直電荷転送領域の部分に形成させている。
この突条３９の幅は電荷転送領域３３の幅とほぼ等し
く、フォトダイオード領域３２の列をあけるように形成
させてある。そして、フォトダイオード領域１２に対応
してマイクロレンズ４１が突条３９と突条３９の間に形
成される。この時、前記突条３９は三角柱、四角柱、半
円柱などの多様な多角形柱状にすることができる。
【００１４】次に、このような構造をもつ本発明の第１
実施形態による固体撮像素子の製造方法を説明する。図
７は本発明の第１実施形態による固体撮像素子の製造方
法を示す工程断面図である。まず、本発明の第１実施形
態による固体撮像素子の製造方法は、図７ａに示すよう
に、半導体基板３１上に一定の間隔を置いてマトリック
ス状に配列され、且つ光の信号を電気信号に変換するフ
ォトダイオード領域３２を形成する。マトリックス状に
配列されたフォトダイオード領域３２の各列の間に信号
電荷を垂直方向に転送するための垂直電荷転送領域３３
を形成する。そして、全面に金属を蒸着し、前記フォト
ダイオード領域３３のみを除去するようにパターニング
して、受光領域以外の部分への光の染込みを防ぐための
金属遮光層３４を形成する。その金属遮光層３４を含ん
だ全面にパッシベーション用絶縁膜３５を形成して黒白
固体撮像素子を形成する。次に、前記のように形成され
た黒白固体撮像素子の前記パッシベーション３５上に段
差を減らすための第１平坦層３６を形成する。その上に
フォトレジスト（図示せず）を塗布した後、露光及び現
像工程でパターニングし、パターニングされたフォトレ
ジストに染色装備で染色を施して第１染色層を形成す
る。第１染色層の形成と同一の方法で、第１平坦層３６
上の所定の部分に第２染色層を形成し、第２染色層に一
部をオーバーラップするように第１平坦層３６上の所定
の部分に第３染色層を順次形成する。この第１，第２，
第３染色層は、それぞれのフォトダイオード領域３２に
特定波長の光のみを通過させるカラーフィルタ層３７で
ある。次に、前記カラーフィルタ層３７を含んだ全面に
第２平坦層３８を形成する。第２平坦層３８の上部に透
過率の良い感光性樹脂を塗布した後、露光及び現像工程
で断面形状が長方形で細長いブロックストレート形状に
厚さ０．４〜１．５μｍの突条３９を形成する。この突
条３９はフォトダイオード領域３２の列の間の部分、す
なわちＶＣＣＤ領域の上の部分に対応し、且つピクセル
の長軸に平行するように長く形成する。突条３９を形成
させた全面にコーティングされたマイクロレンズ用感光
膜４０を塗布する。この時、突条３９の凸凹状態とほぼ
一致するように形成する。感光性樹脂をパターニングす
る場合には、断面長方形のブロックストレート形状だけ
でなく、三角柱、四角柱、半円柱などの多様な多角形状
のうちの少なくとも一種にパターニングすることができ
る。この感光性樹脂は、透過率を可視光線領域で８５％
以上とし、マイクロレンズ用感光膜との屈折率の差異を
±０．０５とする。
実施形態による固体撮像素子の製造方法を説明する。図
７は本発明の第１実施形態による固体撮像素子の製造方
法を示す工程断面図である。まず、本発明の第１実施形
態による固体撮像素子の製造方法は、図７ａに示すよう
に、半導体基板３１上に一定の間隔を置いてマトリック
ス状に配列され、且つ光の信号を電気信号に変換するフ
ォトダイオード領域３２を形成する。マトリックス状に
配列されたフォトダイオード領域３２の各列の間に信号
電荷を垂直方向に転送するための垂直電荷転送領域３３
を形成する。そして、全面に金属を蒸着し、前記フォト
ダイオード領域３３のみを除去するようにパターニング
して、受光領域以外の部分への光の染込みを防ぐための
金属遮光層３４を形成する。その金属遮光層３４を含ん
だ全面にパッシベーション用絶縁膜３５を形成して黒白
固体撮像素子を形成する。次に、前記のように形成され
た黒白固体撮像素子の前記パッシベーション３５上に段
差を減らすための第１平坦層３６を形成する。その上に
フォトレジスト（図示せず）を塗布した後、露光及び現
像工程でパターニングし、パターニングされたフォトレ
ジストに染色装備で染色を施して第１染色層を形成す
る。第１染色層の形成と同一の方法で、第１平坦層３６
上の所定の部分に第２染色層を形成し、第２染色層に一
部をオーバーラップするように第１平坦層３６上の所定
の部分に第３染色層を順次形成する。この第１，第２，
第３染色層は、それぞれのフォトダイオード領域３２に
特定波長の光のみを通過させるカラーフィルタ層３７で
ある。次に、前記カラーフィルタ層３７を含んだ全面に
第２平坦層３８を形成する。第２平坦層３８の上部に透
過率の良い感光性樹脂を塗布した後、露光及び現像工程
で断面形状が長方形で細長いブロックストレート形状に
厚さ０．４〜１．５μｍの突条３９を形成する。この突
条３９はフォトダイオード領域３２の列の間の部分、す
なわちＶＣＣＤ領域の上の部分に対応し、且つピクセル
の長軸に平行するように長く形成する。突条３９を形成
させた全面にコーティングされたマイクロレンズ用感光
膜４０を塗布する。この時、突条３９の凸凹状態とほぼ
一致するように形成する。感光性樹脂をパターニングす
る場合には、断面長方形のブロックストレート形状だけ
でなく、三角柱、四角柱、半円柱などの多様な多角形状
のうちの少なくとも一種にパターニングすることができ
る。この感光性樹脂は、透過率を可視光線領域で８５％
以上とし、マイクロレンズ用感光膜との屈折率の差異を
±０．０５とする。
【００１５】次に、図７ｂに示すように、前記ブロック
ストレート形状の突条３９上の前記マイクロレンズ用感
光膜４０を露光及び現像工程で感光膜パターン４０ａを
形成する。このマイクロレンズ用感光膜パターン４０
は、突条３９の間の部分に、両隣の突条３９に両端部分
が一部オーバラップするようにして、フォトダイオード
領域３２に対応するように形成する。
ストレート形状の突条３９上の前記マイクロレンズ用感
光膜４０を露光及び現像工程で感光膜パターン４０ａを
形成する。このマイクロレンズ用感光膜パターン４０
は、突条３９の間の部分に、両隣の突条３９に両端部分
が一部オーバラップするようにして、フォトダイオード
領域３２に対応するように形成する。
【００１６】そして、図７ｃに示すように、両隣の突条
３９の表面にわたって形成された前記マイクロレンズ用
感光膜パターン４０ａを熱リフローさせてマイクロレン
ズ４１を形成する。マイクロレンズ用感光膜パターンは
短軸方向の両端部分が突条にかかっている。すなわち、
段差を有する。一方長軸方向では平坦な面にそのパター
ンが載っている。その状態で熱処理をしてリフローさせ
ると、段差があるため短軸方向での曲率半径が小さくな
らない。そのため、結果として長軸方向の曲率半径とほ
ぼ等しくなる。
３９の表面にわたって形成された前記マイクロレンズ用
感光膜パターン４０ａを熱リフローさせてマイクロレン
ズ４１を形成する。マイクロレンズ用感光膜パターンは
短軸方向の両端部分が突条にかかっている。すなわち、
段差を有する。一方長軸方向では平坦な面にそのパター
ンが載っている。その状態で熱処理をしてリフローさせ
ると、段差があるため短軸方向での曲率半径が小さくな
らない。そのため、結果として長軸方向の曲率半径とほ
ぼ等しくなる。
【００１７】図８ａ〜ｂは本発明による集束距離を説明
するための図面である。図８ａはレイアウト図であり、
図８ｂは図８ａのＡ−Ａ’及びＢ−Ｂ’線に沿った断面
図である。図８ａに示すように、マイクロレンズ４１
は、その楕円の長円の短軸方向の一部が突条３９にかか
るため、前記のように曲率半径が大きくなり、フォトダ
イオード領域３２に入射する光の集束距離がマイクロレ
ンズ４１の長軸及び短軸とも一致させることができ、フ
ォトダイオード領域３２の一つの地点に光を集光させる
ことができる。。
するための図面である。図８ａはレイアウト図であり、
図８ｂは図８ａのＡ−Ａ’及びＢ−Ｂ’線に沿った断面
図である。図８ａに示すように、マイクロレンズ４１
は、その楕円の長円の短軸方向の一部が突条３９にかか
るため、前記のように曲率半径が大きくなり、フォトダ
イオード領域３２に入射する光の集束距離がマイクロレ
ンズ４１の長軸及び短軸とも一致させることができ、フ
ォトダイオード領域３２の一つの地点に光を集光させる
ことができる。。
【００１８】以下、添付図面を参照して本発明の第２実
施形態による固体撮像素子の製造方法を説明する。図
９、１０は本発明の第２実施形態による固体撮像素子の
製造方法を示す工程断面図である。前記第１実施形態は
突条を形成させるのに透過率の良い材料を使用するが、
この実施形態は、それほど透過率を考慮しなくても良い
例である。まず、本発明の第２実施形態による固体撮像
素子の製造方法は、図９ａに示すように、半導体基板３
１上にフォトダイオード領域３２、垂直電荷転送領域３
３、金属遮光層３４、パッシベーション用絶縁膜３５、
第１平坦層３６、カラーフィルタ層３７などを備え、前
記カラーフィルタ層３７を含んだ全面に第２平坦層３８
を形成する。この時、第２平坦層３８の屈折率（Ｐ）と
後工程で形成されるマイクロレンズの屈折率（Ｍ）との
関係はＭ≦Ｐ≦Ｍ＋０．３である。次に、第２平坦層３
８の上部に透過率を考慮しない感光性樹脂を塗布した
後、露光及び現像工程でパターニングしてブロックスト
レート形状の突条３９を形成する。この突条３９を形成
する場合、ブロックストレート形状だけでなく、三角
柱、四角柱、半円柱などのいろんな多角形状にパターニ
ングすることができるのは前記の通りである。突条３９
はフォトダイオード領域３２の間の部分に対応するよう
に形成する。
施形態による固体撮像素子の製造方法を説明する。図
９、１０は本発明の第２実施形態による固体撮像素子の
製造方法を示す工程断面図である。前記第１実施形態は
突条を形成させるのに透過率の良い材料を使用するが、
この実施形態は、それほど透過率を考慮しなくても良い
例である。まず、本発明の第２実施形態による固体撮像
素子の製造方法は、図９ａに示すように、半導体基板３
１上にフォトダイオード領域３２、垂直電荷転送領域３
３、金属遮光層３４、パッシベーション用絶縁膜３５、
第１平坦層３６、カラーフィルタ層３７などを備え、前
記カラーフィルタ層３７を含んだ全面に第２平坦層３８
を形成する。この時、第２平坦層３８の屈折率（Ｐ）と
後工程で形成されるマイクロレンズの屈折率（Ｍ）との
関係はＭ≦Ｐ≦Ｍ＋０．３である。次に、第２平坦層３
８の上部に透過率を考慮しない感光性樹脂を塗布した
後、露光及び現像工程でパターニングしてブロックスト
レート形状の突条３９を形成する。この突条３９を形成
する場合、ブロックストレート形状だけでなく、三角
柱、四角柱、半円柱などのいろんな多角形状にパターニ
ングすることができるのは前記の通りである。突条３９
はフォトダイオード領域３２の間の部分に対応するよう
に形成する。
【００１９】次に、図９ｂに示すように、前記突条３９
を含んだ前記第２平坦層３８の全面を一定の深さにエッ
チングする。前記突条３９と第２平坦層３８の全面をエ
ッチングする時、平坦層の最終の厚さが０.４〜１.５μ
ｍ程度となるようにエッチングする。
を含んだ前記第２平坦層３８の全面を一定の深さにエッ
チングする。前記突条３９と第２平坦層３８の全面をエ
ッチングする時、平坦層の最終の厚さが０.４〜１.５μ
ｍ程度となるようにエッチングする。
【００２０】次に、図１０ｃに示すように、前記突条３
９と第２平坦層３８上にコーティングされたマイクロレ
ンズ用感光膜（図示せず）を塗布する。次に、突条３９
上の間の部分にマイクロレンズ用感光膜が残るように露
光及び現像工程で選択的に除去してマイクロレンズ用感
光膜パターン４０ａを形成する。
９と第２平坦層３８上にコーティングされたマイクロレ
ンズ用感光膜（図示せず）を塗布する。次に、突条３９
上の間の部分にマイクロレンズ用感光膜が残るように露
光及び現像工程で選択的に除去してマイクロレンズ用感
光膜パターン４０ａを形成する。
【００２１】最後に、図１０ｄに示すように、前記感光
膜パターン４０ａを熱リフローさせることによりマイク
ロレンズ４１を形成する。このような固体撮像素子で
は、マイクロレンズ４１を通して入射した光はそれぞれ
の第２平坦層３８及び該当のカラーフィルタ層３７を経
てフォトダイオード領域３２に集光する。ここで、マイ
クロレンズ４１は被写体の光を最大に該当のフォトダイ
オード領域３２に集束させるように形成した。そして、
前記フォトダイオード領域３２によって映像電荷信号に
変換された後、ＶＣＣＤとＨＣＣＤを経て浮動拡散に達
すると、一部はリセットドレインに転送され、一部はセ
ンスアンプを介して出力されて画像を再現する。
膜パターン４０ａを熱リフローさせることによりマイク
ロレンズ４１を形成する。このような固体撮像素子で
は、マイクロレンズ４１を通して入射した光はそれぞれ
の第２平坦層３８及び該当のカラーフィルタ層３７を経
てフォトダイオード領域３２に集光する。ここで、マイ
クロレンズ４１は被写体の光を最大に該当のフォトダイ
オード領域３２に集束させるように形成した。そして、
前記フォトダイオード領域３２によって映像電荷信号に
変換された後、ＶＣＣＤとＨＣＣＤを経て浮動拡散に達
すると、一部はリセットドレインに転送され、一部はセ
ンスアンプを介して出力されて画像を再現する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
素子は、マイクロレンズの長軸方向の曲率半径と短軸方
向の曲率半径がほぼ同一になって光の損失を防止するた
めに、感度の向上と解像度を良くすることができる。さ
らに、本発明素子の場合、突条の間にマイクロレンズを
形成させているので、従来のように、図１１ａ−２にみ
られるｐの部分の損失がなく、図１１ｂ−２に示すよう
にレンズ全体を通る光を利用することができる。また、
本発明の製造方法は、従来の製造方法と比べて特に余分
な工程が付け加えられていないので、従来技術そのまま
利用することができる。
素子は、マイクロレンズの長軸方向の曲率半径と短軸方
向の曲率半径がほぼ同一になって光の損失を防止するた
めに、感度の向上と解像度を良くすることができる。さ
らに、本発明素子の場合、突条の間にマイクロレンズを
形成させているので、従来のように、図１１ａ−２にみ
られるｐの部分の損失がなく、図１１ｂ−２に示すよう
にレンズ全体を通る光を利用することができる。また、
本発明の製造方法は、従来の製造方法と比べて特に余分
な工程が付け加えられていないので、従来技術そのまま
利用することができる。
【図１】 一般な固体撮像素子のレイアウト図。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿った一般な固体撮像素
子の構造を示す構造断面図。
子の構造を示す構造断面図。
【図３】 一般な固体撮像素子の製造方法による集束距
離を説明するための図面。
離を説明するための図面。
【図４】 従来の固体撮像素子の構造を示す構造断面
図。
図。
【図５】 従来の固体撮像素子の製造方法を示す工程断
面図。
面図。
【図６】 本発明の固体撮像素子の構造を示す構造断面
図。
図。
【図７】 本発明の第１実施形態による固体撮像素子の
製造方法を示す工程断面図。
製造方法を示す工程断面図。
【図８】 本発明による集束距離を説明するための図
面。
面。
【図９】 本発明の第２実施形態による固体撮像素子の
製造方法を示す工程断面図。
製造方法を示す工程断面図。
【図１０】 本発明の第２実施形態による固体撮像素子
の製造方法を示す工程断面図。
の製造方法を示す工程断面図。
【図１１】 従来の技術と本発明との差異点を示す説明
図。
図。
３１ 半導体基板 ３２ フォトダイオード領域 ３３ 垂直電荷転送領域 ３４ 金属遮光層 ３５ 保護膜 ３６ 第１平坦層 ３７ カラーフィルタ層 ３８ 第２平坦層 ３９ ストレートパターン ４０ マイクロレンズ用感光膜 ４０ａ マイクロレンズ用感光膜パターン ４１ マイクロレンズ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板にマトリックス状に形成される複数個の
光電変換素子と、 前記複数個の光電変換素子の間の前記半導体基板に垂直
方向に形成される複数の電荷転送領域と、 前記半導体基板上に形成される第１平坦層と、 前記複数の電荷転送領域に相応する前記第１平坦層上に
形成されるストライプシェープ層と、 前記複数個の光電変換素子に相応する位置の前記第１平
坦層上に形成される複数個のマイクロレンズとを備える
ことを特徴とする固体撮像素子の構造。 - 【請求項２】 それぞれ特定波長の光を通過させるため
に前記第１平坦層上に形成される複数個のカラーフィル
タ層と、 前記複数個のカラーフィルタ層上に形成される第２平坦
層と、を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の
固体撮像素子の構造。 - 【請求項３】 半導体基板上に複数の光電変換素子を形
成する工程と、 前記複数個の光電変換素子の間の前記半導体基板に垂直
方向に複数の電荷転送領域を形成する工程と、 前記光電変換素子及び電荷転送領域を形成させた半導体
基板上に第１平坦層を形成する工程と、 前記第１平坦層上の記複数の電荷転送領域に相応する位
置に突条層を形成する工程と、 前記第１平坦層上の複数の光電変換素子に相応する位置
に複数のマイクロレンズを形成する工程と、を備えるこ
とを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 それぞれ特定波長の光を通過させるため
に前記第１平坦層上に複数のカラーフィルタ層を形成す
る工程と、 前記複数のカラーフィルタ層上に第２平坦層を形成する
工程と、を更に備えることを特徴とする請求項３に記載
の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記複数のマイクロレンズと第１平坦層
との間に複数のカラーフィルタ層を形成することを特徴
とする請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960035541A KR100223853B1 (ko) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 |
| KR35541/1996 | 1996-08-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093060A true JPH1093060A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=19470801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9221462A Pending JPH1093060A (ja) | 1996-08-26 | 1997-08-18 | 固体撮像素子の構造及び製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5900655A (ja) |
| JP (1) | JPH1093060A (ja) |
| KR (1) | KR100223853B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7349159B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-03-25 | Seiko Epson Corporation | Mold for manufacturing a microlens substrate, a method of manufacturing microlens substrate, a microlens substrate, a transmission screen, and a rear projection |
| US9362323B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100553672B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 고체 컬러 이미지 소자의 제조 방법 |
| JP2002158278A (ja) | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびに設計方法 |
| KR100617065B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-08-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US7264976B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Advance ridge structure for microlens gapless approach |
| KR100698091B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| EP1903608B1 (en) * | 2005-07-08 | 2013-04-24 | Nikon Corporation | Solid-state image sensor |
| KR100720457B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| KR101060069B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2011-08-29 | 주식회사 동부하이텍 | Cmos 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP2014056014A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Canon Inc | 撮像素子および撮像装置 |
| USD758372S1 (en) | 2013-03-13 | 2016-06-07 | Nagrastar Llc | Smart card interface |
| USD729808S1 (en) * | 2013-03-13 | 2015-05-19 | Nagrastar Llc | Smart card interface |
| USD759022S1 (en) * | 2013-03-13 | 2016-06-14 | Nagrastar Llc | Smart card interface |
| KR102197476B1 (ko) * | 2014-06-09 | 2020-12-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
| USD780763S1 (en) * | 2015-03-20 | 2017-03-07 | Nagrastar Llc | Smart card interface |
| USD864968S1 (en) * | 2015-04-30 | 2019-10-29 | Echostar Technologies L.L.C. | Smart card interface |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485960A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| KR960000223B1 (ko) * | 1990-11-16 | 1996-01-03 | 가부시키가이샤 도시바 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
| JPH057007A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Hitachi Ltd | マイクロレンズおよびその製造方法 |
| DE69320113T2 (de) * | 1992-05-22 | 1999-03-11 | Matsushita Electronics Corp., Kadoma, Osaka | Festkörper-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPH05335531A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JPH06232379A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
| JP2601148B2 (ja) * | 1993-07-23 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2950714B2 (ja) * | 1993-09-28 | 1999-09-20 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2925444B2 (ja) * | 1993-10-05 | 1999-07-28 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| KR0147401B1 (ko) * | 1994-02-23 | 1998-08-01 | 구본준 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-08-26 KR KR1019960035541A patent/KR100223853B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-28 US US08/848,555 patent/US5900655A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-18 JP JP9221462A patent/JPH1093060A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-16 US US09/212,605 patent/US6093582A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7349159B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-03-25 | Seiko Epson Corporation | Mold for manufacturing a microlens substrate, a method of manufacturing microlens substrate, a microlens substrate, a transmission screen, and a rear projection |
| US9362323B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5900655A (en) | 1999-05-04 |
| US6093582A (en) | 2000-07-25 |
| KR19980016033A (ko) | 1998-05-25 |
| KR100223853B1 (ko) | 1999-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0147401B1 (ko) | 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| KR960000223B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| US4721999A (en) | Color imaging device having white, cyan and yellow convex lens filter portions | |
| KR0184687B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| US8139131B2 (en) | Solid state imaging device and fabrication method thereof, and camera incorporating the solid state imaging device | |
| EP0573219B1 (en) | A solid-state imaging device and a method of producing the same | |
| JPH1093060A (ja) | 固体撮像素子の構造及び製造方法 | |
| JP3227561B2 (ja) | マイクロレンズパターン用マスク | |
| JPH11186530A (ja) | マイクロレンズの形成方法 | |
| KR100278983B1 (ko) | 고체촬상소자 | |
| JPH04229802A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2006261247A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR100424530B1 (ko) | 감광 디바이스용 반사구조물 | |
| JP3269644B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| JPH069229B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2006003869A (ja) | イメージセンサのマイクロレンズ形成方法 | |
| JP2000260969A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2768261B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH1098173A (ja) | オンチップマイクロレンズの形成方法 | |
| JPH05328233A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59122193A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100192321B1 (ko) | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 | |
| JP2000260970A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2826317B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| KR100727267B1 (ko) | 마이크로 렌즈를 구비한 이미지 소자 및 그 제조방법 |