JPH0570206B2 - - Google Patents

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JPH0570206B2
JPH0570206B2 JP18502783A JP18502783A JPH0570206B2 JP H0570206 B2 JPH0570206 B2 JP H0570206B2 JP 18502783 A JP18502783 A JP 18502783A JP 18502783 A JP18502783 A JP 18502783A JP H0570206 B2 JPH0570206 B2 JP H0570206B2
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Shigeru Shimada
Toshiaki Ide
Hiroyuki Arioka
Juichi Kubota
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TDK Corp
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Description

【発明の詳现な説明】
(ã‚€) 技術分野 この発明は磁気蚘録媒䜓のバツクコヌト甚暹脂
組成物、及び該暹脂組成物をバツクコヌトの結合
剀ずしお甚いた磁気蚘録媒䜓に関するものであ
る。 (ロ) 背景技術 珟圚カセツトテヌプ、オヌプンリヌルテヌプ、
ビデオテヌプ、磁気カヌド、磁気デむスク等、倚
くの磁気蚘録媒䜓はポリ゚ステル、ポリ塩化ビニ
ル、ポリアセテヌト、玙等の基剀フむルム䞊に酞
化鉄等の磁気化可胜金属酞化物もしくは金属材を
含む塗料、印刷むンキ等の被芆剀以䞋、塗料を
䟋ずしお説明するをコヌテむングし、オリ゚ン
テヌシペン、也燥、必芁に応じお硬化の工皋を経
お埗られ、その暹脂塗料バむンダヌ結合剀ず
しお塩化ビニル共重合䜓、ポリりレタン、ポリア
クリル酞゚ステル、時に゚ポキシ暹脂等が䜿甚さ
れ、目的に応じお可塑剀、ゎム、分散剀、垯電防
止剀、顔料等が配合されおいるのが䞀般である。 ずころで磁気ヘツドを甚いる珟圚の蚘録方匏に
おいおは、テヌプ−ヘツド間のスペヌシング損倱
は54.6dλ〔dB〕テヌプ−ヘツド間距離、
λ蚘録波長で衚わされる。この匏からわかる
ように、情報量の豊富さ等の理由で近幎需芁の倚
い蚘録密床の高い短波長蚘録においおは、スペヌ
シングによる出力䜎䞋の割合が長波長のそれより
著しく倧きくなる。したが぀お、小さな異物がテ
ヌプ衚面䞊にあ぀おも、それが磁気蚘録媒䜓に曞
き蟌たれおいる情報を読み出す際、存圚するべき
パルスを芋萜す誀りたるドロツプアりトずしお怜
出されるこずになる。 このドロツプアりトのもずずなる異物の発生原
因ずしお考えられるのは、くり返し応力がかかる
こずによる塗膜の劣化から生ずる磁気テヌプ塗膜
衚面の磁性粉脱萜あるいは走行䞭にベヌスが削り
取られたものや、ホコリ等が静電的にベヌス面に
付着しさらにそれが塗膜面に転移したものが挙げ
られる。これらを防止するため、磁気テヌプの磁
性面ず反察の支持䜓衚面バツク面にカヌボン
ブラツク、グラフアむト等及び無機充填剀を有機
バむンダヌず共に混緎した塗料を塗垃しお垯電防
止をはか぀たり、ベヌスの匷靱化により、ベヌス
の削れを少くする等の方法が提案されおいる。た
た磁性局が金属薄膜型の堎合、磁性局が薄いため
磁気蚘録媒䜓がカヌルし易く、その意味でもバツ
クコヌト局は重芁な圹割を果たしおいる。これら
の凊理により、くり返し走行に察するドロツプア
りト増加の傟向はかなり抑えるこずができる。し
かしながら、そのレベルは、珟状ではただ完党ず
はいえず、さらに少くする必芁がある。 ドロツプアりトをさらに少なくするため、その
発生原因を詳现に調べた結果、次のようなこずが
わか぀た。バツクコヌト局は走行回数を増しおも
ドロツプアりトが増加しないよう匷靱であるこず
が芁求されるから、通垞、熱硬化型暹脂が結合剀
ずしお奜たしいものずしお䜿甚される。その堎
合、熱硬化型暹脂の硬化には長時間を芁するため
バツクコヌト局が塗垃された埌、テヌプはたず巻
き取られ、次いで熱硬化凊理が斜されるこずにな
る。しかし、塗垃が終぀た時点においおは、バツ
クコヌト局䞭ではただ硬化反応が始た぀おおら
ず、その塗膜は匱く、しかもバツクコヌト面ず磁
性面ずは密着状態であるため、バツクコヌト局塗
膜䞭に充填されたカヌボンブラツク、グラフアむ
ト、あるいは他の無機充填剀を含んだバツクコヌ
ト面塗膜衚面はそれが接觊しおいる反察偎の磁性
局衚面に転移し易く、その転移したものがドロツ
プアりトやヘツド目づたりの原因ずな぀おいるこ
ずがわか぀た。たたこの珟象は熱可塑性暹脂であ
぀おも同様に起りうるず考えられる。バツクコヌ
ト局を蚭けるこずにより、くり返し走行によるド
ロツプアりトの増加を抑えるこずはできるが、走
行回数の少い段階においおドロツプアりトがそれ
皋䜎くないのは䞊蚘の理由のためである。 バツクコヌト局圢成工皋での䞊蚘のような䞍郜
合を解消するため、本発明者等は先に、攟射線感
応暹脂攟射線の照射で硬化しうる暹脂をバむ
ンダヌずしお、無機充填剀ず混緎した塗料でバツ
クコヌト局を圢成した埌、掻性゚ネルギヌ線源に
より攟射線を照射し、硬化凊理を斜すか、あるい
はそのたた衚面凊理を行぀た埌硬化凊理を斜し、
バツクコヌト局䞭に䞉次元架橋を生じさせ、匷靱
な塗膜ずした埌、そのテヌプを巻き取るこずによ
り、䞊蚘のような原因によるドロツプアりトを枛
少させる方法を提案しおいる特開昭57−169929
号。この方法によればテヌプが巻き取られるの
は塗膜の架橋反応が終了した埌であるから、巻き
取りによりバツクコヌト局が磁性局に密着しおも
バツクコヌト局から磁性局ぞの無機充填剀粉末の
転移は起きない。この方法で甚いる攟射線感応暹
脂は、攟射線によりラゞカルを発生し架橋構造を
生じるような䞍飜和二重結合を、分子鎖䞭に個
以䞊含むもので、具䜓的には(A)アクリル酞等で倉
性した分子量8000〜25000皋床の熱可塑性暹脂が
単独、あるいは(B)分子量2000〜3000皋床のポリり
レタン゚ラストマヌ等ず䜵甚されおいるが、前者
の倉性熱可塑性暹脂単独では接着性、柔軟性が劣
り、゚ラストマヌ䜵甚の堎合も分子量が䜎いた
め、柔軟性が劣り、もろい塗膜ずなり、走行䞭バ
ツクコヌトケズレが発生し易く、急激な走行スト
ツプをさせた堎合、静摩擊ず動摩擊の差が倧のた
めバツクコヌト面のケズレが発生し易い。たたそ
の解決のため(A)30000〜100000、(B)3500〜150000
の化合物を組合せる方法を本発明者等は先に発明
したが、曎に研究を重ねた結果、このものは50
℃、80、日間の高枩保存䞋においたずころ、
粘着性を生じ、摩擊係数が高く、画像ひずみを生
じ、静摩擊も高い点で若干問題があるこずが刀぀
た。このような問題を生じる䞀芁因ずしお、(A)
(B)の組成よりなるものはバツクコヌト膜の硬化床
が䜎いこずが考えられ、その察策を打぀ために本
発明者等は研究を重ねた結果、(C)成分ずしお䜎分
子量成分を導入すれば、バツクコヌト膜の硬化床
が高められるず共に、粘着性等が改善されるこず
を芋出した。 (ハ) 発明の開瀺 すなわち、攟射線感応暹脂ずしお、(A)攟射線に
より硬化性をも぀䞍飜和二重結合を個以䞊有す
る分子量5000〜100000のプラスチツク状化合物、
奜たしくは10000〜80000、曎に奜たしくは20000
〜80000のプラスチツク状化合物、(B)攟射線によ
り硬化性をも぀䞍飜和二重結合を個以䞊有する
か、又は攟射線硬化性を有しない、分子量3000〜
100000のゎム状化合物、奜たしくは3500〜80000
のゎム状化合物、および(C)攟射線により硬化性を
も぀䞍飜和二重結合を個以䞊有する、分子量
200〜3000、奜たしくは200〜2500の化合物、ずい
う特定の分子量範囲の化合物を組合わせたものを
甚いるこずにより、塗膜の砎断匷床が䞊り、塗膜
の匷化が為され、バツクコヌト削れが少なく、バ
ツクコヌト局から磁性局ぞの無機充填剀粉末の移
転がないためドロツプアりトの少ない、か぀、ロ
ヌル状に巻き取぀た圢での硬化の際の巻きしたり
のない、長さ方向で均䞀の特性を有する磁気蚘録
媒䜓が埗られるこずを芋出し、本発明に到達した
ものである。 すなわち本発明は、(A)攟射線により硬化性を持
぀䞍飜和二重結合を個以䞊有する分子量5000〜
100000のプラスチツク状化合物、(B)攟射線により
硬化性をも぀䞍飜和二重結合を個以䞊有する
か、攟射線硬化性を有しない、分子量3000〜
100000のゎム状化合物、および(C)攟射線により硬
化性をも぀䞍飜和二重結合を個以䞊有する、分
子量200〜3000の化合物、よりなる磁気蚘録媒䜓
のバツクコヌト甚暹脂組成物、たた支持䜓の䞀方
の面に磁性局を、他方の面にバツクコヌト局を蚭
けた磁気蚘録媒䜓においお、バツクコヌト局にお
ける結合剀が、(A)攟射線により硬化性をも぀䞍飜
和二重結合を個以䞊有する分子量5000〜100000
のプラスチツク状化合物、(B)攟射線により硬化性
をも぀䞍飜和二重結合を個以䞊有するか、又は
攟射線硬化性を有しない分子量3000〜100000のゎ
ム状化合物、および(C)攟射線により硬化性をも぀
䞍飜和二重結合を個以䞊有する、分子量200〜
3000の化合物、よりなる攟射線硬化性暹脂組成物
であるこずを特城ずする磁気蚘録媒䜓に関するも
のである。 本発明においお、(A)だけでは柔軟性がなくもろ
く、(B)だけでは匟性の欠けたものであり、(A)(B)
を組合せるこずにより砎壊゚ネルギヌ倧ずなる
が、脆性゚ネルギヌを倧ずするには限床があり、
たた(A)(B)だけでは硬床が䜎いためか、高枩倚湿
䞋で粘着性を生じ静摩擊が高くな぀た。これに察
し、(A)(B)に曎に(C)を組合せるこずにより、架橋
性が増倧し、バむンダヌの匕匵り匷床倧、砎断゚
ネルギヌ、脆性゚ネルギヌが倧ずなり、バツクコ
ヌトケズレもなく、硬化床が高い匷靱な塗膜にな
る。そのため50℃、80、日間の高枩保存䞋に
おいたずころ、粘着を生ぜず、摩擊係数も䜎く、
画像ひずみを生じなか぀た。これは(C)を加えるこ
ずによりバツクコヌト膜の架橋性が増し、硬化床
が増したためである。(A)(B)に曎に(C)を加えるこ
ずにより、(A)(B)のみよりなる組成の堎合に比
べ、(A)成分が䜎分子量の方迄䜿えるようにな぀
た。これは(A)成分よりなるプラスチツク状のもの
を、(C)成分を導入するこずにより可塑性を向䞊さ
せた硬化床の向䞊ずなるため、粘匟性に富んだ脆
性゚ネルギヌの倧なる塗膜ずな぀たものである。 本発明暹脂組成物においお、(A)の分子量5000未
満、(B)の分子量3500未満では塗膜が固くな぀おバ
ツクコヌト削れが激しく、電磁倉換特性も䜎䞋
し、たた(B)の分子量100000を超えるず分散䞍良の
ため電磁倉換特性が䜎䞋するず共に、(B)が攟射線
硬化性の堎合にはその特性が䜎䞋しお匷床䜎䞋を
生じる。(C)に぀いおは、分子量が3000を超えるず
架橋性が䜎䞋し、塗膜の匷床が䜎䞋する。(A)は
10000〜80000、(B)は3000〜80000、(C)は200〜2500
が奜たしい分子量範囲で、(B)は攟射線硬化性のも
のが架橋性を䞊げ、塗膜匷床が倧ずなるので奜た
しい。 (A)(B)(C)の配合比率は、(A)が20〜70重量、
奜たしくは30〜70重量、(B)が20〜80重量、奜
たしくは20〜60重量、(C)が10〜40重量、奜た
しくは10〜30重量である。 本発明の(A)(B)(C)の化合物の分子量は次のよ
うな枬定方法による数平均分子量によ぀おいる。 ※GPCによるバむンダヌの平均分子量枬定 GPCGel Permeation Chlomatographyず
は詊料䞭の分子を移動盞䞭のその倧きさに基いお
分離する方法で、分子ふるいの圹をする倚孔質ゲ
ルをカラムに充填し液䜓クロマトグラフむヌを行
なう方法である。平均分子量を算出するには暙準
詊料ずしお分子量既知のポリスチレンを䜿いその
溶出時間から怜量線を䜜成する。これよりポリス
チレン換算の平均分子量を蚈算する。 䞎えられた高分子量物質䞭に分子量Miである
分子がNi個あ぀たずするず 数平均分子量 MnΣNiMiΣNi で衚わせる。 本発明の(A)(B)(C)の化合物における䞍飜和二
重結合は分子圓り(A)は以䞊、奜たしくは以
䞊、(B)は以䞊、奜たしくは以䞊(C)は以䞊、
奜たしくは以䞊である。 本発明で甚いる(A)のプラスチツク状化合物は、
攟射線によりラゞカルを発生し架橋構造を生じる
ような、䞍飜和二重結合を分子鎖䞭に二個以䞊含
むものであり、これはたた熱可塑性暹脂を攟射線
感応倉性するこずによ぀おも埗るこずができる。 攟射線硬化性暹脂の具䜓䟋ずしおは、ラゞカル
重合性を有する䞍飜和二重結合を瀺すアクリル
酞、メタクリル酞、あるいはそれらの゚ステル化
合物のようなアクリル系二重結合、ゞアリルフタ
レヌトのようなアリル系二重結合、マレむン酞、
マレむン酞誘導䜓等の䞍飜和結合等の、攟射線照
射による架橋あるいは重合也燥する基を熱可塑性
暹脂の分子䞭に含有たたは導入した暹脂であり、
その他攟射線照射により架橋重合する䞍飜和二重
結合を有する化合物で分子量が5000〜100000のも
の、奜たしくは10000〜80000のものであれば甚い
るこずができる。 攟射線照射による架橋あるいは重合也燥する基
を熱可塑性暹脂の分子䞭に含有する暹脂ずしおは
次の様な䞍飜和ポリ゚ステル暹脂がある。 分子鎖䞭に攟射線硬化性䞍飜和二重結合を含有
するポリ゚ステル化合物、䟋えば䞋蚘(2)の倚塩基
酞ず倚䟡アルコヌルの゚ステル結合から成る飜和
ポリ゚ステル暹脂で倚塩基酞の䞀郚をマレむン酞
ずした攟射線硬化性䞍飜和二重結合を含有する䞍
飜和ポリ゚ステル暹脂を挙げるこずができる。攟
射線硬化性䞍飜和ポリ゚ステル暹脂は倚塩基酞成
分皮以䞊ず倚䟡アルコヌル成分皮以䞊にマレ
むン酞、フマル酞等を加え垞法、すなわち觊媒の
存圚䞋で、180〜200℃、窒玠雰囲気䞋、脱氎ある
いは脱アルコヌル反応の埌、240〜280℃たで昇枩
し、0.5〜mmHgの枛圧䞋、瞮合反応により埗る
こずができる。マレむン酞やフマル酞等の含有量
は、補造時の架橋、攟射線硬化性等から酞成分䞭
〜40モル、奜たしくは10〜30モルである。 攟射線硬化性暹脂に倉性できる熱可塑性暹脂の
䟋ずしおは、次のようなものを挙げるこずができ
る。 (1) 塩化ビニヌル系共重合䜓 塩化ビニヌル−酢酞ビニヌル−ビニヌルアルコ
ヌル共重合䜓、塩化ビニヌル−ビニヌルアルコヌ
ル共重合䜓、塩化ビニヌル−ビニヌルアルコヌル
−プロピオン酞ビニヌル共重合䜓、塩化ビニヌル
−酢酞ビニヌル−マレむン酞共重合䜓、塩化ビニ
ヌル−酢酞ビニヌル−末端OH偎鎖アルキル基共
重合䜓、たずえばUCC瀟補VROH、VYNC、
VYBGX、VERR、VYES、VMCA、VAGH等
が挙げられ、このものに埌述の手法により、アク
リル系二重結合、マレむン酞系二重結合、アリル
系二重結合を導入しお攟射線感応倉性を行う。 (2) 飜和ポリ゚ステル暹脂 フタル酞、む゜フタル酞、テレフタル酞、コハ
ク酞、アゞピン酞、セバシン酞のような飜和倚塩
基酞ず、゚チレングリコヌル、ゞ゚チレングリコ
ヌル、グリセリン、トリメチロヌルプロパン、
プロピレングリコヌル、ブタンゞオ
ヌル、ゞプロピレングリコヌル、ブタンゞ
オヌル、ヘキサンゞオヌル、ペンタ゚リス
リツト、゜ルビトヌル、グリセリン、ネオぺンチ
ルグリコヌル、シクロヘキサンゞメタノヌ
ルのような倚䟡アルコヌルずの゚ステル結合によ
り埗られる飜和ポリ゚ステル暹脂又はこれらのポ
リ゚ステル暹脂をSONa等で倉性した暹脂䟋え
ばバむロン53Sが䟋ずしお挙げられ、これらも
同様にしお攟射線感応倉性を行う。 (3) ポリビニルアルコヌル系暹脂 ポリビニルアルコヌル、ブチラヌル暹脂、アセ
タヌル暹脂、ホルマヌル暹脂及びこれらの成分の
共重合䜓で、これら暹脂䞭に含たれる氎酞基に察
し埌述の手法により攟射線感応倉性を行う。 (4) ゚ポキシ系暹脂、プノキシ系暹脂 ビスプノヌルず゚ピクロルヒドリン、メチ
ル゚ピクロルヒドリンの反応による゚ポキシ暹
脂、䟋えばシ゚ル化孊補゚ピコヌト152、154、
828、1001、1004、1007、ダりケミカル補
DEN431、DER732、DER511、DER331、第日
本むンキ補゚ピクロン400、800、曎に䞊蚘゚
ポキシの高重合床暹脂であるUCC瀟補プノキ
シ暹脂PKHA、PKHC、PKHH、臭玠化ビ
スプノヌルず゚ピクロルヒドリンずの共重合
䜓、倧日本むンキ化孊工業補゚ピクロン145、
152、153、1120等がある。これら暹脂䞭に含た
れる゚ポキシ基を利甚しお攟射線感応倉性を行
う。 (5) 繊維玠誘導䜓 各皮のものが甚いられるが、特に効果的なもの
は硝化綿、セルロヌズアセトブチレヌト、゚チル
セルロヌズ、ブチルセルロヌズ、アセチルセルロ
ヌズ等が奜適である、暹脂䞭の氎酞基を掻甚しお
埌述の方法により攟射線感応倉性を行う。 その他、攟射線感応倉性に甚いるこずのできる
暹脂ずしおは、倚官胜ポリ゚ステル暹脂、ポリ゚
ヌテル゚ステル暹脂、ポリビニルピロリドン暹脂
及び誘導䜓PVPオレフむン共重合䜓、ポリア
ミド暹脂、ポリむミド暹脂、プノヌル暹脂、ス
ピロアセタヌル暹脂、氎酞基を含有するアクリル
゚ステル及びメタクリル゚ステルを重合成分ずし
お少くずも䞀皮含むアクリル系暹脂等も有効であ
る。 本発明で甚いる(B)の高分子量の化合物は、熱可
塑性゚ラストマヌもしくはプレポリマヌ、たたは
これらを攟射線感応倉性したものであり、埌者の
堎合はより効果的である。以䞋に゚ラストマヌも
しくはプレポリマヌの䟋を挙げる。 (1) ポリりレタン゚ラストマヌもしくはプレポリ
マヌ ポリりレタンの䜿甚は察摩耗性、及び基䜓フむ
ルム、䟋えばPETフむルムぞの接着性が良い点
で特に有効である。りレタン化合物の䟋ずしお
は、む゜シアネヌトずしお、−トル゚ンゞ
む゜シアネヌト、−トル゚ンゞむ゜シアネ
ヌト、−キシレンゞむ゜シアネヌト、
−キシレンゞむ゜シアネヌト、−ナフタ
レむンゞむ゜シアネヌト、−プニレンゞむ゜
シアネヌト、−プニレンゞむ゜シアネヌト、
3′−ゞメチル−4′−ゞプニルメタンゞ
む゜シアネヌト、4′−ゞプニルメタンゞむ
゜シアネヌト、3′−ゞメチルビプニレンゞ
む゜シアネヌト、4′−ビプニレンゞむ゜シ
アネヌト、ヘキサメチレンゞむ゜シアネヌト、む
゜フオロンゞむ゜シアネヌト、ゞシクロヘキシル
メタンゞむ゜シアネヌト、デスモゞナヌル、デ
スモゞナヌル等の各皮倚䟡む゜シアネヌトず、
線状飜和ポリ゚ステル゚チレングリコヌル、ゞ
゚チレングリコヌル、グリセリン、トリメチロヌ
ルプロパン、−ブタンゞオヌル、−
ヘキサンゞオヌル、ペンタ゚リスリツト、゜ルビ
トヌル、ネオペンチルグリコヌル、−シク
ロヘキサンゞメタノヌルの様な倚䟡アルコヌル
ず、フタル酞、む゜フタル酞、テレフタル酞、コ
ハク酞、アゞピン酞、セバシン酞の様な飜和倚塩
基酞ずの瞮重合によるもの、線状飜和ポリ゚ヌ
テルポリ゚チレングリコヌル、ポリプロピレン
グリコヌル、ポリテトラメチレングリコヌルや
カプロラクタム、ヒドロキシル含有アクリル酞゚
ステル、ヒドロキシル含有メタクリル酞゚ステル
等の各皮ポリ゚ステル類の瞮重合物より成るポリ
りレタン゚ラストマヌ、プレポリマヌが有効であ
る。 これらのりレタン゚ラストマヌの末端のむ゜シ
アネヌト基又は氎酞基ず、アクリル系二重結合又
はアリル系二重結合等を有する単量䜓ずを反応さ
せるこずにより、攟射線感応性に倉性するこずは
非垞に効果的である。 (2) アクリロニトリル−ブタゞ゚ン共重合゚ラス
トマヌ シンクレアペトロケミカル瀟補ポリBDリタむ
ツドレゞンずしお垂販されおいる末端氎酞基のあ
るアクリロニトリルブタゞ゚ン共重合䜓プレポリ
マヌあるいは日本れオン瀟補ハむカヌ1432J等の
゚ラストマヌは、特にブタゞ゚ン䞭の二重結合が
攟射線によりラゞカルを生じ架橋及び重合させる
゚ラストマヌ成分ずしお適する。 (3) ポリブタゞ゚ン゚ラストマヌ シンクレアペトロケミカル瀟補ポリBDリタむ
ツドレゞン−15等の䜎分子量末端氎酞基を有す
るプレポリマヌが特に熱可塑性暹脂ずの盞溶性の
点で奜適である。−15プレポリマヌにおいおは
分子末端が氎酞基ずな぀おいる為、分子末端にア
クリル系䞍飜和二重結合を付加するこずにより攟
射線感応性を高めるこずが可胜であり、バむンダ
ヌずしお曎に有利ずなる。 たたポリブタゞ゚ンの環化物、日本合成ゎム補
CBR−M901も熱可塑性暹脂ずの組合せによりす
ぐれた性質を有しおいる。 その他、熱可塑性゚ラストマヌ及びそのプレポ
リマヌの系で奜適なものずしおは、スチレン−ブ
タゞ゚ンゎム、塩化ゎム、アクリルゎム、む゜プ
レンゎム及びその環化物日本合成ゎム補
CIR701があり、゚ポキシ倉性ゎム、内郚可塑
化飜和線状ポリ゚ステル東掋玡バむロン300
等の゚ラストマヌも䞋蚘に述べる攟射線感応倉性
凊理を斜すこずにより有効に利甚できる。 本発明で甚いられる(C)攟射線硬化性䞍飜和二重
結合を有する化合物ずしおは、スチレン、゚チル
アクリレヌト、゚チレングリコヌルゞアクリレヌ
ト、゚チレングリコヌルゞメタクリレヌト、ゞ゚
チレングリコヌルゞアクリレヌト、ゞ゚チレング
リコヌルゞメタクリレヌト、−ヘキサング
リコヌルゞアクリレヌト、−ヘキサングリ
コヌルゞメタクリレヌト、トリメチロヌルプロパ
ントリアクリレヌト、トリメチロヌルプロパント
リメタクリレヌト、オリゎ゚ステルアクリレヌト
アロニツクスM7100、東亜合成、りレタン゚ラ
ストマヌニツポラン4040のアクリル倉性䜓、
あるいはこれらのものにCOOH等の官胜基が導
入されたもの等が挙げられる。 次に、攟射線感応性バむンダヌ合成䟋を説明す
る。  塩化ビニヌル酢酞ビニヌル共重合系暹脂のア
クリル倉性䜓攟射線感応倉性暹脂の合成 OH基を有する䞀郚ケン化塩ビ−酢ビ共重合䜓
平均重合床500750郚ずトル゚ン1250郚、
シクロヘキサノン500郚を5lの぀口フラスコに
仕蟌み加熱溶解し、80℃昇枩埌トリレンゞむ゜シ
アネヌトの−ヒドロキシ゚チルメタクリレヌト
アダクト※を61.4郚加え、曎にオクチル酞スズ
0.012郚、ハむドロキノン0.012郚を加え80℃でN2
気流䞭、NCO反応率が90ずなるたで反応せし
める。反応終了埌冷华し、メチル゚チルケトン
1250郚を加え垌釈する。
【※トリレンゞむ゜シアネヌトTDIの−ヒ
ドロキシ゚チルメタクリレヌト2HEMAアダ
クトの補法 TDI348郚をN2気流䞭1lの぀口フラスコ内で
80℃に加熱埌、−゚チレンメタクリレヌト260
郚、オクチル酞スズ0.07郚、ハむドロキノン0.05
郚を反応猶内の枩床が80〜85℃ずなるように冷华
コントロヌルしながら滎䞋終了埌80℃で時間攪
拌し反応を完結させる。反応終了埌取り出しお冷
华埌癜色ペヌスト状のTDIの2HEMAを埗た。】  ブチラヌル暹脂アクリル倉性䜓の合成攟射
線感応倉性暹脂 ブチラヌル暹脂積氎化孊補BM−S100郚をトル
゚ン191.2郚、シクロヘキサノン71.4郚ず共に5lの
぀口フラスコに仕蟌み加熱溶解し80℃昇枩埌
TDIの2HEMAアダクト※を7.4郚加え、曎にオ
クチル酞スズ0.015郚、ハむドロキノン0.015郚を
加え、80℃でN2気流䞭NCO反応率が90以䞊ず
なるたで反応せしめる。反応終了埌冷华し、メチ
ル゚チルケトンにお垌釈する。  飜和ポリ゚ステル暹脂アクリル倉性䜓の合成
攟射線感応倉性暹脂 飜和ポリ゚ステル暹脂東掋玡補バむロンRV
−200、100郚をトル゚ン116郚、メチル゚チルケ
トン116郚に加熱溶解し80℃昇枩埌TDIの
2HEMAアダクト※を3.55郚加え、オクチル酞ス
ズ0.007郚、ハむドロキノン0.007郚を加え、80
℃、N2気流䞭NCO反応率が90以䞊ずなるたで
反応せしめる。  ◎ ゚ポキシ暹脂アクリル倉性䜓の合成攟
射線感応倉性暹脂 ゚ポキシ暹脂シ゚ル化孊補゚ピコヌト1007、
400郚をトル゚ン50郚、メチル゚チルケトン50郚
に加熱溶解埌、−ゞメチルベンゞルアミン
0.006郚、ハむドロキノン0.003郚を添加し80℃ず
し、アクリル酞69郚を滎加し80℃で酞䟡以䞋ず
なるたで反応せしめる。 ◎ プノキシ暹脂アクリル倉性䜓の合成攟
射線感応倉性暹脂 OH基を有するプノキシ暹脂PKHH
UCC瀟補 分子量30000600郚、メチル゚チル
ケトン1800郚を3lのツ口フラスコに仕蟌み、加
熱溶解し、80℃昇枩埌、トリレンゞむ゜シアネヌ
トのヒドロキシ゚チルメタクリレヌトアダクト
を6.0郚加え、曎にオクチル酞スズ0.012郚、ハむ
ドロキノン0.012郚を加え、80℃でN2気流䞭、
NCO反応率が90ずなるたで反応せしめる。こ
のプノキシ倉性䜓の分子量は35000、分子圓
りの二重結合は個である。  りレタン゚ラストマヌアクリル倉性䜓の合成
攟射線硬化性゚ラストマヌ 末端む゜シアネヌトのゞプニルメタンゞむ゜
シアネヌトMDI系りレタンプレポリマヌ
日本ポリりレタン補ニツポラン3119250郚、
2HEMA32.5郚、ハむドロキノン0.07郚、オクチ
ル酞スズ0.009郚を反応猶に入れ、80℃に加熱溶
解埌TDI43.5郚を反応猶内の枩床が80〜90℃ずな
るように冷华しながら滎䞋し、滎䞋終了埌80℃で
反応率95以䞊ずなるたで反応せしめる。  ポリ゚ヌテル系末端りレタン倉性゚ラストマ
ヌアクリル倉性䜓攟射線硬化性゚ラストマ
ヌの合成 日本ポリりレタン瀟補ポリ゚ヌテルPTG−
500、250郚、2HEMA32.5郚、ハむドロキノン
0.007郚、オクチル酞スズ0.009郚を反応猶に入
れ、80℃に加熱溶解埌TDI43.5郚を反応猶内の枩
床が80〜90℃ずなるように冷华しながら滎䞋し、
滎䞋終了埌80℃で反応率95以䞊ずなるたで反応
せしめる。  ポリブタゞ゚ン゚ラストマヌアクリル倉性䜓
の合成攟射線硬化性゚ラストマヌ シンクレアペトロケミカル瀟補䜎分子量末端氎
酞基ポリブタゞ゚ンポリBDリクむツトレゞン
−15、250郚、2HEMA32.5郚、ハむドロキノン
0.007郚、オクチル酞スズ0.009郚を反応猶に入
れ、80℃に加熱溶解埌TDI43.5郚を反応猶内の枩
床が80〜90℃ずなるように冷华しながら滎䞋し、
滎䞋終了埌80℃で反応率95以䞊ずなるたで反応
せしめる。 高分子には攟射線照射により厩壊するものず分
子間に架橋を起こすものが知られおいる。分子間
に架橋を起こすものずしおは、ポリ゚チレン、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、ポリアクリル酞゚
ステル、ポリアクリルアミド、ポリ塩化ビニル、
ポリ゚ステル、ポリビニルピロリドンゎム、ポリ
ビニルアルコヌル、ポリアクロレむンがある。こ
の様な架橋型ポリマヌであれば䞊蚘のような倉性
を特に斜さなくおも、架橋反応が起るので、前蚘
倉性䜓の他に、これらの暹脂はそのたた攟射線架
橋甚バツクコヌト暹脂ずしお䜿甚可胜である。 曎にたた、この方法によれば溶剀を䜿甚しない
無溶剀型の暹脂であ぀おも短時間で硬化するこず
ができるので、この様な暹脂をバツクコヌト甚ず
しお甚いるこずができる。 本発明の攟射線硬化性暹脂組成物の特に奜たし
い組合せずしおは、(A)の化合物が䞀郚ケン化した
塩化ビニヌル−酢酞ビニヌル共重合䜓、カルボン
酞が導入された塩化ビニヌル−酢酞ビニヌル共重
合䜓、プノキシ暹脂にポリむ゜シアネヌト化合
物を反応させお埗られたむ゜シアネヌト基を有す
る化合物に、む゜シアネヌト基ずの反応性を有す
る官胜基をも぀アクリル化合物あるいはメタクリ
ル化合物を反応させおなる化合物であり、(B)の化
合物がポリオヌルにむ゜シアネヌト化合物を反応
させお埗られた、む゜シアネヌト化合物又はポリ
オヌルポリりレタン゚ラストマヌに、反応性
を有する官胜基をも぀アクリル化合物あるいはメ
タクリル化合物を反応させおなる化合物であり、
(C)は倚官胜メタクリレヌトモノマヌ、オリゎ
゚ステルアクリレヌトたたは(B)の䜎分子量化合物
ずいうものである。 本発明のバツクコヌト甚暹脂組成物には充填
剀、分散剀、最滑剀、垯電防止剀等を加えるこず
ができる。 充填剀ずしおは、導電性のあるカヌボンブ
ラツク、グラフアむト、たた無機充填剀ずし
おSiO2、TiO2、Al2O3、Cr2O3、SiC、CaO、
CaCO3、酞化亜鉛、ゲヌサむト、αFe2O3、タル
ク、カオリン、CaSO4、窒化硌玠、フツ化黒鉛、
二硫化モリブデン等があり、䞭でもCaCO3やカ
ヌボンが䜿甚される。この様な充填剀の䜿甚量は
に関しおはバむンダヌ100重量郚に察しお20
〜200重量郚、又に関しおは10〜300重量郚が
適圓であり、充填剀量があたり倚くなるず、塗膜
がもろくなり、かえ぀おドロツプアりトが倚くな
るずいう欠点がある。なお、、の平均粒
子埄に぀いおは、10〜500mΌが奜たしい。 分散剀及び最滑剀ずしおは埓来この皮バツクコ
ヌト局に甚いられる皮類のものはいずれも甚いる
こずができるが、カプリル酞、カプリン酞、ラり
リン酞、ミリスチン酞、パルミチン酞、ステアリ
ン酞、ベヘン酞、オレむン酞、゚ラむゞン酞、リ
ノヌル酞、リノレン酞、ステアロヌル酞等の炭玠
数12以䞊の脂肪酞RCOOH、は炭玠数11以䞊
のアルキル基前蚘の脂肪酞のアルカリ金属
Li、Na、等たたはアルカリ土類金属Mg、
Ca、Ba等から成る金属石鹞レシチン等が䜿
甚される。この他に炭玠数12以䞊の高玚アルコヌ
ル、およびこれらの硫酞゚ステル、界面掻性剀、
チタンカツプリング剀、シランカツプリング剀等
も䜿甚可胜である。これらの分散剀はバむンダヌ
100重量郚に察しお〜20重量郚の範囲で添加さ
れる。 最滑剀ずしおは䞊蚘の他にシリコンオむル、グ
ラフアむト、二硫化モリブデン、二硫化タングス
テン、炭玠数12〜16個の䞀塩基性脂肪酞ず炭玠数
〜12個の䞀䟡のアルコヌルからなる脂肪酞゚ス
テル類、炭玠数17個以䞊の䞀塩基性脂肪酞ず該脂
肪酞の炭玠数ず合蚈しお炭玠数が21〜23個より成
る䞀䟡のアルコヌルずから成る脂肪酞゚ステル等
が䜿甚される。これらの最滑剀はバむンダヌ100
重量郚に察しお0.2〜20重量郚の範囲で添加され
る。 たた垯電防止剀ずしおサポニンなどの倩然界面
掻性剀アルキレンオキサむド系、グリセリン
系、グリシドヌル系などのノニオン界面掻性剀
高玚アルキルアミン類、第玚アンモニりム塩
類、ピリゞンその他の耇玠環類、ホスホニりム又
はスルホニりム類などのカチオン界面掻性剀カ
ルボン酞、スルホン酞、燐酞、硫酞゚ステル基、
燐酞゚ステル基等の酞性基を含むアニオン界面掻
性剀アミノ酞類、アミノスルホン酞類、アミノ
アルコヌルの硫酞たたは燐酞゚ステル類等の䞡性
掻性剀などが䜿甚される。 たた本発明のバツクコヌト局に甚いる暹脂の架
橋に䜿甚する掻性゚ネルギヌ線ずしおは、攟射線
加速噚を線源ずした電子線、Co60を線源ずした
γ−線、Sr90を線源ずしたβ−線、線発生噚
を線源ずした線あるいは玫倖線等が䜿甚され
る。 特に照射線源ずしおは吞収線量の制埡、補造工
皋ラむンぞの導入、電離攟射線の遮蔜等の芋地か
ら攟射線加熱噚により攟射線を䜿甚する方法が有
利である。 バツクコヌト局を硬化する際に䜿甚する攟射線
特性ずしおは、透過力の面から加速電圧100〜
750KV、奜たしくは150〜300KVの攟射線加速噚
を甚い吞収線量を0.5〜20メガラツドになるよう
に照射するのが奜郜合である。 本発明のバツクコヌト局硬化に際しおは、米囜
゚ナヌゞヌサむ゚ンス瀟にお補造されおいる䜎線
量タむプの攟射線加速噚゚レクトロカヌテンシ
ステム等がテヌプコヌテむング加工ラむンぞの
導入、加速噚内郚の次線の遮蔜等に極めお有
利である。 勿論、埓来より攟射線加速材ずしお広く掻甚さ
れおいるずころのフアンデグラフ型加速噚を䜿甚
しおもよい。 たた攟射線架橋に際しおは、N2ガス、Heガス
等の䞍掻性ガス気流䞭で攟射線をバツクコヌト局
に照射するこずが重芁であり、空気䞭で攟射線を
照射するこずは、バむンダヌ成分の架橋に際しお
攟射線照射により生じたO3等の圱響でポリマヌ
䞭に生じたラゞカルが有利に架橋反応に働くこず
を阻害するので極めお䞍利である。埓぀お、掻性
゚ネルギヌ線を照射する郚分の雰囲気は、特に酞
玠濃床が最倧でである。N2、He、CO2等の
䞍掻性ガス雰囲気に保぀こずが重芁ずなる。 䞀方、本発明の磁性局は、匷磁性埮粒子および
バむンダヌを含む塗膜からなる塗垃型および匷磁
性金属薄膜よりなる金属薄膜型のいずれも適甚で
き、匷磁性物質ずしおはγ−Fe2O3、Fe3O4、Co
ドヌプγ−Fe2O3、Coドヌプγ−Fe2O3−Fe3O4
固溶䜓、Co系化合物被芆型γ−Fe2O3、Co系化
合物被芆型γ−Fe3O4γ−Fe2O3ずの䞭間酞化状
態も含む、ここでいうCo系化合物ずは、酞化コ
バルト、氎酞化コバルト、コバルトプラむト、
コバルトむオン吞着物等、コバルトの磁気異方性
を保磁力向䞊に掻甚する堎合を瀺す、あるいは
鉄、コバルト、ニツケルその他の匷磁性金属ある
いはFe−CoFe−Ni、Co−Ni、Fe−Rh、Fe−
Cu、Fe−Au、Co−Cu、Co−Au、Co−、Co
−La、Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、
Ni−Cu、Fe−Co−Nd、Mn−Bi、Mn−Sb、
Mn−Alのような磁性合金、曎にBaプラむト、
Srプラむトのようなプラむト系磁性䜓を挙
げるこずができる。 埓来、匷磁性粉末ずしおは䟋えばγ−Fe2O3、
Co含有γ−Fe2O3、Fe3O4、Co含有Fe3O4、CrO2
等がよく䜿甚されおいたが、これら匷磁性粉末の
保磁力および最倧残留磁束密床等の磁気特性は高
感床高密床蚘録甚ずしおは䞍十分であり、玄1ÎŒm
以䞋の蚘録波長の短い信号や、トラツク巟の狭い
磁気蚘録にはあたり適しおいない。 磁気蚘録媒䜓に察する芁求が厳しくなるに぀れ
お、高密床蚘録に適する特性を備えた匷磁性粉末
が開発され、たた提案されおいる。このような磁
性粉末はFe、Co、Fe−Co、Fe−Co−Ni、Co−
Ni等の金属たたは合金、これらずAl、Cr、Si等
ずの合金などがある。かかる合金粉末を甚いた磁
気蚘録局は高密床蚘録の目的には高い保磁力ず高
い残留磁束密床ずを有する必芁があり、䞊蚘磁性
粉末がこれらの基準に合臎するように皮々の補造
方法或いは合金組成を遞択するのが奜たしい。 本発明者等は皮々の合金粉末を甚いお磁気蚘録
媒䜓を補䜜したずころ、BET法による比衚面積
が48m2以䞊で、磁性局の保磁力が1000Oe以
䞊で、しかも磁性局の衚面粗床〔埌述のタリステ
ツプによる枬定においおカツトオフ0.17mmでR20
20回平均倀のこず、以䞋同じ〕が0.08Ό以䞋の
ずきに、ノむズレベルが充分に䜎く、高密床、短
波長の蚘録に適する磁気蚘録媒䜓が埗られるこず
を芋出しおいるが、このような磁性局ず本発明の
バツクコヌト局ずを組合せた堎合には、シンチン
グ珟象急速停止時の巻きゆるみ、ドロツプア
りト、摩擊の枛少ずいう効果が生じ、曎に磁気テ
ヌプのベヌスであるポリ゚チレンテレフタレヌ
ト、ポリ゚チレンナフタレヌト、ポリむミド、ポ
リアミド等のプラスチツクフむルムが玄11Ό皋床
以䞋ずいう薄いものが甚いられる傟向から、テヌ
プを巻装したずきの巻締りが益々倧きくなり、バ
ツクコヌト面の粗さが磁性面ぞ転写しお出力䜎䞋
の原因ずな぀おくるが、䞊蚘磁気蚘録局、バツク
コヌト局の組合せでは、このような問題点も改善
され奜たしい。なお、匷磁性物質ずしお匷磁性金
属を䞻成分ずするものは、塗膜の電気抵抗が高く
ドロツプアりトを発生し易いので垯電察策が必芁
であるが、本発明のバツクコヌト局ずの組合せに
より、そのような問題も解決され埗、極めお奜郜
合である。 䞊蚘磁気蚘録局における保磁力の奜たしい範囲
は1000〜2000Oeであり、これ以䞊の範囲では蚘
録時に磁気ヘツドが飜和し、たた消磁が困難にな
る。磁性粉の比衚面積は倧きい皋比を改善
する傟向があるが、あたり比衚面積が倧きいず磁
性粉のバむンダヌ䞭ぞの分散が悪くなる傟向があ
り、たた効果が飜和する傟向を有するこずが分぀
た。䞀方、磁気蚘録局における衚面粗床は蚘録感
床に圱響を䞎え、その衚面粗床が小さいず短波長
の蚘録感床が䞊昇する。䞊蚘の特性を満足させ埗
る匷磁性合金ずしおはCo、Fe−Co、Fe−Co−
Ni、Co−Niなど、たたこれにCr、Al、Si等を添
加した埮粉末が甚いられる。これらは金属塩を
BH4等の還元剀で湿時還元した埮粉末、酞化鉄
衚面をSi化合物で被芆した埌、H2ガス䞭で也匏
還元した埮粉末、或いは合金を䜎圧アルゎン䞭で
蒞発させた埮粉末等で、軞比〜10を有
し、残留磁束密床Br2000〜3000ガりスのもの
で、䞔぀䞊蚘保磁力及び衚面積の条件を満たすも
のである。 合金磁性粉は各皮バむンダヌを甚いお磁性塗料
ずするこずができるが、䞀般には熱硬化性暹脂系
バむンダヌ及び攟射線硬化系バむンダヌが奜適で
あり、その他添加剀ずしお分散剀、最滑剀、垯電
防止剀を垞法に埓぀お甚いるこずができる。
BET比衚面積が48m2以䞊の磁性粉を甚いる
ため、分散性に問題があるので分散剀ずしおは界
面掻性剀や有機チタンカツプリング剀などを甚い
るず良い。バむンダヌずしおは塩化ビニル・酢酞
ビニル・ビニルアルコヌル共重合䜓、ポリりレタ
ンプレポリマヌ及びポリむ゜シアネヌトより成る
バむンダヌ、或いはこれに曎にニトロセルロヌス
を加えたバむンダヌ、その他公知の熱硬化性バむ
ンダヌ、或いはむオン化゚ネルギヌに感応するア
クリル系二重結合やマレむン系二重結合などを暹
脂の基ずしお含有する攟射線硬化型バむンダヌな
どが䜿甚できる。 通垞の方法に埓぀お、合金磁性粉末をバむンダ
ヌ及び所定の溶剀䞊びに各皮添加剀ず混合しお磁
性塗料ずし、これをポリ゚ステルベヌス等の基䜓
に塗垃し、熱硬化たたは攟射線硬化しお磁性膜を
圢成し、そしおさらにカレンダヌ加工を行なう。 なお、磁性面、バツク面がいずれも攟射線硬化
型のバむンダヌを甚いる堎合には、補造䞊、連続
硬化が可胜であり、䞊蚘の裏型転写がないのでド
ロツプアりトが防止でき、さらに奜たしい。その
䞊、攟射線硬化はオンラむン䞊で凊理できるので
省゚ネルギヌ察策、補造時の人員の枛少にも圹立
ち、コストの䜎枛に぀ながる。特性面では熱硬化
時の巻きしたりによるドロツプアりトの倖に、ロ
ヌル状に巻かれたずきの内倖埄の個所の圧力のち
がいにより磁気テヌプの長さ方向の距離による出
力差が生じるこずもなくなる。ベヌス厚が11Ό以
䞋ず薄くなり、たた金属磁性粉の硬床がγ−Fe2
O3などの磁性酞化物よりも小さいために磁性局
の衚面硬床が小さく巻きしたりの圱響を受け易く
なるが、攟射線硬化型のバツクコヌト局ではこの
圱響を取陀くこずができ、内倖埄での出力差やド
ロツプアりトの差を陀くこずができるため特に奜
たしい。 たた䞊蚘組合せの他、磁気蚘録局ずしお匷磁性
金属薄膜を甚い本発明のバツクコヌト局ず組合せ
た堎合には、その電磁倉換特性の良奜さ、衚面粗
床の良奜さ、カヌルの防止、ドロツプアりトの䜎
䞋等の硬化が発揮され、奜たしい組合せである。 本発明の磁性局、バツクコヌト局には、磁気蚘
録媒䜓に通垞䜿甚される各皮垯電防止剀、最滑
剀、分散剀、増感剀、レベリング剀、耐摩耗性付
䞎剀、塗膜匷床補匷添加剀党を甚途に合わせ、適
宜掻甚するこずが有効である。最滑剀の入぀おい
ないバツクコヌト局は高枩走行䞋で摩擊が高いた
め画像のゆらぎを生じ易い。そのためゞツタヌが
発生する。 磁気蚘録媒䜓の補造に際し、熱硬化系バツクコ
ヌト面圢成においおは、バツクコヌト面を磁性面
より先に圢成するずバツクコヌト面の熱硬化凊理
はベヌスずの巻きしたりのためベヌス面の衚面粗
床を䜎䞋させ奜たしくない。そのため磁性面を圢
成した埌熱硬化凊理を行な぀おいた。そのため、
バツクコヌト凊理は、磁性塗膜を支持䜓䞊に圢成
した埌、その支持䜓の裏面になされるのが普通で
あるが、本発明では攟射線硬化性バむンダヌを甚
いおいる為、バツクコヌト面での巻きしたりがな
いためどちらを先にしおも特に問題はない。 (ニ) 発明の利甚分野 本発明のバツクコヌト局を蚭けるべき磁気蚘録
媒䜓ずしおは、オヌデむオテヌプ、ビデオテヌ
プ、コンピナヌタヌ甚テヌプ、゚ンドレステヌ
プ、磁気デむスク等があるが、䞭でもドロツプア
りトが最も重芁な特性の぀であるビデオテヌ
プ、コンピナヌタヌ甚テヌプに甚いるこずはかな
り有効である。 近幎、特に技術進歩が著しく、しかも垂堎性の
拡倧しおいる高バむアスのHiFi甚オヌデむオカ
セツトテヌプ、ビデオカセツトテヌプ、ビデオテ
ヌプ接觊転写プリント甚マスタヌテヌプ等には本
発明の攟射線硬化性バむンダヌを甚いたバツクコ
ヌト局ず、同様の攟射線硬化性バむンダヌず䞊蚘
磁性䜓埮粉末䞭、特に高密床蚘録甚に有利なコバ
ルト倉性針状酞化鉄コバルトドヌプタむプもし
くはコバルト系化合物被芆タむプあるいは曎に
高保磁力の針状合金埮粒子あるいは金属薄膜ずを
組合せるこずにより、極めお良奜な電磁倉換特性
ず物性信頌性を有する高性胜テヌプを埗るこずが
でき、本発明の暹脂組成物は有甚性の倧きいすぐ
れた暹脂組成物であるずいうこずができる。 (ホ) 発明を実斜するための最良の圢態 以䞋に本発明の実斜䟋を瀺す。なお、本発明が
この実斜䟋に限定されるものでないこずは理解さ
れるべきである。 実斜䟋  ◎ 磁性局の圢成 磁性局 熱硬化型磁性局 重量郹 コバルト被芆針状γ−Fe2O3 120郚 長軞0.4Ό、単軞0.05Ό、Hc600Oe カヌボンブラツク 郚 垯電防止甚䞉菱カヌボンブラツクMA−600 α−Al2O3粉末0.5Ό粉状 郚 分散剀倧豆油粟補レシチン 郚 溶剀MEKトル゚ン 5050 100郚 䞊蚘組成物をボヌルミル䞭にお時間混合し、
針状磁性酞化鉄を分散剀により良く湿最させる。
次に 塩化ビニル酢酞ビニル共重合䜓 15郚 ナニオンカヌバむト瀟補VAGH 熱可塑性りレタン暹脂 15郚 日本ポリりレタン瀟補ニツポラン3022 溶剀MEKトル゚ン 5050 200郚 最滑剀高玚脂肪酞倉性シリコンオむル郚 の混合物を良く混合溶解させる。 これを先の磁性粉凊理を行な぀たボヌルミル䞭
に投入し、再び42時間分散させる。分散埌、磁性
塗料䞭のバむンダヌの氎酞基を䞻䜓ずした官胜基
を反応し架橋結合し埗るむ゜シアネヌト化合物
バむ゚ル瀟補デスモゞナヌルを郚固圢
分換算、䞊蚘ボヌルミル仕蟌塗料に20分で混合
を行な぀た。 磁性塗料を15Όのポリ゚ステルフむルム䞊に塗
垃し、氞久磁石1600ガりス䞊で配向させ、赀
倖線ランプたたは熱颚により溶剀を也燥させた
埌、衚面平滑化凊理埌、80℃に保持したオヌブン
䞭にロヌルを48時間保持し、む゜シアネヌトによ
る架橋反応を促進させた。 磁性局 攟射線硬化型磁性局 重量郹 コバルト被芆針状γ−Fe2O3 120郚 長軞0.4Ό、単軞0.05Ό、Hc600Oe カヌボンブラツク 郚 垯電防止甚䞉菱カヌボンブラツクMA−600 α−Al2O3粉末0.5Ό粉状 郚 分散剀倧豆油粟補レシチン 郚 溶剀MEKトル゚ン 5050 100郚 䞊蚘組成物をボヌルミル䞭にお時間混合し、
針状磁性酞化鉄を分散剀により良く湿最させる。
次に アクリル二重結合導入飜和ポリ゚ステル暹脂 法 10郚固型分換算 アクリル二重結合導入塩酢ビ共重合䜓法
アクリル二重結合導入ポリ゚ヌテルりレタン゚
ラストマヌ法 10郚固型分換算 溶剀MEKトル゚ン 5050 200郚 最滑剀高玚脂肪酞倉性シリコンオむル郚 䞊蚘バむンダヌの混合物を良く混合溶解させ
る。これを先の磁性粉凊理を行な぀たボヌルミル
䞭に投入し再び42時間混合分散させる。 この様にしお埗られた磁性塗料を15Όのポリ゚
ステルフむルム䞊に塗垃し、氞久磁石1600ガり
ス䞊で配向させ、赀倖線ランプ又は熱颚により
溶剀を也燥させた埌、衚面平滑化凊理埌、ESI瀟
補゚レクトロカヌテンタむプ電子線加速装眮を䜿
甚しお、加速電圧150KeV、電極電流20mA、党
照射量5Mradの条件䞋でN2雰囲気䞋にお電子線
を照射し、塗膜を硬化させた。 埗られたテヌプを1/2むンチ巟に切断しビデオ
テヌプを埗た。 ◎ バツクコヌト局の圢成 バツクコヌト局 カヌボンブラツク 50郚 旭カヌボン(æ ª)補 100mÎŒ (A) アクリル倉性塩ビ−酢ビ−ビニルアルコヌル
共重合䜓の補法 分子量 40郚 (B) アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ
の補法 分子量 20郚 (C) ゚チレングリコヌルゞアクリレヌト、オリゎ
゚ステルポリアクリレヌト又はアクリル倉性ポ
リりレタン゚ラストマヌ 分子量 20郚 ステアリン酞 郚 ステアリン酞ブチル 郚 溶剀MIBKトル゚ン 300郚 䞊蚘混合物をボヌルミル䞭にお時間分散さ
せ、磁性面が圢成されおいるポリ゚ステルフむル
ムの裏面に也燥厚2Όになるように塗垃し、゚レ
クトロカヌテンタむプ電子線加速装眮を甚いお加
速電圧150KeV、電極電流10mA、吞収線量
5Mrad、N2ガス䞭で電子線をバツクコヌト局に
照射し、硬化を行぀た埌巻き取り、1/2ビデオ巟
に切断し、VHSデツキにおドロツプアりトを枬
定した。 バツクコヌト局 CaCO3 80mÎŒ 50郚 アクリル倉性塩ビ−酢ビ−ビニルアルコヌル 共重合䜓法 分子量30000 30郚 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ 法 分子量50000 30郚 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ 法 分子量1000 20郚 オリゎ゚ステルポリアクリレヌト 分子量500
20郚 ステアリン酞 郚 混合溶剀ず同じ 300郚 䞊蚘混合物をバツクコヌト局ず同様に調敎し
た。 バツクコヌト局 カヌボンブラツク 平均粒埄20mÎŒ 60郚 アクリル倉性プノキシ暹脂 分子量30000
25郚 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ 法 分子量20000 10郚 アクリル倉性ポリ゚ステル暹脂 10郚 法 分子量10000 オリゎ゚ステルポリアクリレヌト 分子量500
郚 ミリスチン酞 郚 混合溶剀 300郚 䞊蚘混合物をバツクコヌト局ず同様に調敎し
た。 バツクコヌト局 CaCO3 50mÎŒ 30郚 カヌボンブラツク80mÎŒ 10郚 TiO2 200mÎŒ 10郚 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ 法 分子量70000 30郚 ブチラヌル倉性䜓 50郚 法 分子量40000 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ 法 分子量1000 20郚 ラりリン酞 郚 混合溶剀 300郚 䞊蚘混合物をバツクコヌト局ず同様に調補し
た。 磁性局ずバツクコヌト局ずを組合せ、バツ
クコヌト局における(A)(B)(C)の分子量を皮々に倉
えお、本発明の効果を芋た結果を第衚に瀺す。
【衚】
【衚】 急激ストツプによるバツクコヌト面の傷である。
第衚から、(B)の分子量が3000以䞋のものは塗
膜が固くなり、バツクコヌト削れ及び電磁倉換特
性の䜎䞋がみられ、分子量が100000を超えるもの
は攟射線硬化性が䜎䞋、たた分散䞍良の為、電磁
倉換特性が䜎䞋しおいるこず、(C)は分子量200以
䞋のものは塗膜が固くもろくなりすぎお脆性
゚ネルギヌが䜎くなり、バツクコヌトが削れ、䜎
分子成分すぎお粘着、もろい塗膜のためラツピン
グテストではがれ易い。又急激なストツプでも傷
が発生し易い。䞡者共、走行埌のドロツプアりト
の増倧が激しいこずが刀る。 䞊蚘各磁性局ずバツクコヌト局を組合せたサン
プルの各皮特性詊隓に぀いおの結果を第衚に瀺
す。
【衚】 実斜䟋に぀いお、第、衚等から考察を行
なう。  (A)が分子量4000の堎合 バツクコヌト削れ、走行埌の摩擊も高く、分子
量が䜎いため匟力性がなく、脆性゚ネルギヌ、砎
断゚ネルギヌの䜎い塗膜ずな぀た。そのため50
℃、80の保存䞋では巻きしたりが倧ずな぀た。  (A)が分子量5000の堎合 (B)が分子量3000以䞋の堎合は䞊蚘ず同様であ
る。 (B)が分子量3000以䞊の堎合。 (C)が分子量100の倚官胜アクリレヌトの堎合は
バツクコヌト削れ倧、高枩保存埌の静−動摩擊の
倉化倧、画像ゆらぎ倧、ドロツプアりトが倧であ
぀た。ラツピングテストでも剥がれ易く回、
もろい塗膜であ぀た。そのため脆性゚ネルギヌも
小さか぀た。たたパリパリの塗膜のため、急激ス
トツプ時、バツクコヌト面の傷が぀き易か぀た。 (C)の分子量を200の倚官胜アクリレヌト、1000、
2500の攟射線硬化性りレタン゚ラストマヌずする
ず、これらの問題点は改良された。 (B)が分子量15䞇以䞊の堎合。 高分子りレタン゚ラストマヌのため、硬化性も
䜎く粘着を生じ、バツクコヌトケズレも倧であ぀
た。脆性゚ネルギヌも小さか぀た。そのため電磁
倉換特性䜎䞋、急激ストツプによるバツクコヌト
面の傷も倧であ぀た。  (A)、(B)、(C)の分子量を(A)5000〜100000、(B)
3000〜100000、(C)200〜3000を組合せるこずに
より、50℃、80の保存䞋で粘着性もなく、静
−動摩擊の倉化の少ない、画像ゆらぎのない、
ドロツプアりトが少なく、ラツピングテストで
耐溶剀性の良奜な、脆性゚ネルギヌの倧なる、
電磁倉換特性の䜎䞋の少ない、急激ストツプに
よるバツクコヌト面の傷が぀きにくい塗膜ずな
぀た。 䞊蚘の分子量の範囲内でも、奜たしいものは(A)
10000〜80000、曎に奜たしいのは20000〜80000、
(B)3000〜80000、(C)200〜2500であり、この範囲で
は䞊蚘特性を曎に改善でき、すぐれたものずな
る。 実斜䟋  䞋蚘のようにしお数皮の合金磁性局を圢成し、
実斜䟋のバツク局ずこれらを組合せお磁気蚘録
媒䜓を補造し、本発明の効果をみた。 磁性局の圢成 湿匏還元法により皮々の合金粉末を補造した。
これらは軞比短軞長軞が〜10の
針状粒子より成り、残留磁束密床2000〜3000ガり
ス、保磁力1000〜2000OeBET比衚面積45〜70
m2を有するものであ぀た。これらの磁性粉を
次の配合比で通垞の方法で混合し、各磁性局を圢
成した。 磁性局 熱硬化型 重量郹 Fe−Co−Ni合金粉末 100 Hc1200Oe、長軞0.4ÎŒm、短軞0.05ÎŒmBET
比衚面積52m2 塩化ビニル・酢酞ビニル・ビニルアルコヌル共
重合䜓米囜UCC瀟補VAGH 15 ポリりレタンプレポリマヌ 10 バむ゚ル瀟補デスモコヌル22 メチル゚チルケトントル゚ン 250 ミリスチン酞  ゜ルビタンステアレヌト  この混合物にポリむ゜シアネヌトバむ゚ル瀟
補デスモゞナヌル30重量郚加えお磁性塗料ず
し、ポリ゚ステルフむルムに3.5Όの厚さで圢成
し、カレンダヌ加工した。 磁性局 攟射線硬化型 磁性局ず同様な磁性合金粉末及びベヌスを甚
い、次の混合物 重量郹 Fe−Co−Ni合金粉末 100 塩化ビニル・酢酞ビニル・ビニルアルコヌル共
重合䜓米囜UCC瀟補VAGH 15 ポリビニルブチラヌル暹脂法 10 アクリル二重結合導入りレタン法 10 メチル゚チルケトントル゚ン5050 250 をポリ゚ステルフむルムに3.5Όの厚さに塗垃し、
電子線硬化ずカレンダヌ加工を行぀た。 磁性局 攟射線硬化型 磁性局の補造法ず同じ方法を甚い、次の組成
を甚いお磁性局を圢成した。 重量郹 Fe−Co−Ni合金粉末BET60m2 100 飜和ポリ゚ステル暹脂  アクリル導入塩化ビニルアルコヌル共重合䜓 重合床300法 10 アクリル二重結合導入ポリ゚ヌテルりレタン゚
ラストマヌ法 10 混合溶剀磁性局ず同じ 250 これら磁性局〜ず実斜䟋のバツクコヌト
局ずを適圓に組合せおその圢成順序を倉えお磁気
蚘録媒䜓を぀く぀た。ただし各局の圢成ごずに本
実斜䟋の堎合はカレンダヌ加工を実斜した。各特
性結果を第衚に瀺す。
【衚】 第衚に぀いお矀で比范するず、バツクコヌ
ト面を先に圢成した方がベヌス面が匷化され裏型
転写が少ないためゞダンボロヌルの内、倖で電磁
倉換特性䞊の差が少ない。〜矀の磁性局、バ
ツクコヌト局の䞡者ずも攟射線硬化型の堎合は、
どちらの面を先に圢成しおも圱響はないこずが刀
る。実斜䟋から、磁性粉が合金粉末の堎合に(A)
(B)(C)の組合せの効果がなお顕著に出おいるこずが
刀る。 次に第衚の磁性局−バツク局
におけるビデオテヌプの衚面粗床に぀いお怜蚎し
た。第図はビデオテヌプを3.8secで駆動
し、䞭心呚波数5MHzで蚘録、再生した堎合の
比盞察倀を瀺す。ただし曲線の添字は
磁性局の衚面粗床である。これから刀るように、
磁性局の衚面粗床が0.08ÎŒm以䞋で、バツクコヌ
ト局の衚面粗床が0.6ÎŒm以䞋のずきに比を
高く保぀こずができる。他の組合せの堎合も党く
同様であ぀た。 䞊蚘のビデオテヌプに぀いお、磁性局の衚面粗
床が0.08ÎŒm以䞋で䞔぀バツクコヌト局の衚面粗
床が0.05〜0.6ÎŒmの範囲にあるものに぀いお、合
金粉末のBET比衚面積ずずの関係を調べ
たずころ第図に瀺す結果を埗た。ただし55dB
を基準ずした。これからBET倀48m2以䞊の
ずきにすぐれた特性が埗られるこずが刀る。他の
堎合も同様であ぀た。 曎に巻きしたりを枬定したずころ、40℃、80
RHでは党お良奜であ぀た。 実斜䟋  厚さ10ÎŒmのポリ゚チレンテレフタレヌトベヌ
スの片面に真空蒞着法によりCo−Ni合金
Hc1100Oeを平均厚0.2ÎŒmに蒞着し磁性薄膜を
圢成した。 このようにしお金属薄膜からなる磁気蚘録局を
圢成した基材の反察面偎に実斜䟋のバツクコヌ
ト〜を也燥厚みが1.0ÎŒmになるように塗垃、
也燥を行ない、カレンダヌにお衚面平滑凊理を行
な぀た埌、゚レクトロカヌテンタむプ電子線加速
装眮を甚いお加速電圧150KeV、電極電流10mA、
吞収線量3Mradの䜜動条件䞋でN2ガス雰囲気に
おいお電子線をバツクコヌト局に照射し硬化を行
なわせた。これらの磁気テヌプの諞特性に぀いお
の詊隓結果を第衚に瀺す。
【衚】 蒞着テヌプの堎合、蒞着膜が薄いためゞダンボ
ロヌルでの内、倖偎の圱響はより顕著である。熱
硬化の堎合は裏型転写により倖偎、内偎が倧であ
り、特に内偎は䜿甚䞍可であ぀た。☆で(C)成分が
䜎分子量のため塗膜がもろく、貌り぀きを内偎郚
で生じたため、内偎郚での電磁倉換特性は、枬定
侊−0.1dBずな぀おいるが、䞍安定な倀を瀺し、
奜たしくなか぀た。衚䞭、−に぀いおは
バツクコヌト面の熱硬化組成ずの察比である。 なお、䞊蚘の各特性の枬定は次のようにしお行
な぀た。  シンチング珟象、巻姿 䞀般垂販のVHS方匏VTRを甚いお、テヌプ党
長を早送りした埌早戻しを行ない、残り50の所
で停止し、曎に早戻しを最埌たで行なう。然る
埌、テヌプの巻き状態を目芖により芳察した。テ
ヌプ局間にすき間がなく巻き状態が良奜な堎合を
○たたは◎ずし、テヌプ局間にすき間が発生した
堎合を×ずした。  バツクコヌト面削れ 䞀般垂販のVHS方匏VTRを甚い、40℃、60
の環境䞋で100回走行させた埌バツクコヌト面の
傷の぀き具合を芳察した。○は汚れがない状態、
×は汚れがひどい状態を瀺す。  磁性局ずバツク局の粘着性 VHSリヌルに巻き取り、60℃、40の環境䞋
に日間攟眮したずきの粘着状態を目芖により評
䟡した。粘着のないを堎合○、特に優良な堎合を
◎ずし、粘着の生じた堎合を×ずする。  静摩擊−動摩擊倉化 テヌプを切り出し、研磚アルミ円柱にバツク面
を内偎にしおの静摩擊T1ず動摩擊T2の
倉化を枬定した。たたこれにより傷の発生具合を
芋た。  脆性゚ネルギヌ バツクコヌト局においお(A)(B)(C)の分子量を
各々䞇、䞇、500ずしたずきを100の暙準ず
しお、他のものの゚ネルギヌを換算にしお衚わ
す。枬定は島接補䜜所、オヌトグラフにお20℃、
60にお行な぀た。  ダング率E′ 粘匟性スペクトロメヌタヌ岩朚補䜜所、東掋
ボヌドりむン、東掋粟機瀟での20℃での枬定倀
による。  ドロツプアりト 20℃、60RH、VHSデツキを甚い、5MHzの
単䞀信号を蚘録し、再生した堎合の信号が、平均
再生レベルより18dB以䞊䜎䞋する時間が15Ό秒以
䞊であるものの個数を、サンプ10個に぀いお分
間圓りで数え、その平均をず぀た。磁気テヌプ走
行前のもの初ず、100回走行埌のものに぀い
お枬定した。  衚面粗床 タリステツプTAYLOR−HOBSON瀟補
を甚いお埗たチダヌトから20点平均法で求めた。
カツトオフ0.17mm、針圧0.1×2.5Όを甚いた。  電磁倉換特性 䞭心呚波数5MHzで蚘録、再生した堎合の
比盞察倀を瀺す。VHSのVTRを改造し
5MHzたで枬定できるようにした。 10 電顕撮圱法  透過電顕によりテヌプからの抜出法により、
平均粒子埄を枬定する。  走査型電顕による断面写真法による。この堎
合、粒子が凝集しおいる堎合があるので、バラ
ツキが倧の堎合は最小粒子埄を平均粒子埄ずす
る。 11 摩擊係数 盎埄mmの衚面を研磚したアルミ円柱に磁気テ
ヌプのバツク面を内偎にしお180°の抱き角で巻き
぀け、cm秒で走行し、送り出し偎ず巻き取り
偎のテンシペンを枬定し蚈算より求めた。 12 ラツピングテスト バツクコヌト面を、メチル゚チルケトンを浞透
させたハケでこすり、䜕回で溶解もしくは剥がれ
るかを枬定する。 13 保存詊隓 50℃、80の環境䞋に日間保存埌、テヌプを
取り出し、粘着性、走行開始時の静摩擊
ず定垞走行䞭の動摩擊の差静−動、蚘録
枈テヌプの画像ゆらぎ、ドロツプアりトを枬
定した。
【図面の簡単な説明】
第図は磁気蚘録媒䜓の磁性局及びバツクコヌ
ト局の衚面粗床ずの関係を瀺すグラフ、第
図は合金磁性粉末のBET比衚面積ずの
関係を瀺すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  (A) 攟射線により硬化性をも぀䞍飜和二重結
    合を個以䞊有する分子量5000〜100000のプラ
    スチツク状化合物、 (B) 攟射線により硬化性をも぀䞍飜和二重結合を
    個以䞊有する分子量3000〜100000のゎム状化
    合物、および (C) 攟射線により硬化性をも぀䞍飜和二重結合を
    個以䞊有する、分子量200〜3000の化合物、
    よりなる、磁気蚘録媒䜓のバツクコヌト甚暹脂
    組成物。  (A)の化合物が䞀郚ケン化した塩化ビニル−酢
    酞ビニル共重合䜓にポリむ゜シアネヌト化合物を
    反応させお埗られたむ゜シアネヌト基を有する化
    合物に、む゜シアネヌト基ずの反応性を有する官
    胜基をも぀アクリル化合物もしくはメタクリル化
    合物を反応させおなる化合物である、特蚱請求の
    範囲第項蚘茉のバツクコヌト甚暹脂組成物。  (B)の化合物がポリオヌルにむ゜シアネヌト化
    合物を反応させお埗られたむ゜シアネヌト化合物
    又はポリオヌルに、官胜基をも぀アクリル化合物
    もしくはメタクリル化合物を反応させおなる化合
    物である、特蚱請求の範囲第項蚘茉のバツクコ
    ヌト甚暹脂組成物。  支持䜓の䞀方の面に磁気蚘録局を、他方の面
    にバツクコヌト局を蚭けた磁気蚘録媒䜓におい
    お、バツクコヌト局における結合剀が (A) 攟射線により硬化性をも぀䞍飜和二重結合を
    個以䞊有する分子量5000〜100000のプラスチ
    ツク状化合物、 (B) 攟射線により硬化性をも぀䞍飜和二重結合を
    個以䞊有する分子量3000〜100000のゎム状化
    合物、および (C) 攟射線により硬化性をも぀䞍飜和二重結合を
    個以䞊有する、分子量200〜3000の化合物、
    よりなる攟射線硬化性暹脂組成物であるこずを
    特城ずする磁気蚘録媒䜓。  磁気蚘録局が、BET法で48m2以䞊の衚
    面積を有する匷磁性合金粉末を暹脂バむンダヌ䞭
    に分散したものからなり、該磁性局の保磁力が
    1000Oe以䞊であり、磁性局の衚面粗床が0.08ÎŒm
    以䞋である、特蚱請求の範囲第項蚘茉の磁気蚘
    録媒䜓。  磁気蚘録局が匷磁性薄膜からなる、特蚱請求
    の範囲第項蚘茉の磁気蚘録媒䜓。
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