JPH0570287B2 - - Google Patents
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- JPH0570287B2 JPH0570287B2 JP62075204A JP7520487A JPH0570287B2 JP H0570287 B2 JPH0570287 B2 JP H0570287B2 JP 62075204 A JP62075204 A JP 62075204A JP 7520487 A JP7520487 A JP 7520487A JP H0570287 B2 JPH0570287 B2 JP H0570287B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting material
- current
- temperature
- firing
- coil
- Prior art date
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-
- Y02E40/641—
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は酸化物セラミツク系超電導材料をコイ
ル状に形成する方法に関する。
ル状に形成する方法に関する。
「従来の技術」
従来、超電子材料は、水銀、鉛等の元素、
NbN，Nb3Ge，Nb3Ga等の合金またはNb3
（Al0.8．Ge0.2）等の三元素化合物よりなる金属材
料が用いられている。しかしこれらのTc（超電導
臨界温度）オンセツトは25Kまでであつた。
NbN，Nb3Ge，Nb3Ga等の合金またはNb3
（Al0.8．Ge0.2）等の三元素化合物よりなる金属材
料が用いられている。しかしこれらのTc（超電導
臨界温度）オンセツトは25Kまでであつた。
他方、近年、セラミツク系の超電導材料が注目
されている。この材料は最初IBMのチユーリツ
ヒ研究所よりBa−La−Cu−Ｏ（バラクオ）系酸
化物高温超電導体として報告され、さらにLSCO
（第二銅酸−ランタン−ストロンチユーム）とし
て知られてきた。これらは（A1-x Bx）yCuOz
におけるそれぞれの酸化物を混合し焼成するのみ
であるため、Tcオンセツトが30Kしか得られな
つた。
されている。この材料は最初IBMのチユーリツ
ヒ研究所よりBa−La−Cu−Ｏ（バラクオ）系酸
化物高温超電導体として報告され、さらにLSCO
（第二銅酸−ランタン−ストロンチユーム）とし
て知られてきた。これらは（A1-x Bx）yCuOz
におけるそれぞれの酸化物を混合し焼成するのみ
であるため、Tcオンセツトが30Kしか得られな
つた。
「従来の問題点」
しかし、これら酸化物セラミツクスの超電導の
構成物はその中に多数のボイドおよび結晶粒界を
含有するため、線状等の長物とすることがむずか
しく、またこれを曲げてコイルを構成させること
はまつたく不可能であつた。また、そのTcも
30Kが限界であつた。
構成物はその中に多数のボイドおよび結晶粒界を
含有するため、線状等の長物とすることがむずか
しく、またこれを曲げてコイルを構成させること
はまつたく不可能であつた。また、そのTcも
30Kが限界であつた。
このため、このTco（抵抗が零となる温度）を
さらに高くし、望むべくは液体窒素温度（77K）
またはそれ以上の温度で動作せしめるとともに、
電力貯蔵用のエンドレスコイルまたは超電導マグ
ネツト用コイルを線状、帯状、管状の超電導材料
より作ることが強く求められていた。
さらに高くし、望むべくは液体窒素温度（77K）
またはそれ以上の温度で動作せしめるとともに、
電力貯蔵用のエンドレスコイルまたは超電導マグ
ネツト用コイルを線状、帯状、管状の超電導材料
より作ることが強く求められていた。
「問題を解決すべき手段」
本発明は、かかるより室温に近い温度で超電導
を呈するべく、その製造方法を探し求めた。その
結果、線状、帯状または管状等の長物（巾または
太さが小さくかつ長さを有するもの）の形状を有
し、かつそのTcoが液体窒素温度以上を有するも
のを作らんとするものである。かかる長物は加熱
焼成を行う前はセラミツクに完全にはなつていな
いため比較的曲げが可能であるが、焼成後は曲げ
加工がきわめてむずかしい。このため、加熱する
前に支持体にコイル状に巻きつけ、その後に加熱
して酸化、還元を繰り返し、超電導材料に変成す
ることを特徴とする。その時、一方より他方に電
圧を加え、一定の電流を流すことによるTcoの改
良を目的としている。
を呈するべく、その製造方法を探し求めた。その
結果、線状、帯状または管状等の長物（巾または
太さが小さくかつ長さを有するもの）の形状を有
し、かつそのTcoが液体窒素温度以上を有するも
のを作らんとするものである。かかる長物は加熱
焼成を行う前はセラミツクに完全にはなつていな
いため比較的曲げが可能であるが、焼成後は曲げ
加工がきわめてむずかしい。このため、加熱する
前に支持体にコイル状に巻きつけ、その後に加熱
して酸化、還元を繰り返し、超電導材料に変成す
ることを特徴とする。その時、一方より他方に電
圧を加え、一定の電流を流すことによるTcoの改
良を目的としている。
即ち、高温で保持されている時に電流の流れや
すい方向は、即ち極低温でも流れやすくなり、ひ
いてはTco、Tcをより高い温度に向上させ得る。
そしてこの多結晶粒をして実質的に単結晶に近く
でき、しかもその電流の流れやすい方向も実用上
に電流を流す方向とせしめたものである。その結
果、Tco（超電導により抵抗が零となる温度）も
70〜117Kまで向上させ得ることが明らかになつ
た。
すい方向は、即ち極低温でも流れやすくなり、ひ
いてはTco、Tcをより高い温度に向上させ得る。
そしてこの多結晶粒をして実質的に単結晶に近く
でき、しかもその電流の流れやすい方向も実用上
に電流を流す方向とせしめたものである。その結
果、Tco（超電導により抵抗が零となる温度）も
70〜117Kまで向上させ得ることが明らかになつ
た。
本発明で用いた超電導性セラミツクスの代表例
は（A1-x Bx）yCuzOw ｘ＝０〜１，ｙ＝2.0
〜4.0好ましくは2.5〜3.5，ｚ＝１，０〜4.0好ま
しくは1.5〜3.5，ｗ＝4.0〜10.0で一般的に示し得
るものである。Ａはイツトリユーム族より選ばれ
た元素およびその他のランタノイドより選ばれた
元素のうちの１種類または複数種類を用いてい
る。イツトリユーム族とは、理化学辞典（岩波書
店 1963年４月１日発行）によればＹ（イツトリ
ユーム），Gd（ガドリユーム），Yb（イツテルビユ
ーム），Eu（ユーロピウム）、Tb（テルビウム），
Dy（ジスプロシウム），Ho（ホルミウム），Er（エ
ルビウム），Tm（ツリウム），Lu（ルテチウム），
Sc（スカンジウム）およびその他のランタノイド
を用いる。
は（A1-x Bx）yCuzOw ｘ＝０〜１，ｙ＝2.0
〜4.0好ましくは2.5〜3.5，ｚ＝１，０〜4.0好ま
しくは1.5〜3.5，ｗ＝4.0〜10.0で一般的に示し得
るものである。Ａはイツトリユーム族より選ばれ
た元素およびその他のランタノイドより選ばれた
元素のうちの１種類または複数種類を用いてい
る。イツトリユーム族とは、理化学辞典（岩波書
店 1963年４月１日発行）によればＹ（イツトリ
ユーム），Gd（ガドリユーム），Yb（イツテルビユ
ーム），Eu（ユーロピウム）、Tb（テルビウム），
Dy（ジスプロシウム），Ho（ホルミウム），Er（エ
ルビウム），Tm（ツリウム），Lu（ルテチウム），
Sc（スカンジウム）およびその他のランタノイド
を用いる。
またＢはRa（ラジユーム），Ba（バリユーム），
Sr（ストロンチユーム），Ca（カルシユーム），Mg
（マグネシユーム），Be（ヘリリユーム）より選ば
れた元素のうち１種類また複数種類を用いてい
る。
Sr（ストロンチユーム），Ca（カルシユーム），Mg
（マグネシユーム），Be（ヘリリユーム）より選ば
れた元素のうち１種類また複数種類を用いてい
る。
本発明は１分子内の銅を層構造とせしめ、その
銅の６ケの原子をより層構造とせしめ、この層を
キヤリアが移動しやすくするため、本発明構造に
おける（A1-x Bx）yCuzOwにおけるＡ，Ｂの
選ばれる元素が重要である。特にＡの元素はイツ
トリユーム族の元素またはランタノイドの元素、
一般には元素周期表ａの族である。本発明はＢ
として元素周期表ａ族である元素を用いてい
る。
銅の６ケの原子をより層構造とせしめ、この層を
キヤリアが移動しやすくするため、本発明構造に
おける（A1-x Bx）yCuzOwにおけるＡ，Ｂの
選ばれる元素が重要である。特にＡの元素はイツ
トリユーム族の元素またはランタノイドの元素、
一般には元素周期表ａの族である。本発明はＢ
として元素周期表ａ族である元素を用いてい
る。
本発明はかかる元素を用いた超電導材料の焼成
に際し、電流（直流電流、パルス電流または交
流）を流し、分子構造レベルでの不整部のみ選択
的に昇温させ、電流が流れやすくする。
に際し、電流（直流電流、パルス電流または交
流）を流し、分子構造レベルでの不整部のみ選択
的に昇温させ、電流が流れやすくする。
かくすることにより、一般式におけるＡ，Ｂに
対し、選択の余地を与えるとともに、多結晶を呈
する１つの結晶粒を大きくでき、ひいてはその結
晶粒界を隣同士面で密接せしめ、ひいてはバリア
（障壁）より消失させ得る構成とせしめた。その
結果、Tcオンセツトの温度をさらに高くさせ得
る。そしてその理想は単結晶構造である。
対し、選択の余地を与えるとともに、多結晶を呈
する１つの結晶粒を大きくでき、ひいてはその結
晶粒界を隣同士面で密接せしめ、ひいてはバリア
（障壁）より消失させ得る構成とせしめた。その
結果、Tcオンセツトの温度をさらに高くさせ得
る。そしてその理想は単結晶構造である。
本発明は出発材料の酸化物または炭酸化物の微
粉末を混合し、一度加圧、酸化焼成（これを仮焼
成という）をする。かくして出発材料の酸化物ま
たは炭酸化物より（A1-x Bx）yCuzOw型の分
子構造を有する超電導セラミツク材料を作り得
る。
粉末を混合し、一度加圧、酸化焼成（これを仮焼
成という）をする。かくして出発材料の酸化物ま
たは炭酸化物より（A1-x Bx）yCuzOw型の分
子構造を有する超電導セラミツク材料を作り得
る。
さらにこれを再び微粉末化し、再び加熱するに
際し、線状、帯状または管状に成型し、支持体に
コイル状に巻きつける。または液体と混合し、こ
の混合溶液を円筒の支持体に印刷する。この後こ
の成型物またはこの印刷物を加熱、焼成する工程
を有せしめている。
際し、線状、帯状または管状に成型し、支持体に
コイル状に巻きつける。または液体と混合し、こ
の混合溶液を円筒の支持体に印刷する。この後こ
の成型物またはこの印刷物を加熱、焼成する工程
を有せしめている。
「作用」
本発明の新型のセラミツク超電導材料はきわめ
て簡単に作ることができる。そしてかかる割れや
すいセラミツクスをして支持体に成形をし、その
後にこれを焼成してコイルとすることができた。
て簡単に作ることができる。そしてかかる割れや
すいセラミツクスをして支持体に成形をし、その
後にこれを焼成してコイルとすることができた。
以下に実施例に従い、本発明を記す。
「実施例 １」
本発明の実施例は印刷法により円筒形支持体に
印刷をして、それを加熱、焼成する方法である。
ここではＡとしてＹ，ＢとしてBaを用いた。
印刷をして、それを加熱、焼成する方法である。
ここではＡとしてＹ，ＢとしてBaを用いた。
出発材料はＹ化合物として酸化イツトリユーム
（Y2O3），Ba化合物としてBaCO3、銅化合物とし
てCuOを用いた。これらは高純度化学工業株式会
社より入手し、純度は99.95％またはそれ以上の
微粉末を用い、ｘ＝0.67，ｙ＝３，ｚ＝３，ｗ＝
６〜８（YBa2）Cu3O6〜8となるべく選んだ。この
ｗの値は後工程の焼成工程で調整した。
（Y2O3），Ba化合物としてBaCO3、銅化合物とし
てCuOを用いた。これらは高純度化学工業株式会
社より入手し、純度は99.95％またはそれ以上の
微粉末を用い、ｘ＝0.67，ｙ＝３，ｚ＝３，ｗ＝
６〜８（YBa2）Cu3O6〜8となるべく選んだ。この
ｗの値は後工程の焼成工程で調整した。
これらを十分乳鉢で混合しカプセルに封入し、
30Kg／cm2の荷重を加えて固形化（タブレツト化）
（大きさ５mmφ×15mm）の円柱形状にした。さら
に酸化性雰囲気、例えば大気中で500〜1200℃、
例えば700℃で８時間加熱酸化をした。この工程
を仮焼成とした。
30Kg／cm2の荷重を加えて固形化（タブレツト化）
（大きさ５mmφ×15mm）の円柱形状にした。さら
に酸化性雰囲気、例えば大気中で500〜1200℃、
例えば700℃で８時間加熱酸化をした。この工程
を仮焼成とした。
次にこれを粉砕し、乳鉢で混合した。そしてそ
の粉末の平均粉粒径が20μm〜0.03μm、例えば
10μm以下の大きさとなるようにした。
の粉末の平均粉粒径が20μm〜0.03μm、例えば
10μm以下の大きさとなるようにした。
さらにこれを印刷用の溶液に混合させた。その
後スクリーン印刷法、オフセツト印刷法、凹版印
刷法等を用いて、第２図に示す如く円筒状の支持
体１０の上面に印刷した。
後スクリーン印刷法、オフセツト印刷法、凹版印
刷法等を用いて、第２図に示す如く円筒状の支持
体１０の上面に印刷した。
次に500〜1200℃、例えば900℃の酸化物雰囲
気、例えば大気中に酸化して、本焼成を10〜50時
間、例えば15時間行つた。
気、例えば大気中に酸化して、本焼成を10〜50時
間、例えば15時間行つた。
この時、このコイル状のセラミツクス１の一方
１２より他方１３に0.5A／cm2〜150A／cm2、例え
ば8A／cm2の電流密度で電流をパルス状に加えた。
即ち、30秒加え、５分休み、さらに30秒加え、５
分休みを繰り返し、約５時間行つた。
１２より他方１３に0.5A／cm2〜150A／cm2、例え
ば8A／cm2の電流密度で電流をパルス状に加えた。
即ち、30秒加え、５分休み、さらに30秒加え、５
分休みを繰り返し、約５時間行つた。
次にこの試料を酸素を少なくさせたO2−Ar中
で加熱（600〜1200℃、３〜30時間、例えば800
℃、20時間）して、還元させた。
で加熱（600〜1200℃、３〜30時間、例えば800
℃、20時間）して、還元させた。
この試料を用いて固有抵抗と温度との関係を調
べた。すると最高温度が得られたものとしての
Tcオンセツトとして95K、Tcoとして79Kを観察
することができた。
べた。すると最高温度が得られたものとしての
Tcオンセツトとして95K、Tcoとして79Kを観察
することができた。
「実施例 ２」
本発明の実施例としてＡとしてYb，Ｂとして
Baを用いた。出発材料としてはBaCO3，CuO，
Yb2O3を用いた。これらをｘ＝0.67，ｙ＝３，ｚ
＝３，ｗ＝６〜８となるべく選んだ。ｗの値は後
の焼成に際しての酸化または還元工程で調整し
た。
Baを用いた。出発材料としてはBaCO3，CuO，
Yb2O3を用いた。これらをｘ＝0.67，ｙ＝３，ｚ
＝３，ｗ＝６〜８となるべく選んだ。ｗの値は後
の焼成に際しての酸化または還元工程で調整し
た。
これらを混合した。さらに高速急冷装置を用い
て帯状の線を構成せしめた。この高速急冷装置に
関しては、例えば「セラミツクス」15（1980）No.
11「超急冷法におけるガラス化と結晶化」907〜
913頁に従つて試みた。この実施例は片ローラ法
を用いた。第１図はその図面を示している。
て帯状の線を構成せしめた。この高速急冷装置に
関しては、例えば「セラミツクス」15（1980）No.
11「超急冷法におけるガラス化と結晶化」907〜
913頁に従つて試みた。この実施例は片ローラ法
を用いた。第１図はその図面を示している。
図面において、急冷された帯状超電導用材料１
を作製するため、まず原材料を２に入れ、外部よ
りヒータ４で2000K近い温度で加熱する。十分融
解させた後、空気ピストンにより空気圧５を加え
る。するとこの溶融材料２はノズル３より下方向
に噴射し、高速で回転している冷却用ロール７に
より高速冷却され、帯状に１として形成される。
を作製するため、まず原材料を２に入れ、外部よ
りヒータ４で2000K近い温度で加熱する。十分融
解させた後、空気ピストンにより空気圧５を加え
る。するとこの溶融材料２はノズル３より下方向
に噴射し、高速で回転している冷却用ロール７に
より高速冷却され、帯状に１として形成される。
さらにこれを第２図に示す如く、支持体１０の
表面に１層または複数層を重ねてコイル状に巻
く。
表面に１層または複数層を重ねてコイル状に巻
く。
これら全体を500〜1200℃例えば900℃の酸化雰
囲気、例えば大気中で加熱、酸化する。さらに化
合物中の酸素等を制御するため、還元をする。こ
の焼成を３〜50時間、例えば10時間行つた。この
時このコイルの一方の端１２より他方の端１３に
電流を加えた。この電流は0.5A／cm2〜150A／cm2
とした。この抵抗値は10-3〜10-5S-1cmであるた
め、そのコイルの長さが10mあつても1Ω抵抗に
すぎないため、この大電流を流すことが可能であ
る。
囲気、例えば大気中で加熱、酸化する。さらに化
合物中の酸素等を制御するため、還元をする。こ
の焼成を３〜50時間、例えば10時間行つた。この
時このコイルの一方の端１２より他方の端１３に
電流を加えた。この電流は0.5A／cm2〜150A／cm2
とした。この抵抗値は10-3〜10-5S-1cmであるた
め、そのコイルの長さが10mあつても1Ω抵抗に
すぎないため、この大電流を流すことが可能であ
る。
この結果、このコイルに構成された後にTco＝
98K，Tc＝115Kを得た。
98K，Tc＝115Kを得た。
「実施例 ３」
この実施例は第１図における冷却用ロール７と
して第２図に示した支持体１０を同一化した。そ
して実施例２に示す如く、ノズル３より噴射され
けた溶剤材料をこのロール７に巻き取った。する
とこのロール７は第２図に示すコイル１のボビン
（支持体）１０を併用することが可能であり、ま
た電圧を溶液２とロール７との管を印加すること
により材料に流れる電流も原子が最も動きやすい
溶融状態の時に加えることが可能となつた。
して第２図に示した支持体１０を同一化した。そ
して実施例２に示す如く、ノズル３より噴射され
けた溶剤材料をこのロール７に巻き取った。する
とこのロール７は第２図に示すコイル１のボビン
（支持体）１０を併用することが可能であり、ま
た電圧を溶液２とロール７との管を印加すること
により材料に流れる電流も原子が最も動きやすい
溶融状態の時に加えることが可能となつた。
さらにこのコイルを焼成した後、これを実施例
２に示す如く、全体が加熱して所定の分子式
（A1-x Bx）yCuzOwの値を得た。かくすると、
Tcオンセツトをさらに３〜5Kも向上させること
ができた。
２に示す如く、全体が加熱して所定の分子式
（A1-x Bx）yCuzOwの値を得た。かくすると、
Tcオンセツトをさらに３〜5Kも向上させること
ができた。
本発明において、円管状の支持物の内壁にセラ
ミツクスをコート（塗布）し、それらを焼成する
際に電流を加えることにより、このセラミツクス
を超電導体とすることも可能である。またこの支
持物を予め所望の形状例えばコイル状に成形し、
これの両端に電圧を印加することはその後工程で
の曲げによりセラミツクスにクラツチが発生する
ことを防ぐ上で有効である。
ミツクスをコート（塗布）し、それらを焼成する
際に電流を加えることにより、このセラミツクス
を超電導体とすることも可能である。またこの支
持物を予め所望の形状例えばコイル状に成形し、
これの両端に電圧を印加することはその後工程で
の曲げによりセラミツクスにクラツチが発生する
ことを防ぐ上で有効である。
「効果」
本発明により、これまでまつたく不可能とされ
ていたコイル状にきわめて曲げにより割れやすい
セラミツクスを巻、コイル状に形成させることが
可能となつた。さらに液体窒素温度以上の温度で
もTcoが得られる超電導セラミツクスを作ること
ができるようになつた。
ていたコイル状にきわめて曲げにより割れやすい
セラミツクスを巻、コイル状に形成させることが
可能となつた。さらに液体窒素温度以上の温度で
もTcoが得られる超電導セラミツクスを作ること
ができるようになつた。
さらにこの到達材料の化合物における分子構造
内で銅の層構造をよりさせやすくするため、原子
周期表におけるａ，ａの元素を複数個混合さ
せ得る。かくして最終完成化合物中に、ボイド等
の空穴の存在をより完全に近く除去することがで
き、ひいてはTcオンセツト，Tcoをより心音に
近づけることができるものと推定される。
内で銅の層構造をよりさせやすくするため、原子
周期表におけるａ，ａの元素を複数個混合さ
せ得る。かくして最終完成化合物中に、ボイド等
の空穴の存在をより完全に近く除去することがで
き、ひいてはTcオンセツト，Tcoをより心音に
近づけることができるものと推定される。
第１図は本発明を作製するために用いた製造装
置である。第２図は本発明によつて作られたコイ
ルの１例を示す。
置である。第２図は本発明によつて作られたコイ
ルの１例を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化物超電導材料を溶融状態にする工程と、 前記溶融状態にある酸化物超電導材料を冷却さ
れた基体上に噴射し、帯状の酸化物超電導材料を
形成する工程と、 前記帯状に形成された酸化物超電導材料を酸化
性雰囲気中で焼成し、超電導特性を有せしめる工
程と、 を有することを特徴とする超電導材料の作製方
法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、酸化性雰囲
気中で焼成する際に、超電導材料に電流を流すこ
とを特徴とする超電導材料の作製方法。 ３ 特許請求の範囲第１項において、帯状に形成
された酸化物超電導材料をコイル状に形成し、し
かる後に酸化性雰囲気中で焼成することを特徴と
する超電導材料の作製方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075204A JPS63240005A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導材料の作製方法 |
| DE3889371T DE3889371T2 (de) | 1987-03-23 | 1988-02-18 | Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Keramiken. |
| EP88301363A EP0284189B1 (en) | 1987-03-23 | 1988-02-18 | Method of manufacturing superconducting ceramics |
| AU13295/88A AU600344B2 (en) | 1987-03-23 | 1988-03-18 | Method of manufacturing superconducting ceramics |
| KR1019880003086A KR920002353B1 (ko) | 1987-03-23 | 1988-03-23 | 초전도 세라믹스 재료 및 그의 제조방법 |
| CN88101381A CN1025089C (zh) | 1987-03-23 | 1988-03-23 | 制造超导陶瓷的方法 |
| US07/590,493 US5932524A (en) | 1987-03-23 | 1990-09-27 | Method of manufacturing superconducting ceramics |
| US08/471,092 US6506709B1 (en) | 1987-03-23 | 1995-06-06 | Devices utilizing oriented superconducting ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075204A JPS63240005A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導材料の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63240005A JPS63240005A (ja) | 1988-10-05 |
| JPH0570287B2 true JPH0570287B2 (ja) | 1993-10-04 |
Family
ID=13569429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075204A Granted JPS63240005A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-27 | 超電導材料の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63240005A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249306A (ja) * | 1987-04-04 | 1988-10-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導マグネツト |
| JP2630404B2 (ja) * | 1987-05-13 | 1997-07-16 | 日本セメント株式会社 | 超電導体の製造方法 |
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| JPS61276305A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導コイル |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62075204A patent/JPS63240005A/ja active Granted
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63240005A (ja) | 1988-10-05 |
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