JPH0571602B2 - - Google Patents

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JPH0571602B2
JPH0571602B2 JP58080935A JP8093583A JPH0571602B2 JP H0571602 B2 JPH0571602 B2 JP H0571602B2 JP 58080935 A JP58080935 A JP 58080935A JP 8093583 A JP8093583 A JP 8093583A JP H0571602 B2 JPH0571602 B2 JP H0571602B2
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JP
Japan
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butene
polymerization
titanium
compound
magnesium
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Application number
JP58080935A
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English (en)
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JPS59206416A (ja
Inventor
Norio Kashiwa
Kunisuke Fukui
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsui Petrochemical Industries Ltd filed Critical Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication of JPS59206416A publication Critical patent/JPS59206416A/ja
Publication of JPH0571602B2 publication Critical patent/JPH0571602B2/ja
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  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、溶液重合によつて高立体規則性ポリ
−1−ブテンを工業的に有利に製造する方法に関
する。 1−ブテンそれ自身を溶媒として、生成するポ
リ−1−ブテンが溶解して均一層を形成する条件
下で1−ブテンを重合した後、上部曇点に加温し
て2層を形成させ、下層の重合体濃厚層を分離し
て立体規則性の高いポリ−1−ブテンを回収する
方法は、すでに特公昭50−15830号や特公昭54−
1757号などにおいて教示されている。これら先行
文献に記載された技術によれば、1−ブテンの重
合後に水洗のような脱触媒工程を経た後、上記2
層分離を行つている。そして上層を形成する重合
体の希薄層は、アタクチツクな重合体や低分子量
のタクチツク重合体を少なからず含み、更には、
洗浄に用いられた水などを少量含んでいるため
に、別途に精製処理を施すことによつて、重合帯
域への循環使用のための1−ブテンを回収してい
る。その上、単位触媒当りのポリ−1−ブテン収
率は充分満足すべき水準になく、また濃厚層から
単離されるポリ−1−ブテンの立体規則性指数は
充分に高いとは言えない。かくの如く、従来法に
おいては、重合後の後処理が煩雑でコストがかか
ること、ポリ−1−ブテンの生産性が悪いこと、
またその品質も高品質のものと言えないこと、な
ど多くの欠点乃至難点があつた。 本発明者らは、このような従来法の欠点乃至難
点を克服すべく研究を行つてきた。 その結果、単位触媒当りの収率が高く、しかも
高品質のポリ−1−ブテンを、一層簡単かつ工業
的に有利な操作で製造できる改善方法を見出すに
至つた。 本発明者等の研究によれば、 (A) チタン、マグネシウム、ハロゲン及び電子供
与体を必須成分とする固体状チタン触媒成分、 (B) 有機アルミニウム化合物触媒成分、 及び (C) Si−O−C結合もしくはSi−N−C結合を有
する有機ケイ素化合物触媒成分 から形成される触媒の存在下で、生成するポリ−
1−ブテンが液相中に溶解して実質的に均一層を
形成する溶液重合条件下に、1−ブテンを重合す
ることによつて、前記従来法の欠点乃至難点が克
服でき、上記改善が達成できることが発見され
た。 更に、上記改善方法の実施に際して、生成した
重合体溶液を、上部曇点以上の温度に維持された
分離帯域に導いて2層分離し、該分離帯域の下層
部からポリ−1−ブテンを回収し、一方、該帯域
の上層部の少なくとも一部を重合帯域に循環する
ことによつて、前記従来法の欠点乃至難点が一層
有利に克服でき、更に多くの改善が達成できるこ
とがわかつた。 斯して、本発明者等の研究によれば、触媒当り
の重合体収率が著しく高く、しかも立体規則性重
合体の生成比率も大きいので、脱触媒操作が不要
でありかつ非晶性重合体の除去操作も省略乃至は
軽減することが可能となることがわかつた。更に
また、未反応1−ブテンの多くは、何ら精製操作
を施さずに循環使用できるので、後処理操作が簡
略化でき、且つ精製コストも大幅に低減させるこ
とができることがわかつた。 従つて、本発明の目的はポリ−1−ブテンを製
造する改善方法を提供するにある。 本発明の上記目的及び更に多くの他の目的なら
びに利点は、以下の記載から一層明らかとなるで
あろう。 本発明方法によれば、 (A) チタン、マグネシウム、ハロゲン及び電子供
与体を必須成分とする固体状チタン触媒成分 (B) 有機アルミニウム化合物触媒成分、及び (C) Si−O−C結合もしくはSi−N−C結合を有
する有機ケイ素化合物触媒成分 から形成される触媒の存在下に、生成するポリ−
1−ブテンが液相中に溶解して実質的に均一層を
形成する条件下に1−ブテンを重合する。その好
適態様によれば、上記重合を行うに際して、生成
した重合体溶液を上部曇点以上の温度に維持され
た分離帯域に導いて2層分離すること、及び該分
離帯域の下層部からポリ−1−ブテンを回収する
と共に該帯域の上層部の少なくとも一部を重合帯
域に循環する方法が提供される。 尚、本発明において1−ブテンの重合なる語
は、1−ブテンの単独重合のみならず共重合を含
めた意味で、またポリ−1−ブテンなる語は1−
ブテンの単独重合体のみならず共重合体を含めた
意味で用いることがある。 本発明で用いられる高活性固体状チタン触媒成
分(A)は、マグネシウム、チタン、ハロゲン及び電
子供与体を必須成分として含有する。ここで、マ
グネシウム/チタン(原子比)が、好ましくは約
2ないし約100、一層好ましくは約4ないし約70、
ハロゲン/チタン(原子比)が好ましくは約4な
いし約100、一層好ましくは約6ないし約40、電
子供与体/チタン(モル比)が好ましくは約0.2
ないし約10、一層好ましくは約0.4ないし約6の
範囲にあるのが好ましい。又、その比表面積は、
好ましくは3m2/g以上、一層好ましくは約40
m2/g以上、さらに好ましくは100m2/gないし
800m2/gである。このような固体状チタン触媒
成分(A)は、室温におけるヘキサン洗浄のような簡
単な手段ではチタン化合物を脱離しないのが普通
である。 そして、そのX線スペクトルが、触媒調製に用
いた原料マグネシウム化合物の如何にかかわら
ず、マグネシウム化合物に関して非晶性を示す
か、又はマグネシウムジハライドの通常の市販品
のそれに比べ、望ましくは非常に非晶化された状
態にある。 チタン触媒成分(A)は、前記必須成分以外に触媒
性能を大きく悪化させない限度において他の元
素、金属、官能基などを含有してもよい。さらに
有機や無機の希釈剤で希釈されていてもよい。他
の元素、金属、希釈剤などを含有する場合には、
比表面積や非晶性に影響を及ぼすことがあり、そ
の場合にはそのような他成分を除去したときに前
述したような比表面積の値を示しかつ非晶性を示
すものであることが望ましい。 チタン触媒成分(A)を製造するには、マグネシウ
ム化合物(又はマグネシウム金属)、チタン化合
物及びジエステル又はジエステル形成性化合物
(ジエステルを形成する化合物)を、他の反応試
剤を用い又は用いずして相互に接触させる方法を
採用するのがよい。その調製は、マグネシウム、
チタン、ハロゲン及び電子供与体を必須成分とす
る従来公知の高活性チタン触媒成分の調製法と同
様に行うことができる。例えば、特開昭50−
108385号、同50−126590号、同51−20297号、同
51−28189号、同51−64586号、同51−92885号、
同51−136625号、同52−87489号、同52−100596
号、同52−147688号、同52−104593号、同53−
2580号、同53−40093号、同53−43094号、同55−
135102号、同55−135103号、同56−811号、同56
−11908号、同56−18606号などに開示された方法
に準じて製造することができる。 これらチタン触媒成分(A)の製造方法の数例につ
いて、以下に簡単に述べる。 (1) マグネシウム化合物あるいはマグネシウム化
合物と電子供与体の鎖化合物を、電子供与体、
粉砕助剤等の存在下又は不存在下に、粉砕し又
は粉砕することなく、電子供与体及び/又は有
機アルミニウム化合物やハロゲン含有ケイ素化
合物のような反応助剤で予備処理し、又は予備
処理せずに得た固体と、反応条件下に液相をな
すチタン化合物とを反応させる。但し、上記電
子供与体を少なくとも一回は使用する。 (2) 還元能を有しないマグネシウム化合物の液状
物と、液状チタン化合物を電子供与体の存在下
で反応させて固体状のチタン複合体を析出させ
る。 (3) (2)で得られるものに、チタン化合物を更に反
応させる。 (4) (1)や(2)で得られるものに電子供与体及びチタ
ン化合物を更に反応させる。 (5) マグネシウム化合物あるいはマグネシウム化
合物と電子供与体の錯化合物を、電子供与体、
粉砕助剤等の存在下又は不存在下に、及びチタ
ン合物の存在下に粉砕し、電子供与体及び/又
は有機アルミニウム化合物やハロゲン含有ケイ
素化合物のような反応助剤で予備処理し、又は
予備処理せずに得た固体を、ハロゲン又はハロ
ゲン化合物又は芳香族炭化水素で処理する。但
し、上記電子供与体を少なくとも一回は使用す
る。 これらの調製法の中では、触媒調製において、
液状のハロゲン化チタンを使用したものあるいは
チタン化合物使用後、あるいは使用の際にハロゲ
ン化炭化水素を使用したものが好ましい。 また、以上のような方法で製造されるチタン触
媒成分のうち、触媒成分調製の過程でマグネシウ
ム化合物を一旦液状物にしてから均一な粒子とし
て析出させる工程を経たものを使用するのが好ま
しい。 上記チタン触媒成分(A)の調製に用いることので
きる電子供与体としては、アルコール、フエノー
ル、アルデヒド、ケトン、エーテル、カルボン
酸、カルボン酸無水物、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、カルボン酸ハライド、炭酸エス
テル、アミン、アルコキシ−もしくはアリーロキ
シ−シラン化合物、オルトエステル、などの一種
又は二種以上を例示することができる。 チタン触媒成分(A)に含有されることが好ましい
電子供与体の例は、カルボン酸エステル、炭酸エ
ステル、オルトエステル、アルコシシラン化合
物、アリーロキシシラン化合物などであり、これ
らの中でもジカルボン酸のエステルが最も好まし
い。ジカルボン酸のエステルとしてはまた、1個
の炭素原子に2個のカルボキシル基が結合してい
るジカルボン酸のエステルもしくは相隣る2個の
炭素原子にそれぞれカルボキシル基が結合してい
るジカルボン酸のエステルであることが好まし
い。このようなジカルボン酸のエステルに於ける
ジカルボン酸の例としては、マロン酸、置換マロ
ン酸、コハク酸、置換コハク酸、マレイン酸、置
換マレイン酸、フマル酸、置換フマル酸、脂環を
形成する1個の炭素原子に2個のカルボキシル基
が結合した脂環ジカルボン酸、脂環を形成する相
隣る2個の炭素原子にそれぞれカルボキシル基が
結合した脂環ジカルボン酸、オルソ位にカルボキ
シル基を有する芳香族ジカルボン酸、複素環を形
成する相隣る2個の炭素原子にカルボキシル基を
有する複素環ジカルボン酸などのジカルボン酸の
エステルを挙げることができる。 上記ジカルボン酸のより具体的な例としては、
マロン酸;メチルマロン酸、エチルマロン酸、イ
ソプロピルマロン酸、アリル(allyl)マロン酸、
フエニルマロン酸、などの置換マロン酸;コハク
酸;メチルコハク酸、ジメチルコハク酸、エチル
コハク酸、メチルエチルコハク酸、イタコン酸な
どの置換コハク酸;マレイン酸;シトラコン酸、
ジメチルマレイン酸などの置換マレイン酸;シク
ロペンタン−1,1−ジカルボン酸、シクロペン
タン−1,2−ジカルボン酸、シクロヘキサン−
1,2−ジカルボン酸、シクロヘキセン−1,6
−ジカルボン酸、シクロヘキセン−3,4−ジカ
ルボン酸、シクロヘキセン−4,5−ジカルボン
酸、ナジツク酸、メチルナジツク酸、1−アリル
シクロヘキサン−3,4−ジカルボン酸などの脂
環族ジカルボン酸;フタル酸、ナフタリン−1,
2−ジカルボン酸、ナフタリン−2,3−ジカル
ボン酸などの芳香族ジカルボン酸;フラン−3,
4−ジカルボン酸、4,5−ジヒドロフラン−
2,3−ジカルボン酸、ベンゾピラン−3,4−
ジカルボン酸、ピロール−2,3−ジカルボン
酸、ピリジン−2,3−ジカルボン酸、チオフエ
ン−3,4−ジカルボン酸、インドール−2,3
−ジカルボン酸などの複素環ジカルボン酸;の如
きジカルボン酸を例示することができる。 上記ジカルボン酸のエステルのアルコール成分
のうち少なくとも一方が炭素数2以上、とくには
炭素数3以上のものが好ましく、とりわけ両アル
コール成分ともに炭素数2以上、とくには炭素数
3以上のものが好ましい。例えば上記ジカルボン
酸のジエチルエステル、ジイソプロピルエステ
ル、ジn−プロピルエステル、ジn−ブチルエス
テル、ジイソブチルエステル、ジ−tert−ブチル
エステル、ジイソアミルエステル、ジn−ヘキシ
ルエステル、ジ−2−エチルヘキシルエステル、
ジn−オクチルエステル、ジイソデシルエステ
ル、エチルn−ブチルエステルなどを例示するこ
とができる。 前記固体状チタン触媒成分(A)の調製に用いられ
るマグネシウム化合物は還元能を有する又は有し
ないマグネシウム化合物である。前者の例として
マグネシウム・炭素結合やマグネシウム・水素結
合を有するマグネシウム化合物、例えばジメチル
マグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジプロピ
ルマグネシウム、ジブチルマグネシウム、ジアミ
ルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、ジデ
シルマグネシウム、エチル塩化マグネシウム、プ
ロピル塩化マグネシウム、ブチル塩化マグネシウ
ム、ヘキシル塩化マグネシウム、アミル塩化マグ
ネシウム、ブチルエトキシマグネシウム、エチル
ブチルマグネシウム、ブチルマグネシウムハイド
ライドなどがあげられる。これらマグネシウム化
合物は、例えば有機アルミニウム等との錯化合物
の形で用いる事もでき、又、液状状態であつても
固体状態であつてもよい。一方、還元能を有しな
いマグネシウム化合物としては、塩化マグネシウ
ム、臭化マグネシウム、沃化マグネシウム、弗化
マグネシウムのようなハロゲン化マグネシウム;
メトキシ塩化マグネシウム、エトキシ塩化マグネ
シウム、イソプロポキシ塩化マグネシウム、ブト
キシ塩化マグネシウム、オクトキシ塩化マグネシ
ウムのようなアルコキシマグネシウムハライド;
フエノキシ塩化マグネシウム、メチルフエノキシ
塩化マグネシウムのようなアリロキシマグネシウ
ムハライド;エトキシマグネシウム、イソプロポ
キシマグネシウム、ブトキシマグネシウム、n−
オクトキシマグネシウム、2−エチルヘキソキシ
マグネシウムのようなアルコキシマグネシウム;
フエノキシマグネシウム、ジメチルフエノキシマ
グネシウムのようなアリロキシマグネシウム;ラ
ウリン酸マグネシウム、ステアリン酸マグネシウ
ムのようなマグネシウムのカルボン酸塩などを例
示することができる。また、これら還元能を有し
ないマグネシウム化合物は、上述した還元能を有
するマグネシウム化合物から誘導したものあるい
は、触媒成分の調製時に誘導したものであつても
よい。また、該マグネシウム化合物は他の金属と
の錯化合物、複化合物あるいは他の金属化合物と
の混合物であつてもよい。さらにこれらの化合物
の2種以上の混合物であつてもよい。これらの中
で好ましいマグネシウム化合物は還元能を有しな
い化合物であり、特に好ましくはハロゲン含有マ
グネシウム化合物、とりわけ塩化マグネシウム、
アルコキシ塩化マグネシウム、アリロキシ塩化マ
グネシウムである。 本発明において、チタン触媒成分(A)の調製に用
いられるチタン化合物としては種々あるが、例え
ば、Ti(OR)gX4-g(Rは炭化水素基、Xはハロゲ
ン、0≦g≦4)で示される4価のチタン化合物
が好適である。より具体的には、TiCl4、TiBr4
TiI4などのテトラハロゲン化チタン;Ti(OCH3
Cl3、Ti(OC2H5)Cl3、Ti(On−C4H9)Cl3、Ti
(OC2H5)Br3、Ti(OisoC4H9)Br3などのトリハ
ロゲン化アルコキシチタン;T(OCH32Cl2、Ti
(OC2H52Cl2、Ti(On−C4H92Cl2、Ti(OC2H5
Br2などのジハロゲン化アルコキシチタン;Ti
(OCH33Cl、Ti(OC2H53Cl、Ti(On−
C4H93Cl、Ti(OC2H53Brなどのモノハロゲン化
トリアルコキシチタン;Ti(OCH34、Ti
(OC2H54、Ti(On−C4H94などのテトラアルコ
キシチタンなどを例示することができる。これら
の中で好ましいものはハロゲン含有チタン化合
物、とくにはテトラハロゲン化チタンであり、と
くに好ましいのは四塩化チタンである。これらチ
タン化合物は単味で用いてよいし、混合物の形で
用いてもよい。あるいは炭化水素やハロゲン炭化
水素などに希釈して用いてもよい。 チタン触媒成分(A)の調製において、チタン化合
物、マグネシウム化合物及び担持すべき電子供与
体、さらに必要に応じて使用されることのある他
の電子供与体、例えばアルコール、フエノール、
モノカルボン酸エステルなど、ケイ素化合物、ア
ルミニウム化合物などの使用量は、調製方法によ
つて異なり一概に規定できないが、例えばマグネ
シウム化合物1モル当り、担持すべき電子供与体
約0.1ないし約10モル、チタン化合物約0.05ない
し約1000モル程度の割合とすることができる。 本発明においては、以上のようにして得られる
固体チタン触媒成分(A)と、有機アルミニウム化合
物触媒成分(B)及びSi−O−C結合もしくはSi−N
−C結合を有する有機ケイ素化合物触媒成分(C)の
組合せ触媒を用いる。 上記(B)成分としては、(i)少なくとも分子内に1
個のAl−炭素結合を有する有機アルミニウム化
合物、例えば一般式 R1mAl(OR2)nHpXq (ここでR1およびR2は炭素原子、通常1ないし
15個、好ましくは1ないし4個を含む炭化水素基
で互いに同一でも異なつていてもよい。Xはハロ
ゲン、mは0<m≦3、0≦n<3、pは0≦p
<3、qは0≦q<3の数であつて、しかもm+
n+p+q=3である)で表わされる有機アルミ
ニウム化合物、(ii)一般式 M1AlR1 4 (ここでM1はLi、Na、Kであり、R1は前記と同
じ)で表わされる第族金属とアルミニウムとの
錯アルキル化物などを挙げることができる。 前記の(i)に属する有機アルミニウム化合物とし
ては、次のものを例示できる。一般式 R1mAl(OR23-n (ここでR1およびR2は前記と同じ。mは好まし
くは1.5≦m≦3の数である。)、一般式 R1mAlX3-n (ここでR1は前記と同じ。Xはハロゲン、mは
好ましくは0<m<3である。)、一般式 R1mAlH3-n (ここでR1は前記と同じ。mは好ましくは2≦
m<3である。)、一般式 R1mAl(OR2)nXq (ここでR1およびR2は前記と同じ。Xはハロゲ
ン、0<m≦3、0≦n<3、0≦q<3で、m
+n+q=3である)で表わされるものなどを例
示できる。 (i)に属するアルミニウム化合物の例としては以
下の如き化合物を例示できる。トリエチルアルミ
ニウム、トリブチルアルミニウムなどの如きトリ
アルキルアルミニウム;トリイソプレニルアルミ
ニウムのようなトリアルケニルアルミニウム;ジ
エチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミ
ニウムブトキシドなどの如きジアルキルアルミニ
ウムアルコキシド;エチルアルミニウムセスキエ
トキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシド
などの如きアルキルアルミニウムセスキアルコキ
シドのほかに、R1 2.5Al(OR20.5などで表わされ
る平均組成を有する部分的にアルコキシ化された
アルキルアルミニウム;ジエチルアルミニウムク
ロリド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチ
ルアルミニウムブロミドのようなジアルキルアル
ミニウムハライド;エチルアルミニウムセスキク
ロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エ
チルアルミニウムセスキブロミドのようなアルキ
ルアルミニウムセスキハライド;エチルアルミニ
ウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリ
ド、ブチルアルミニウムジブロミドなどのような
アルキルアルミニウムジハライドなどの部分的に
ハロゲン化されたアルキルアルミニウム;ジエチ
ルアルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウム
ヒドリドなどの如きジアルキルアルミニウムヒド
リド;エチルアルミニウムジヒドリド、プロピル
アルミニウムジヒドリドなどの如きアルキルアル
ミニウムジヒドリドなど、その他の部分的に水素
化されたアルキルアルミニウム;エチルアルミニ
ウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブト
キシクロリド、エチルアルミニウムエトキシブロ
ミドなどの部分的にアルコキシ化およびハロゲン
化されたアルキルアルミニウム。 前記(ii)に属する化合物としては、LiAl
(C2H54、LiAl(C7H154などを例示できる。 また(i)に類似する化合物として酸素原子や窒素
原子を介して2以上のアルミニウムが結合した有
機アルミニウム化合物であつてもよい。このよう
な化合物として、例えば(C2H52AlOAl
(C2H52、(C4H92AlOAl(C4H92、 (C2H52Al N | C2H5Al(C2H52 などを例示できる。 これらの中では、とくにトリアルキルアルミニ
ウムや上記した2以上のアルミニウムが結合した
アルキルアルミニウムの使用が好ましい。 本発明において用いられるSi−O−C又はSi−
N−C結合を有する有機ケイ素化合物触媒成分(C)
は、例えばアルコキシシラン、アリーロキシシラ
ン(aryloxysilane)などである。このような化
合物の例として、式RnSi(OR14-o[式中、0≦
n≦3、Rは炭化水素基、例えばアルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アルケニル基、ハ
ロアルキル基、アミノアルキル基など、又はハロ
ゲン;R1は炭化水素基、例えばアルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アルケニル基、ア
ルコキシアルキル基など;但しn個のR、(4−
n)個のOR1基は同一でも異つていてもよい]で
表わされるケイ素化合物を挙げることができる。
又、他の例としてはOR1基を有するシロキサン
類、カルボン類のシリルエステルなどを挙げるこ
とができる。又、さらに他の例として2個以上の
ケイ素原子が、酸素又は窒素原子を介して互いに
結合されているような化合物を挙げることができ
る。以上の有機ケイ素化合物はSi−O−C結合を
有しない化合物とO−C結合を有する化合物を予
め反応させておき、あるいは重合の場で反応さ
せ、Si−O−C結合を有する化合物に変換させて
用いてもよい。このような例として、例えばSi−
O−C結合を有しないハロゲン含有シラン化合物
又はシリコンハイドライドと、アルコキシ基含有
アルミニウム化合物、アルコキシ基含有マグネシ
ウム化合物、その他金属アルコラート、アルコー
ル、ギ酸エステル、エチレンオキシド等との併用
を例示することができる。有機ケイ素化合物はま
た他の金属(例えばアルミニウム、スズなど)を
含有するものであつてもよい。 より具体的には、トリメチルメトキシシラン、
トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフエニル
ジメトキシシラン、メチルフエニルジメトキシシ
ラン、ジフエニルジエトキシシラン、エチルトリ
メトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、フエニルトリメトキシ
シラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエト
キシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ブチル
トリエトキシシラン、フエニルトリエトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ク
ロルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポ
キシシラン、ビニルトリブトキシシラン、ケイ酸
エチル、ケイ酸ブチル、トリメチルフエノキシシ
ラン、メチルトリアリロキシ(allyloxy)シラ
ン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラ
ン、ビニルトリアセトキシシラン、ジエチルテト
ラエトキシジシロキサン、フエニルジエトキシジ
エチルアミノシランなどを例示することができ
る。これらの中でとくに好ましいのは、メチルト
リメトキシシラン、フエニルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエト
キシシラン、ビニルトリエトキシラン、フエニル
トリエトキシシラン、ビニルトリブトキシシラ
ン、ケイ酸エチル、ジフエニルジメトキシシラ
ン、ジフエニルジエトキシシラン、メチルフエニ
ルメトキシシラン等の前記式RnSi(OR14-oで示
されるものであり、中でもこの式においてnが0
又は1のものである。 本発明においては、前記触媒成分(A)、(B)及び(C)
から形成される触媒を用い、1−ブテンの単独重
合もしくは1−ブテンと少量のエチレン及び/又
は他のα−オレフインとの共重合を行う。重合は
1−ブテンからなる重合媒体中で、かつ生成する
ポリ−1−ブテンが重合媒体に溶解して実質的に
均一層を形成する条件下で行う。 共重合を行う場合には、ポリ−1−ブテン中に
1−ブテンが少なくとも50モル%以上、とくに80
モル%以上含有されるようにするのが好ましい。
エチレンのほかに、共重合に用いることのできる
他のα−オレフインとしては、例えばプロピレ
ン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテ
ン、1−デセン、1−ドデセン、4−メチル−1
−ペンテンなどを例示することができる。 重合において用いられる各触媒成分の使用量
は、適宜に選択できるが、例えば、液相1当
り、チタン触媒成分(A)をチタン原子に換算して
0.001ないし0.1ミリモル、より好ましくは0.005な
いし0.05ミリモル、有機アルミニウム化合物触媒
成分(B)を、Al/Ti(原子比)が1ないし1000、よ
り好ましくは10ないし100、有機ケイ素化合物触
媒成分(C)をSi/Al(原子比)が0.01ないし2、よ
り好ましくは0.02ないし1の範囲となるようにす
るのがよい。分子量を調節するためには水素のよ
うな分子量調節剤を用いることができる。 重合媒体は本質的に1−ブテンよりなるが、不
活性炭化水素、例えばブタンやヘキサンや共重合
を行う場合には共重合すべきエチレン及び/又は
他のα−オレフインが重合媒体の一部を形成して
いてもよいが、例えば、1−ブテン100容量部当
り、他の液媒は100容量部以下、好ましくは10容
量部以下に抑えるのがよい。 ポリ−1−ブテンが重合媒体に溶解して均一層
を形成する温度の下限と上限すなわち、下部曇点
と上部曇点は、重合媒体の組成、ポリ−1−ブテ
ンの組成、水素圧、ポリ−1−ブテン濃度などに
よつても若干異なる。また、重合活性や立体規則
性重合体の生成比率は重合温度によつても影響さ
れるので、重合温度は、上部曇点と下部曇点の範
囲であつてかつ約40ないし約100℃、とくには約
50ないし約80℃の範囲で選択するのが好ましい。
一方、重合圧力は、重合温度や必要な水素使用量
などにより自ら定まつてくるが、例えば、約5な
いし約20Kg/cm2程度の範囲となるのが普通であ
る。 重合を円滑に進めるとともに重合効率を高める
ために、重合溶液中のポリ−1−ブテン濃度を約
30ないし約200g/、とくには約50ないし約150
g/程度の範囲に維持するような運転を行うの
が好ましい。また、重合系内では立体規則性指数
(後記実施例で記載)が90重量%以上、とくに95
重量%以上のポリ−1−ブテンが生成するような
触媒及び重合条件を選択するのが好ましい。 本発明の一好適態様によれば、上記の如くにし
て得られる生成重合体溶液を上部曇点以上の温度
に加温して重合体の濃厚液層と希薄液層の2層を
形成させる。両層は静置することにより容易に分
離するので分離は容易である。この分離帯域の温
度は上部曇点以上の温度であればよいが、あまり
高温にすると加熱エネルギー消費の面から不利に
なるばかりでなく、重合帯域と異なる条件での重
合量が増えて、品質への影響が無視できなくなる
場合があるので、例えば、上部曇点以上で145℃
以下、好ましくは約120°〜140℃の範囲とするの
がよい。 本発明方法で用いる(A)、(B)及び(C)触媒成分から
なる触媒系では、脱触媒処理を行わずに、上記分
離帯域温度条件に維持した際、1−ブテンの重合
が生じても、その重合速度は重合帯域における重
合速度に比して著るしく遅く、且つまた、生成す
るポリ−1−ブテンの立体規則性指数は低下する
傾向はあるものの、その低下の程度は他の触媒系
を用いた場に比して遥かに少なく、その結果、得
られるポリ−1−ブテンの品質への悪影響は実質
的に生じない利点がある。この分離帯域において
生ずる重合による品質への影響は、生成重合体溶
液系の該分離帯域における帯留時間を、重合帯域
におけるそれより短縮、たとえば重合帯域におけ
る帯留時間の約1/3以下、より好ましくは約1/5以
下の如き帯留時間とすることにより一層軽減する
ことができる。 分離帯域下層部の重合体の濃厚液層から、例え
ばフラツシユすることにより、容易に1−ブテン
などを回収することができるので再び昇圧して重
合系に循環使用することができる。上記フラツシ
ユ操作により残存する重合体は、そのままベント
式押出機や特公昭52−50234号に記載されている
ような脱気装置を備えた押出機へ供給して、脱気
とともに溶融押出を引続き行うことができるの
で、ペレツト化なども簡単である。この操作にお
いて触媒の不活性化や脱気を助長するために水、
アルコール、水蒸気などの少量を使用することが
できる。また、安定剤、酸化防止剤、ハロゲン捕
促剤、溶剤、核剤、その他各種添加剤を配合する
ことができる。 一方、分離帯域上層部の希薄液層部の一部又は
全部は、そのまま重合系に循環して再使用するこ
とができる。本発明で使用する触媒系では、この
ような循環によつて何ら重合系に悪影響を及ぼさ
ない利点がある。さらに、立体規則性重合体の生
成割合が高いことに基因して、このような循環を
行うことによつても製品中の立体規則性重合体の
含有比率を不都合に大きく低下させることのない
利点もある。勿論、希薄液層の一部は低分子量重
合体等のパージの目的で系外に抜出し、単量体成
分のみを回収してもよい。しかしながら、工業的
に有利に実施するためには、希薄液層の50重量%
以上、とくに80重量%以上は重合帯域へ循環使用
することが好ましい。 本発明によれば、プロセスが簡単で触媒当りの
重合体収量も大きく、しかも立体規則性重合体の
生成比率も高いので、高品質のポリ−1−ブテン
を安価に製造することができる。 次に実施例を示す。 実施例 1 <チタン触媒成分(A)の調製> 無水塩化マグネシウム4.76g(50mmol)、デ
カン25mlおよび2−エチルヘキシルアルコール
23.4ml(150mmol)を130℃で2時間加熱反応を
行い均一溶液とした後、この溶液中に無水フタル
酸1.11g(7.5mmol)を添加し、130℃にて更に
1時間撹拌混合を行い、無水フタル酸を該均一溶
液に溶解させる。この様にして得られた均一溶液
を室温に冷却した後、−20℃に保持された四塩化
チタン200ml(1.8mol)中に1時間に亙つて全量
滴下装入する。装入終了後、この混合液の温度を
4時間かけて110℃に昇温し、110℃に達したとこ
ろでジイソブチルフタレート2.68ml(12.5mmol)
を添加し、これにより2時間同温度にて撹拌下保
持する。2時間の反応終了後熱過にて固体部を
採取し、この固体部を200mlのTiCl4にて再懸濁
させた後、再び110℃で2時間、加熱反応を行う。
反応終了後、再び熱過にて固体部を採取し、
110℃デカン及びヘキサンにて、洗液中に遊離の
チタン化合物が検出されなくなる迄充分洗浄す
る。以上の製造方法にて合成されたチタン触媒成
分(A)はヘキサンスラリーとして保存するが、この
うち一部を触媒組成を調べる目的で乾燥する。こ
の様にして得られたチタン触媒成分(A)の組成はチ
タン3.1重量%、塩素56.0重量%、マグネシウム
17.0wt%およびジイソブチルフタレート20.9重量
%であつた。 <重合> 第1図に示された連続法において、1−ブテン
を管5より1時間当り33、トリエチルアルミニ
ウムを管4より1時間当り35mmol、ビニルトリ
エトキシシランを管3より1時間当り3.5mmol、
チタン触媒成分(A)管2より1時間当り0.7mmol
の速度で重合器6にそれぞれ添加した。水素は管
1より添加し、重合器6の水素分圧が0.6気圧に
なるように保つた。重合器6の液量は100、温
度は60℃に維持した。重合器の液量が一定になる
ように、重合液を抜き出し熱交換器7によつて重
合液の温度を130℃に昇温して分離槽8に導入し
た。分離槽8の液面を10に維持しながら下部よ
り濃厚液を抜き出し、上部より希薄液を抜き出し
熱交換器9によつて60℃に下げて重合器6に導入
した。分離槽8から重合器6への1−ブテンの循
環量は1時間当り67であり、重合器6の平均滞
留時間は1時間、分離槽8の平均滞留時間は0.1
時間であつた。分離槽8の下部より抜き出した濃
厚液は約50重量%の1−ブテンを含んでいた。ポ
リ−1−ブテンは1時間当り10Kg得れた。重合結
果と物性測定結果を表1に示した。 <物性測定法> 重合活性:チタン1mmol当りの重合体収量であ
る。 MI:190℃、荷重10Kgで測定した。 立体規則性指数(II):1gのポリ−1−ブテン
を100mlのn−デカンに溶解した後0℃に冷却
し、0℃で24時間放置し、高立体規則性成分を
析出さ、不溶部の重量%をIIとした。 降伏点応力:ペレタイズした後1mm圧のプレスシ
ートを作り、10日後に試験片を打ち抜き23℃で
測定した。 臨界クリープ応力:ペレタイズした後、内径25mm
の肉厚2mmのパイプを作り、80℃で24時間耐え
る応力を臨界クリープ応力とした。 比較例 1 <チタン触媒成分の調製> 無水塩化マグネシウム20g、安息香酸エチル
5.0mlおよびメチルポリシロキサン(粘度100cs)
3.0mlを窒素雰囲気中直径15mmのステンレス鋼製
ボール2.8Kg収容した内容積800ml、内直径100mm
のステンレス鋼製ボールミル容器に装入し、衝撃
の加速度7Gで24時間接触させる。得られた共粉
砕物20gを四塩化チタン200ml中に懸濁させ、80
℃で2時間撹拌下に接触した後、固体部を熱いう
ちにグラスフイルターで過し、洗液中に遊離の
四塩化チタンが検出されなくなるまで生成ヘキサ
ンで充分洗浄後、減圧下で乾燥し、チタン複合体
を得る。 該成分は原子換算でチタン1.9重量%、塩素65
重量%、マグネシウム23重量%、安息香酸エチル
7.7重量%を含む。 <重合> トリエチルアルミニウムを1時間当り100m
mol、P−トルイル酸メチルを1時間当り33m
mol、チタン触媒成分を1時間当り2mmol添加
する以外は実施例1と同様に重合し、結果を表1
に示した。 この結果より、本発明によつて重合活性が高
く、II、降伏点応力、臨界クリープ応力の優れた
ポリ−1−ブテンが得られることが分かる。 実施例 2〜5 実施例1で調製したチタン触媒成分(A)を使用
し、有機ケイ素化合物を表1に記載したものに変
更する以外は実施例1と同様に重合を行ない結果
を表1に示した。
【表】 実施例 6〜11 実施例1で調製したチタン触媒成分(A)を使用
し、重合時に添加するビニルトリエトキシシラン
の添加量または水素分圧を変更する以外は実施例
1と同様に重合を行ない、結果を表2に示した。
【表】
【表】 【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施態様を示す図面であ
る。第2図は、本願発明の方法に使用する触媒の
調製方法を示すフローチヤート図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (A) チタン、マグネシウム、ハロゲン及び電
    子供与体を必須成分とする固体状チタン触媒成
    分、 (B) 有機アルミニウム化合物触媒成分、及び (C) Si−O−C結合を有する有機ケイ素化合物触
    媒成分 から形成される触媒の存在下に、生成するポリ−
    1−ブテンが液相中に溶解して実質的に均一層を
    形成する条件下に1−ブテンを重合し、生成した
    重合体溶液を、触媒成分を分離することなく直接
    上部曇点以上の温度に維持された分離帯域に導い
    て2層分離し、該分離帯域の下層部からポリ−1
    −ブテンを回収し、該帯域の上層部の少なくとも
    一部を重合帯域に直接循環することを特徴とする
    ポリ−1−ブテンの製造方法。
JP8093583A 1983-05-11 1983-05-11 ポリ−1−ブテンの製造方法 Granted JPS59206416A (ja)

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