JPH0572567A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH0572567A JPH0572567A JP3234791A JP23479191A JPH0572567A JP H0572567 A JPH0572567 A JP H0572567A JP 3234791 A JP3234791 A JP 3234791A JP 23479191 A JP23479191 A JP 23479191A JP H0572567 A JPH0572567 A JP H0572567A
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- varistor
- display device
- crystal display
- varistor element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】むらのない鮮明な画像表示を達成する大画面の
液晶表示装置を容易に製造する方法を提供する。 【構成】バリスタ素子が形成される基板上にあらかじめ
感光性樹脂を塗布することにより樹脂層を形成し、これ
をフォトリソグラフィーによりバリスタ素子を形成した
い部分のみ除去し、バリスタ粒子を有機バインダーと混
合したものを主成分とするバリスタペーストをドクター
ブレード等によりその除去部分に充填し、しかるのちペ
ーストを硬化させることによりバリスタ素子を形成す
る。また、その樹脂層を着色する事によりカラーフィル
タとしての機能をもたせる事もできる。 【効果】むらのない鮮明な画像表示を達成する大画面の
液晶表示装置を容易に製造できる。
液晶表示装置を容易に製造する方法を提供する。 【構成】バリスタ素子が形成される基板上にあらかじめ
感光性樹脂を塗布することにより樹脂層を形成し、これ
をフォトリソグラフィーによりバリスタ素子を形成した
い部分のみ除去し、バリスタ粒子を有機バインダーと混
合したものを主成分とするバリスタペーストをドクター
ブレード等によりその除去部分に充填し、しかるのちペ
ーストを硬化させることによりバリスタ素子を形成す
る。また、その樹脂層を着色する事によりカラーフィル
タとしての機能をもたせる事もできる。 【効果】むらのない鮮明な画像表示を達成する大画面の
液晶表示装置を容易に製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形素子としてバリ
スタ素子を用いた２端子素子型の液晶表示装置の製造方
法に関するものである。
スタ素子を用いた２端子素子型の液晶表示装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、例えば液晶テレビの画像表示装置
には大別して単純マトリクス方式とアクティブマトリク
ス方式とがある。単純マトリクス方式は、直角をなして
設けられた一対の帯状電極群（信号電極群と走査電極
群）の間に複数の液晶画素を行列状に配して接続したも
のであり、これら帯状電極間に駆動回路によって所定の
電圧を印加して液晶画素を作動させる。この方式は、構
造が簡単なため低価格でシステムを実現できるという利
点があるが、各液晶画素でのクロストークが生じるた
め、画素のコントラストが低く、液晶テレビの画像表示
を行う際、画質の低下は避けられないものであった。
には大別して単純マトリクス方式とアクティブマトリク
ス方式とがある。単純マトリクス方式は、直角をなして
設けられた一対の帯状電極群（信号電極群と走査電極
群）の間に複数の液晶画素を行列状に配して接続したも
のであり、これら帯状電極間に駆動回路によって所定の
電圧を印加して液晶画素を作動させる。この方式は、構
造が簡単なため低価格でシステムを実現できるという利
点があるが、各液晶画素でのクロストークが生じるた
め、画素のコントラストが低く、液晶テレビの画像表示
を行う際、画質の低下は避けられないものであった。
【０００３】これに対し、アクティブマトリクス方式
は、各液晶画素毎にスイッチング素子を設けて電圧を保
持するものであり、液晶表示装置を時分割駆動しても液
晶画素が選択時の電圧を保持する事ができるため、表示
容量の増大が可能で、コントラスト等の画質に関する特
性がよく、液晶テレビの高画質表示を実現できるもので
ある。しかしながら、アクティブマトリクス方式にあっ
ては構造が複雑になって製造コストが高くなってしまう
という欠点があった。例えば、スイッチング素子として
薄膜トランジスタを用いるＴＦＴ型では、その製造工程
において５層以上の薄膜を重ねるため、製品歩留まりを
上げる事が困難である。
は、各液晶画素毎にスイッチング素子を設けて電圧を保
持するものであり、液晶表示装置を時分割駆動しても液
晶画素が選択時の電圧を保持する事ができるため、表示
容量の増大が可能で、コントラスト等の画質に関する特
性がよく、液晶テレビの高画質表示を実現できるもので
ある。しかしながら、アクティブマトリクス方式にあっ
ては構造が複雑になって製造コストが高くなってしまう
という欠点があった。例えば、スイッチング素子として
薄膜トランジスタを用いるＴＦＴ型では、その製造工程
において５層以上の薄膜を重ねるため、製品歩留まりを
上げる事が困難である。
【０００４】上記のような事から、コントラスト等の画
質に関する特性が良く、かつ構造簡単にして低コストな
方式の液晶表示装置の実現が望まれており、この様な要
求を実現する方式として、バリスタ素子を用いた二端子
素子型液晶表示装置が注目されている。
質に関する特性が良く、かつ構造簡単にして低コストな
方式の液晶表示装置の実現が望まれており、この様な要
求を実現する方式として、バリスタ素子を用いた二端子
素子型液晶表示装置が注目されている。
【０００５】二端子素子型の液晶表示装置は、単純マト
リクス方式に改良を加えて、図４に示すように、走査電
極１１と信号電極１６との間に液晶１８と所定のしきい
値電圧で導通するバリスタ素子１３とを電気的に直列に
配して接続したものであり、図８に示すようなバリスタ
素子１３の非線形な電流−電圧特性を利用したものであ
る。
リクス方式に改良を加えて、図４に示すように、走査電
極１１と信号電極１６との間に液晶１８と所定のしきい
値電圧で導通するバリスタ素子１３とを電気的に直列に
配して接続したものであり、図８に示すようなバリスタ
素子１３の非線形な電流−電圧特性を利用したものであ
る。
【０００６】一般的な二端子素子型の液晶表示装置とし
て、バリスタ素子をアクティブマトリクス素子として用
いたものを図５に示す。ここに示すように、下側ガラス
基板上に走査電極１１と画素電極１２が一定の間隔ｄを
もって設けられ、走査電極１１と画素電極１２とは各バ
リスタ素子１３で一定のしきい値電圧ＶV をもって接続
されている。そして、これらの上部に所定の間隔を隔て
て信号電極及びカラーフィルタが設けられた上部ガラス
基板との間に液晶が注入充填されている。ここで用いら
れる液晶は、通常ＴＮ（ツイストネマチック）型の液晶
が一般的である。
て、バリスタ素子をアクティブマトリクス素子として用
いたものを図５に示す。ここに示すように、下側ガラス
基板上に走査電極１１と画素電極１２が一定の間隔ｄを
もって設けられ、走査電極１１と画素電極１２とは各バ
リスタ素子１３で一定のしきい値電圧ＶV をもって接続
されている。そして、これらの上部に所定の間隔を隔て
て信号電極及びカラーフィルタが設けられた上部ガラス
基板との間に液晶が注入充填されている。ここで用いら
れる液晶は、通常ＴＮ（ツイストネマチック）型の液晶
が一般的である。
【０００７】バリスタ素子１３は、図６に詳示するよう
に、ＺｎＯ単結晶粒子１３１の表面をＭｎ，Ｃｏ酸化物
等の無機質絶縁膜１３２で被覆したバリスタ粒子１３ａ
からなり、図７に詳示するように、これらバリスタ粒子
１３ａを基板上にバインダー樹脂１３ｂで固着させたも
のである。このため、通常、バリスタ素子基板はバリス
タ粒子にバインダーとして樹脂を加えてペースト化し、
バリスタインキとし、これを電極を付けたガラス基板上
にスクリーン印刷などの印刷法にて印刷し、しかるのち
樹脂を硬化させ形成されている。
に、ＺｎＯ単結晶粒子１３１の表面をＭｎ，Ｃｏ酸化物
等の無機質絶縁膜１３２で被覆したバリスタ粒子１３ａ
からなり、図７に詳示するように、これらバリスタ粒子
１３ａを基板上にバインダー樹脂１３ｂで固着させたも
のである。このため、通常、バリスタ素子基板はバリス
タ粒子にバインダーとして樹脂を加えてペースト化し、
バリスタインキとし、これを電極を付けたガラス基板上
にスクリーン印刷などの印刷法にて印刷し、しかるのち
樹脂を硬化させ形成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】特に、画質の良好な２
端子素子型液晶表示装置を実現するためにはバリスタ素
子が高性能を有し安定性が高く、かつその性能が素子間
で一定している必要がある。また、上側ガラス基板と下
側ガラス基板の間隔が全面均一であることが求められ
る。しかし、例えばバリスタ粒子をインキ化、スクリー
ン印刷で素子を印刷した場合、スクリーン印刷の本質的
な問題点としての版伸び、ゆがみがあり、印刷位置ズレ
が発生する。また、印刷中のインキの粘度変化、スキー
ジの摩耗等による印刷条件の変化が、素子形状、厚さ等
に大きく影響する。したがってバリスタ素子の基板上に
おける位置ズレ、および厚みのばらつきが大きい。これ
がバリスタ素子間の電気的特性のばらつきの原因となっ
ている。このため、コントラスト等の画質に関する特性
のよい液晶表示装置を製作することが困難である。
端子素子型液晶表示装置を実現するためにはバリスタ素
子が高性能を有し安定性が高く、かつその性能が素子間
で一定している必要がある。また、上側ガラス基板と下
側ガラス基板の間隔が全面均一であることが求められ
る。しかし、例えばバリスタ粒子をインキ化、スクリー
ン印刷で素子を印刷した場合、スクリーン印刷の本質的
な問題点としての版伸び、ゆがみがあり、印刷位置ズレ
が発生する。また、印刷中のインキの粘度変化、スキー
ジの摩耗等による印刷条件の変化が、素子形状、厚さ等
に大きく影響する。したがってバリスタ素子の基板上に
おける位置ズレ、および厚みのばらつきが大きい。これ
がバリスタ素子間の電気的特性のばらつきの原因となっ
ている。このため、コントラスト等の画質に関する特性
のよい液晶表示装置を製作することが困難である。
【０００９】本発明は、上記従来の事情に鑑みなされた
もので、個々のバリスタ素子において基板上における位
置が正確であり、かつ厚みのばらつきが小さく、良好な
形状に製造でき、高性能かつその性能が素子間で一定し
た液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
もので、個々のバリスタ素子において基板上における位
置が正確であり、かつ厚みのばらつきが小さく、良好な
形状に製造でき、高性能かつその性能が素子間で一定し
た液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】液晶表示装置の製造方法
において、バリスタ素子が形成される基板上にあらかじ
め感光性樹脂を塗布することにより樹脂層を形成し、こ
れをフォトリソグラフィーによりバリスタ素子を形成し
たい部分のみ除去し、バリスタ粒子を有機バインダーと
混合したものを主成分とするバリスタペーストをドクタ
ーブレード等によりその除去部分に充填し、しかるのち
ペーストを硬化させることによりバリスタ素子を形成
し、これらの上部に所定の間隔を隔てて列電極及びカラ
ーフィルタが設けられた上部ガラス基板を貼り合わせ、
その間に液晶を注入充填することにより液晶表示装置を
作製することにより解決した。
において、バリスタ素子が形成される基板上にあらかじ
め感光性樹脂を塗布することにより樹脂層を形成し、こ
れをフォトリソグラフィーによりバリスタ素子を形成し
たい部分のみ除去し、バリスタ粒子を有機バインダーと
混合したものを主成分とするバリスタペーストをドクタ
ーブレード等によりその除去部分に充填し、しかるのち
ペーストを硬化させることによりバリスタ素子を形成
し、これらの上部に所定の間隔を隔てて列電極及びカラ
ーフィルタが設けられた上部ガラス基板を貼り合わせ、
その間に液晶を注入充填することにより液晶表示装置を
作製することにより解決した。
【００１１】また、基板上に樹脂層を形成する際、その
樹脂を赤色、緑色、青色の三色に着色することにより、
これをそのままカラーフィルタとして用いることもでき
る。その場合は上部ガラス基板に設けられたカラーフィ
ルタを省略する事ができる。
樹脂を赤色、緑色、青色の三色に着色することにより、
これをそのままカラーフィルタとして用いることもでき
る。その場合は上部ガラス基板に設けられたカラーフィ
ルタを省略する事ができる。
【００１２】
【作用】本発明では、バリスタ素子が形成される基板上
にあらかじめ感光性樹脂を塗布することにより樹脂層を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりバリスタ素
子を形成したい部分のみ除去、バリスタ粒子を有機バイ
ンダーと混合したものを主成分とするバリスタペースト
をドクターブレード等によりその除去部分に充填し、し
かるのちペーストを硬化させることによりバリスタ素子
を形成している。これらの上部に所定の間隔を隔てて列
電極及びカラーフィルタが設けられた上部ガラス基板を
貼り合わせ、その間に液晶を注入充填することにより液
晶表示装置を作製する。このため、基板上における素子
の位置はフォトリソグラフィーにより決められる。よっ
て、再現性の良い、高い位置精度が得られる。また素子
厚みは基板上に感光性樹脂を塗布する際の厚みにより規
定されるため厚みのばらつきが少なく、かつ印刷法より
も形状のよい素子が得られる。このように、バリスタ素
子の基板上における位置が正確であり、厚みのばらつき
が小さく、かつ形状が良好なため、高性能かつその性能
が素子間で一定したバリスタ素子基板を得ることを容易
にする。
にあらかじめ感光性樹脂を塗布することにより樹脂層を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりバリスタ素
子を形成したい部分のみ除去、バリスタ粒子を有機バイ
ンダーと混合したものを主成分とするバリスタペースト
をドクターブレード等によりその除去部分に充填し、し
かるのちペーストを硬化させることによりバリスタ素子
を形成している。これらの上部に所定の間隔を隔てて列
電極及びカラーフィルタが設けられた上部ガラス基板を
貼り合わせ、その間に液晶を注入充填することにより液
晶表示装置を作製する。このため、基板上における素子
の位置はフォトリソグラフィーにより決められる。よっ
て、再現性の良い、高い位置精度が得られる。また素子
厚みは基板上に感光性樹脂を塗布する際の厚みにより規
定されるため厚みのばらつきが少なく、かつ印刷法より
も形状のよい素子が得られる。このように、バリスタ素
子の基板上における位置が正確であり、厚みのばらつき
が小さく、かつ形状が良好なため、高性能かつその性能
が素子間で一定したバリスタ素子基板を得ることを容易
にする。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例に基づいて具体的に説明す
る。
る。
【００１４】（実施例１）図１は、本発明による液晶表
示装置の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’による
断面図である。
示装置の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’による
断面図である。
【００１５】図２に示すように、本実施例の液晶表示装
置は、下側ガラス基板１０に走査電極１１、画素電極１
２、二端子素子としてバリスタ素子１３、樹脂層１４が
設けられている。そして信号電極１６およびカラーフィ
ルタ２０が設けられた上側ガラス基板１７と下側ガラス
基板１０の間に液晶１８としてＴＮ型液晶が注入充填し
てある。
置は、下側ガラス基板１０に走査電極１１、画素電極１
２、二端子素子としてバリスタ素子１３、樹脂層１４が
設けられている。そして信号電極１６およびカラーフィ
ルタ２０が設けられた上側ガラス基板１７と下側ガラス
基板１０の間に液晶１８としてＴＮ型液晶が注入充填し
てある。
【００１６】ここでＴＮ型液晶１８を用いているため、
下側ガラス基板１０、液晶１８の層、および上側ガラス
基板１７との間に液晶１８を配向させるための配向膜１
５が設置され、下側ガラス基板１０と上側ガラス基板１
７の外側に偏光板１９が設置されている構成である。
下側ガラス基板１０、液晶１８の層、および上側ガラス
基板１７との間に液晶１８を配向させるための配向膜１
５が設置され、下側ガラス基板１０と上側ガラス基板１
７の外側に偏光板１９が設置されている構成である。
【００１７】上記構成の液晶表示装置は次のような工程
で製造される。
で製造される。
【００１８】まず、下側ガラス基板１０上にマグネトロ
ンスパッタ装置を用いてＩＴＯ膜（酸化インジウム／酸
化スズ膜）を厚さ１１００Åに成膜し、これにフォトリ
ソグラフィープロセスによりレジストパターンを形成し
て酸化第二鉄：塩酸＝１：３のエッチング液にて走査電
極１１および画素電極１２を形成する。
ンスパッタ装置を用いてＩＴＯ膜（酸化インジウム／酸
化スズ膜）を厚さ１１００Åに成膜し、これにフォトリ
ソグラフィープロセスによりレジストパターンを形成し
て酸化第二鉄：塩酸＝１：３のエッチング液にて走査電
極１１および画素電極１２を形成する。
【００１９】この下側ガラス基板１０にメチルメタクリ
レートを主成分とする感光性樹脂をスクリーン印刷を用
いて厚さ８μｍになるよう塗布、フォトリソグラフィー
プロセスにより、基板上にバリスタ素子を形成する部分
が除去された樹脂層１４を形成する。
レートを主成分とする感光性樹脂をスクリーン印刷を用
いて厚さ８μｍになるよう塗布、フォトリソグラフィー
プロセスにより、基板上にバリスタ素子を形成する部分
が除去された樹脂層１４を形成する。
【００２０】これにバリスタ粒子を主成分とするペース
トをドクターブレードを用い樹脂が除去された部分に充
填、１００℃で２０分乾燥しこれを硬化させバリスタ素
子13を形成し、しかるのちポリイミド系配向膜１５を５
００Å塗布する。
トをドクターブレードを用い樹脂が除去された部分に充
填、１００℃で２０分乾燥しこれを硬化させバリスタ素
子13を形成し、しかるのちポリイミド系配向膜１５を５
００Å塗布する。
【００２１】ここで用いたペーストはバリスタ粒子とポ
リメチルメタクリレートを主成分とするものであり、バ
リスタ粒子２０部に対しポリメチルメタクリレート３０
部、および溶剤としてエチルカルビトール７０部を混合
したものを用いた。バリスタ粒子は、図６に詳示するよ
うに、ＺｎＯ単結晶粒子１３１の表面をＭｎ，Ｃｏ酸化
物等の無機質絶縁膜１３２で被覆したものである。
リメチルメタクリレートを主成分とするものであり、バ
リスタ粒子２０部に対しポリメチルメタクリレート３０
部、および溶剤としてエチルカルビトール７０部を混合
したものを用いた。バリスタ粒子は、図６に詳示するよ
うに、ＺｎＯ単結晶粒子１３１の表面をＭｎ，Ｃｏ酸化
物等の無機質絶縁膜１３２で被覆したものである。
【００２２】次にカラーフィルタ２０、配向膜１５、お
よびＩＴＯ膜による信号電極１６からなる上側ガラス基
板１７にガラスビーズを２．５重量％混合した接着用エ
ポキシ樹脂をスクリーン印刷により印刷し、下側ガラス
基板１０と位置合わせした後はりあわせ、加圧接着す
る。
よびＩＴＯ膜による信号電極１６からなる上側ガラス基
板１７にガラスビーズを２．５重量％混合した接着用エ
ポキシ樹脂をスクリーン印刷により印刷し、下側ガラス
基板１０と位置合わせした後はりあわせ、加圧接着す
る。
【００２３】ついでこのパネルに液晶１８としてＴＮ型
液晶を接着部の一部に設けた注入口より充填し、充填後
注入口を封止する。
液晶を接着部の一部に設けた注入口より充填し、充填後
注入口を封止する。
【００２４】そして下側ガラス基板１０および上側ガラ
ス基板１７の外側に偏光板１９を設置する。この結果、
バリスタ素子１３の基板上における位置が正確であり、
厚みのばらつきが小さく、かつ形状が良好なため、高性
能かつその性能が素子間で一定したバリスタ素子をアク
ティブマトリクス素子とする液晶表示装置を得た。
ス基板１７の外側に偏光板１９を設置する。この結果、
バリスタ素子１３の基板上における位置が正確であり、
厚みのばらつきが小さく、かつ形状が良好なため、高性
能かつその性能が素子間で一定したバリスタ素子をアク
ティブマトリクス素子とする液晶表示装置を得た。
【００２５】（実施例２）図１は、本発明による液晶表
示装置の平面図である。図３は、図１のＡ−Ａ’による
断面図である。
示装置の平面図である。図３は、図１のＡ−Ａ’による
断面図である。
【００２６】図３に示すように、本実施例の液晶表示装
置は、下側ガラス基板１０に走査電極１１、画素電極１
２、二端子素子としてバリスタ素子１３、樹脂層１４が
設けられている。そして信号電極１６が設けられた上側
ガラス基板１７と下側ガラス基板１０の間に液晶１８と
してＴＮ型液晶が注入充填してある。
置は、下側ガラス基板１０に走査電極１１、画素電極１
２、二端子素子としてバリスタ素子１３、樹脂層１４が
設けられている。そして信号電極１６が設けられた上側
ガラス基板１７と下側ガラス基板１０の間に液晶１８と
してＴＮ型液晶が注入充填してある。
【００２７】ここでＴＮ型液晶を用いているため、下側
ガラス基板１０、液晶１８の層、および上側ガラス基板
１７との間に液晶を配向させるための配向膜層１５が設
置され、下側ガラス基板１０と上側ガラス基板１７の外
側に偏光板１９が設置されている構成である。
ガラス基板１０、液晶１８の層、および上側ガラス基板
１７との間に液晶を配向させるための配向膜層１５が設
置され、下側ガラス基板１０と上側ガラス基板１７の外
側に偏光板１９が設置されている構成である。
【００２８】上記構成の液晶表示装置は次のような工程
で製造される。
で製造される。
【００２９】まず、下側ガラス基板10上にマグネトロン
スパッタ装置を用いてＩＴＯ膜（酸化インジウム／酸化
スズ膜）を厚さ１１００Åに成膜し、これにフォトリソ
グラフィープロセスによりレジストパターンを形成して
酸化第二鉄：塩酸＝１：３のエッチング液にて走査電極
１１および画素電極１２を形成する。
スパッタ装置を用いてＩＴＯ膜（酸化インジウム／酸化
スズ膜）を厚さ１１００Åに成膜し、これにフォトリソ
グラフィープロセスによりレジストパターンを形成して
酸化第二鉄：塩酸＝１：３のエッチング液にて走査電極
１１および画素電極１２を形成する。
【００３０】次に、赤色感光性顔料分散レジストをその
下側基板１０上にスピンコートし、フォトリソグラフィ
ープロセスにより、バリスタ素子１３を形成する部分を
除去されるようパターニングし、その後ベークしてパタ
ーンを定着させ赤色着色層とした。緑色着色層、青色着
色層についても同様に行いカラーフィルタとしての樹脂
層１４を形成した。
下側基板１０上にスピンコートし、フォトリソグラフィ
ープロセスにより、バリスタ素子１３を形成する部分を
除去されるようパターニングし、その後ベークしてパタ
ーンを定着させ赤色着色層とした。緑色着色層、青色着
色層についても同様に行いカラーフィルタとしての樹脂
層１４を形成した。
【００３１】これにバリスタ粒子を主成分とするペース
トをドクターブレードを用い樹脂が除去された部分に充
填、１００℃、２０分熱硬化させバリスタ素子１３を形
成し、しかるのちポリイミド系配向膜１５を５００Å塗
布する。
トをドクターブレードを用い樹脂が除去された部分に充
填、１００℃、２０分熱硬化させバリスタ素子１３を形
成し、しかるのちポリイミド系配向膜１５を５００Å塗
布する。
【００３２】ここで用いたペーストはバリスタ粒子とポ
リメチルメタクリレートを主成分とするものであり、バ
リスタ粒子２０部に対しポリメチルメタクリレート３０
部、および溶剤としてエチルカルビトール７０部を混合
したものを用いた。また、バリスタ素子は、図６に詳示
するように、ＺｎＯ単結晶粒子１３１の表面をＭｎ，Ｃ
ｏ酸化物等の無機質絶縁膜１３２で被覆したものであ
る。
リメチルメタクリレートを主成分とするものであり、バ
リスタ粒子２０部に対しポリメチルメタクリレート３０
部、および溶剤としてエチルカルビトール７０部を混合
したものを用いた。また、バリスタ素子は、図６に詳示
するように、ＺｎＯ単結晶粒子１３１の表面をＭｎ，Ｃ
ｏ酸化物等の無機質絶縁膜１３２で被覆したものであ
る。
【００３３】次に配向膜15、およびＩＴＯ膜による信号
電極１６からなる上側ガラス基板１７にガラスビーズを
２．５重量％混合した接着用エポキシ樹脂をスクリーン
印刷により印刷し、下側ガラス基板１０と位置合わせし
た後はりあわせ加圧接着する。
電極１６からなる上側ガラス基板１７にガラスビーズを
２．５重量％混合した接着用エポキシ樹脂をスクリーン
印刷により印刷し、下側ガラス基板１０と位置合わせし
た後はりあわせ加圧接着する。
【００３４】ついでこのパネルに液晶１８としてＴＮ型
液晶を接着部の一部に設けた注入口より充填し、充填後
注入口を封止する。
液晶を接着部の一部に設けた注入口より充填し、充填後
注入口を封止する。
【００３５】そして下側ガラス基板１０および上側ガラ
ス基板１７の外側に偏光板１９を設置する。この結果、
バリスタ素子１３の基板上における位置が正確であり、
厚みのばらつきが小さく、かつ形状が良好なため、高性
能かつその性能が素子間で一定したバリスタ素子をアク
ティブマトリクス素子とする液晶表示装置を得た。
ス基板１７の外側に偏光板１９を設置する。この結果、
バリスタ素子１３の基板上における位置が正確であり、
厚みのばらつきが小さく、かつ形状が良好なため、高性
能かつその性能が素子間で一定したバリスタ素子をアク
ティブマトリクス素子とする液晶表示装置を得た。
【００３６】なお、本発明は配線抵抗低減のための行電
極材料として、Ｃｒ等の金属薄膜を用いる事が可能であ
る。また、液晶についてもＴＮ型だけでなく、ゲストホ
スト型、高分子分散型等を用いた液晶表示装置にも適用
する事ができる。
極材料として、Ｃｒ等の金属薄膜を用いる事が可能であ
る。また、液晶についてもＴＮ型だけでなく、ゲストホ
スト型、高分子分散型等を用いた液晶表示装置にも適用
する事ができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、アクティブマトリクス素子として用いるバリスタ素
子が求める位置に形成され、かつ厚みのばらつきの少な
く形状の良好な素子を得ることができる。このことによ
り高性能かつその性能が素子間で一定したバリスタ素子
を得る事が容易となり、むらのない鮮明な画像表示を達
成する大画面の液晶表示装置を得る事が可能となる。
ば、アクティブマトリクス素子として用いるバリスタ素
子が求める位置に形成され、かつ厚みのばらつきの少な
く形状の良好な素子を得ることができる。このことによ
り高性能かつその性能が素子間で一定したバリスタ素子
を得る事が容易となり、むらのない鮮明な画像表示を達
成する大画面の液晶表示装置を得る事が可能となる。
【００３８】
【図１】本発明の一実施例に係る液晶表示装置の平面図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａ’に沿って切断したところを示す
実施例１の断面図である。
実施例１の断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’に沿って切断したところを示す
実施例２の断面図である。
実施例２の断面図である。
【図４】二端子素子型液晶表示装置の等価回路図であ
る。
る。
【図５】一般的な二端子素子型液晶表示装置の一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】バリスタ粒子の断面図である。
【図７】バリスタ素子要部の拡大図である。
【図８】バリスタ素子の電圧−電流特性を示すグラフ図
である。
である。
１０ 下側ガラス基板 １１ 走査電極 １２ 画素電極 １３ バリスタ素子 １３ａ バリスタ粒子 １３ｂ バインダー １３１ ＺｎＯ単結晶粒子 １３２ 無機質絶縁膜 １４ 樹脂層 １５ 配向膜 １６ 信号電極 １７ 上側ガラス基板 １８ 液晶 １９ 偏光板 ２０ カラーフィルタ
Claims (2)
- 【請求項１】信号電極と走査電極との間に、アクティブ
マトリクス素子として用いるバリスタ素子と液晶画素と
を電気的に直列に配して接続した液晶表示装置の製造方
法において、バリスタ素子が形成される基板上にあらか
じめ感光性樹脂を塗布することにより樹脂層を形成し、
これをフォトリソグラフィーによりバリスタ素子を形成
したい部分のみ除去し、バリスタ粒子を有機バインダー
と混合したものを主成分とするバリスタペーストをドク
ターブレードによりその除去部分に充填し、しかるのち
ペーストを硬化させることによりバリスタ素子を形成す
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】除去されていない樹脂層が着色され、カラ
ーフィルタを形成していることを特徴とする請求項１記
載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234791A JPH0572567A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234791A JPH0572567A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572567A true JPH0572567A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16976447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3234791A Pending JPH0572567A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572567A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622659A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-05-17 | Sharp Kk | Liquid crystal display device using a two-terminal switch device. |
| US5642212A (en) * | 1993-02-03 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a two-terminal device including a zinc sulfide layer and method for producing the same |
| US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
| WO2009141439A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Epcos Ag | Elektrische bauelementanordnung mit varistor und halbleiterbauelement |
| WO2017121727A1 (de) * | 2016-01-11 | 2017-07-20 | Epcos Ag | Bauelementtraeger mit esd schutzfunktion und verfahren zur herstellung |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234791A patent/JPH0572567A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5642212A (en) * | 1993-02-03 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a two-terminal device including a zinc sulfide layer and method for producing the same |
| US5663020A (en) * | 1993-02-03 | 1997-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a two-terminal device including a zinc sulfide layer and a method for producing the same |
| EP0622659A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-05-17 | Sharp Kk | Liquid crystal display device using a two-terminal switch device. |
| US5642211A (en) * | 1993-04-30 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having a non-linear resistor connected to the pixel electrode and using a two-terminal device as a switching device |
| US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
| WO2009141439A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Epcos Ag | Elektrische bauelementanordnung mit varistor und halbleiterbauelement |
| US9196402B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-11-24 | Epcos Ag | Electronic component assembly comprising a varistor and a semiconductor component |
| WO2017121727A1 (de) * | 2016-01-11 | 2017-07-20 | Epcos Ag | Bauelementtraeger mit esd schutzfunktion und verfahren zur herstellung |
| US10490322B2 (en) | 2016-01-11 | 2019-11-26 | Epcos Ag | Component carrier having an ESD protective function and method for producing same |
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