JPH0572643B2 - - Google Patents
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- JPH0572643B2 JPH0572643B2 JP9126384A JP9126384A JPH0572643B2 JP H0572643 B2 JPH0572643 B2 JP H0572643B2 JP 9126384 A JP9126384 A JP 9126384A JP 9126384 A JP9126384 A JP 9126384A JP H0572643 B2 JPH0572643 B2 JP H0572643B2
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 118
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 35
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情
報を、いわゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出
しを行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素
子と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
報を、いわゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出
しを行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素
子と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
（従来技術とその問題点）
近年、MRヘツドは磁気記録における記録密度
の向上に大きく貢献するものとして注目されてい
る。
の向上に大きく貢献するものとして注目されてい
る。
周知の如く、MR素子を磁気記憶媒体からの信
号磁界に対して、線形応答を呈する高効率の再生
ヘツドとして用いる場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ISとMR素子の磁化Ｍの成す角度θb（以
下、バイアス角と称す）を所定の値に設定するバ
イアス手段が必要である。又、記録密度の増大に
対して、その再生分解能を高める手段も必要とさ
れ、種々の検討がなされている。
号磁界に対して、線形応答を呈する高効率の再生
ヘツドとして用いる場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ISとMR素子の磁化Ｍの成す角度θb（以
下、バイアス角と称す）を所定の値に設定するバ
イアス手段が必要である。又、記録密度の増大に
対して、その再生分解能を高める手段も必要とさ
れ、種々の検討がなされている。
特に高記録密度における再生分解能の低下は、
次の様に説明されている。今、第１図に示すMR
素子１（流さＬ、幅ｈ、厚みtMのストライプ状に
形成され、長さＬ方向にセンス電流ISが供給され
適当なバイアス磁界によつて前記センス電流ISは
磁化Ｍとθbの角度を成す）と磁気記憶媒体２の相
対的位置関係において、磁気記憶媒体２からの信
号磁界HSは低記録密度時においては、MR素子１
の幅ｈ方向に充分に印加され、MR素子１全体が
抵抗変化に寄与し、大きい再生出力が得られたも
のの、高記録密度時には、MR素子１に充分な信
号磁界HSが到達しえず、抵抗変化に寄与するの
は、磁気記憶媒体２に最近接する領域のみとな
り、大きく再生出力が低下するとされている。更
に、MR素子１の磁化Ｍのバイアス状態は一般
に、幅ｈの中央部で最適となる様に設定され（即
ちθb45度となる様に設定されている）ている
が、高記録密度時に最も抵抗変化に寄与する、磁
気記憶媒体２に最近接する領域では、MR素子１
の幅ｈ方向の反磁界のため、理想的バイアス状態
は実現されておらず（即ちθb≪45度）、再生感度
を低下させていた。
次の様に説明されている。今、第１図に示すMR
素子１（流さＬ、幅ｈ、厚みtMのストライプ状に
形成され、長さＬ方向にセンス電流ISが供給され
適当なバイアス磁界によつて前記センス電流ISは
磁化Ｍとθbの角度を成す）と磁気記憶媒体２の相
対的位置関係において、磁気記憶媒体２からの信
号磁界HSは低記録密度時においては、MR素子１
の幅ｈ方向に充分に印加され、MR素子１全体が
抵抗変化に寄与し、大きい再生出力が得られたも
のの、高記録密度時には、MR素子１に充分な信
号磁界HSが到達しえず、抵抗変化に寄与するの
は、磁気記憶媒体２に最近接する領域のみとな
り、大きく再生出力が低下するとされている。更
に、MR素子１の磁化Ｍのバイアス状態は一般
に、幅ｈの中央部で最適となる様に設定され（即
ちθb45度となる様に設定されている）ている
が、高記録密度時に最も抵抗変化に寄与する、磁
気記憶媒体２に最近接する領域では、MR素子１
の幅ｈ方向の反磁界のため、理想的バイアス状態
は実現されておらず（即ちθb≪45度）、再生感度
を低下させていた。
上述した、MRヘツドの欠点を解決するため、
特に、再生分解能の向上をはかるため、特開昭50
−59023号に、MR素子の両側に所定の距離をお
いて、高透磁率磁性体からなる磁気シールドを並
設した構成のMRヘツドが開示されている。この
種の磁気シールドを設けたMRヘツドは二つの磁
気シールド間の距離、即ち、キヤツプ長が小さい
程、磁気シールドとMR素子の静磁的結合が強固
となりMR素子の反磁界を軽減して、より高い分
解能の特性が得られるものの、MR素子のセンス
電流ISと磁化Ｍを所定のバイアス角θbに設定する
ためのバイアス手段のスペースを磁気シールドに
はさまれたキヤツプの中において必要とするた
め、ギヤツプ長の大きさを小さくしようとしても
限られたものとなり、情報読み出しに所望の分解
能を得ることが困難になつていた。
特に、再生分解能の向上をはかるため、特開昭50
−59023号に、MR素子の両側に所定の距離をお
いて、高透磁率磁性体からなる磁気シールドを並
設した構成のMRヘツドが開示されている。この
種の磁気シールドを設けたMRヘツドは二つの磁
気シールド間の距離、即ち、キヤツプ長が小さい
程、磁気シールドとMR素子の静磁的結合が強固
となりMR素子の反磁界を軽減して、より高い分
解能の特性が得られるものの、MR素子のセンス
電流ISと磁化Ｍを所定のバイアス角θbに設定する
ためのバイアス手段のスペースを磁気シールドに
はさまれたキヤツプの中において必要とするた
め、ギヤツプ長の大きさを小さくしようとしても
限られたものとなり、情報読み出しに所望の分解
能を得ることが困難になつていた。
この磁気シールド付MRヘツドのバイアス手段
の問題を解決するため、特願昭51−114038号に、
第２図の断面図に示す如き、MRヘツドが開示さ
れている。第２図のMRヘツドはギヤツプ長Ｇを
有する二つの磁気シールド３及び４の間に、MR
素子１が並置された磁気シールト付MRヘツドに
おいて、磁気シールド３及び４の少くなくとも一
方に、MR素子１に流すセンス電流ISと平行な電
流IB（以下、バイアス電流と称す）を流し、該バ
イアス電流IBによつて磁気シールド３及び４の周
囲に発生するバイアス磁界HBを利用して、MR
素子１の磁化Ｍをセンス電流ISに対して回転さ
せ、θb45°に設定せしめることができる。
の問題を解決するため、特願昭51−114038号に、
第２図の断面図に示す如き、MRヘツドが開示さ
れている。第２図のMRヘツドはギヤツプ長Ｇを
有する二つの磁気シールド３及び４の間に、MR
素子１が並置された磁気シールト付MRヘツドに
おいて、磁気シールド３及び４の少くなくとも一
方に、MR素子１に流すセンス電流ISと平行な電
流IB（以下、バイアス電流と称す）を流し、該バ
イアス電流IBによつて磁気シールド３及び４の周
囲に発生するバイアス磁界HBを利用して、MR
素子１の磁化Ｍをセンス電流ISに対して回転さ
せ、θb45°に設定せしめることができる。
この種のMRヘツドは、磁気シールド３及び４
のギヤツプ内にバイアス手段を必要としないた
め、ギヤツプ長Ｇを小さく設定でき、比較的高い
分解能特性を達成することができるが、MR素子
１に印加されるバイアス磁界HBがMR素子１の
幅ｈ方向に略一様であるため、MR素子１のバイ
アス状態は幅ｈの中央部で最適となるか、もしく
は、MR素子１の幅ｈが磁気シールド３及び４の
幅SHよりも小さい時は、磁気記憶媒体２に最も
遠隔した領域で最適となる様に設定される。即
ち、第１図を用いて説明した単独のMR素子のみ
で構成されるMRヘツドと同様高記録密度時に最
も抵抗変化に寄与する、磁気記憶媒体２に最近接
する領域では理想的バイアス状態が実現されてお
らず、再生感度を低下させていた。これを避ける
ため、ｈ≫SHなる構成にし、MR素子１の磁気
記憶媒体２に最近接する領域に最も大きなバイア
ス磁界HBが印加される様に設定することができ
るが、これは結果として磁気シールドの本来の効
果（即ち、MR素子１の反磁界を軽減する効果、
不要外来磁界をしやへいする効果）を著しく低下
させることになる。
のギヤツプ内にバイアス手段を必要としないた
め、ギヤツプ長Ｇを小さく設定でき、比較的高い
分解能特性を達成することができるが、MR素子
１に印加されるバイアス磁界HBがMR素子１の
幅ｈ方向に略一様であるため、MR素子１のバイ
アス状態は幅ｈの中央部で最適となるか、もしく
は、MR素子１の幅ｈが磁気シールド３及び４の
幅SHよりも小さい時は、磁気記憶媒体２に最も
遠隔した領域で最適となる様に設定される。即
ち、第１図を用いて説明した単独のMR素子のみ
で構成されるMRヘツドと同様高記録密度時に最
も抵抗変化に寄与する、磁気記憶媒体２に最近接
する領域では理想的バイアス状態が実現されてお
らず、再生感度を低下させていた。これを避ける
ため、ｈ≫SHなる構成にし、MR素子１の磁気
記憶媒体２に最近接する領域に最も大きなバイア
ス磁界HBが印加される様に設定することができ
るが、これは結果として磁気シールドの本来の効
果（即ち、MR素子１の反磁界を軽減する効果、
不要外来磁界をしやへいする効果）を著しく低下
させることになる。
（発明の目的）
本発明は、このような欠点を招来することなく
高記録密度側の特性を更に向上することのできる
バイアス状態を実現した磁気抵抗効果ヘツドを提
供することにある。
高記録密度側の特性を更に向上することのできる
バイアス状態を実現した磁気抵抗効果ヘツドを提
供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、強磁性薄膜を含む磁気抵抗効
果素子と、前記磁気抵抗効果素子と所定のギヤツ
プを介して形成した高透磁率磁性体からなる少な
くとも１枚の磁気シールドを備え、少なくとも１
枚の磁気シールドは前記磁気シールドに電流を供
給するための１対の電極を備え、前記電流によ
り、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加
する構成の磁気抵抗効果ヘツドにおいて、前記１
対の電極間隔は磁気記憶体に最も近い部分が磁気
記憶媒体に最も遠い部分よりも小さいことを特徴
とする磁気抵抗効果ヘツドが得られる。
果素子と、前記磁気抵抗効果素子と所定のギヤツ
プを介して形成した高透磁率磁性体からなる少な
くとも１枚の磁気シールドを備え、少なくとも１
枚の磁気シールドは前記磁気シールドに電流を供
給するための１対の電極を備え、前記電流によ
り、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加
する構成の磁気抵抗効果ヘツドにおいて、前記１
対の電極間隔は磁気記憶体に最も近い部分が磁気
記憶媒体に最も遠い部分よりも小さいことを特徴
とする磁気抵抗効果ヘツドが得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより従来技
術の問題点を解決した。即ち、本発明では、磁気
シールドに接続された二つの電極の間隔を磁気記
憶媒体に最近接する領域で小さく、設定している
ため、二つの電極を径由して磁気シールドに流れ
るバイアス電流は、磁気シールドの幅方向で不均
一に流れ、特に磁気記憶媒体に最近接する領域に
集中することになる。従つて、MR素子の磁気記
憶媒体に最近接する領域に最も大きなバイアス磁
界が印加されることにより、この領域を最大感度
とするバイアス状態が実現される。これにより、
高記録密度時の再生出力の低下を補正し、良好な
記録密度特性が得られる。
術の問題点を解決した。即ち、本発明では、磁気
シールドに接続された二つの電極の間隔を磁気記
憶媒体に最近接する領域で小さく、設定している
ため、二つの電極を径由して磁気シールドに流れ
るバイアス電流は、磁気シールドの幅方向で不均
一に流れ、特に磁気記憶媒体に最近接する領域に
集中することになる。従つて、MR素子の磁気記
憶媒体に最近接する領域に最も大きなバイアス磁
界が印加されることにより、この領域を最大感度
とするバイアス状態が実現される。これにより、
高記録密度時の再生出力の低下を補正し、良好な
記録密度特性が得られる。
以下、さらに本発明の構成例について、図面を
参照して詳細に説明する。第３図は、本発明の第
１の構成例を示す概略斜視図で、長さＬ、幅ｈを
有する短冊状MR素子１の厚み方向の両側に、高
透磁率磁性体から成る磁気シールド３及び４がギ
ヤツプ長Ｇの間隔をおいて並設されている。又、
MR素子１には、その長さＬ方向と平行なセンス
電流ISが外部からの電源（図示せず）より供給さ
れ、磁気シールド３及び４には、その長さ方向の
両端に接続された電極５ａ，５ｂ及び５ｃ，５ｄ
を径由してバイアス電流Ibが外部からの電源（図
示せず）より供給されている。電極５ａと電極５
ｂの間隔及び電極５ｃと電極５ｄの間隔は、磁気
シールド３及び磁気シールド４が、磁気記憶媒体
２に近接する領域でW2、最も離れた領域でW1の
値を有し、W1＞W2の関係を満す様に設定されて
いる。即ち、電極５ａ，５ｂ及び電極５ｃ，５ｄ
の間隔は磁気シールド３及び４の幅SH方向に対
し、傾斜をもつて接続されている。
参照して詳細に説明する。第３図は、本発明の第
１の構成例を示す概略斜視図で、長さＬ、幅ｈを
有する短冊状MR素子１の厚み方向の両側に、高
透磁率磁性体から成る磁気シールド３及び４がギ
ヤツプ長Ｇの間隔をおいて並設されている。又、
MR素子１には、その長さＬ方向と平行なセンス
電流ISが外部からの電源（図示せず）より供給さ
れ、磁気シールド３及び４には、その長さ方向の
両端に接続された電極５ａ，５ｂ及び５ｃ，５ｄ
を径由してバイアス電流Ibが外部からの電源（図
示せず）より供給されている。電極５ａと電極５
ｂの間隔及び電極５ｃと電極５ｄの間隔は、磁気
シールド３及び磁気シールド４が、磁気記憶媒体
２に近接する領域でW2、最も離れた領域でW1の
値を有し、W1＞W2の関係を満す様に設定されて
いる。即ち、電極５ａ，５ｂ及び電極５ｃ，５ｄ
の間隔は磁気シールド３及び４の幅SH方向に対
し、傾斜をもつて接続されている。
MR素子１は、例えば、NiCo系合金、NiFe系
合金（パーマロイ等）が選定され、その寸法は厚
みを数百Å乃至数千Å、幅ｈを数μｍ乃至数十μ
ｍ、長さＬを数μｍ乃至数百μｍにされる。又、
磁気シールド３及び４は、例えばパーマロイ、非
晶質軟磁性体等の導電性の薄膜が適し、その寸法
は厚みを数千Å乃至数μｍ、幅SHをMR素子１
の幅ｈに対し、数倍の大きさを持つ様に選定され
る。更に、電極５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄは、磁
気シールド３及び４よりも固有抵抗の小さい、例
えば、Au、Al、Cu等が選定される。
合金（パーマロイ等）が選定され、その寸法は厚
みを数百Å乃至数千Å、幅ｈを数μｍ乃至数十μ
ｍ、長さＬを数μｍ乃至数百μｍにされる。又、
磁気シールド３及び４は、例えばパーマロイ、非
晶質軟磁性体等の導電性の薄膜が適し、その寸法
は厚みを数千Å乃至数μｍ、幅SHをMR素子１
の幅ｈに対し、数倍の大きさを持つ様に選定され
る。更に、電極５ａ，５ｂ，５ｃ及び５ｄは、磁
気シールド３及び４よりも固有抵抗の小さい、例
えば、Au、Al、Cu等が選定される。
かかる構成により、電極５ａ及び５ｂ更には電
極５ｃ及び５ｄを径由して、磁気シールド３及び
４に供給されるバイアス電流Ibは電極間隔が最も
小さなW1を有する領域、即ち、磁気記憶媒体２
に最近接する領域に集中することになる。
極５ｃ及び５ｄを径由して、磁気シールド３及び
４に供給されるバイアス電流Ibは電極間隔が最も
小さなW1を有する領域、即ち、磁気記憶媒体２
に最近接する領域に集中することになる。
第４図は、この磁気シールド３又は４の幅SH
方向における電流分布を示す。第４図において、
横軸の零目盛は、磁気シールド３又は４が磁気記
憶媒体２に最近接する側、SHは最も遠い側を示
し、縦軸の電流密度は、磁気記憶媒体２に最近接
する側の電流密度で規格化した値で示している。
又、パラメータとして2SH／W1−W2を取つている。
方向における電流分布を示す。第４図において、
横軸の零目盛は、磁気シールド３又は４が磁気記
憶媒体２に最近接する側、SHは最も遠い側を示
し、縦軸の電流密度は、磁気記憶媒体２に最近接
する側の電流密度で規格化した値で示している。
又、パラメータとして2SH／W1−W2を取つている。
第４図より、磁気シールド３又は４の幅SHを
一定とした場合、W1−W2の値が大きくなるほ
ど、バイアス電流Ibは、磁気記憶媒体２に最近接
する側に大きく集中することが理解される。
一定とした場合、W1−W2の値が大きくなるほ
ど、バイアス電流Ibは、磁気記憶媒体２に最近接
する側に大きく集中することが理解される。
この結果、バイアス電流Ibによつて磁気シール
ド３及び４の周囲に発生した磁界の内、MR素子
１の膜面内を通る成分は、幅ｈ方向に強度分布を
有するバイアス磁界を与え、MR素子１の磁化Ｍ
をセンス電流ISに対して、角度θbだけ回転させ
る。
ド３及び４の周囲に発生した磁界の内、MR素子
１の膜面内を通る成分は、幅ｈ方向に強度分布を
有するバイアス磁界を与え、MR素子１の磁化Ｍ
をセンス電流ISに対して、角度θbだけ回転させ
る。
第５図に、バイアス角θbのMR素子１の幅ｈ方
向の分布を示す。又、参考のため、バイアス電流
IBが幅SH方向に均一に分布する従来例における
バイアス角度θbの分布を破線で示す。尚、横軸の
零目盛は、MR素子１が磁気記憶媒体２に最近接
する側、ｈは最も遠い側を示す。
向の分布を示す。又、参考のため、バイアス電流
IBが幅SH方向に均一に分布する従来例における
バイアス角度θbの分布を破線で示す。尚、横軸の
零目盛は、MR素子１が磁気記憶媒体２に最近接
する側、ｈは最も遠い側を示す。
第５図から明らかな如く、従来例では、幅ｈの
中央部で最大のバイアス角θbが得られるのに対
し、本発明では磁気記憶媒体２に近接する側にバ
イアス角θbの最大値がシフトしている。このシフ
ト量は、バイアス電流IBが磁気シールド３及び４
の磁気記憶媒体２に最近接する側に集中する程、
即ち、W1−W2の値が大きくなる程、大きくな
る。
中央部で最大のバイアス角θbが得られるのに対
し、本発明では磁気記憶媒体２に近接する側にバ
イアス角θbの最大値がシフトしている。このシフ
ト量は、バイアス電流IBが磁気シールド３及び４
の磁気記憶媒体２に最近接する側に集中する程、
即ち、W1−W2の値が大きくなる程、大きくな
る。
従つて、本発明では、MR素子１の高記録密度
時に最も再生出力として寄与する領域のバイアス
状態を最適に設定（望ましくはθb＝45°）するこ
とができる。
時に最も再生出力として寄与する領域のバイアス
状態を最適に設定（望ましくはθb＝45°）するこ
とができる。
尚、第３図では、磁気シールド３及び４の両方
にバイアス電流IBを供給する構成を示している
が、製造プロセスを簡単にするため、磁気シール
ド３又は４の一方のみにバイアス電流IBを供給す
る構成であつても良い。この場合は、バイアス磁
界が弱まるものの、第５図に示したと同様なバイ
アス角θbの分布が得られる。また磁気シールドは
１枚であつても前記と同様にバイアス磁界は弱ま
るが同様な効果が得られる。
にバイアス電流IBを供給する構成を示している
が、製造プロセスを簡単にするため、磁気シール
ド３又は４の一方のみにバイアス電流IBを供給す
る構成であつても良い。この場合は、バイアス磁
界が弱まるものの、第５図に示したと同様なバイ
アス角θbの分布が得られる。また磁気シールドは
１枚であつても前記と同様にバイアス磁界は弱ま
るが同様な効果が得られる。
第１の実施例におけるMRヘツドは、１つの
MR素子及び１対の磁気シールドで構成されてい
るが、本発明は、複数のMR素子を磁気記憶媒体
上の複数のトラツクにわたつて並置した、言わゆ
るマルチトラツク用MRヘツドにも好適である。
以下、第６図を用いて、この様な構成を有する
MRヘツドの例について説明する。
MR素子及び１対の磁気シールドで構成されてい
るが、本発明は、複数のMR素子を磁気記憶媒体
上の複数のトラツクにわたつて並置した、言わゆ
るマルチトラツク用MRヘツドにも好適である。
以下、第６図を用いて、この様な構成を有する
MRヘツドの例について説明する。
第６図は、マルチトラツク用MRヘツドの平面
概略図である。図において、複数のMR素子１が
磁気記憶媒体２のトラツク幅方向に平行に所定の
間隔をおいて、配置され、それぞれのMR素子１
には、その長さＬ方向と平行なセンス電流ISが供
給される。該MR素子１の上に絶縁層を介して磁
気シールド３が積層され、その長さ方向の両端に
は、磁気シールド３にバイアス電流IBを供給する
ための電極５ａ及び５ｂが設けられ、更に、隣接
するMR素子１の間に相当する部分に複数のシヨ
ート用電極６が磁気シールド３上に積層されてい
る。又、隣接するシヨート電極６間の間隔及び、
電極５ａ，５ｂと隣接するシヨート用電極６の間
隔は、電気記憶媒体２に最近接する側でW2、最
も遠隔した側でW1を有し、W2＜W1の関係を満
す様に設定されている。
概略図である。図において、複数のMR素子１が
磁気記憶媒体２のトラツク幅方向に平行に所定の
間隔をおいて、配置され、それぞれのMR素子１
には、その長さＬ方向と平行なセンス電流ISが供
給される。該MR素子１の上に絶縁層を介して磁
気シールド３が積層され、その長さ方向の両端に
は、磁気シールド３にバイアス電流IBを供給する
ための電極５ａ及び５ｂが設けられ、更に、隣接
するMR素子１の間に相当する部分に複数のシヨ
ート用電極６が磁気シールド３上に積層されてい
る。又、隣接するシヨート電極６間の間隔及び、
電極５ａ，５ｂと隣接するシヨート用電極６の間
隔は、電気記憶媒体２に最近接する側でW2、最
も遠隔した側でW1を有し、W2＜W1の関係を満
す様に設定されている。
シヨート用電極６は電極５ａ及び５ｂと同様、
磁気シールド３よりも固有抵抗の小さい、材料で
形成される。
磁気シールド３よりも固有抵抗の小さい、材料で
形成される。
かかる構成により、電極５ａ，５ｂ及びシヨー
ト電極６を径由して磁気シールド３に供給される
バイアス電流Ibは、第４図に示したと同様に磁気
記憶媒体２に最近接する領域に集中し、それによ
つて発生するバイアス磁界の分布により、MR素
子１のバイアス角θbの最大値は磁気記憶媒体２に
最近接する側にシフトすることになる。
ト電極６を径由して磁気シールド３に供給される
バイアス電流Ibは、第４図に示したと同様に磁気
記憶媒体２に最近接する領域に集中し、それによ
つて発生するバイアス磁界の分布により、MR素
子１のバイアス角θbの最大値は磁気記憶媒体２に
最近接する側にシフトすることになる。
尚、この構造においてシヨート用電極６は必ず
しも必要としないが、シヨート用電極６が存在し
ない場合、磁気シールド３の幅SH方向のバイア
ス電流IBの分布は電極５ａ及び５ｂのみで制御し
なければならず、特に電極５ａ及び５ｂ間の距離
が大きくなれば、バイアス電流IBの幅SH方向の
分布はほぼ均一になつてしまう恐れがある。一方
シヨート用電極６が存在する場合、シヨート用電
極６の内部では略等電位となるため、隣接するシ
ヨート用電極間の間隔に応じたバイアス電流IBの
分布を得ることができる。
しも必要としないが、シヨート用電極６が存在し
ない場合、磁気シールド３の幅SH方向のバイア
ス電流IBの分布は電極５ａ及び５ｂのみで制御し
なければならず、特に電極５ａ及び５ｂ間の距離
が大きくなれば、バイアス電流IBの幅SH方向の
分布はほぼ均一になつてしまう恐れがある。一方
シヨート用電極６が存在する場合、シヨート用電
極６の内部では略等電位となるため、隣接するシ
ヨート用電極間の間隔に応じたバイアス電流IBの
分布を得ることができる。
又、シヨート用電極６が存在することにより、
磁気シールド３の電極５ａ及び５ｂ間の電気抵抗
がその分だけ低下し、バイアス電流IBによるジユ
ール熱の発生を押さえることができる。
磁気シールド３の電極５ａ及び５ｂ間の電気抵抗
がその分だけ低下し、バイアス電流IBによるジユ
ール熱の発生を押さえることができる。
尚、第６図において磁気シールド３は複数の
MR素子１にわたつて連続して形成されている
が、トラツク間の磁気シールドを径由した磁気的
相互作用を避けるため、磁気シールド３をシヨー
ト用電極６の部分で分割しても良い。この場合の
シヨート用電極６は分割された磁気シールド３を
電気的に接続する効果も有する。
MR素子１にわたつて連続して形成されている
が、トラツク間の磁気シールドを径由した磁気的
相互作用を避けるため、磁気シールド３をシヨー
ト用電極６の部分で分割しても良い。この場合の
シヨート用電極６は分割された磁気シールド３を
電気的に接続する効果も有する。
以上、本発明の構成例について述べたが、本発
明で示した磁気シールドの電極及びシヨート用電
極の間隔は第３図及び第６図に示した如く、磁気
シールドの幅方向に直線的に広がつた構造に限る
ものでなく、曲線状に広がつた構成であつても良
く、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変形変
更をなし得る。
明で示した磁気シールドの電極及びシヨート用電
極の間隔は第３図及び第６図に示した如く、磁気
シールドの幅方向に直線的に広がつた構造に限る
ものでなく、曲線状に広がつた構成であつても良
く、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変形変
更をなし得る。
尚、本発明では磁気シールドの磁気記憶媒体に
最近接する側の電極間隔は、磁気記憶媒体上のト
ラツク幅（MR素子の長さ方向に対して、磁気的
情報が書き込まれている領域幅）もしくはMR素
子の長さ方向の有効検知幅よりも大きいことが望
ましい。これは、MR素子の有効検知幅全域にバ
イアス磁界を印加するのに有効である。
最近接する側の電極間隔は、磁気記憶媒体上のト
ラツク幅（MR素子の長さ方向に対して、磁気的
情報が書き込まれている領域幅）もしくはMR素
子の長さ方向の有効検知幅よりも大きいことが望
ましい。これは、MR素子の有効検知幅全域にバ
イアス磁界を印加するのに有効である。
（発明の効果）
以上、説明した様に、本発明はMR素子に並設
された磁気シールドにバイアス電流を供給するた
めの電極の間隔を磁気記憶媒体に近接する側で小
さく設定しているため、MR素子に印加されるバ
イアス磁界が磁気記憶媒体に近接する側で最大と
なり、この領域が最大感度となるバイアス状態が
実現でき、極めて簡単にかつ磁気シールドの効果
を損うことなく高記録密度において極めて再生分
解能の高いMRヘツドが得られる。
された磁気シールドにバイアス電流を供給するた
めの電極の間隔を磁気記憶媒体に近接する側で小
さく設定しているため、MR素子に印加されるバ
イアス磁界が磁気記憶媒体に近接する側で最大と
なり、この領域が最大感度となるバイアス状態が
実現でき、極めて簡単にかつ磁気シールドの効果
を損うことなく高記録密度において極めて再生分
解能の高いMRヘツドが得られる。
第１図は従来の磁気抵抗効果ヘツドの概略斜視
図、第２図は従来の磁気シールド付磁気抵抗効果
ヘツドの断面図、第３図は本発明の構成例を示す
概略斜視図、第４図は磁気シールドに流れるバイ
アス電流の分布を示すグラフ、第５図は磁気抵抗
効果ヘツドのバイアス状態を示すグラフ、第６図
は本発明の他の構成例を示す平面図である。 図において、１……磁気抵抗効果素子（MR素
子）、２……磁気記憶媒体、３，４……磁気シー
ルド、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，６……電極をそ
れぞれ示す。
図、第２図は従来の磁気シールド付磁気抵抗効果
ヘツドの断面図、第３図は本発明の構成例を示す
概略斜視図、第４図は磁気シールドに流れるバイ
アス電流の分布を示すグラフ、第５図は磁気抵抗
効果ヘツドのバイアス状態を示すグラフ、第６図
は本発明の他の構成例を示す平面図である。 図において、１……磁気抵抗効果素子（MR素
子）、２……磁気記憶媒体、３，４……磁気シー
ルド、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，６……電極をそ
れぞれ示す。
Claims (1)
- １ 強磁性薄膜を含む磁気抵抗効果素子と、前記
磁気抵抗効果素子と所定のギヤツプを介して形成
された高透磁率磁性体からなる少なくとも１枚の
磁気シールドを備え、さらにこの磁気シールドの
少なくとも１枚には磁気シールドに電流を供給す
るための１対の電極を備えた構成の磁気抵抗効果
ヘツドであつて、前記１対の電極の間隔は磁気記
憶媒体に最も近い部分が磁気記憶媒体に最も遠い
部分よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗効果
ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126384A JPS60236110A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126384A JPS60236110A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236110A JPS60236110A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0572643B2 true JPH0572643B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14021529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9126384A Granted JPS60236110A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236110A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177069U (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-16 | ||
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9126384A patent/JPS60236110A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60236110A (ja) | 1985-11-22 |
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