JPH0573231B2 - - Google Patents
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Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、シリコン原子を母体とするアモルフ
アスシリコンで構成された光導電層を有する光受
容部材、特に優れた特性を有する表面保護層を前
記光導電層上に設けた電子写真用感光体に適した
光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材としては、その光感度領域の整合性が他の種
類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ピツカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の
点から、例えば特開昭54−86341号公報や特開昭
56−83746号公報にみられるようなシリコン原子
を母体とし水素原子又はハロゲン原子のうちの少
なくともいずれか一方を含有するアモルフアス材
料（以後、「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」と表記する）光受
容部材が注目されている。 ところでこうした光受容部材は、支持体上に、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される光導電層を有する
ものであるところ、該光導電層が帯電処理を受け
た際に自由表面側から光導電層中に電荷が注入さ
れるのを阻止するとともに、該光導電層の耐湿
性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、および耐久性等を向上せしめ、長期間
安定した画像品質を得るために、該光導電層上に
表面保護層を設けることが知られている。 そして、前記表面保護層については、前述の各
種機能を効率的に発揮することが用求されるとこ
ろ、種々の高抵抗でかつ充分な光透過性を有する
非単結晶質材料、即ち、アモルフアス材料又は／
及び多結晶質材料が提案されており、それらの提
案の１つとして窒化ホウ素を含有するアモルフア
ス材料（以後「ａ−BN」と表記する。）で構成
された薄膜を用いることが知られている。（特開
昭59−12448号公報、特開昭60−61760号公報参
照） しかし、前記ａ−BNで構成された薄膜を表面
保護層として用いる場合、時として、該ａ−BN
薄膜は、帯電処理におけるコロナ放電や、他の部
材、例えばクリーニングブレード等との接触をは
じめとする種々の機械的損傷による劣化が発生
し、表面保護層に要求される前述の種々の機能を
長期間にわたつて発揮することが不可能となると
いう問題がある。また、該ａ−BN薄膜を用いた
光受容部材は、帯電能が不充分であつて、こうし
た光受容部材を用いて画像形成を行なう場合には
画像上にゴーストが生じる等の画像品質の劣化と
なつて現われる場合もあるという問題もある。 〔発明の目的〕 本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光
受容部材における表面保護層に関わる上述の問題
を解決して、長期間にわたつて所望の機能を奏す
るものとした改善された表面保護層を有する光受
容部材を提供することを主たる目的とするもので
ある。 本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を有
し、長期間にわたつて優れた品質の画像が得られ
る電子写真用感光体等に用いられる光受容部材を
提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられ
る光受容部材における表面保護層に関わる前述の
諸問題を解決し、上述の本発明の目的を達成すべ
く鋭意研究を重ねたところ、表面保護層として用
いるBN薄膜の構造が重要な要因となるという知
見を得た。 即ち、窒化ホウ素単結晶においては、構成元素
の配位数が３である六方晶系と、構成元素の配位
数が４である立方晶系との二種類の構造が知られ
ている。 本発明者らは、窒化ホウ素で構成された薄膜を
電子写真用感光体に用いられる光受容部材の表面
保護層として用いる場合、前記窒化ホウ素の構造
がいかに影響するかについて検討を続けたとこ
ろ、どんな構造の窒化ホウ素でも表面保護層とし
て用いられるわけではなく、特定の配位数を有す
る構造の窒化ホウ素が適しているという知見を得
た。 即ち、配位数が３である六方晶系のものは、グ
ラフアイトと同一の構造であつて、非常に柔らか
く、モース硬度は２であるため、表面保護層とし
て用いた場合には、コロナ放電により生じたイオ
ン、オゾン、電子等の活性な物質の衝撃に弱く、
又、クリーニングブレード等の接触をはじめとす
る種々の機械的損傷による劣化を生じることが判
明した。 一方、構成元素の配位数が４である立方晶系の
構造を有するものは、硬度が大であつて、コロナ
放電や機械的衝撃に対して充分な耐性を有してい
ることが判明した。 従つて、強度だけの面からみれば、表面保護層
は４配位構造の窒化ホウ素を含有す非晶質材料で
構成されたものが好ましいこととなる。 ところで、電子写真法を用いた画像形成は、光
受容部材のコロナ帯電、画像露光、トナーによる
現像、紙への転写、及び光受容部材のクリーニン
グ等の工程から成つており、これらの各プロセス
において、光受容部材の表面は、異つた材質の部
材と接触する。その結果、紙上へ転写形成される
画像の品質は、各プロセスで用いられる部材と光
受容部材表面との接触の良し悪しによつて大きく
左右されることなる。例えばひとつの例として、
ブレードによるクリーニング工程を考えた場合、
光受容部材表面が硬すぎると、ブレードの摩耗が
早くなり、クリーニング不良をおこしやすくな
る。また、ブレードの寿命が短くなるために、複
写機の維持費が高くなる。逆に、光受容部材表面
が柔かすぎると、光受容部材表面は、ブレードに
よつて削られやすくなり、形成される画像は画像
欠陥が多くなり、さらに、光受容部材の寿命が短
くなるために、複写機の維持費が高くなる。 このように、光受容部材の表面硬度は、種々の
プロセスにおいて接触する種々の部材の硬度との
バランスを考慮して決定する必要があり、前述の
ごとき非常に硬い４配位構造の窒化ホウ素を光受
容部材の表面保護層として用いた場合には、電子
写真法による画像形成の各プロセスの部材の夫々
に、より一層の改良が要求されることなる。 本発明者は、こうした知見に基づいて更に研究
を重ねたところ、４配位構造の窒化ホウ素と３配
位構造の窒化ホウ素とを混在せしめた非単結晶材
料を表面保護層として用いた場合には、各々のプ
ロセスに用いられる各種の部材とのバランスがと
れた表面硬度を有する電子写真用光受容部材を得
ることができることが判明した。 本発明は、該知見に基づいて完成せしめたもの
であつて、その骨子とするところは、支持体と、
該支持体上に、シリコン原子を母体とし、水素原
子又は、ハロゲン原子のうちの少なくともいずれ
か一方を含有するアモルフアス材料で構成された
光導電層と、表面保護層とを少なくとも有する光
受容層とからなる光受容部材において、前記表面
保護層が、４配位構造の窒化ホウ素と３配位構造
の窒化ホウ素とを混在して含有する多結晶材料を
包含する非単結晶質材料で構成されている光受容
部材にある。 本発明により提供される光受容部材は、その表
面保護層に特徴を有するものであるところ、支持
体はもとより、光導電層を始めとする他の構成層
は用途目的に応じて任意に選択することができ
る。したがつて以下に本発明の光受容部材につい
てその層構成の典型例を、電子写真用のものにす
る場合について説明するが本発明の光受容部材は
これにより限定されるものではない。 第１Ａ乃至図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的
に示す図である。 第１Ａ図に示す例は、支持体１０１上に、光導
電層１０２及び表面保護層１０３をこの順に設け
たものであり、表面保護層１０３は自由表面１０
７を有している。 第１Ｂ図に示す例は、支持体上１０１に、電荷
注入阻止層１０４、光導電層１０２及び表面保護
層１０３をこの順に設けたものである。 第１Ｃ図に示す例は、支持体上１０１に、長波
長光吸収層１０５、光導電層１０２及び表面保護
層１０３をこの順に設けたものである。 第１Ｄ図に示す例は、支持体上１０１に、密着
層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３
をこの順に設けたものである。 第１Ｅ図に示す例は、電荷注入阻止層１０４、
密着層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１
０３をこの順に設けたものであり、第１Ｆに示す
例は、長波長光吸収層１０５、密着層１０６、光
導電層１０２及び表面保護層１０３をこの順に設
けたものである。 第１Ｇ図に示す例は、支持体上１０１に、長波
長光吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導
電層１０２及び表面保護層１０３をこの順に設け
たものであり、該例においては長波長光吸収層１
０５、及び電荷注入阻止層１０４の順序を入れか
えることもできる。 第１Ｈ図に示す例は、支持体上１０１に、長波
長光吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、密着
層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３
をこの順に設けたものである。 第１Ｉ図に示す例は、支持体上１０１に、電荷
注入阻止層１０４、光導電層１０２、中間層１０
８及び表面保護層１０３をこの順に設けたもので
ある。 本発明の光受容部材に用いる支持体１０１は、
導電性のものであつても、また電気絶縁性のもの
であつてもよい。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pb等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が挙げられる。これ等の電気絶縁支持
体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。 例えばガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、InO3、ITO（In2o3＋Sn）等から成る薄膜を
設けることによつて導電性を付与し、或いはポリ
エステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、
Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Tl、Pt等の金属の薄膜
を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性を付与す
る。支持体の形状は平滑表面或いは凹凸表面の板
状無端ベルト状又は円筒状等であることができ、
その厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる
用に適宜決定するが、光受容部材としての可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内で可能な限り薄くすることが
できる。しかしながら、支持体の製造上及び取り
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 第１Ｂ図に示す本発明の光受容部材において、
支持体１０１と光導電層１０２の間に設けられる
電荷注入阻止層１０４は、光導電層１０２が帯電
処理を受けた際に支持体側から光導電層１０２中
に電子が注入されることを阻止するために設けら
れる層であり、該電荷注入阻止層１０４は、水
素、又は多結晶シリコン（以後、「poly−Si（Ｈ，
Ｘ）」と呼称する。）、あるいは、両者を含むいわ
ゆる非単結晶シリコン（以後、「Non−Si（Ｈ，
Ｘ）」と呼称する。）〔なお、微結晶質シリコンと
通称されるものはａ−Siに分類される。〕に、周
期律表第族に属する原子（以後、単に「第族
原子」と称す。）または周期律表第族に属する
原子（以後、単に「第族原子」と称す。）を含
有せしめたもので構成されている。 該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第族
原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Al（アル
ミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、Tl
（タリウム）等を用いることができるが、特に好
ましいものは、Ｂ、Gaである。また第族原子
としては、具体的には、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb
（アンチモン）、Bi（ビスマス）等を用いることが
できるが、特に好ましいものはＰ、Asである。
そして電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第
族原子又は第族原子の量は３〜５×104atomic
ppm、好ましくは50〜１×104atomic ppm、１
×102〜５×103atomic ppmとすることが望まし
い。 又、電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるハ
ロゲン原子又は水素原子の量は、１×103〜７×
105atomic ppmとし、特にpoly−Si（Ｈ，Ｘ）で
構成される場合には好ましくは１×103〜２×
105atomic ppmとし、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる場合には１×104〜６×105atomic ppmとす
ることが望ましい。更に、本発明の光受容部材の
電荷注入阻止層１０４の層厚は0.03〜15μ、好ま
しくは0.04〜10μ、最適には0.05〜8μとするのが
望ましい。 第１Ｃ図に示す本発明の光受容部材において、
支持体１０１と光導電層１０２との間に設けられ
る長波長光吸収層１０５は、ゲルニウム原子
（Ge）又はスズ原子（Sn）のうちの少なくとも一
方を含有するNon−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される層
であり、露光光源としてレーザー光等の長波長光
を用いた際に、光導電層１０２において吸収しき
れなかつた長波長光を長波長光吸収層１０５が効
率的に吸収することにより、支持体１０１表面で
の長波長光の反射による干渉現象の現出を顕著に
防止する機能を有するものである。そして該長波
長光吸収層１０５中に含有せしめるGe原子の量
又はSn原子の量あるいはそれらの和は、１〜
106atomic ppm、好ましくは１×102〜９×
105atomic ppm、より好ましくは５×102〜８×
105atomic ppmとすることが望ましい。また長
波長光吸収層１０５中に含有せしめる水素原子又
はハロゲン原子の量は、好ましくは１×103〜３
×105atomic ppmとすることが望ましく、特に
poly−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは
１×103〜２×105atomic ppmとし、ａ−Si（Ge，
Sn）（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは１×104〜６×
105atomic ppmとすることが望ましい。 更に本発明の光受容部材における長波長光吸収
層１０５の層厚は、0.05〜25μ、好ましくは0.07
〜20μ、最適には0.1〜15μとするのが望ましい。 第１Ｄ図に示す本発明の光受容部材において、
支持体１０１と光導電層１０２との間に設けられ
る密着層１０６は、支持体１０１と光導電層１０
２との密着性を改善せしめる機能を奏する層であ
つて、酸素原子、炭素原子および窒素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種を含有するNon−Si
（Ｈ，Ｘ）（以後、「Non−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）で構成されている。そして該
密着層１０６中に含有せしめる酸素原子炭素原
子、窒素原子の量、又はそれらの中の少なくとも
２つ以上の和は、100〜９×105atomic ppm好ま
しくは100〜４×105atomic ppmとすることが望
ましい。また、該密着層１０６中に含有せしめる
水素原子又はハロゲン原子の量あるいはそれらの
和は好ましくは10〜７×105atomic ppmとし、
特にpoly−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）の場合には
10〜２×105atomic ppm、ａ−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）
（Ｈ，Ｘ）の場合には１×103〜７×105atomic
ppmとすることが望ましい。 ところで、本発明の光受容部材における電荷注
入阻止層１０４、長波長光吸収層１０５及び密着
層１０６は、これらを組み合わせて用いることが
可能であり、その典型的な例を示したものが第１
Ｅ図乃至Ｈ図である。 更に、本発明の光受容部材においては、電荷注
入阻止層１０４又は長波長光吸収層１０５中に酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種を含有せしめることにより、これ
らの層に密着層としての機能を兼ねそなえさせる
ことも可能であり、また、長波長光吸収層１０５
中に第族原子又は第族原子を含有せしめる
か、あるいは電荷注入阻止層１０４中にゲルマニ
ウム原子又はスズ原子を含有せしめることによ
り、これら両層の機能を兼ねそなえた層とするこ
とができる。 ところで、本発明の光受容部材における電荷注
入阻止層１０４、長波長光吸収層１０５及び密着
層１０６は、Non−Si（Ｈ、Ｘ）を母体とする材
料で構成されているが、poly−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するについては種々の方法があ
り、例えば次のような方法があげられる。 その１つの方法は、基体温度を高温、具体的に
は400〜450℃に設定し、該基体上にプラズマ
CVD法により膜を堆積せしめる方法である。 他の方法は、基体表面に先ずアモルフアス状の
膜を形成、即ち、基体温度を約250℃にした基体
上にプラズマCVD法により膜を形成し、該アモ
ルフアス状の膜をアニーリング処理することによ
りpoly化する方法である。該アリーニング処理
は、基体を400〜450℃に約20分間加熱するか、あ
るいは、レーザー光を約20分間照射することによ
り行なわれる。 本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−
Si（Ｈ，Ｘ）またはａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）で
構成され、光導伝性を有する層であつて、該層に
はさらに、第族原子又は第族原子又は／及び
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれ
る少なくとも一種を含有せしめることができる。 光導電層１０２中に含有せしめるハロゲン原子
(X)としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素が挙げられ、特にフツ素、塩素を好適なもの
として挙げることができる。そして光導電層１０
２中に含有せしめる水素原子(H)の量又はハロゲン
原子(X)の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜40atomic
％、より好ましは５〜30atomic％とするのが望
ましい。また、光導電層１０２中に第族原子原
子又は第族原子を含有せしめる目的は、光導電
層１０２の伝導性を制御することにある。このよ
うな第族原子及び第族原子としては、前述の
電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるものと同
様のものを用いることができるが、光導電層１０
２に含有せしめる場合には、電荷注入阻止層１０
４に含有せしめたものとは逆の極性のものを含有
せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４に含
有せしめたものと同極性のものを該層１０４に含
有される量より一段と少ない量にして含有せしめ
ることができる。 光導電層１０２中に含有せしめる第族原子又
は第族原子の量は、好ましくは１×10-3〜１×
103atomic ppm、より好ましくは５×10-2〜５×
102atomic ppm、最適には１×10-1〜２×
102atomic ppmとすることが望ましい。 また光導電層１０２中に、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめる目的は、光導電層１０２の高暗抵抗
化をはかるとともに、光導電層１０２の膜品質を
向上せしめることにある。そして、光導電層１０
２に含有せしめるこうした原子の量は、好ましく
は１×10-3〜50atomic％、より好ましくは２×
10-3〜40atomic％、最適には３×10-3atomic％
とするのが望ましい。 更に、光導電層１０２中に、ゲルマニウム原子
（Ge）又はスズ原子（Sn）のうちの少なくとも一
方を含有せしめることができるが、こうした原子
を含有せしめる目的は、レーザー光などの長波長
光に対する感度を向上せしめることにあり、この
場合、光導電層１０２中に含有せしめるこれらの
原子の量は、好ましくは１〜9.5×105atomic
ppmとするのが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、光導電層
の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには
重要な要因の１つであつて、光受容部材に所望の
特性が与えられるように、光受容部材の設計の際
には充分な注意を払う必要があり、通常は１〜
100μとするが、好ましくは３〜80μ、最適には５
〜50μとする。 本発明の光受容部材において特徴とするところ
の表面保護層１０３は、前述の光導電層１０２上
に位置して設けられ、自由表面１０７を有するも
のである。そして該表面保護層１０３は、光受容
部材に要求される諸特性、即ち、耐湿計、連続繰
り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、
および耐久性等を向上せしめると共に、光受容層
が帯電処理を受けた際に、自由表面１０７側から
光導電層１０２中に電荷を注入されるのを阻止す
る機能を奏するものである。 かくなる本発明の光受容部材の表面保護層１０
３は、４配位構造の窒化ホウ素と３配位構造の窒
化ホウ素とを混在して含有する非単結晶質材料
〔以後、「Non−BN」と表記する。〕、即ち多結晶
質材料〔以後「poly−BN」と表記する。〕又は
アモルフアス材料〔「ａ−BN」と表記する。〕と
poly−BNとの混合物で構成されるものであり、
更に、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なく
とも一方を含有せしめることもできる〔以後、
「Non−BN（Ｈ，Ｘ）」と表記する。〕 該表面保護層１０３を構成する各原子の割合に
ついては、Non7BN（Ｈ，Ｘ）の組成比を （BxN1-x）1-y（Ｈ，Ｘ）y で表わすと、次の条件を満足していることが望ま
しい。 ｘについて； 0.1≦ｘ≦0.9、好ましくは0.2≦ｘ≦0.8 最適には0.3≦ｘ≦0.7 ｙについて； 0.004≦ｙ≦0.4、好ましくは0.005≦ｙ≦0.3、
最適には0.01≦ｙ≦0.2 本発明の光受容部材においては、表面保護層１
０３の層厚も本発明の目的を効率的に達成するた
めに重要な要因の１つであり、所望の目的に応じ
て適宜決定されるものであるが、表面保護層に含
有せしめる構成原子の量、あるいは表面保護層に
要求される特性に応じて相互的かつ有機的関連性
の下に決定する必要がある。更に生産性や量産性
も加味した経済性の点においても考慮する必要も
ある。 こうしたことから、本発明の光受容部材の表面
保護層１０３の層厚は、好ましくは0.003〜30μ、
より好ましくは0.004〜20μ、最適には0.005〜10μ
である。 更に本発明の光受容部材においては、前述の表
面保護層１０３と光導電層１０２との間に中間層
１０８を形成せしめてもよい。該中間層１０８
は、炭素原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）又は
poly−Si（Ｈ，Ｘ）で構成されており、該中間層
１０８中に含有せしめる炭素原子の量は、好まし
くは20〜90atomic％、より好ましくは30〜
85atomic％、最適には40〜80atomic％とするこ
とが望ましい。また該中間層１０８中に含有せし
める水素原子(H)の量、ハロゲン原子(X)の量、及び
水素原子＋ハロゲン原子（Ｈ＋Ｘ）の量は、好ま
しくは１〜70atomic％、より好ましくは２〜
65atomic％、最適には５〜60atomic％とするの
が望ましい。さらに該中間層１０８の層厚は、好
ましくは0.003〜30μｍ、より好ましくは0.004〜
20μｍ、最適には0.005〜10μｍとするのが望まし
い。 次に、本発明の光受容部材の構成層の形成方法
について説明する。 本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、
いずれもグロー放電法（低周波CVD、高周波
CVD又はマイクロ波CVD等の交流放電CVD、あ
るいは直流放電CVD等）、スパツタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーテイング法、光CVD法、
熱CVD法などの種々の薄膜堆積法によつて成形
することができる。これらの薄膜堆積法は、製造
条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作成
される光受容部材に所望される特性等の要因によ
つて適宜選択されて採用されるが、所望の特性を
有する光受容部材を製造するに当つての条件の制
御が比較的容易であり、シリコン原子と共にハロ
ゲン原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等
のことからして、グロー放電法或いはスパツタリ
ング法が好適である。そして、グ放電法とスパツ
タリング法とを同一装置系内で併用して形成して
もよい。 例えば、グロー放電法により、４配位構造と３
配位構造とが混在したNon−BN（Ｈ，Ｘ）で構
成される表面保護層を形成するには、基本的には
ホウ素原子(B)を供給し得るＢ供給用の原料ガス
と、窒素原子(N)を供給し得るＮ供給用の原料ガス
と、必要に応じて水素原子(H)導入用又は／及びハ
ロゲン原子(X)導入用の原料ガスとを、内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、Non−BN（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成する。 前記Ｂ供給用の原料ガスとしては、B2H6、
B4H10B5H9、B5H11、B6H12、BF3、BCl3等のガ
ス状態の又はガス化し得る化合物があげられる。 また、前記Ｎ供給用の原料用ガスとしては、
N2、NH3、NF3、NF2Cl、NFCl2、NCl3、
N2F2、N2F4、NH2Cl、NHF2、NH2F等のガス
状態の又はガス化し得る化合物があげられる。 また、スパツタリング法によつて４配位構造と
３配位構造とが混在したNon−BN（Ｈ，Ｘ）層
を形成するには、ターゲツトとしてBNターゲツ
トを用い、前記Ｎ供給用原料ガスをAr等の不活
性ガスと共に堆積室内に導入してプラズマ雰囲気
を形成し、前記BNターゲツトをスパツタリング
するか、ターゲツトとしてＢターゲツトを用い、
前記Ｎ供給用原料ガスを多量に導入してプラズマ
雰囲気を形成し、前記Ｂターゲツトとスパツタリ
ングすることによつて形成される。 また、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガス
と共に、水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン
原子(X)導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置した所定の支持体
表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。 前記Si供給用のガスとしては、SiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る
水素化珪素（シラン類）が挙げられ、特に、層形
成作業のし易さ、Si供給効率の良さ等の点で、
SiH4、Si2H6が好ましい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
ては、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化しうるハロゲン化合物が好まし
い。具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、BrF5、BrF3、
IF7、ICl、IBr等のハロゲン間化合物、および
SiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン硅素が
挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガス
状態の又はガス化しうるものを用いる場合には、
Si供給用の原料ガスを別途使用することなくし
て、ハロゲン原子を含有するａ−Siで構成された
層が形成できるので、特に有効である。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとして
は、水素ガス、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲ
ン化物、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素
化硅素、あるいはSiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3、等のハロゲン置換
水素化硅素等のガス状態の又はガス化しうるもの
を用いることができ、これらの原料ガスを用いた
場合には、電気的あるいは光電的特性の制御とい
う点で極めて有効であるところの水素原子(H)の含
有量の制御を容易に行うことができるため、有効
である。そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハ
ロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲン
原子の導入と同時に水素原子(H)も導入されるの
で、特に有効である。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合に
は、ハロゲン原子を導入するについては、前記の
ハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ばよい。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成する。 グロー放電法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコン原子（Si）
を供給しうるSi供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ge）を供給しうるGe供給用の原料ガス
と、水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を供給
しうる水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)供給
用の原料ガスを内部を減圧にしうる堆積室内に所
望のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放
電を生起せしめて、予め所定位置に設置してある
所定の支持体表面上に、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成する。 Si供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原
料ガス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりう
る物質としては、前述のａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成する場合に用いたものがそのまま
用いられる。 また、前記Ge供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、
Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等
のガス状態の又はガス化しうる水素化ゲルマニウ
ムを用いることができる。特に、層作成作業時の
取扱易さ、Ge供給効率の良さ等の点から、
GeH4、Ge2H6、およびGe3H8が好ましい。 スパツタリング法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成
るターゲツトと、ゲルマニウムから成るターゲツ
トとの二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウ
ムからなるターゲツトを用い、これ等を所望のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
なう。 イオンプレーテイング法を用いてａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する場合には、
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多
結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを
夫々蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発
源を抵抗加熱法あるいはエレクトロンビーム法
（E.B.法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せしめること
で行ない得る。 スパツタリング法およびイオンプレーテイング
法のいずれの場合にも、形成する層中にハロゲン
原子を含有せしめるには、前述のハロゲン化物又
はハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成すれ
ばよい。又、水素原子を導入する場合には、水素
原子供給用の原料ガス、例えばH2あるいは前記
した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパツタリング用の堆積室内に導
入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成す
ればよい。さらにハロゲン原子供給用の原料ガス
としては、前記のハロゲン化物或いはハロゲンを
含む硅素化合物が有効なものとして挙げられる
が、その他に、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲ
ン化水素、SiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、
SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
およびGeHF3、GeH2F2、GeH3F、GeHCl3、
GeH2Cl2、GeH3Cl、GeHBr3、GeH2Br2、
GeH3Br、GeHI3、GeH2I2、GeH3I等の水素化ハ
ロゲン化ゲルマニウム等、GeF4、GeCl4、
GeBr4、GeI4、GeF2、GeCl2、GeBr2、GeI2等の
ハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の又はガ
ス化しうる物質も有効な出発物質として使用でき
る。 グロー放電法、スパツタリング法あるいはイオ
ンプレーテイング法を用いて、スズ原子を含有す
るアモルフアスシリコン（以下、「ａ−SiSn（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）で構成される光受容層を形成
するには、上述のａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層の形成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出
発物質を、すず原子（Sn）供給用の出発物質に
かえて使用し、形成する層中へのその量を制御し
ながら含有せしめることによつて行なう。 前記スズ原子（Sn）供給用の原料ガスとなり
うる物質としては、水素化スズ（SnH4）や
SnF2、SnF4、SnCl2、SnCl4、SnBr2、SnBr4、
SnI2、SnI4等のハロゲン化スズ等のガス状態の又
はガス化しうるものを用いることができ、ハロゲ
ン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ−Siで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。なか
でも、層作成作業時の取り扱い易さ、Sn供給効
率の良さ等の点から、SnCl4が好ましい。 そして、SnCl4をスズ原子（Sn）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、
固体状のSnCl4を加熱するとともに、Ar、He等
の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いて
バブリングするのが望ましく、こうして生成した
ガスを、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス
圧状態で導入する。 グロー放電法、スパツタリング法、あるいはイ
オンプレーテイング法を用いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
に第族原子又は第族原子、窒素原子、酸素原
子あるいは炭素原子を含有せしめた非晶質材料で
構成された層を形成するには、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
の層の形成の際に、第族原子又は第族原子導
入用の出発物質、酸素原子導入用の出発物質、窒
素原子導入用の出発物質、あるいは炭素原子導入
用の出発物質を、前述したａ−Si（Ｈ，Ｘ）形成
用の出発物質と共に使用して、形成する層中への
それらの量を制御しながら含有せしめてやること
によつて行なう。 例えば、グロー放電法を用いて、原子（Ｏ、
Ｃ、Ｎ）を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層を形成するには、前述のａ−Si（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成する際に、原子（Ｏ、Ｃ、
Ｎ）導入用の出発物質をａ−Si（Ｈ，Ｘ）形成用
の出発物質とともに使用して形成する層中へのそ
れらの量を制御しながら含有せしめることによつ
て行なう。 このような原子（Ｏ、Ｃ、Ｎ）導入用の出発物
質としては、少なくとも原子（Ｏ、Ｃ、Ｎ）を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
であれば、ほとんどのものが使用できる。 具体的には酸素原子(O)導入用の出発物質とし
て、例えば、酸素（O2）、オゾン（O3）、一酸化
窒素（NO）、一二酸化窒素（N2O）、三二酸化窒
素（N2O3）、四二酸化窒素（N2O4）、五二酸化窒
素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）、シリコン原子
（Si）と酸素原子(O)と水素原子(H)とを構成原子と
する例えばジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシ
ロキサン（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキ
サン等が挙げられ、炭素原子(C)導入用の出発物質
としては、例えば、メタン（CH4）、エタン
（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−
C4H10）、ペンタン（C5H12）等の炭素数１〜５の
飽和炭化水素、エチレン（C2H4）、プロピレン
（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテン−２
（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等の、炭素数２〜４の
アセチレン系炭化水素が挙げられ、窒素原子(N)導
入用の出発物質としては、例えば、窒素（N2）、
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、
アジ化水素（HN3）、アジ化アンモニウム
（NH4N3）、三弗化窒素（F3N）、四三弗化窒素
（F4N）が挙げられる。 例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成
するのにグロー放電法を用いる場合には、前記し
た光受容部材層形成用の出発物質の中から所望に
従つて選択されたものに酸素原子導入用の出発物
質が加えられる。その様な酸素原子導入用の出発
物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であれば
ほとんどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子(O)を構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子(P)又は／及びハロゲン
原子(X)を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子(O)
及び水素原子(H)を構成原子とする原料ガスとを、
これも又所望の混合比で混合するか、或いは、シ
リコン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、
シリコン原子（Si）、酸素原子(O)及び水素原子
（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子(O)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸
化窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸
化窒素（N2O4）五二酸化窒素（N2O5）、三酸化
窒素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子(O)
と水素原子(H)とを構成原子とする例えばジシロキ
サン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等が挙
げられ、挙げることができる。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層または層領域を形成するには、単結晶又はSi
ウエーハ又はSiO2ウエーハ、又はSiとSiO2が混
合されて含有されているウエーハをターゲツトと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタリ
ングすることによつて行なえばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
れば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを必要に
応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Siウエーハをスパツタリングすればよ
い。 又、別にはSiとSiO2とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲツ
トとを使用することによつて、スパツター用のと
しての希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素
原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツタリングす
ることによつて形成できる。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、前述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。 また、例えば炭素原子を含有するアモルフアス
シリコンで構成される層をグロー放電法により形
成するには、シリコン原子（Si）を構成原子とす
る原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガ
スとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
シリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原
子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合して使用するか、或いはシリコン原子（Si）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子
（Si）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスを混合するか、更にまた、シ
リコン原子、水素原子を構成原子とする原料ガス
を混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるの
は、SiとＨとを構成原子とするSiH4、Si2H6、
Si3H8Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化
珪素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭
素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。 具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メ
タン（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン
（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン
（C5H12）、エチレン系炭化水素としては、エチレ
ン（C2H6）、プロピレン（C3H6）、ブテン−１
（C4H8）、ブテン−２（C4H8）、イソブチレン
（C4H8）、ペンテン（C5H10）アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（C2H2）、メチルアセ
チレン（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられ
る。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も使用できる。 スパツタリング法によつてａ−SiC（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、単結晶又は多結
晶のSiウエーハ又はＣ（グラフアイト）ウエーハ、
又はSiとＣが混合されているウエーハをターゲツ
トとして、これ等を所望のガス雰囲気中でスパツ
タリングすることによつて行なう。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
る場合には、炭素原子、および水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じてAr、He等の希釈ガスで希釈して、スパ
ツタリング用の堆積室内に導入し、これ等のガス
のガスプラズマを形成して前記Siウエーハをスパ
ツタリングすればよい。 又、別にはSiとＣは別々のターゲツトとする
か、あるいはSiとＣの混合した一枚のターゲツト
ととして使用する場合には、スパツタリング用の
ガスとして水素原子又は／及びハロゲン原子導入
用の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスで希釈し
て、スパツタリング用の堆積室内に導入し、ガス
プラズマを形成してスパツタリングすればよい。
該スパツタリング法に用いる各原子の導入用の原
料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原
料ガスがそのまま使用できる。 例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成
するのにグロー放電法を用いる場合には、前記し
た光受容層形成用の出発物質の中から所望に従つ
て選択されたものに窒素原子導入用の出発物質を
加える。その様な窒素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質であればほとんど
のものが使用できる。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子(N)を構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子(H)又は／及びハロゲン
原子(X)を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、窒素原子(N)
及び水素原子(H)を構成原子と原料ガスとを、これ
も又所望の混合比で混合するかして使用すること
ができる。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子(N)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 窒素原子を含有する層または層領域を形成する
際に使用する窒素元素(N)導入用の原料ガスとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とす
るか或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素
（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）アジ化水素（HN3）、アジ化アンモ
ニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化ホウ素物及びアジ化物等の窒素化合
物を挙げることができる。この他に、窒素原子の
導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行なえると
いう点から、三弗化窒素（F3N）、四三弗化窒素
（F4N）等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる。 スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層または層領域を形成するには、単結晶又はSi
ウエーハ又は多結晶のSiウエーハ、又はSi3N4ウ
エーハ、又はSiとはSi3N4が混合されて含有され
ているウエーハをターゲツトとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパツタリングすることに
よつて行なえばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
れば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハをスパツタリングすれば
よい。 又、別にはSiとSi3N4とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSi3N4の混合した一枚のターゲツ
トを使用することによつて、スパツター用のガス
としての希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水
素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を構成原子と
して含有するガス雰囲気中でスパツタリングする
ことによつて形成できる。酸素原子導入用の原料
ガスとしては、先述したグロー放電の例で示した
原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガスが、ス
パツタリングの場合にも有効なガスとして使用で
きる。 また、グロー放電法、スパツタリング法、ある
いはイオンプレーテイング法を用いて、第族原
子又は第族原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）で
構成される層の形成の際に、第族原子又は第
族原子導入用の出発物質を、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）形
成用の出発物質と共に使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめてやるこ
とによつて行なう。 第族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、B2H6、B4H10、
B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等の水素
化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、AlCl3、GaCl3、Ga
（CH3）2、InCl3、TlCl3等も挙げることができる。 第族原子導入用と出発物質として具体的には
燐原子導入用としてはPH3、P2H6等の水素化燐
PH4I、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、
PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、
AsH3、AsF3、AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、
SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、
BiBr5等も第族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることができる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光
受容層は、グロー放電法、スパツタリング法等を
用いて形成するが、光受容層に含有せしめるゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子、第族原子又
は第族原子、酸素原子、炭素原子又は、窒素原
子、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の
各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する、
各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御
することにより行なわれる。 また、光導電層および表面保護層等の各構成層
形成時の支持体温度、堆積室内のガス、放電パワ
ー等の条件は、所望の特性を有する光受容部材を
得るためには重要な要因であり、形成する層の機
能に考慮をはらつて適宜選択されるものである。
さらに、これらの層形成条件は、光導電層および
表面保護層等の各構成層に含有せしめる上記の各
原子の種類及び量によつても異なることもあるこ
とから、含有せしめる原子の種類あるいはその量
等にも考慮をはらつて決定する必要もある。 具体的には、４配位構造と３配位構造とが混在
したNon−BN（Ｎ，Ｘ）からなる表面保護層を
高周波（13.56MHz）プラズマCVD法により形成
する場合、堆積室内のガス圧は、通常10-2〜
10Torrとするが、より好ましくは５×102〜
2Torr、最適には0.1〜1Torrとする。また、支持
体温度は、通常50〜700℃とするが、特にNon−
BN（Ｎ，Ｘ）層とする場合には50〜400℃、poly
−BN（Ｈ，Ｘ）層とする場合には200〜700℃と
する。更に放電パワーは通常0.01〜5W／cm2、よ
り好ましくは0.02〜2W／cm2とする。更にまた、
Ｂ供給用原料ガス、Ｎ供給用原料ガス及びArガ
スのガス流量比は、Ｂ／Ｎが１／100〜５／１、
より好ましくは１／80〜４／１となるようにし、
Ar／Ｂ＋Ｎが１／１〜０となるようにする。 また、４配位構造と３配位構造とが混在した
Non−BN（Ｈ，Ｘ）からなる表面保護層をマイ
クロ波（2.45GHz）プラズマCVD法により形成す
る場合、堆積室内のガス圧は通常10-4〜2Torr、
より好ましくは５×10-4〜1.0Torr、最適には５
×10-4〜0.7Torrとし、放電パワーは通常0.1〜
50W／cm2、より好ましくは0.2〜30W／cm2とする。
支持体温度及び各原料ガスのガス流量比は、いず
れも前述の高周波プラズマCVD法による場合と
同じである。 更に、４配位構造と３配位構造とが混在した
Non−BN（Ｈ，Ｘ）からなる表面保護層をスパ
ツタリング法により形成する場合、堆積室内のガ
ス圧は通常10-4〜1Torr、より好ましくは５×
10-4〜0.7Torr、とし、放電パワーは0.01〜
10W／cm2、より好ましくは0.05〜8W／cm2とする。
支持体温度は前述の高周波プラズマCVD法によ
る場合と同じである。 また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有
せしめたａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層をグロー放
電法により形成する場合、支持体温度は、通常50
〜350℃とするが、特に好ましくは50〜250℃とす
る。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Torrとする
が、特に好ましくは0.1〜0.5Torrとする。放電パ
ワーは0.005〜50W／cm2とするのが通常であるが、
より好ましくは0.01〜30W／cm2５する。特に好ま
しくは0.01〜20W／cm2とする。 ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）層をグロー放電法により形
成する場合、あるいは第族原子又は第族原子
を含有せしめたａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成する場合については、支持体温度、通常50〜
350℃とするが、より好ましくは50〜300℃とする
が、特に好ましくは100〜300℃とする。そして堆
積室内のガス圧は通常0.01〜5Torrとするが、好
ましくは0.001〜3Torrとし、特に好ましくは0.01
〜1Torrとする。また、放電パワーは0.005〜
50W／cm2とするのが通常であるが、好ましくは
0.01〜30W／cm2とする。特に好ましくは0.01〜
20W／cm2とする。 しかし、これらの、層形成を行なうについての
支持体温度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具
体的条件は、通常には個々に独立しては容易には
決め難いものである。したがつて、所望の特性の
非晶質材料層を形成すべく、相互的且つ有機的関
連性に基づいて、層形成の至適条件を決めるのが
望ましい。 次に、グロー放電分解法によつて形成される光
受容部材の製造方法について説明する。 第２図にグロー放電分解法による電子写真用光
受容部材の製造装置を示す。 図中の２０２，２０３，２０４，２０５，２０
６、のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成
するための原料ガスが密封されており、その１例
として、たとえば、２０２はSiH4ガス（純度
99.999％）ボンベ、２０３はH2で希釈された
B2H6ガス（純度99.999％、以下B2H6／H2と略
す）ボンベ、２０４はNOガス（純度99.5％）ボ
ンベ、２０５はHeで希釈されたB2H6ガス（純度
99.999％、以下B2H6／Heと略す）ボンベ、２０
６はNH3ガス（純度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２０２〜２０６のバルブ、リークバル
ブ２３５が閉じられていることを確認し、又、流
入バルブ２１２〜２１６、流出バルブ２１７〜２
２１、補助バルブ２３２〜２３３が開かれている
ことを確認して先ずメインバルブ２３４を開いて
反応室２０１、ガス配管内を排気する。次に真空
計２３６の読みが約５×10-6Torrになつた時点
で、補助バルブ２３２〜２３３、流出バルブ２１
７〜２２１を閉じる。 基体シリンダー２３７上に第１の層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２０２より
SiH4ガス、ガスボンベ、２０３よりB2H6／H2ガ
ス、ガスボンベ、２０４よりNOガス、バルブ２
２２，２２３，２２４を開いて出口圧ゲージ２２
７，２２８，２２９の圧を１Kg／cm2に調節し、流
入バルブ２１２，２１３，２１４を徐々に開け
て、マスフロコントローラ２０７，２０８，２０
９内に流入させる。引続いて流出バルブ２１７，
２１８，２１９、補助バルブ２３２を徐々に開い
て夫々のガス反応室に流入させる。このときの
SiH4ガス流量、B2H6／H2ガス量流、NOガス流
量の比が所望の値になるように流出バルブ２１
７，２１８，２１９を調節し、又、反応室内の圧
力が所望の値になるように真空計２３６の読みを
見ながらメインバル２３４の開口を調整する。そ
して基体シリダー２３７の温度が加熱ヒーター２
３８により50〜350℃の温度に設定されているこ
とを確認された後、電源２４０を所望の電力に設
定して反応室２０１内にグロー放電を生起させ基
体シリンダー上に第１の層を形成する。 第１の層にハロゲン原子を含有させる場合に
は、上記のガスに例えばSiF4ガスを更に付加して
反応室２０１に送り込む。 各層を形成する際ガス種の選択によつては、層
形成速度を更に高めることが出来る。例えば
SiH4ガスの代りにSi2H6ガスを用いて層形成を行
なえば数倍高めることが出来、生産性が向上す
る。 上記の様にして作成された第１の層上に第２の
層を形成するには、流出バルブ２１７〜２２１を
閉じ、補助バルブ２３２〜２３３を開いてメイン
バルブ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気
したのち、第１の層の形成の際と同様なバルブ操
作によつてB2H6／H2ガス、NH3ガスを所望の流
量比で反応室２０２中に流し、所望の条件に従つ
てグロー放電を生起させることによつて成され
る。 第２の層中に含有される水素原子の量を変化さ
せる場合には、上記のガスに例えばH2ガスを付
加して、H2ガスの反応室１０１内に導入される
流量を所望に従つて任意に変えることによつて所
望に応じて制御することができる。 第２の層にハロゲン原子を含有される場合に
は、上記のガスに例えばNF3ガスを更に付加して
反応室２０１内に送り込む。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
は全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の
層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反
応室２０１内、流出バルブ２１７〜２２１から反
応室２０１内に至る配管内に残留することを避け
るために、流出バルブ２１７〜２２１を閉じ補助
バルブ２３２〜２３３を開いてメインバルブ２３
４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行なう。 又、層形成を行なつている間は層形成の均一化
を計るため基体シリンダー２３７は、モータ２３
９によつて所望される速度で一定に回転させる。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらによつて限定されるもので
はない。 実施例 １ 第２図の製造装置を用い、第１表の作成条件に
従つて鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電
子写真用光受容部材を形成した。 又、別途、第２図と同型の装置を用い、シリン
ダー上のサンプルホルダーにアルミ製基板及び単
結晶Siウエハーを設置し、同一仕様の表面層のみ
を形成したものを別個に用意した。 光受容部材（以後ドラムと表現）の方は、電子
写真装置をセツトして、種々の条件のもとに、初
期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特
性をチエツクし、又、150万枚実機耐久後の帯電
能低下、表面削れ、画像欠陥の増加等を調べた。
更に、クリーナーブレードを意識的に、摺擦エツ
ジ部分が摩耗したものと取り換え、白ベタ画像上
に生じる地カブリの度合によりクリーニング性の
優劣の比較も行つた。また更に、35℃、85％の高
温、高湿雰囲気中でのドラムの画像流れについて
も評価した。 また、ドラムに直流高圧電圧を加えることによ
り絶縁耐圧を調べた。さらに、先端が球形の針に
一定の荷重をかけて、ドラム表面にキズをつける
ことにより、耐キズ性を調べた。上記の評価結果
を第２表に示す。 第２表に見られる様に、主項目について良好な
結果が得られた。特に、画像欠陥、画像流れ、ク
リーニング性（地カブリの度合）に関しては優位
性が認められた。 アルミ基板上と単結晶Siウエーハ上に成膜した
表面層のみの方（以後サンプルと表現）を、それ
ぞれEXAFSとIRにより配位数を調べたところ、
４配位と３配位の混在したものであることがわか
つた。又、IR測定の終了したSiウエーハサンプ
ルの方は、ダイヤモンド針で碁盤目状に□／mmの
キズを付け、粘着テープによる剥離テストを行
い、残留応力の大小の目安とした。 実施例 ２ 表面層の原料ガスにH2ガスを付加して第３表
に示す作成条件で、実施例１と同様に、ドラム及
びサンプルを作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第４表に示す。 第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 又、サンプルの測定の結果、４配位と３配位の
混在したものであることがわかつた。 実施例 ３ 表面層の作成時に、シリンダーのバイアス電圧
が＋100Vになるようにして第１表に示す作成条
件で、実施例１と同様に、ドラム及びサンプルを
作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第５表に示す。 第５表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 又、サンプルの測定の結果、４配位３配位の混
在したものであることがわかつた。 実施例 ４ 電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ
第６表に示す作成条件で実施例１と同様にドラム
を作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第７表に示す。 第７表にみられる様に実施例１と同様の特性が
得られた。 実施例 ５ アルミシリンダーに陽極酸化処理を行つて、シ
リンダー表面に酸化アルミニウム層（Al2O3）を
作成して、これを、電荷注入阻止層とし、この層
の上に光導電層と表面層をそれぞれ第８表に示す
作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し、同
様の評価を行つた。 その結果を第９表に示す。 第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 ６ 長波長光吸収層（以下「IR吸収層」と称す。）、
光導電層、表面層をそれぞれ、第10表に示す作成
条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、同様
の評価を行つた。 さらに785nｍの波長を有する半導体レーザー
を画像露光の光源に用いる電子写真装置にドラム
をセツトして、画像上に干渉縞が現われるかチエ
ツクした。 その結果を第11表に示す。 第11表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られ干渉縞も表われなかつた。 実施例 ７ 密着性、光導電層、表面層をそれぞれ、第12表
に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを作
成し、同様の評価を行つた。 その結果を第13表に示す。 第13表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 ８ IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を、それぞれ、第14表に示す作成条件で実施例
１と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評
価を行つた。 その結果を第15表に示す。 第15表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 ９ 密着層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を
それぞれ、第16表に示す作成条件で実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第17表に示す。 第17表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 10 密着層、IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電
層、表面層を、それぞれ、第18表に示す作成条件
で、実施例１と同様にドラムを作成し、実施例６
と同様の評価を行つた。 その結果を第19表に示す。 第19表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 11 光導電層の作成条件を第20表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて、
複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例１と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 12 光導電層の作成条件を第21表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例２と同様の条件にて、
複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例２と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 13 光導電層の作成条件を第22表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例３と同様の条件にて、
複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例３と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 14 電荷注入阻止層の作成条件を第23表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件
にて、複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 15 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第25表に示
す数種の条件に変え、それ以外は実施例４と同様
の条件にて、第26表に示す複数のドラムを用意し
た。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 16 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28表
に示す条件にて、第29表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 17 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30表
に示す条件にて、第31表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 18 光導電層の作成条件を第25表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例５と同様の条件にて、
第32表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例５と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 19 表面層の作成条件を第28表に示す条件に変え、
光導電層の作成条件を第27表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例５と同様の条件にて、第
33表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例５と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 20 表面層の作成条件を第30表に示す条件に変え、
光導電層の作成条件を第27表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例５と同様の条件にて、第
34表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例５と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 21 IR吸収層の作成条件を第35、36表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件
にて、第37表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 22 IR吸収層の作成条件を第35、38表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第25表に示
す数種の条件に変え、それ以外は実施例６と同様
の条件にて、第39表に示す複数のドラムを用意し
た。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 22 IR吸収層の作成条件を第35、38表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28表
に示す条件にて、第40表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 24 IR吸収層の作成条件を第35、38表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30表
に示す条件にて、第41表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 25 密着層の作成条件を第42表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第
43表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 26 密着層の作成条件を第44表に示す数種の条件に
変え、光導電層の作成条件を第25表に示す数種の
条件に変え、それ以外は実施例７と同様の条件に
て、第45表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 27 密着層の作成条件を第44表に示す数種の条件に
変え、光導電層の作成条件を第27表に示す数種の
条件に変え、条件にて、第46表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 28 密着層の作成条件を第44表に示す数種の条件に
変え、光導電層の作成条件を第27表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第30表に示す条
件にて、第47表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 29 IR吸収層の作成条件を第35、36表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件
にて、第48表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 30 電荷注入阻止層の作成条件を第49表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、それ以外は実施例８
と同様の条件にて、第50表に示す複数のドラムを
用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 31 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を
第28表に示す条件にて、第52表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 32 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を
第30表に示す条件にて、第53表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 33 密着層の作成条件を第44、54表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件に
て、第55表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 34 電荷注入阻止層の作成条件を第56表に示す数種
の条件に変え、密着層の作成条件を第44、57表に
示す数種の条件に変え、それ以外は実施例９と同
様の条件にて、第58表に示す複数のドラムを用意
した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 35 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、密着層の作成条件を第44、57表に
示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28
表に示す条件にて、第59表に示す複数のドラムを
用意した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 36 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、密着層の作成条件を第44、57表に
示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30
表に示す条件にて、第60表に示す複数のドラムを
用意した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 37 電荷注入阻止層の作成条件を第61表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例10と同様の条件
にて、第62表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 38 電荷注入阻止層の作成条件を第64表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を、第63表に
示す数種の条件に変え、それ以外は実施例10と同
様の条件にて、第65表に示す複数のドラムを用意
した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 39 電荷注入阻止層の作成条件を第64表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第66表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28表
に示す条件にて、第67表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 40 電荷注入阻止層の作成条件を第64表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第66表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30表
に示す条件にて、第68表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 41 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第69表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第70表に示す条件にて、第71表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 42 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第72表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第70表に示す条件にて、第73表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 43 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第69表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第28表に示す条件にて、第74表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 44 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第72表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第28表に示す条件にて、第75表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 45 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第69表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第30表に示す条件にて、第76表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 46 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第72表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第30表に示す条件にて、第77表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 47 電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第78表
に示す条件にして、表面層の作成条件を第79表に
示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 48 IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成
条件を第80表に示す条件にして、表面層の作成条
件を第81表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 49 密着層、IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電
層の作成条件を第82表に示す条件にして、表面層
の作成条件を第83表に示す複数のドラムを用意し
た。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 50 電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層を
それぞれ第84表に示す作成条件で、実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価をかけた結果、
実施例１と同様に、きわめてすぐれた電子写真特
性のドラムが得られた。 実施例 51 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度
を持つ剣バイトによる旋盤加工に供し、第３図の
ような判断形状で第85表のような種々の断面パタ
ーンを持つシリンダーを複数本用意した。該シリ
ンダーを順次第２図の製造装置にセツトし、実施
例１と同様の作成条件の基にドラム作成に供し
た。作成されたドラムを実施例１と同様の評価を
行つた結果、いずれも実施例１と同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 52 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き
多数のベアリング用球の落下の基にさらしてシリ
ンダー表面に無数の打痕を生じせしめる、所謂表
面デインプル化処理を施し、第４図のような判断
形状で、第86表のような種々の断面パターンを持
つシリンダーを複数本用意した。該シリンダーを
順次第２図の製造装置にセツトし、実施例１と同
様の作成条件の基にドラム作成に供した。作成さ
れたドラムを実施例１と同様の評価を行つた結
果、いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を
十分に満足するドラムが得られた。
アスシリコンで構成された光導電層を有する光受
容部材、特に優れた特性を有する表面保護層を前
記光導電層上に設けた電子写真用感光体に適した
光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材としては、その光感度領域の整合性が他の種
類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ピツカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の
点から、例えば特開昭54−86341号公報や特開昭
56−83746号公報にみられるようなシリコン原子
を母体とし水素原子又はハロゲン原子のうちの少
なくともいずれか一方を含有するアモルフアス材
料（以後、「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」と表記する）光受
容部材が注目されている。 ところでこうした光受容部材は、支持体上に、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される光導電層を有する
ものであるところ、該光導電層が帯電処理を受け
た際に自由表面側から光導電層中に電荷が注入さ
れるのを阻止するとともに、該光導電層の耐湿
性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、および耐久性等を向上せしめ、長期間
安定した画像品質を得るために、該光導電層上に
表面保護層を設けることが知られている。 そして、前記表面保護層については、前述の各
種機能を効率的に発揮することが用求されるとこ
ろ、種々の高抵抗でかつ充分な光透過性を有する
非単結晶質材料、即ち、アモルフアス材料又は／
及び多結晶質材料が提案されており、それらの提
案の１つとして窒化ホウ素を含有するアモルフア
ス材料（以後「ａ−BN」と表記する。）で構成
された薄膜を用いることが知られている。（特開
昭59−12448号公報、特開昭60−61760号公報参
照） しかし、前記ａ−BNで構成された薄膜を表面
保護層として用いる場合、時として、該ａ−BN
薄膜は、帯電処理におけるコロナ放電や、他の部
材、例えばクリーニングブレード等との接触をは
じめとする種々の機械的損傷による劣化が発生
し、表面保護層に要求される前述の種々の機能を
長期間にわたつて発揮することが不可能となると
いう問題がある。また、該ａ−BN薄膜を用いた
光受容部材は、帯電能が不充分であつて、こうし
た光受容部材を用いて画像形成を行なう場合には
画像上にゴーストが生じる等の画像品質の劣化と
なつて現われる場合もあるという問題もある。 〔発明の目的〕 本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光
受容部材における表面保護層に関わる上述の問題
を解決して、長期間にわたつて所望の機能を奏す
るものとした改善された表面保護層を有する光受
容部材を提供することを主たる目的とするもので
ある。 本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を有
し、長期間にわたつて優れた品質の画像が得られ
る電子写真用感光体等に用いられる光受容部材を
提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられ
る光受容部材における表面保護層に関わる前述の
諸問題を解決し、上述の本発明の目的を達成すべ
く鋭意研究を重ねたところ、表面保護層として用
いるBN薄膜の構造が重要な要因となるという知
見を得た。 即ち、窒化ホウ素単結晶においては、構成元素
の配位数が３である六方晶系と、構成元素の配位
数が４である立方晶系との二種類の構造が知られ
ている。 本発明者らは、窒化ホウ素で構成された薄膜を
電子写真用感光体に用いられる光受容部材の表面
保護層として用いる場合、前記窒化ホウ素の構造
がいかに影響するかについて検討を続けたとこ
ろ、どんな構造の窒化ホウ素でも表面保護層とし
て用いられるわけではなく、特定の配位数を有す
る構造の窒化ホウ素が適しているという知見を得
た。 即ち、配位数が３である六方晶系のものは、グ
ラフアイトと同一の構造であつて、非常に柔らか
く、モース硬度は２であるため、表面保護層とし
て用いた場合には、コロナ放電により生じたイオ
ン、オゾン、電子等の活性な物質の衝撃に弱く、
又、クリーニングブレード等の接触をはじめとす
る種々の機械的損傷による劣化を生じることが判
明した。 一方、構成元素の配位数が４である立方晶系の
構造を有するものは、硬度が大であつて、コロナ
放電や機械的衝撃に対して充分な耐性を有してい
ることが判明した。 従つて、強度だけの面からみれば、表面保護層
は４配位構造の窒化ホウ素を含有す非晶質材料で
構成されたものが好ましいこととなる。 ところで、電子写真法を用いた画像形成は、光
受容部材のコロナ帯電、画像露光、トナーによる
現像、紙への転写、及び光受容部材のクリーニン
グ等の工程から成つており、これらの各プロセス
において、光受容部材の表面は、異つた材質の部
材と接触する。その結果、紙上へ転写形成される
画像の品質は、各プロセスで用いられる部材と光
受容部材表面との接触の良し悪しによつて大きく
左右されることなる。例えばひとつの例として、
ブレードによるクリーニング工程を考えた場合、
光受容部材表面が硬すぎると、ブレードの摩耗が
早くなり、クリーニング不良をおこしやすくな
る。また、ブレードの寿命が短くなるために、複
写機の維持費が高くなる。逆に、光受容部材表面
が柔かすぎると、光受容部材表面は、ブレードに
よつて削られやすくなり、形成される画像は画像
欠陥が多くなり、さらに、光受容部材の寿命が短
くなるために、複写機の維持費が高くなる。 このように、光受容部材の表面硬度は、種々の
プロセスにおいて接触する種々の部材の硬度との
バランスを考慮して決定する必要があり、前述の
ごとき非常に硬い４配位構造の窒化ホウ素を光受
容部材の表面保護層として用いた場合には、電子
写真法による画像形成の各プロセスの部材の夫々
に、より一層の改良が要求されることなる。 本発明者は、こうした知見に基づいて更に研究
を重ねたところ、４配位構造の窒化ホウ素と３配
位構造の窒化ホウ素とを混在せしめた非単結晶材
料を表面保護層として用いた場合には、各々のプ
ロセスに用いられる各種の部材とのバランスがと
れた表面硬度を有する電子写真用光受容部材を得
ることができることが判明した。 本発明は、該知見に基づいて完成せしめたもの
であつて、その骨子とするところは、支持体と、
該支持体上に、シリコン原子を母体とし、水素原
子又は、ハロゲン原子のうちの少なくともいずれ
か一方を含有するアモルフアス材料で構成された
光導電層と、表面保護層とを少なくとも有する光
受容層とからなる光受容部材において、前記表面
保護層が、４配位構造の窒化ホウ素と３配位構造
の窒化ホウ素とを混在して含有する多結晶材料を
包含する非単結晶質材料で構成されている光受容
部材にある。 本発明により提供される光受容部材は、その表
面保護層に特徴を有するものであるところ、支持
体はもとより、光導電層を始めとする他の構成層
は用途目的に応じて任意に選択することができ
る。したがつて以下に本発明の光受容部材につい
てその層構成の典型例を、電子写真用のものにす
る場合について説明するが本発明の光受容部材は
これにより限定されるものではない。 第１Ａ乃至図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的
に示す図である。 第１Ａ図に示す例は、支持体１０１上に、光導
電層１０２及び表面保護層１０３をこの順に設け
たものであり、表面保護層１０３は自由表面１０
７を有している。 第１Ｂ図に示す例は、支持体上１０１に、電荷
注入阻止層１０４、光導電層１０２及び表面保護
層１０３をこの順に設けたものである。 第１Ｃ図に示す例は、支持体上１０１に、長波
長光吸収層１０５、光導電層１０２及び表面保護
層１０３をこの順に設けたものである。 第１Ｄ図に示す例は、支持体上１０１に、密着
層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３
をこの順に設けたものである。 第１Ｅ図に示す例は、電荷注入阻止層１０４、
密着層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１
０３をこの順に設けたものであり、第１Ｆに示す
例は、長波長光吸収層１０５、密着層１０６、光
導電層１０２及び表面保護層１０３をこの順に設
けたものである。 第１Ｇ図に示す例は、支持体上１０１に、長波
長光吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導
電層１０２及び表面保護層１０３をこの順に設け
たものであり、該例においては長波長光吸収層１
０５、及び電荷注入阻止層１０４の順序を入れか
えることもできる。 第１Ｈ図に示す例は、支持体上１０１に、長波
長光吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、密着
層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３
をこの順に設けたものである。 第１Ｉ図に示す例は、支持体上１０１に、電荷
注入阻止層１０４、光導電層１０２、中間層１０
８及び表面保護層１０３をこの順に設けたもので
ある。 本発明の光受容部材に用いる支持体１０１は、
導電性のものであつても、また電気絶縁性のもの
であつてもよい。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pb等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が挙げられる。これ等の電気絶縁支持
体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。 例えばガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、InO3、ITO（In2o3＋Sn）等から成る薄膜を
設けることによつて導電性を付与し、或いはポリ
エステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、
Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Tl、Pt等の金属の薄膜
を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性を付与す
る。支持体の形状は平滑表面或いは凹凸表面の板
状無端ベルト状又は円筒状等であることができ、
その厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる
用に適宜決定するが、光受容部材としての可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内で可能な限り薄くすることが
できる。しかしながら、支持体の製造上及び取り
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 第１Ｂ図に示す本発明の光受容部材において、
支持体１０１と光導電層１０２の間に設けられる
電荷注入阻止層１０４は、光導電層１０２が帯電
処理を受けた際に支持体側から光導電層１０２中
に電子が注入されることを阻止するために設けら
れる層であり、該電荷注入阻止層１０４は、水
素、又は多結晶シリコン（以後、「poly−Si（Ｈ，
Ｘ）」と呼称する。）、あるいは、両者を含むいわ
ゆる非単結晶シリコン（以後、「Non−Si（Ｈ，
Ｘ）」と呼称する。）〔なお、微結晶質シリコンと
通称されるものはａ−Siに分類される。〕に、周
期律表第族に属する原子（以後、単に「第族
原子」と称す。）または周期律表第族に属する
原子（以後、単に「第族原子」と称す。）を含
有せしめたもので構成されている。 該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第族
原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Al（アル
ミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、Tl
（タリウム）等を用いることができるが、特に好
ましいものは、Ｂ、Gaである。また第族原子
としては、具体的には、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb
（アンチモン）、Bi（ビスマス）等を用いることが
できるが、特に好ましいものはＰ、Asである。
そして電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第
族原子又は第族原子の量は３〜５×104atomic
ppm、好ましくは50〜１×104atomic ppm、１
×102〜５×103atomic ppmとすることが望まし
い。 又、電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるハ
ロゲン原子又は水素原子の量は、１×103〜７×
105atomic ppmとし、特にpoly−Si（Ｈ，Ｘ）で
構成される場合には好ましくは１×103〜２×
105atomic ppmとし、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる場合には１×104〜６×105atomic ppmとす
ることが望ましい。更に、本発明の光受容部材の
電荷注入阻止層１０４の層厚は0.03〜15μ、好ま
しくは0.04〜10μ、最適には0.05〜8μとするのが
望ましい。 第１Ｃ図に示す本発明の光受容部材において、
支持体１０１と光導電層１０２との間に設けられ
る長波長光吸収層１０５は、ゲルニウム原子
（Ge）又はスズ原子（Sn）のうちの少なくとも一
方を含有するNon−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される層
であり、露光光源としてレーザー光等の長波長光
を用いた際に、光導電層１０２において吸収しき
れなかつた長波長光を長波長光吸収層１０５が効
率的に吸収することにより、支持体１０１表面で
の長波長光の反射による干渉現象の現出を顕著に
防止する機能を有するものである。そして該長波
長光吸収層１０５中に含有せしめるGe原子の量
又はSn原子の量あるいはそれらの和は、１〜
106atomic ppm、好ましくは１×102〜９×
105atomic ppm、より好ましくは５×102〜８×
105atomic ppmとすることが望ましい。また長
波長光吸収層１０５中に含有せしめる水素原子又
はハロゲン原子の量は、好ましくは１×103〜３
×105atomic ppmとすることが望ましく、特に
poly−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは
１×103〜２×105atomic ppmとし、ａ−Si（Ge，
Sn）（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは１×104〜６×
105atomic ppmとすることが望ましい。 更に本発明の光受容部材における長波長光吸収
層１０５の層厚は、0.05〜25μ、好ましくは0.07
〜20μ、最適には0.1〜15μとするのが望ましい。 第１Ｄ図に示す本発明の光受容部材において、
支持体１０１と光導電層１０２との間に設けられ
る密着層１０６は、支持体１０１と光導電層１０
２との密着性を改善せしめる機能を奏する層であ
つて、酸素原子、炭素原子および窒素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種を含有するNon−Si
（Ｈ，Ｘ）（以後、「Non−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）で構成されている。そして該
密着層１０６中に含有せしめる酸素原子炭素原
子、窒素原子の量、又はそれらの中の少なくとも
２つ以上の和は、100〜９×105atomic ppm好ま
しくは100〜４×105atomic ppmとすることが望
ましい。また、該密着層１０６中に含有せしめる
水素原子又はハロゲン原子の量あるいはそれらの
和は好ましくは10〜７×105atomic ppmとし、
特にpoly−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）の場合には
10〜２×105atomic ppm、ａ−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）
（Ｈ，Ｘ）の場合には１×103〜７×105atomic
ppmとすることが望ましい。 ところで、本発明の光受容部材における電荷注
入阻止層１０４、長波長光吸収層１０５及び密着
層１０６は、これらを組み合わせて用いることが
可能であり、その典型的な例を示したものが第１
Ｅ図乃至Ｈ図である。 更に、本発明の光受容部材においては、電荷注
入阻止層１０４又は長波長光吸収層１０５中に酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種を含有せしめることにより、これ
らの層に密着層としての機能を兼ねそなえさせる
ことも可能であり、また、長波長光吸収層１０５
中に第族原子又は第族原子を含有せしめる
か、あるいは電荷注入阻止層１０４中にゲルマニ
ウム原子又はスズ原子を含有せしめることによ
り、これら両層の機能を兼ねそなえた層とするこ
とができる。 ところで、本発明の光受容部材における電荷注
入阻止層１０４、長波長光吸収層１０５及び密着
層１０６は、Non−Si（Ｈ、Ｘ）を母体とする材
料で構成されているが、poly−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するについては種々の方法があ
り、例えば次のような方法があげられる。 その１つの方法は、基体温度を高温、具体的に
は400〜450℃に設定し、該基体上にプラズマ
CVD法により膜を堆積せしめる方法である。 他の方法は、基体表面に先ずアモルフアス状の
膜を形成、即ち、基体温度を約250℃にした基体
上にプラズマCVD法により膜を形成し、該アモ
ルフアス状の膜をアニーリング処理することによ
りpoly化する方法である。該アリーニング処理
は、基体を400〜450℃に約20分間加熱するか、あ
るいは、レーザー光を約20分間照射することによ
り行なわれる。 本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−
Si（Ｈ，Ｘ）またはａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）で
構成され、光導伝性を有する層であつて、該層に
はさらに、第族原子又は第族原子又は／及び
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれ
る少なくとも一種を含有せしめることができる。 光導電層１０２中に含有せしめるハロゲン原子
(X)としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素が挙げられ、特にフツ素、塩素を好適なもの
として挙げることができる。そして光導電層１０
２中に含有せしめる水素原子(H)の量又はハロゲン
原子(X)の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜40atomic
％、より好ましは５〜30atomic％とするのが望
ましい。また、光導電層１０２中に第族原子原
子又は第族原子を含有せしめる目的は、光導電
層１０２の伝導性を制御することにある。このよ
うな第族原子及び第族原子としては、前述の
電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるものと同
様のものを用いることができるが、光導電層１０
２に含有せしめる場合には、電荷注入阻止層１０
４に含有せしめたものとは逆の極性のものを含有
せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４に含
有せしめたものと同極性のものを該層１０４に含
有される量より一段と少ない量にして含有せしめ
ることができる。 光導電層１０２中に含有せしめる第族原子又
は第族原子の量は、好ましくは１×10-3〜１×
103atomic ppm、より好ましくは５×10-2〜５×
102atomic ppm、最適には１×10-1〜２×
102atomic ppmとすることが望ましい。 また光導電層１０２中に、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめる目的は、光導電層１０２の高暗抵抗
化をはかるとともに、光導電層１０２の膜品質を
向上せしめることにある。そして、光導電層１０
２に含有せしめるこうした原子の量は、好ましく
は１×10-3〜50atomic％、より好ましくは２×
10-3〜40atomic％、最適には３×10-3atomic％
とするのが望ましい。 更に、光導電層１０２中に、ゲルマニウム原子
（Ge）又はスズ原子（Sn）のうちの少なくとも一
方を含有せしめることができるが、こうした原子
を含有せしめる目的は、レーザー光などの長波長
光に対する感度を向上せしめることにあり、この
場合、光導電層１０２中に含有せしめるこれらの
原子の量は、好ましくは１〜9.5×105atomic
ppmとするのが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、光導電層
の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには
重要な要因の１つであつて、光受容部材に所望の
特性が与えられるように、光受容部材の設計の際
には充分な注意を払う必要があり、通常は１〜
100μとするが、好ましくは３〜80μ、最適には５
〜50μとする。 本発明の光受容部材において特徴とするところ
の表面保護層１０３は、前述の光導電層１０２上
に位置して設けられ、自由表面１０７を有するも
のである。そして該表面保護層１０３は、光受容
部材に要求される諸特性、即ち、耐湿計、連続繰
り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、
および耐久性等を向上せしめると共に、光受容層
が帯電処理を受けた際に、自由表面１０７側から
光導電層１０２中に電荷を注入されるのを阻止す
る機能を奏するものである。 かくなる本発明の光受容部材の表面保護層１０
３は、４配位構造の窒化ホウ素と３配位構造の窒
化ホウ素とを混在して含有する非単結晶質材料
〔以後、「Non−BN」と表記する。〕、即ち多結晶
質材料〔以後「poly−BN」と表記する。〕又は
アモルフアス材料〔「ａ−BN」と表記する。〕と
poly−BNとの混合物で構成されるものであり、
更に、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なく
とも一方を含有せしめることもできる〔以後、
「Non−BN（Ｈ，Ｘ）」と表記する。〕 該表面保護層１０３を構成する各原子の割合に
ついては、Non7BN（Ｈ，Ｘ）の組成比を （BxN1-x）1-y（Ｈ，Ｘ）y で表わすと、次の条件を満足していることが望ま
しい。 ｘについて； 0.1≦ｘ≦0.9、好ましくは0.2≦ｘ≦0.8 最適には0.3≦ｘ≦0.7 ｙについて； 0.004≦ｙ≦0.4、好ましくは0.005≦ｙ≦0.3、
最適には0.01≦ｙ≦0.2 本発明の光受容部材においては、表面保護層１
０３の層厚も本発明の目的を効率的に達成するた
めに重要な要因の１つであり、所望の目的に応じ
て適宜決定されるものであるが、表面保護層に含
有せしめる構成原子の量、あるいは表面保護層に
要求される特性に応じて相互的かつ有機的関連性
の下に決定する必要がある。更に生産性や量産性
も加味した経済性の点においても考慮する必要も
ある。 こうしたことから、本発明の光受容部材の表面
保護層１０３の層厚は、好ましくは0.003〜30μ、
より好ましくは0.004〜20μ、最適には0.005〜10μ
である。 更に本発明の光受容部材においては、前述の表
面保護層１０３と光導電層１０２との間に中間層
１０８を形成せしめてもよい。該中間層１０８
は、炭素原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）又は
poly−Si（Ｈ，Ｘ）で構成されており、該中間層
１０８中に含有せしめる炭素原子の量は、好まし
くは20〜90atomic％、より好ましくは30〜
85atomic％、最適には40〜80atomic％とするこ
とが望ましい。また該中間層１０８中に含有せし
める水素原子(H)の量、ハロゲン原子(X)の量、及び
水素原子＋ハロゲン原子（Ｈ＋Ｘ）の量は、好ま
しくは１〜70atomic％、より好ましくは２〜
65atomic％、最適には５〜60atomic％とするの
が望ましい。さらに該中間層１０８の層厚は、好
ましくは0.003〜30μｍ、より好ましくは0.004〜
20μｍ、最適には0.005〜10μｍとするのが望まし
い。 次に、本発明の光受容部材の構成層の形成方法
について説明する。 本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、
いずれもグロー放電法（低周波CVD、高周波
CVD又はマイクロ波CVD等の交流放電CVD、あ
るいは直流放電CVD等）、スパツタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーテイング法、光CVD法、
熱CVD法などの種々の薄膜堆積法によつて成形
することができる。これらの薄膜堆積法は、製造
条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作成
される光受容部材に所望される特性等の要因によ
つて適宜選択されて採用されるが、所望の特性を
有する光受容部材を製造するに当つての条件の制
御が比較的容易であり、シリコン原子と共にハロ
ゲン原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等
のことからして、グロー放電法或いはスパツタリ
ング法が好適である。そして、グ放電法とスパツ
タリング法とを同一装置系内で併用して形成して
もよい。 例えば、グロー放電法により、４配位構造と３
配位構造とが混在したNon−BN（Ｈ，Ｘ）で構
成される表面保護層を形成するには、基本的には
ホウ素原子(B)を供給し得るＢ供給用の原料ガス
と、窒素原子(N)を供給し得るＮ供給用の原料ガス
と、必要に応じて水素原子(H)導入用又は／及びハ
ロゲン原子(X)導入用の原料ガスとを、内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、Non−BN（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成する。 前記Ｂ供給用の原料ガスとしては、B2H6、
B4H10B5H9、B5H11、B6H12、BF3、BCl3等のガ
ス状態の又はガス化し得る化合物があげられる。 また、前記Ｎ供給用の原料用ガスとしては、
N2、NH3、NF3、NF2Cl、NFCl2、NCl3、
N2F2、N2F4、NH2Cl、NHF2、NH2F等のガス
状態の又はガス化し得る化合物があげられる。 また、スパツタリング法によつて４配位構造と
３配位構造とが混在したNon−BN（Ｈ，Ｘ）層
を形成するには、ターゲツトとしてBNターゲツ
トを用い、前記Ｎ供給用原料ガスをAr等の不活
性ガスと共に堆積室内に導入してプラズマ雰囲気
を形成し、前記BNターゲツトをスパツタリング
するか、ターゲツトとしてＢターゲツトを用い、
前記Ｎ供給用原料ガスを多量に導入してプラズマ
雰囲気を形成し、前記Ｂターゲツトとスパツタリ
ングすることによつて形成される。 また、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガス
と共に、水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン
原子(X)導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置した所定の支持体
表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。 前記Si供給用のガスとしては、SiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る
水素化珪素（シラン類）が挙げられ、特に、層形
成作業のし易さ、Si供給効率の良さ等の点で、
SiH4、Si2H6が好ましい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
ては、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化しうるハロゲン化合物が好まし
い。具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、BrF5、BrF3、
IF7、ICl、IBr等のハロゲン間化合物、および
SiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン硅素が
挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガス
状態の又はガス化しうるものを用いる場合には、
Si供給用の原料ガスを別途使用することなくし
て、ハロゲン原子を含有するａ−Siで構成された
層が形成できるので、特に有効である。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとして
は、水素ガス、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲ
ン化物、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素
化硅素、あるいはSiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3、等のハロゲン置換
水素化硅素等のガス状態の又はガス化しうるもの
を用いることができ、これらの原料ガスを用いた
場合には、電気的あるいは光電的特性の制御とい
う点で極めて有効であるところの水素原子(H)の含
有量の制御を容易に行うことができるため、有効
である。そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハ
ロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲン
原子の導入と同時に水素原子(H)も導入されるの
で、特に有効である。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合に
は、ハロゲン原子を導入するについては、前記の
ハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ばよい。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成する。 グロー放電法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコン原子（Si）
を供給しうるSi供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ge）を供給しうるGe供給用の原料ガス
と、水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を供給
しうる水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)供給
用の原料ガスを内部を減圧にしうる堆積室内に所
望のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放
電を生起せしめて、予め所定位置に設置してある
所定の支持体表面上に、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成する。 Si供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原
料ガス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりう
る物質としては、前述のａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成する場合に用いたものがそのまま
用いられる。 また、前記Ge供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、
Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等
のガス状態の又はガス化しうる水素化ゲルマニウ
ムを用いることができる。特に、層作成作業時の
取扱易さ、Ge供給効率の良さ等の点から、
GeH4、Ge2H6、およびGe3H8が好ましい。 スパツタリング法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成
るターゲツトと、ゲルマニウムから成るターゲツ
トとの二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウ
ムからなるターゲツトを用い、これ等を所望のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
なう。 イオンプレーテイング法を用いてａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する場合には、
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多
結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを
夫々蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発
源を抵抗加熱法あるいはエレクトロンビーム法
（E.B.法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せしめること
で行ない得る。 スパツタリング法およびイオンプレーテイング
法のいずれの場合にも、形成する層中にハロゲン
原子を含有せしめるには、前述のハロゲン化物又
はハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成すれ
ばよい。又、水素原子を導入する場合には、水素
原子供給用の原料ガス、例えばH2あるいは前記
した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパツタリング用の堆積室内に導
入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成す
ればよい。さらにハロゲン原子供給用の原料ガス
としては、前記のハロゲン化物或いはハロゲンを
含む硅素化合物が有効なものとして挙げられる
が、その他に、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲ
ン化水素、SiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、
SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
およびGeHF3、GeH2F2、GeH3F、GeHCl3、
GeH2Cl2、GeH3Cl、GeHBr3、GeH2Br2、
GeH3Br、GeHI3、GeH2I2、GeH3I等の水素化ハ
ロゲン化ゲルマニウム等、GeF4、GeCl4、
GeBr4、GeI4、GeF2、GeCl2、GeBr2、GeI2等の
ハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の又はガ
ス化しうる物質も有効な出発物質として使用でき
る。 グロー放電法、スパツタリング法あるいはイオ
ンプレーテイング法を用いて、スズ原子を含有す
るアモルフアスシリコン（以下、「ａ−SiSn（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）で構成される光受容層を形成
するには、上述のａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層の形成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出
発物質を、すず原子（Sn）供給用の出発物質に
かえて使用し、形成する層中へのその量を制御し
ながら含有せしめることによつて行なう。 前記スズ原子（Sn）供給用の原料ガスとなり
うる物質としては、水素化スズ（SnH4）や
SnF2、SnF4、SnCl2、SnCl4、SnBr2、SnBr4、
SnI2、SnI4等のハロゲン化スズ等のガス状態の又
はガス化しうるものを用いることができ、ハロゲ
ン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ−Siで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。なか
でも、層作成作業時の取り扱い易さ、Sn供給効
率の良さ等の点から、SnCl4が好ましい。 そして、SnCl4をスズ原子（Sn）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、
固体状のSnCl4を加熱するとともに、Ar、He等
の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いて
バブリングするのが望ましく、こうして生成した
ガスを、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス
圧状態で導入する。 グロー放電法、スパツタリング法、あるいはイ
オンプレーテイング法を用いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
に第族原子又は第族原子、窒素原子、酸素原
子あるいは炭素原子を含有せしめた非晶質材料で
構成された層を形成するには、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
の層の形成の際に、第族原子又は第族原子導
入用の出発物質、酸素原子導入用の出発物質、窒
素原子導入用の出発物質、あるいは炭素原子導入
用の出発物質を、前述したａ−Si（Ｈ，Ｘ）形成
用の出発物質と共に使用して、形成する層中への
それらの量を制御しながら含有せしめてやること
によつて行なう。 例えば、グロー放電法を用いて、原子（Ｏ、
Ｃ、Ｎ）を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層を形成するには、前述のａ−Si（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成する際に、原子（Ｏ、Ｃ、
Ｎ）導入用の出発物質をａ−Si（Ｈ，Ｘ）形成用
の出発物質とともに使用して形成する層中へのそ
れらの量を制御しながら含有せしめることによつ
て行なう。 このような原子（Ｏ、Ｃ、Ｎ）導入用の出発物
質としては、少なくとも原子（Ｏ、Ｃ、Ｎ）を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
であれば、ほとんどのものが使用できる。 具体的には酸素原子(O)導入用の出発物質とし
て、例えば、酸素（O2）、オゾン（O3）、一酸化
窒素（NO）、一二酸化窒素（N2O）、三二酸化窒
素（N2O3）、四二酸化窒素（N2O4）、五二酸化窒
素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）、シリコン原子
（Si）と酸素原子(O)と水素原子(H)とを構成原子と
する例えばジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシ
ロキサン（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキ
サン等が挙げられ、炭素原子(C)導入用の出発物質
としては、例えば、メタン（CH4）、エタン
（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−
C4H10）、ペンタン（C5H12）等の炭素数１〜５の
飽和炭化水素、エチレン（C2H4）、プロピレン
（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテン−２
（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等の、炭素数２〜４の
アセチレン系炭化水素が挙げられ、窒素原子(N)導
入用の出発物質としては、例えば、窒素（N2）、
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、
アジ化水素（HN3）、アジ化アンモニウム
（NH4N3）、三弗化窒素（F3N）、四三弗化窒素
（F4N）が挙げられる。 例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成
するのにグロー放電法を用いる場合には、前記し
た光受容部材層形成用の出発物質の中から所望に
従つて選択されたものに酸素原子導入用の出発物
質が加えられる。その様な酸素原子導入用の出発
物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であれば
ほとんどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子(O)を構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子(P)又は／及びハロゲン
原子(X)を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子(O)
及び水素原子(H)を構成原子とする原料ガスとを、
これも又所望の混合比で混合するか、或いは、シ
リコン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、
シリコン原子（Si）、酸素原子(O)及び水素原子
（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子(O)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸
化窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸
化窒素（N2O4）五二酸化窒素（N2O5）、三酸化
窒素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子(O)
と水素原子(H)とを構成原子とする例えばジシロキ
サン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等が挙
げられ、挙げることができる。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層または層領域を形成するには、単結晶又はSi
ウエーハ又はSiO2ウエーハ、又はSiとSiO2が混
合されて含有されているウエーハをターゲツトと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタリ
ングすることによつて行なえばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
れば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを必要に
応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形
成して前記Siウエーハをスパツタリングすればよ
い。 又、別にはSiとSiO2とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲツ
トとを使用することによつて、スパツター用のと
しての希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素
原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツタリングす
ることによつて形成できる。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、前述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。 また、例えば炭素原子を含有するアモルフアス
シリコンで構成される層をグロー放電法により形
成するには、シリコン原子（Si）を構成原子とす
る原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガ
スとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
シリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原
子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合して使用するか、或いはシリコン原子（Si）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子
（Si）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスを混合するか、更にまた、シ
リコン原子、水素原子を構成原子とする原料ガス
を混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるの
は、SiとＨとを構成原子とするSiH4、Si2H6、
Si3H8Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化
珪素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭
素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。 具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メ
タン（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン
（C3H8）、ｎ−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン
（C5H12）、エチレン系炭化水素としては、エチレ
ン（C2H6）、プロピレン（C3H6）、ブテン−１
（C4H8）、ブテン−２（C4H8）、イソブチレン
（C4H8）、ペンテン（C5H10）アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（C2H2）、メチルアセ
チレン（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられ
る。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も使用できる。 スパツタリング法によつてａ−SiC（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、単結晶又は多結
晶のSiウエーハ又はＣ（グラフアイト）ウエーハ、
又はSiとＣが混合されているウエーハをターゲツ
トとして、これ等を所望のガス雰囲気中でスパツ
タリングすることによつて行なう。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
る場合には、炭素原子、および水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じてAr、He等の希釈ガスで希釈して、スパ
ツタリング用の堆積室内に導入し、これ等のガス
のガスプラズマを形成して前記Siウエーハをスパ
ツタリングすればよい。 又、別にはSiとＣは別々のターゲツトとする
か、あるいはSiとＣの混合した一枚のターゲツト
ととして使用する場合には、スパツタリング用の
ガスとして水素原子又は／及びハロゲン原子導入
用の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスで希釈し
て、スパツタリング用の堆積室内に導入し、ガス
プラズマを形成してスパツタリングすればよい。
該スパツタリング法に用いる各原子の導入用の原
料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原
料ガスがそのまま使用できる。 例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成
するのにグロー放電法を用いる場合には、前記し
た光受容層形成用の出発物質の中から所望に従つ
て選択されたものに窒素原子導入用の出発物質を
加える。その様な窒素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質であればほとんど
のものが使用できる。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子(N)を構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子(H)又は／及びハロゲン
原子(X)を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、窒素原子(N)
及び水素原子(H)を構成原子と原料ガスとを、これ
も又所望の混合比で混合するかして使用すること
ができる。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子(N)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 窒素原子を含有する層または層領域を形成する
際に使用する窒素元素(N)導入用の原料ガスとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とす
るか或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素
（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）アジ化水素（HN3）、アジ化アンモ
ニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化ホウ素物及びアジ化物等の窒素化合
物を挙げることができる。この他に、窒素原子の
導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行なえると
いう点から、三弗化窒素（F3N）、四三弗化窒素
（F4N）等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる。 スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層または層領域を形成するには、単結晶又はSi
ウエーハ又は多結晶のSiウエーハ、又はSi3N4ウ
エーハ、又はSiとはSi3N4が混合されて含有され
ているウエーハをターゲツトとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパツタリングすることに
よつて行なえばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
れば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハをスパツタリングすれば
よい。 又、別にはSiとSi3N4とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSi3N4の混合した一枚のターゲツ
トを使用することによつて、スパツター用のガス
としての希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水
素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を構成原子と
して含有するガス雰囲気中でスパツタリングする
ことによつて形成できる。酸素原子導入用の原料
ガスとしては、先述したグロー放電の例で示した
原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガスが、ス
パツタリングの場合にも有効なガスとして使用で
きる。 また、グロー放電法、スパツタリング法、ある
いはイオンプレーテイング法を用いて、第族原
子又は第族原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）で
構成される層の形成の際に、第族原子又は第
族原子導入用の出発物質を、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）形
成用の出発物質と共に使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめてやるこ
とによつて行なう。 第族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、B2H6、B4H10、
B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等の水素
化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、AlCl3、GaCl3、Ga
（CH3）2、InCl3、TlCl3等も挙げることができる。 第族原子導入用と出発物質として具体的には
燐原子導入用としてはPH3、P2H6等の水素化燐
PH4I、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、
PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、
AsH3、AsF3、AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、
SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、
BiBr5等も第族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることができる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光
受容層は、グロー放電法、スパツタリング法等を
用いて形成するが、光受容層に含有せしめるゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子、第族原子又
は第族原子、酸素原子、炭素原子又は、窒素原
子、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の
各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する、
各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御
することにより行なわれる。 また、光導電層および表面保護層等の各構成層
形成時の支持体温度、堆積室内のガス、放電パワ
ー等の条件は、所望の特性を有する光受容部材を
得るためには重要な要因であり、形成する層の機
能に考慮をはらつて適宜選択されるものである。
さらに、これらの層形成条件は、光導電層および
表面保護層等の各構成層に含有せしめる上記の各
原子の種類及び量によつても異なることもあるこ
とから、含有せしめる原子の種類あるいはその量
等にも考慮をはらつて決定する必要もある。 具体的には、４配位構造と３配位構造とが混在
したNon−BN（Ｎ，Ｘ）からなる表面保護層を
高周波（13.56MHz）プラズマCVD法により形成
する場合、堆積室内のガス圧は、通常10-2〜
10Torrとするが、より好ましくは５×102〜
2Torr、最適には0.1〜1Torrとする。また、支持
体温度は、通常50〜700℃とするが、特にNon−
BN（Ｎ，Ｘ）層とする場合には50〜400℃、poly
−BN（Ｈ，Ｘ）層とする場合には200〜700℃と
する。更に放電パワーは通常0.01〜5W／cm2、よ
り好ましくは0.02〜2W／cm2とする。更にまた、
Ｂ供給用原料ガス、Ｎ供給用原料ガス及びArガ
スのガス流量比は、Ｂ／Ｎが１／100〜５／１、
より好ましくは１／80〜４／１となるようにし、
Ar／Ｂ＋Ｎが１／１〜０となるようにする。 また、４配位構造と３配位構造とが混在した
Non−BN（Ｈ，Ｘ）からなる表面保護層をマイ
クロ波（2.45GHz）プラズマCVD法により形成す
る場合、堆積室内のガス圧は通常10-4〜2Torr、
より好ましくは５×10-4〜1.0Torr、最適には５
×10-4〜0.7Torrとし、放電パワーは通常0.1〜
50W／cm2、より好ましくは0.2〜30W／cm2とする。
支持体温度及び各原料ガスのガス流量比は、いず
れも前述の高周波プラズマCVD法による場合と
同じである。 更に、４配位構造と３配位構造とが混在した
Non−BN（Ｈ，Ｘ）からなる表面保護層をスパ
ツタリング法により形成する場合、堆積室内のガ
ス圧は通常10-4〜1Torr、より好ましくは５×
10-4〜0.7Torr、とし、放電パワーは0.01〜
10W／cm2、より好ましくは0.05〜8W／cm2とする。
支持体温度は前述の高周波プラズマCVD法によ
る場合と同じである。 また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有
せしめたａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層をグロー放
電法により形成する場合、支持体温度は、通常50
〜350℃とするが、特に好ましくは50〜250℃とす
る。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Torrとする
が、特に好ましくは0.1〜0.5Torrとする。放電パ
ワーは0.005〜50W／cm2とするのが通常であるが、
より好ましくは0.01〜30W／cm2５する。特に好ま
しくは0.01〜20W／cm2とする。 ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）層をグロー放電法により形
成する場合、あるいは第族原子又は第族原子
を含有せしめたａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成する場合については、支持体温度、通常50〜
350℃とするが、より好ましくは50〜300℃とする
が、特に好ましくは100〜300℃とする。そして堆
積室内のガス圧は通常0.01〜5Torrとするが、好
ましくは0.001〜3Torrとし、特に好ましくは0.01
〜1Torrとする。また、放電パワーは0.005〜
50W／cm2とするのが通常であるが、好ましくは
0.01〜30W／cm2とする。特に好ましくは0.01〜
20W／cm2とする。 しかし、これらの、層形成を行なうについての
支持体温度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具
体的条件は、通常には個々に独立しては容易には
決め難いものである。したがつて、所望の特性の
非晶質材料層を形成すべく、相互的且つ有機的関
連性に基づいて、層形成の至適条件を決めるのが
望ましい。 次に、グロー放電分解法によつて形成される光
受容部材の製造方法について説明する。 第２図にグロー放電分解法による電子写真用光
受容部材の製造装置を示す。 図中の２０２，２０３，２０４，２０５，２０
６、のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成
するための原料ガスが密封されており、その１例
として、たとえば、２０２はSiH4ガス（純度
99.999％）ボンベ、２０３はH2で希釈された
B2H6ガス（純度99.999％、以下B2H6／H2と略
す）ボンベ、２０４はNOガス（純度99.5％）ボ
ンベ、２０５はHeで希釈されたB2H6ガス（純度
99.999％、以下B2H6／Heと略す）ボンベ、２０
６はNH3ガス（純度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２０２〜２０６のバルブ、リークバル
ブ２３５が閉じられていることを確認し、又、流
入バルブ２１２〜２１６、流出バルブ２１７〜２
２１、補助バルブ２３２〜２３３が開かれている
ことを確認して先ずメインバルブ２３４を開いて
反応室２０１、ガス配管内を排気する。次に真空
計２３６の読みが約５×10-6Torrになつた時点
で、補助バルブ２３２〜２３３、流出バルブ２１
７〜２２１を閉じる。 基体シリンダー２３７上に第１の層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２０２より
SiH4ガス、ガスボンベ、２０３よりB2H6／H2ガ
ス、ガスボンベ、２０４よりNOガス、バルブ２
２２，２２３，２２４を開いて出口圧ゲージ２２
７，２２８，２２９の圧を１Kg／cm2に調節し、流
入バルブ２１２，２１３，２１４を徐々に開け
て、マスフロコントローラ２０７，２０８，２０
９内に流入させる。引続いて流出バルブ２１７，
２１８，２１９、補助バルブ２３２を徐々に開い
て夫々のガス反応室に流入させる。このときの
SiH4ガス流量、B2H6／H2ガス量流、NOガス流
量の比が所望の値になるように流出バルブ２１
７，２１８，２１９を調節し、又、反応室内の圧
力が所望の値になるように真空計２３６の読みを
見ながらメインバル２３４の開口を調整する。そ
して基体シリダー２３７の温度が加熱ヒーター２
３８により50〜350℃の温度に設定されているこ
とを確認された後、電源２４０を所望の電力に設
定して反応室２０１内にグロー放電を生起させ基
体シリンダー上に第１の層を形成する。 第１の層にハロゲン原子を含有させる場合に
は、上記のガスに例えばSiF4ガスを更に付加して
反応室２０１に送り込む。 各層を形成する際ガス種の選択によつては、層
形成速度を更に高めることが出来る。例えば
SiH4ガスの代りにSi2H6ガスを用いて層形成を行
なえば数倍高めることが出来、生産性が向上す
る。 上記の様にして作成された第１の層上に第２の
層を形成するには、流出バルブ２１７〜２２１を
閉じ、補助バルブ２３２〜２３３を開いてメイン
バルブ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気
したのち、第１の層の形成の際と同様なバルブ操
作によつてB2H6／H2ガス、NH3ガスを所望の流
量比で反応室２０２中に流し、所望の条件に従つ
てグロー放電を生起させることによつて成され
る。 第２の層中に含有される水素原子の量を変化さ
せる場合には、上記のガスに例えばH2ガスを付
加して、H2ガスの反応室１０１内に導入される
流量を所望に従つて任意に変えることによつて所
望に応じて制御することができる。 第２の層にハロゲン原子を含有される場合に
は、上記のガスに例えばNF3ガスを更に付加して
反応室２０１内に送り込む。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
は全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の
層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反
応室２０１内、流出バルブ２１７〜２２１から反
応室２０１内に至る配管内に残留することを避け
るために、流出バルブ２１７〜２２１を閉じ補助
バルブ２３２〜２３３を開いてメインバルブ２３
４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行なう。 又、層形成を行なつている間は層形成の均一化
を計るため基体シリンダー２３７は、モータ２３
９によつて所望される速度で一定に回転させる。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらによつて限定されるもので
はない。 実施例 １ 第２図の製造装置を用い、第１表の作成条件に
従つて鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電
子写真用光受容部材を形成した。 又、別途、第２図と同型の装置を用い、シリン
ダー上のサンプルホルダーにアルミ製基板及び単
結晶Siウエハーを設置し、同一仕様の表面層のみ
を形成したものを別個に用意した。 光受容部材（以後ドラムと表現）の方は、電子
写真装置をセツトして、種々の条件のもとに、初
期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子写真特
性をチエツクし、又、150万枚実機耐久後の帯電
能低下、表面削れ、画像欠陥の増加等を調べた。
更に、クリーナーブレードを意識的に、摺擦エツ
ジ部分が摩耗したものと取り換え、白ベタ画像上
に生じる地カブリの度合によりクリーニング性の
優劣の比較も行つた。また更に、35℃、85％の高
温、高湿雰囲気中でのドラムの画像流れについて
も評価した。 また、ドラムに直流高圧電圧を加えることによ
り絶縁耐圧を調べた。さらに、先端が球形の針に
一定の荷重をかけて、ドラム表面にキズをつける
ことにより、耐キズ性を調べた。上記の評価結果
を第２表に示す。 第２表に見られる様に、主項目について良好な
結果が得られた。特に、画像欠陥、画像流れ、ク
リーニング性（地カブリの度合）に関しては優位
性が認められた。 アルミ基板上と単結晶Siウエーハ上に成膜した
表面層のみの方（以後サンプルと表現）を、それ
ぞれEXAFSとIRにより配位数を調べたところ、
４配位と３配位の混在したものであることがわか
つた。又、IR測定の終了したSiウエーハサンプ
ルの方は、ダイヤモンド針で碁盤目状に□／mmの
キズを付け、粘着テープによる剥離テストを行
い、残留応力の大小の目安とした。 実施例 ２ 表面層の原料ガスにH2ガスを付加して第３表
に示す作成条件で、実施例１と同様に、ドラム及
びサンプルを作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第４表に示す。 第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 又、サンプルの測定の結果、４配位と３配位の
混在したものであることがわかつた。 実施例 ３ 表面層の作成時に、シリンダーのバイアス電圧
が＋100Vになるようにして第１表に示す作成条
件で、実施例１と同様に、ドラム及びサンプルを
作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第５表に示す。 第５表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 又、サンプルの測定の結果、４配位３配位の混
在したものであることがわかつた。 実施例 ４ 電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ
第６表に示す作成条件で実施例１と同様にドラム
を作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第７表に示す。 第７表にみられる様に実施例１と同様の特性が
得られた。 実施例 ５ アルミシリンダーに陽極酸化処理を行つて、シ
リンダー表面に酸化アルミニウム層（Al2O3）を
作成して、これを、電荷注入阻止層とし、この層
の上に光導電層と表面層をそれぞれ第８表に示す
作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し、同
様の評価を行つた。 その結果を第９表に示す。 第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 ６ 長波長光吸収層（以下「IR吸収層」と称す。）、
光導電層、表面層をそれぞれ、第10表に示す作成
条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、同様
の評価を行つた。 さらに785nｍの波長を有する半導体レーザー
を画像露光の光源に用いる電子写真装置にドラム
をセツトして、画像上に干渉縞が現われるかチエ
ツクした。 その結果を第11表に示す。 第11表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られ干渉縞も表われなかつた。 実施例 ７ 密着性、光導電層、表面層をそれぞれ、第12表
に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを作
成し、同様の評価を行つた。 その結果を第13表に示す。 第13表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 ８ IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を、それぞれ、第14表に示す作成条件で実施例
１と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評
価を行つた。 その結果を第15表に示す。 第15表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 ９ 密着層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を
それぞれ、第16表に示す作成条件で実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価を行つた。 その結果を第17表に示す。 第17表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 10 密着層、IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電
層、表面層を、それぞれ、第18表に示す作成条件
で、実施例１と同様にドラムを作成し、実施例６
と同様の評価を行つた。 その結果を第19表に示す。 第19表にみられる様に、実施例１と同様の特性
が得られた。 実施例 11 光導電層の作成条件を第20表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて、
複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例１と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 12 光導電層の作成条件を第21表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例２と同様の条件にて、
複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例２と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 13 光導電層の作成条件を第22表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例３と同様の条件にて、
複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例３と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 14 電荷注入阻止層の作成条件を第23表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件
にて、複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 15 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第25表に示
す数種の条件に変え、それ以外は実施例４と同様
の条件にて、第26表に示す複数のドラムを用意し
た。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 16 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28表
に示す条件にて、第29表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 17 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30表
に示す条件にて、第31表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 18 光導電層の作成条件を第25表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例５と同様の条件にて、
第32表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例５と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 19 表面層の作成条件を第28表に示す条件に変え、
光導電層の作成条件を第27表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例５と同様の条件にて、第
33表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例５と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 20 表面層の作成条件を第30表に示す条件に変え、
光導電層の作成条件を第27表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例５と同様の条件にて、第
34表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例５と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 21 IR吸収層の作成条件を第35、36表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件
にて、第37表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 22 IR吸収層の作成条件を第35、38表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第25表に示
す数種の条件に変え、それ以外は実施例６と同様
の条件にて、第39表に示す複数のドラムを用意し
た。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 22 IR吸収層の作成条件を第35、38表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28表
に示す条件にて、第40表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 24 IR吸収層の作成条件を第35、38表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第27表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30表
に示す条件にて、第41表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例６と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 25 密着層の作成条件を第42表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第
43表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 26 密着層の作成条件を第44表に示す数種の条件に
変え、光導電層の作成条件を第25表に示す数種の
条件に変え、それ以外は実施例７と同様の条件に
て、第45表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 27 密着層の作成条件を第44表に示す数種の条件に
変え、光導電層の作成条件を第27表に示す数種の
条件に変え、条件にて、第46表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 28 密着層の作成条件を第44表に示す数種の条件に
変え、光導電層の作成条件を第27表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第30表に示す条
件にて、第47表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例７と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 29 IR吸収層の作成条件を第35、36表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件
にて、第48表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 30 電荷注入阻止層の作成条件を第49表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、それ以外は実施例８
と同様の条件にて、第50表に示す複数のドラムを
用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 31 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を
第28表に示す条件にて、第52表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 32 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を
第30表に示す条件にて、第53表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 33 密着層の作成条件を第44、54表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件に
て、第55表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 34 電荷注入阻止層の作成条件を第56表に示す数種
の条件に変え、密着層の作成条件を第44、57表に
示す数種の条件に変え、それ以外は実施例９と同
様の条件にて、第58表に示す複数のドラムを用意
した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 35 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、密着層の作成条件を第44、57表に
示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28
表に示す条件にて、第59表に示す複数のドラムを
用意した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 36 電荷注入阻止層の作成条件を第24表に示す数種
の条件に変え、密着層の作成条件を第44、57表に
示す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30
表に示す条件にて、第60表に示す複数のドラムを
用意した。 これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例９と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 37 電荷注入阻止層の作成条件を第61表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例10と同様の条件
にて、第62表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 38 電荷注入阻止層の作成条件を第64表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を、第63表に
示す数種の条件に変え、それ以外は実施例10と同
様の条件にて、第65表に示す複数のドラムを用意
した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 39 電荷注入阻止層の作成条件を第64表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第66表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第28表
に示す条件にて、第67表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 40 電荷注入阻止層の作成条件を第64表に示す数種
の条件に変え、光導電層の作成条件を第66表に示
す数種の条件に変え、表面層の作成条件を第30表
に示す条件にて、第68表に示す複数のドラムを用
意した。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 41 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第69表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第70表に示す条件にて、第71表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 42 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第72表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第70表に示す条件にて、第73表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 43 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第69表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第28表に示す条件にて、第74表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 44 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第72表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第28表に示す条件にて、第75表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 45 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第69表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第30表に示す条件にて、第76表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 46 電荷注入阻止層の作成条件を第51表に示す数種
の条件に変え、IR吸収層の作成条件を第35、38
表に示す数種の条件に変え、光導電層の作成条件
を第72表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第30表に示す条件にて、第77表に示す複数のドラ
ムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 47 電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第78表
に示す条件にして、表面層の作成条件を第79表に
示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例４と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 48 IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成
条件を第80表に示す条件にして、表面層の作成条
件を第81表に示す複数のドラムを用意した。 これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 49 密着層、IR吸収層、電荷注入阻止層、光導電
層の作成条件を第82表に示す条件にして、表面層
の作成条件を第83表に示す複数のドラムを用意し
た。 これらのドラムを実施例10と同様の評価にかけ
た結果、いずれも実施例10と同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 50 電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層を
それぞれ第84表に示す作成条件で、実施例１と同
様にドラムを作成し、同様の評価をかけた結果、
実施例１と同様に、きわめてすぐれた電子写真特
性のドラムが得られた。 実施例 51 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度
を持つ剣バイトによる旋盤加工に供し、第３図の
ような判断形状で第85表のような種々の断面パタ
ーンを持つシリンダーを複数本用意した。該シリ
ンダーを順次第２図の製造装置にセツトし、実施
例１と同様の作成条件の基にドラム作成に供し
た。作成されたドラムを実施例１と同様の評価を
行つた結果、いずれも実施例１と同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが得られた。 実施例 52 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き
多数のベアリング用球の落下の基にさらしてシリ
ンダー表面に無数の打痕を生じせしめる、所謂表
面デインプル化処理を施し、第４図のような判断
形状で、第86表のような種々の断面パターンを持
つシリンダーを複数本用意した。該シリンダーを
順次第２図の製造装置にセツトし、実施例１と同
様の作成条件の基にドラム作成に供した。作成さ
れたドラムを実施例１と同様の評価を行つた結
果、いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を
十分に満足するドラムが得られた。
【表】
【表】
◎−非常に良好
○−良好
○−良好
【表】
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◎−非常に良好
○−良好
○−良好
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◎−非常に良好
○−良好
○−良好
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◎−非常に良好
○−良好
○−良好
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◎−非常に良好
○−良好
○−良好
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◎−非常に良好
○−良好
○−良好
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◎−非常に良好
○−良好
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◎−非常に良好
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○−良好
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本発明の光受容部材は、４配位構造の窒化ホウ
素と３配位構造の窒化ホウ素とを混在して含有す
る非単結晶質材料で構成された表面保護層を設け
たことにより、特に優れた耐湿性、連続繰り返し
使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性及び耐久
性等を有するものであり、本発明の光受容部材を
電子写真用像形成部材として適用させた場合に
は、残留電位の影響が全くなく、その電気的特性
が安定しており、特に、画像欠陥、画像流れ、ク
リーニング性にすぐれたものとなる。
素と３配位構造の窒化ホウ素とを混在して含有す
る非単結晶質材料で構成された表面保護層を設け
たことにより、特に優れた耐湿性、連続繰り返し
使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性及び耐久
性等を有するものであり、本発明の光受容部材を
電子写真用像形成部材として適用させた場合に
は、残留電位の影響が全くなく、その電気的特性
が安定しており、特に、画像欠陥、画像流れ、ク
リーニング性にすぐれたものとなる。
第１Ａ〜Ｉ図は本発明の光受容部材の層構造の
典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第
２図は本発明の光受容部材を製造するための装置
の一例で、グロー放電法による製造装置の模式的
説明図である。第３図及び第４図は、本発明の光
受容部材の支持体の断面形状の例を示す図であ
る。 １００……光受容部材、１０１……支持体、１
０２……光導電層、１０３……表面保護層、１０
４……電荷注入阻止層、１０５……長波長光吸収
層、１０６……密着層、１０７……自由表面、１
０８……中間層、２０１……反応室、２０２〜２
０６……ガスボンベ、２０７〜２１１……マスフ
ロンコントローラ、２１２〜２１６……流入バル
ブ、２１７〜２２１……流出バルブ、２２２〜２
２６……バルブ、２２７〜２３１……圧力調整
器、２３２，２３３……補助バルブ、２３４……
メインバルブ、２３５……リークバルブ、２３６
……真空計、２３７……基体シリンダー、２３８
……加熱ヒーター、２３９……モーター、２４０
……高周波電源。
典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第
２図は本発明の光受容部材を製造するための装置
の一例で、グロー放電法による製造装置の模式的
説明図である。第３図及び第４図は、本発明の光
受容部材の支持体の断面形状の例を示す図であ
る。 １００……光受容部材、１０１……支持体、１
０２……光導電層、１０３……表面保護層、１０
４……電荷注入阻止層、１０５……長波長光吸収
層、１０６……密着層、１０７……自由表面、１
０８……中間層、２０１……反応室、２０２〜２
０６……ガスボンベ、２０７〜２１１……マスフ
ロンコントローラ、２１２〜２１６……流入バル
ブ、２１７〜２２１……流出バルブ、２２２〜２
２６……バルブ、２２７〜２３１……圧力調整
器、２３２，２３３……補助バルブ、２３４……
メインバルブ、２３５……リークバルブ、２３６
……真空計、２３７……基体シリンダー、２３８
……加熱ヒーター、２３９……モーター、２４０
……高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母
体とし、水素原子又はハロゲン原子のうちの少な
くともいずれか一方を含有するアモルフアス材料
で構成された光導電層と、表面保護層とを少なく
とも有する光受容層とからなる光受容部材におい
て、前記表面保護層が、４配位構造の窒化ホウ素
と３配位構造の窒化ホウ素を混在して含有する多
結晶材料を包含する非単結晶材料で構成されてい
ることを特徴とする光受容部材。 ２ 前記光受容層が、３層以上の多層構成である
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 ３ 前記光受容層が、電荷注入阻止層を有する特
許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 ４ 前記光受容層が、長波長光吸収層を有する特
許請求の範囲第２項に記載の光受容部材。 ５ 前記光受容層が、接着性を改善する機能を備
えた接着層を有する特許請求の範囲第２項に記載
の光受容部材。 ６ 前記光導電層と前記表面保護層との間に中間
層を有する特許請求の範囲第２項に記載の光受容
部材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354986A JPS62260158A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 光受容部材 |
| US07/044,022 US4845001A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Light receiving member for use in electrophotography with a surface layer comprising non-single-crystal material containing tetrahedrally bonded boron nitride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354986A JPS62260158A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 光受容部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260158A JPS62260158A (ja) | 1987-11-12 |
| JPH0573231B2 true JPH0573231B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=14356903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10354986A Granted JPS62260158A (ja) | 1986-04-30 | 1986-05-06 | 光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62260158A (ja) |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP10354986A patent/JPS62260158A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62260158A (ja) | 1987-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |