JPH0573335B2 - - Google Patents
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- JPH0573335B2 JPH0573335B2 JP63171862A JP17186288A JPH0573335B2 JP H0573335 B2 JPH0573335 B2 JP H0573335B2 JP 63171862 A JP63171862 A JP 63171862A JP 17186288 A JP17186288 A JP 17186288A JP H0573335 B2 JPH0573335 B2 JP H0573335B2
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- JP
- Japan
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- growth
- compound semiconductor
- substrate
- temperature
- layer
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、熱処理を済ませて清浄化されたシ
リコン（Si）基板上にこの基板と格子定数が異な
つた化合物半導体層、特に、−族化合物半導
体層を気相エピタキシヤル成長させる方法に関す
る。
リコン（Si）基板上にこの基板と格子定数が異な
つた化合物半導体層、特に、−族化合物半導
体層を気相エピタキシヤル成長させる方法に関す
る。
（従来の技術）
従来より、Si基板上に、直接お、aAs等の−
族化合物半導体層を成長させて、大型の良質の
ウエハを製作する技術の開発が進められ、実用に
供されている。Si基板にこれら化合物半導体を気
相エピタキシヤル成長させる方法として、例え
ば、文献：「Surfase Science］、174（1986）19−
30、North−Holland、Amsterdamに開示され
ているような２段階成長法がある。この方法は、
基板の清浄化のための熱処理後、先ず、充分に低
い温度でバツフア層（低温バツフア層と称する。）
を成長しておいてから、化合物半導体の通常の成
長温度にまで昇温した後、その成長温度で所望す
る化合物半導体層を成長させる方法である。
族化合物半導体層を成長させて、大型の良質の
ウエハを製作する技術の開発が進められ、実用に
供されている。Si基板にこれら化合物半導体を気
相エピタキシヤル成長させる方法として、例え
ば、文献：「Surfase Science］、174（1986）19−
30、North−Holland、Amsterdamに開示され
ているような２段階成長法がある。この方法は、
基板の清浄化のための熱処理後、先ず、充分に低
い温度でバツフア層（低温バツフア層と称する。）
を成長しておいてから、化合物半導体の通常の成
長温度にまで昇温した後、その成長温度で所望す
る化合物半導体層を成長させる方法である。
先ず、この文献に開示されている、２段階成長
法を用いた有機金属化学気相法（MOCVD法）
によりSi基板にGaAs層を成長させる場合につき
簡単に説明する。
法を用いた有機金属化学気相法（MOCVD法）
によりSi基板にGaAs層を成長させる場合につき
簡単に説明する。
第２図は、この従来の２段階成長法を説明する
ための成長温度の説明図であり、横軸に時間及び
縦軸に温度（℃）をプロツトして示してある。ま
た、第３図は従来方法の説明に供するウエハ断面
図である。
ための成長温度の説明図であり、横軸に時間及び
縦軸に温度（℃）をプロツトして示してある。ま
た、第３図は従来方法の説明に供するウエハ断面
図である。
この成長にはキヤリアガスとして水素（H2）
ガス、反応ガスとしてアルシン（AsH3）及びト
リメチルガリウム（Ga（CH3）3）（TMGと略称す
る。）を用いている。
ガス、反応ガスとしてアルシン（AsH3）及びト
リメチルガリウム（Ga（CH3）3）（TMGと略称す
る。）を用いている。
先ず、反応炉内にSi基板１０を設置した後、ア
ルシン（AsH3）と水素（H2）ガスとの混合ガス
雰囲気中でSi基板１０を900〜980℃程度の温度
TCで５分間熱処理して（第２図Ｉで示す。）基板
を清浄化する。その後、温度をその熱処理温度よ
りも充分低い温度TB例えば400℃程度にまで下
げ、２分間TMGを反応炉内に導入し、第１段階
でのGaAs層１２の成長を行う（第２図にで示
す。）このGaAs層１２は膜厚100Å程度の一様な
シート状の層であり、Si基板１０の表面を覆う低
温バツフア層である。続いて、TMGの導入を停
止して成長を中断してから、再び温度を600〜650
℃の範囲内の温度TGまで上昇させ、第２段階で
のGaAs層１４を成長させる（第２図にで示
す。）。この第２段階でのGaAs層１４の成長（第
２図の）を、反応炉内にTMGを例えば約15分
間導入して約3μｍの膜厚となるようにして行う。
ルシン（AsH3）と水素（H2）ガスとの混合ガス
雰囲気中でSi基板１０を900〜980℃程度の温度
TCで５分間熱処理して（第２図Ｉで示す。）基板
を清浄化する。その後、温度をその熱処理温度よ
りも充分低い温度TB例えば400℃程度にまで下
げ、２分間TMGを反応炉内に導入し、第１段階
でのGaAs層１２の成長を行う（第２図にで示
す。）このGaAs層１２は膜厚100Å程度の一様な
シート状の層であり、Si基板１０の表面を覆う低
温バツフア層である。続いて、TMGの導入を停
止して成長を中断してから、再び温度を600〜650
℃の範囲内の温度TGまで上昇させ、第２段階で
のGaAs層１４を成長させる（第２図にで示
す。）。この第２段階でのGaAs層１４の成長（第
２図の）を、反応炉内にTMGを例えば約15分
間導入して約3μｍの膜厚となるようにして行う。
このように、２段階成長法は、GaAsの低温バ
ツフア層１２を成長させる温度TBと、電子デバ
イスを作り込むための所望のGaAs層を成長させ
る温度TGとの２段階の温度に分けてSi基板上に
GaAs層を成長させる技術である。この方法によ
れば、無極性結晶上への有極性の結晶を成長させ
ることが出来、これがため、基板と成長層との間
に格子不整合（GaAsとSiとでは４％の格子不整
合がある。）があつても、気相エピタキシヤル技
術で単一のドメインのGaAs成長層を得ることが
出来るものである。従つて、上述した２段階成長
法はSi基板上にGaAs等の化合物半導体の格子不
整合を有する結晶を成長させるための有効な方法
である。
ツフア層１２を成長させる温度TBと、電子デバ
イスを作り込むための所望のGaAs層を成長させ
る温度TGとの２段階の温度に分けてSi基板上に
GaAs層を成長させる技術である。この方法によ
れば、無極性結晶上への有極性の結晶を成長させ
ることが出来、これがため、基板と成長層との間
に格子不整合（GaAsとSiとでは４％の格子不整
合がある。）があつても、気相エピタキシヤル技
術で単一のドメインのGaAs成長層を得ることが
出来るものである。従つて、上述した２段階成長
法はSi基板上にGaAs等の化合物半導体の格子不
整合を有する結晶を成長させるための有効な方法
である。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、この２段階成長法による場合に
は、GaAsの低温バツフア層を成長する工程が必
要であるため、通常のGaAs基板上へのGaAsの
成長に比べ工程数が多く、従つて、成長に要する
時間を長くなつてしまうという問題点があつた。
は、GaAsの低温バツフア層を成長する工程が必
要であるため、通常のGaAs基板上へのGaAsの
成長に比べ工程数が多く、従つて、成長に要する
時間を長くなつてしまうという問題点があつた。
このため、この低温バツフア層の成長工程を省
略して、清浄後直ちにSi基板上にGaAs層の成長
を行うことも考えられる。しかしながら、600〜
650℃の成長温度でしかも1800Å／分程度という
通常の成長速度では、GaAsの反応種のSi基板表
面におけるマイグレーシヨンの効果により、
GaAs初期成長層は三次元的な島状成長となり、
これに起因して、引き続き成長するGaAsの成長
層が多結晶となつてしまい、単結晶のGaAs層が
得られないという問題点があつた。
略して、清浄後直ちにSi基板上にGaAs層の成長
を行うことも考えられる。しかしながら、600〜
650℃の成長温度でしかも1800Å／分程度という
通常の成長速度では、GaAsの反応種のSi基板表
面におけるマイグレーシヨンの効果により、
GaAs初期成長層は三次元的な島状成長となり、
これに起因して、引き続き成長するGaAsの成長
層が多結晶となつてしまい、単結晶のGaAs層が
得られないという問題点があつた。
この発明は上述した従来の課題に鑑み成された
ものであり、従つて、この発明の目的は、低温バ
ツフア層の成長工程を省略して成長工程の短縮化
を図り、しかも、基板表面でのマイグレーシヨン
に起因する多結晶化を抑えて単結晶の化合物半導
体層を容易に成長させ、スループツトの向上を図
ることが出来る、化合物半導体層の成長方法を提
供することにある。
ものであり、従つて、この発明の目的は、低温バ
ツフア層の成長工程を省略して成長工程の短縮化
を図り、しかも、基板表面でのマイグレーシヨン
に起因する多結晶化を抑えて単結晶の化合物半導
体層を容易に成長させ、スループツトの向上を図
ることが出来る、化合物半導体層の成長方法を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
この目的の達成をはかるため、この発明は、
シリコン（Si）基板上に、あらかじめ選択され
た−族化合物半導体からなる化合物半導体層
を気相エピタキシヤル成長させるに当り、 前記基板の表面が清浄化される温度で前記基板
を熱処理する工程と、 前記化合物半導体の通常の成長温度で、かつ、
前記化合物半導体の構成原子が充分にはマイグレ
ーシヨンできない成長速度で、前記基板上に前記
化合物半導体を成長させる工程とを有することを
特徴とする。
た−族化合物半導体からなる化合物半導体層
を気相エピタキシヤル成長させるに当り、 前記基板の表面が清浄化される温度で前記基板
を熱処理する工程と、 前記化合物半導体の通常の成長温度で、かつ、
前記化合物半導体の構成原子が充分にはマイグレ
ーシヨンできない成長速度で、前記基板上に前記
化合物半導体を成長させる工程とを有することを
特徴とする。
この発明の好適実施例においては、成長初期段
階後であつてもこの初期段階での成長速度で成長
させることが出来る。
階後であつてもこの初期段階での成長速度で成長
させることが出来る。
また、この発明の他の好適実施例においては、
成長初期段階後の成長速度を、初期段階での成長
速度よりも遅い別の成長速度とすることが出来
る。
成長初期段階後の成長速度を、初期段階での成長
速度よりも遅い別の成長速度とすることが出来
る。
（作用）
この発明の構成によれば、Si基板の表面の清浄
化を行つた後、少なくとも成長の初期段階は、通
常の化合物半導体の成長速度よりも速い成長速度
で、このSi基板の表面上に直接当該化合物半導体
層を成長させるので、成長すべき化合物半導体の
構成成分となる反応種（構成原子）が基板表面で
充分にはマイグレーシヨンできず、したがつて、
三次元的な島状成長が生じないうちに、結晶方位
のそろつた材料、例えばGaAsの結晶粒によつて
Si基板表面を覆い、これがため化合物半導体層が
単結晶となつて成長する。
化を行つた後、少なくとも成長の初期段階は、通
常の化合物半導体の成長速度よりも速い成長速度
で、このSi基板の表面上に直接当該化合物半導体
層を成長させるので、成長すべき化合物半導体の
構成成分となる反応種（構成原子）が基板表面で
充分にはマイグレーシヨンできず、したがつて、
三次元的な島状成長が生じないうちに、結晶方位
のそろつた材料、例えばGaAsの結晶粒によつて
Si基板表面を覆い、これがため化合物半導体層が
単結晶となつて成長する。
従つて、工程の短縮化が図れると共に、容易に
化合物半導体層の単結晶層を成長させることが出
来る。
化合物半導体層の単結晶層を成長させることが出
来る。
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の実施例を説
明する。
明する。
尚、これらの図は、この発明の理解出来る程度
に概略的に示してあるにすぎず、また、断面を表
わすハツチング等は省略して示してある。また、
これら図において、第２図及び第３図に示した構
成成分等と同一の構成部分等に対しては同一の符
号に付して示し、その詳細な説明は省略する。
に概略的に示してあるにすぎず、また、断面を表
わすハツチング等は省略して示してある。また、
これら図において、第２図及び第３図に示した構
成成分等と同一の構成部分等に対しては同一の符
号に付して示し、その詳細な説明は省略する。
また、以下説明する実施例は端なる好適例であ
るにすぎないため、数値的条件、その他の条件は
この実施例にあげた例にのみ限定されるものでは
ないことを理解されたい。
るにすぎないため、数値的条件、その他の条件は
この実施例にあげた例にのみ限定されるものでは
ないことを理解されたい。
また、以下説明する実施例では、Si基板上に
−族化合物半導体のうち一例としてGaAs層を
有機金属化学気相法（MOCVD法）によつて成
長させてウエハを得る場合につき説明する。
−族化合物半導体のうち一例としてGaAs層を
有機金属化学気相法（MOCVD法）によつて成
長させてウエハを得る場合につき説明する。
第一実施例
第１図Ａはこの発明の化合物半導体層の成長方
法の第一実施例における成長温度の説明図であ
り、横軸に時間及び縦軸に温度（℃）を取つて示
してある。第１図Ｂはこの実施例の成長方法の説
明に供するウエハの部分的断面図である。
法の第一実施例における成長温度の説明図であ
り、横軸に時間及び縦軸に温度（℃）を取つて示
してある。第１図Ｂはこの実施例の成長方法の説
明に供するウエハの部分的断面図である。
先ず、反応炉内にSi基板１０を設置し、これを
従来と同様に、（H2＋AsH3）の雰囲気中で900〜
980℃程度の範囲内の好適な温度TCで約５分間加
熱処理を行つてその表面の清浄化を行う（第１図
にで示す。）。
従来と同様に、（H2＋AsH3）の雰囲気中で900〜
980℃程度の範囲内の好適な温度TCで約５分間加
熱処理を行つてその表面の清浄化を行う（第１図
にで示す。）。
次に、この発明では、反応炉内の温度を、化合
物半導体の通常の成長温度従つてこの場合には
GaAsの通常の成長温度である600〜650℃程度の
範囲内の適当な温度TGにまで下げる。
物半導体の通常の成長温度従つてこの場合には
GaAsの通常の成長温度である600〜650℃程度の
範囲内の適当な温度TGにまで下げる。
この実施例では、この温度を600℃とした。そ
して、このGaAsの成長速度が、従来普通の成長
速度（1800Å／分程度）よりも速い高成長速度例
えば約3000Å／分程度或いはそれよりも速い成長
速度となるように反応ガスすなわちTMGの反応
炉内への供給量を調整した後、このTMGを反応
炉内へ導入開始して成長を開始する（第１図Ａに
で示す。）。具体的には、キヤリアガスである水
素ガスの流量を5000SCCM、反応ガスであるアル
シンおよびTMG（−4.5℃）の流量をそれぞれ
200SCCM、50SCCMとする。これにより、成長
速度は3000Å／分に調整される。この実施例で
は、化合物半導体であるGaAsの成長開始時から
の成長初期段階はもとより、GaAs層１６の膜厚
が所望の膜厚となるまで、この成長速度で継続成
長させ（第１図Ａにで示す。）、第１図Ｂに示す
ようなウエハを得る。第１図Ｂにおいて、この
GaAs層１６は高速成長層である。
して、このGaAsの成長速度が、従来普通の成長
速度（1800Å／分程度）よりも速い高成長速度例
えば約3000Å／分程度或いはそれよりも速い成長
速度となるように反応ガスすなわちTMGの反応
炉内への供給量を調整した後、このTMGを反応
炉内へ導入開始して成長を開始する（第１図Ａに
で示す。）。具体的には、キヤリアガスである水
素ガスの流量を5000SCCM、反応ガスであるアル
シンおよびTMG（−4.5℃）の流量をそれぞれ
200SCCM、50SCCMとする。これにより、成長
速度は3000Å／分に調整される。この実施例で
は、化合物半導体であるGaAsの成長開始時から
の成長初期段階はもとより、GaAs層１６の膜厚
が所望の膜厚となるまで、この成長速度で継続成
長させ（第１図Ａにで示す。）、第１図Ｂに示す
ようなウエハを得る。第１図Ｂにおいて、この
GaAs層１６は高速成長層である。
このように、GaAs層１６を高速成長させる
と、成長すべきGaAsの構成成分となる反応種
（構成原子）が基板表面で充分にはマイグレーシ
ヨンできず、したがつて、三次元的な島状成長が
生じないうちに、結晶方位のそろつたGaAs結晶
粒によつてSi基板表面が覆われるので引き続き成
長するGaAsが単結晶となり、従つて、Si基板１
０上にGaAsの単結晶層を得ることが出来る。
と、成長すべきGaAsの構成成分となる反応種
（構成原子）が基板表面で充分にはマイグレーシ
ヨンできず、したがつて、三次元的な島状成長が
生じないうちに、結晶方位のそろつたGaAs結晶
粒によつてSi基板表面が覆われるので引き続き成
長するGaAsが単結晶となり、従つて、Si基板１
０上にGaAsの単結晶層を得ることが出来る。
第二実施例
第４図Ａはこの発明の化合物半導体層の成長方
法の第二実施例における成長温度の説明図であ
り、横軸に時間及び縦軸に温度（℃）を取つて示
してある。第４図Ｂはこの実施例の成長方法の説
明に供するウエハの部分的断面図である。
法の第二実施例における成長温度の説明図であ
り、横軸に時間及び縦軸に温度（℃）を取つて示
してある。第４図Ｂはこの実施例の成長方法の説
明に供するウエハの部分的断面図である。
上述した第一実施例では、GaAsの通常の成長
温度での成長を、GaAsの成長開始時から設計上
の膜厚となるまで、終始継続して、高速成長させ
ていた。高速成長であることから、GaAsの成長
時間が短くて済む。しかし、高速成長を続けるた
めには、反応ガスを多量に導入しなければならな
い。したがつて、高速成長を続けるほど、反応ガ
スのボンベを頻繁に交換する必要がある。また、
高速成長を行えば、反応管の内壁に反応生成物が
堆積する速度も早くなるので、反応管も頻繁に交
換する必要がある。さらに、アルシン、TMGと
いつた反応ガスは高価であり、高速成長を続ける
ほどコスト高にもなる。これに対し、この第二実
施例では、Si基板１０の加熱処理（第４図ＡにＩ
で示す。）後、先ず、この通常の成長温度で、
GaAsの成長開始時からの少なくとも成長初期段
階のみ、上述した速い高成長速度例えば約3000
Å／分程度或いはそれよりも速い成長速度で成長
させ（第４図Ａにで示す。）、その後、成長速度
を従来普通の成長速度、例えば1800Å／分程度の
成長速度、に変えて最終的に設計上の所望の膜厚
にまで成長させ（第４図Ａにで示す。）、第４図
Ｂに示すようにウエハを得る。尚、同図におい
て、１８は高速成長層でありバツフア層として機
能とし、２０は普通の成長速度の成長層であり、
両層１８及び２０がSi基板１０上のGaAsの成長
層２２である。上述した成長初期段階では、その
期間での高速成長によつてバツフア層１８として
機能するだけの膜厚のGaAsの高速成長層を成長
させるのが好ましく、従つて、この初期段階の高
速成長時間は設計によつて任意好適な時間を設定
すれば良い。この第二実施例の場合でも、このよ
うにバツフア層１８を高速成長させることによ
り、その構成成分となる反応種（構成原子）がSi
基板１０の表面で充分にはマイグレーシヨンでき
ず、したがつて、三次元的な島状成長が起らない
うちに、結晶方位のそろつたGaAs結晶粒によつ
てSi基板表面が覆われるので、その後の普通の成
長速度での成長層２０も単結晶層として成長させ
ることが出来る。
温度での成長を、GaAsの成長開始時から設計上
の膜厚となるまで、終始継続して、高速成長させ
ていた。高速成長であることから、GaAsの成長
時間が短くて済む。しかし、高速成長を続けるた
めには、反応ガスを多量に導入しなければならな
い。したがつて、高速成長を続けるほど、反応ガ
スのボンベを頻繁に交換する必要がある。また、
高速成長を行えば、反応管の内壁に反応生成物が
堆積する速度も早くなるので、反応管も頻繁に交
換する必要がある。さらに、アルシン、TMGと
いつた反応ガスは高価であり、高速成長を続ける
ほどコスト高にもなる。これに対し、この第二実
施例では、Si基板１０の加熱処理（第４図ＡにＩ
で示す。）後、先ず、この通常の成長温度で、
GaAsの成長開始時からの少なくとも成長初期段
階のみ、上述した速い高成長速度例えば約3000
Å／分程度或いはそれよりも速い成長速度で成長
させ（第４図Ａにで示す。）、その後、成長速度
を従来普通の成長速度、例えば1800Å／分程度の
成長速度、に変えて最終的に設計上の所望の膜厚
にまで成長させ（第４図Ａにで示す。）、第４図
Ｂに示すようにウエハを得る。尚、同図におい
て、１８は高速成長層でありバツフア層として機
能とし、２０は普通の成長速度の成長層であり、
両層１８及び２０がSi基板１０上のGaAsの成長
層２２である。上述した成長初期段階では、その
期間での高速成長によつてバツフア層１８として
機能するだけの膜厚のGaAsの高速成長層を成長
させるのが好ましく、従つて、この初期段階の高
速成長時間は設計によつて任意好適な時間を設定
すれば良い。この第二実施例の場合でも、このよ
うにバツフア層１８を高速成長させることによ
り、その構成成分となる反応種（構成原子）がSi
基板１０の表面で充分にはマイグレーシヨンでき
ず、したがつて、三次元的な島状成長が起らない
うちに、結晶方位のそろつたGaAs結晶粒によつ
てSi基板表面が覆われるので、その後の普通の成
長速度での成長層２０も単結晶層として成長させ
ることが出来る。
この発明は上述した実施例にのみ限定されるも
のではなく、多くの変形又は変更をすることが出
来る。例えば、上述した実施例では、MOCVD
法でSi基板上にGaA層を成長させる例につき説
明したが、この発明は、反応種の基板上でのマイ
グレーシヨン効果による成長初期における成長す
べき半導体の三次元的な島状成長が問題となるよ
うな場合に適用して好適であり、従つて、成長方
法、成長条件、基板の種類、成長させるべき化合
物半導体の種類は設計に応じて任意に設定するこ
とが出来る。例えば、Si基板状へInP、GaP、こ
れらの混晶、その他の−族化合物半導体材料
を用いても同様な効果を達成することが出来る。
のではなく、多くの変形又は変更をすることが出
来る。例えば、上述した実施例では、MOCVD
法でSi基板上にGaA層を成長させる例につき説
明したが、この発明は、反応種の基板上でのマイ
グレーシヨン効果による成長初期における成長す
べき半導体の三次元的な島状成長が問題となるよ
うな場合に適用して好適であり、従つて、成長方
法、成長条件、基板の種類、成長させるべき化合
物半導体の種類は設計に応じて任意に設定するこ
とが出来る。例えば、Si基板状へInP、GaP、こ
れらの混晶、その他の−族化合物半導体材料
を用いても同様な効果を達成することが出来る。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明
の化合物半導体層の成長方法によれば、少なくと
も成長開始時から成長初期段階における成長すべ
き化合物半導体の成長速度を、成長すべき化合物
半導体を構成する反応種（構成原子）が基板表面
で充分にはマイグレーシヨンできず、したがつ
て、三次元的な島状成長を押えることが出来る程
度にまで、速くして化合物半導体の通常の高い成
長温度でも単結晶層を成長出来るようにしたの
で、従来のような低温バツフア層の成長工程が不
要となり、従つて、成長工程の時間の短縮変を図
ることが出来ると共に、成長も容易となり、スル
ープツトの向上を図ることが出来る。
の化合物半導体層の成長方法によれば、少なくと
も成長開始時から成長初期段階における成長すべ
き化合物半導体の成長速度を、成長すべき化合物
半導体を構成する反応種（構成原子）が基板表面
で充分にはマイグレーシヨンできず、したがつ
て、三次元的な島状成長を押えることが出来る程
度にまで、速くして化合物半導体の通常の高い成
長温度でも単結晶層を成長出来るようにしたの
で、従来のような低温バツフア層の成長工程が不
要となり、従つて、成長工程の時間の短縮変を図
ることが出来ると共に、成長も容易となり、スル
ープツトの向上を図ることが出来る。
第１図Ａはこの発明の化合物半導体層の成長方
法の第一実施例の説明に供する成長温度の説明
図、第１図Ｂはこの発明の化合物半導体層の成長
方法の第一実施例の説明に供するウエハ断面図、
第２図は従来方法の説明に供する成長温度の説明
図、第３図は従来方法の説明に供するウエハ断面
図、第４図Ａはこの発明の化合物半導体層の成長
方法の第二実施例の説明に供する成長温度の説明
図、第４図Ｂはこの発明の化合物半導体層の成長
方法の第二実施例の説明に供するウエハ断面図で
ある。 １０……Si基板、１６……高速成長層、１８…
…バツフア層（高速成長層）、２０……普通の成
長速度の成長層、２２……成長層。
法の第一実施例の説明に供する成長温度の説明
図、第１図Ｂはこの発明の化合物半導体層の成長
方法の第一実施例の説明に供するウエハ断面図、
第２図は従来方法の説明に供する成長温度の説明
図、第３図は従来方法の説明に供するウエハ断面
図、第４図Ａはこの発明の化合物半導体層の成長
方法の第二実施例の説明に供する成長温度の説明
図、第４図Ｂはこの発明の化合物半導体層の成長
方法の第二実施例の説明に供するウエハ断面図で
ある。 １０……Si基板、１６……高速成長層、１８…
…バツフア層（高速成長層）、２０……普通の成
長速度の成長層、２２……成長層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン（Si）基板上に、あらかじめ選択さ
れた−族化合物半導体からなる化合物半導体
層を気相エピタキシヤル成長させるに当り、 前記基板の表面が清浄化される温度で前記基板
を熱処理する工程と、 前記化合物半導体の通常の成長温度で、かつ、
前記化合物半導体の構成原子が充分にはマイグレ
ーシヨンできない成長速度で、前記基板上に前記
化合物半導体層を成長させる工程と を有することを特徴とする化合物半導体層の成長
方法。 ２ シリコン（Si）基板上に、あらかじめ選択さ
れた−族化合物半導体からなる化合物半導体
層を気相エピタキシヤル成長させるに当り、 前記基板の表面が清浄化される温度で前記基板
を熱処理する工程と、 前記化合物半導体の通常の成長温度で、かつ、
前記化合物半導体の構成原子が充分にはマイグレ
ーシヨンできない成長速度で、前記基板上に前記
化合物半導体のバツフア層を成長させる工程と、 前記化合物半導体の通常の成長温度で、かつ、
前記化合物半導体の通常の成長速度で、前記バツ
フア層上に前記化合物半導体層を成長させる工程
と を有することを特徴とする化合物半導体層の成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17186288A JPH0222812A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 化合物半導体層の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17186288A JPH0222812A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 化合物半導体層の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222812A JPH0222812A (ja) | 1990-01-25 |
| JPH0573335B2 true JPH0573335B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=15931165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17186288A Granted JPH0222812A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 化合物半導体層の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222812A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI258876B (en) * | 2004-03-29 | 2006-07-21 | Showa Denko Kk | Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119280A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 青色発光ダイオ−ド |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP17186288A patent/JPH0222812A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222812A (ja) | 1990-01-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |