JPH0573840A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0573840A JPH0573840A JP23810491A JP23810491A JPH0573840A JP H0573840 A JPH0573840 A JP H0573840A JP 23810491 A JP23810491 A JP 23810491A JP 23810491 A JP23810491 A JP 23810491A JP H0573840 A JPH0573840 A JP H0573840A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、斯かる従来技術の問題点に鑑み、
成膜速度を低下させ且つ複雑なギャップ部の形状をその
磁気特性を劣化させることなく形成することのできる薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板に該基板と所定の角度を有するギャップ
面を形成する工程と、該ギャップ面に対してギャップス
ペ−サを形成する工程と、下地膜が形成された非磁性基
板にギャップスペ−サの形成された単結晶基板を貼付け
る工程と、鍍金法により合金薄膜を成膜する工程と、単
結晶基板を除去する工程と、ギャップスペ−サを除却す
る工程と、非磁性基板に合金薄膜を形成する工程と、よ
りなる。
成膜速度を低下させ且つ複雑なギャップ部の形状をその
磁気特性を劣化させることなく形成することのできる薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板に該基板と所定の角度を有するギャップ
面を形成する工程と、該ギャップ面に対してギャップス
ペ−サを形成する工程と、下地膜が形成された非磁性基
板にギャップスペ−サの形成された単結晶基板を貼付け
る工程と、鍍金法により合金薄膜を成膜する工程と、単
結晶基板を除去する工程と、ギャップスペ−サを除却す
る工程と、非磁性基板に合金薄膜を形成する工程と、よ
りなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデジタルＶＴＲを始めと
する高密度記録機器に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
する高密度記録機器に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハイビジョンＶＴＲやデジタルＶ
ＴＲ等の高密度記録機器に必要な磁気ヘッドとして、３
０ＭＨｚ以上の高周波帯域で高効率である薄膜磁気ヘッ
ドの開発が検討されている。
ＴＲ等の高密度記録機器に必要な磁気ヘッドとして、３
０ＭＨｚ以上の高周波帯域で高効率である薄膜磁気ヘッ
ドの開発が検討されている。
【０００３】図５に従来の薄膜磁気ヘッドのギャップ部
の断面図、図６〜図８に該薄膜磁気ヘッドの製造工程図
を示す。
の断面図、図６〜図８に該薄膜磁気ヘッドの製造工程図
を示す。
【０００４】まず図５において１０１は非磁性基板、１
０２、１０３は主コア、１０４はこれら主コア１０２、
１０３間にギャップを形成するためのギャップスペ−サ
である。
０２、１０３は主コア、１０４はこれら主コア１０２、
１０３間にギャップを形成するためのギャップスペ−サ
である。
【０００５】次に上記図５のヘッドの従来の製造方法に
ついて図６〜図８に沿って説明する。
ついて図６〜図８に沿って説明する。
【０００６】図６（ａ）でＳｉウェハ１１１の表面にマ
スクとなるＳｉＯ2膜１１２、１１３を形成し、異方性
エッチングを施すことにより図６（ｂ）のような傾斜角
θを有するギャップ面１１４が前記Ｓｉウェハ１１１に
形成される。
スクとなるＳｉＯ2膜１１２、１１３を形成し、異方性
エッチングを施すことにより図６（ｂ）のような傾斜角
θを有するギャップ面１１４が前記Ｓｉウェハ１１１に
形成される。
【０００７】次に前記基板１１１の表面にＳｉＯ2の膜
からなるギャップスペ−サ１１５をスパッタ法により図
６（ｃ）のように形成する。
からなるギャップスペ−サ１１５をスパッタ法により図
６（ｃ）のように形成する。
【０００８】そして図６（ｄ）において前記ギャップス
ペ−サ１１５の形成された面を対向面として結晶化ガラ
ス等の非磁性基板１１６に樹脂またはガラスを介して接
合する。
ペ−サ１１５の形成された面を対向面として結晶化ガラ
ス等の非磁性基板１１６に樹脂またはガラスを介して接
合する。
【０００９】この後前記Ｓｉウェハ１１１を研摩するこ
とにより図７（ｅ）のようにギャップ面を露出させる。
とにより図７（ｅ）のようにギャップ面を露出させる。
【００１０】そして前記Ｓｉウェハ１１１をマスクとし
て図７（ｆ）のようにスパッタ法により金属磁性薄膜１
１７を形成する。
て図７（ｆ）のようにスパッタ法により金属磁性薄膜１
１７を形成する。
【００１１】図７（ｇ）で前記金属磁性薄膜１１７を研
摩して該膜１１７と前記Ｓｉウェハ１１１とを面一にし
た後、図８（ｈ）にてエッチングによって前記Ｓｉウェ
ハ１１１を除去する。
摩して該膜１１７と前記Ｓｉウェハ１１１とを面一にし
た後、図８（ｈ）にてエッチングによって前記Ｓｉウェ
ハ１１１を除去する。
【００１２】さらにエッチングによって片側（図では右
側）のギャップ面に存在するギャップスペ−サ１１５並
びにＳｉＯ2膜１１２を除去した後、図８（ｉ）に示す
ように前記非磁性基板１１６表面に主コアとなる金属磁
性薄膜１１８を形成する。そして最後に前記金属磁性薄
膜１１８を前記金属磁性薄膜１１７と面一となるように
研摩して前記図５の薄膜磁気ヘッドを得る。
側）のギャップ面に存在するギャップスペ−サ１１５並
びにＳｉＯ2膜１１２を除去した後、図８（ｉ）に示す
ように前記非磁性基板１１６表面に主コアとなる金属磁
性薄膜１１８を形成する。そして最後に前記金属磁性薄
膜１１８を前記金属磁性薄膜１１７と面一となるように
研摩して前記図５の薄膜磁気ヘッドを得る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法には次のような問題点が存在していた。
即ち図７（ｅ）のようなオ−バ−ハング部（図では左右
のギャップ面の間）に例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系を代表
とする結晶系の金属磁性薄膜をスパッタ法で成膜する場
合には、この部分の磁気特性が劣化し易くなって良好な
記録再生特性を得ることができなかった。また上記オ−
バ−ハング部はそのシャドウイング効果によって２０μ
ｍ以上の厚みを有する厚膜を形成することが困難であっ
た。
ッドの製造方法には次のような問題点が存在していた。
即ち図７（ｅ）のようなオ−バ−ハング部（図では左右
のギャップ面の間）に例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系を代表
とする結晶系の金属磁性薄膜をスパッタ法で成膜する場
合には、この部分の磁気特性が劣化し易くなって良好な
記録再生特性を得ることができなかった。また上記オ−
バ−ハング部はそのシャドウイング効果によって２０μ
ｍ以上の厚みを有する厚膜を形成することが困難であっ
た。
【００１４】本発明が解決しようとする課題は、斯かる
従来技術の問題点に鑑み、成膜速度を低下させることな
く、複雑なギャップ部の形状をその時期特性を劣化させ
ることなく形成することのできる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することである。
従来技術の問題点に鑑み、成膜速度を低下させることな
く、複雑なギャップ部の形状をその時期特性を劣化させ
ることなく形成することのできる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶基板に
異方性エッチングを施して該基板と所定の角度を有する
一対のギャップ面を形成する工程と、該ギャップ面に対
して非磁性ギャップスペ−サを形成する工程と、下地膜
が形成された非磁性基板に前記ギャップスペ−サの形成
された単結晶基板を貼付ける工程と、前記ギャップ面間
に鍍金法により合金薄膜を成膜する工程と、前記単結晶
基板をエッチングにより除去する工程と、前記片方のギ
ャップ面に存在するギャップスペ−サを除却する工程
と、前記非磁性基板の前記合金薄膜を除く面に同一ある
いは別の合金薄膜を形成する工程と、よりなる。
異方性エッチングを施して該基板と所定の角度を有する
一対のギャップ面を形成する工程と、該ギャップ面に対
して非磁性ギャップスペ−サを形成する工程と、下地膜
が形成された非磁性基板に前記ギャップスペ−サの形成
された単結晶基板を貼付ける工程と、前記ギャップ面間
に鍍金法により合金薄膜を成膜する工程と、前記単結晶
基板をエッチングにより除去する工程と、前記片方のギ
ャップ面に存在するギャップスペ−サを除却する工程
と、前記非磁性基板の前記合金薄膜を除く面に同一ある
いは別の合金薄膜を形成する工程と、よりなる。
【００１６】
【作用】上記の方法によれば鍍金法によって所望の磁性
薄膜を形成することにより、ギャップ部の複雑な形状部
分においてもその磁気特性を劣化させることが少なくて
済み、しかもスパッタ法による磁性薄膜とその成膜速度
において同等であり、低コストで大量生産が可能とな
る。
薄膜を形成することにより、ギャップ部の複雑な形状部
分においてもその磁気特性を劣化させることが少なくて
済み、しかもスパッタ法による磁性薄膜とその成膜速度
において同等であり、低コストで大量生産が可能とな
る。
【００１７】
【実施例】以下本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の１
実施例を図面に沿って詳細に説明する。
実施例を図面に沿って詳細に説明する。
【００１８】まず図１（ａ）に示す厚み寸法が３００〜
６００μｍ程度の単結晶Ｓｉウェハ１を用意する。この
ウェハ１の結晶方位は表面が［１００］になるように切
り出したものである。
６００μｍ程度の単結晶Ｓｉウェハ１を用意する。この
ウェハ１の結晶方位は表面が［１００］になるように切
り出したものである。
【００１９】次に図１（ｂ）において前記ウェハ１を洗
浄した後、酸化炉中で酸化させ、該ウェハ１表面に略
０．２〜１．０μｍの厚み寸法を有するＳｉＯ2膜２を
形成する。このＳｉＯ2膜２の厚み寸法は後述するＫＯ
Ｈ水溶液に対するＳｉとＳｉＯ2の選択比とＳｉのエッ
チング量から最適な値を求めるのが望ましく、本工程で
は０．５μｍに設定した。
浄した後、酸化炉中で酸化させ、該ウェハ１表面に略
０．２〜１．０μｍの厚み寸法を有するＳｉＯ2膜２を
形成する。このＳｉＯ2膜２の厚み寸法は後述するＫＯ
Ｈ水溶液に対するＳｉとＳｉＯ2の選択比とＳｉのエッ
チング量から最適な値を求めるのが望ましく、本工程で
は０．５μｍに設定した。
【００２０】こうして得られたＳｉＯ2膜２を図１
（ｃ）においてフォトリソグラフィ及びイオンビ−ムエ
ッチングの手法を用いてエッチングし、ＫＯＨ水溶液に
対するマスク２１、２２とする。このときのマスクパタ
−ンのエッジラインは前記ウェハ１の［１１０］方向に
一致させた。
（ｃ）においてフォトリソグラフィ及びイオンビ−ムエ
ッチングの手法を用いてエッチングし、ＫＯＨ水溶液に
対するマスク２１、２２とする。このときのマスクパタ
−ンのエッジラインは前記ウェハ１の［１１０］方向に
一致させた。
【００２１】前記マスク２１、２２を用いてＫＯＨ水溶
液を用いて異方性エッチングを施し図１（ｅ）に示すよ
うな一対のギャップ面３１、３２を形成した。この時の
エッチング量は略２０〜５０μｍであり、前記ギャップ
面３１、３２は斯かるＫＯＨ水溶液の異方性エッチング
によるエッチングレ−トの差により［１１１］面が露出
することになる。
液を用いて異方性エッチングを施し図１（ｅ）に示すよ
うな一対のギャップ面３１、３２を形成した。この時の
エッチング量は略２０〜５０μｍであり、前記ギャップ
面３１、３２は斯かるＫＯＨ水溶液の異方性エッチング
によるエッチングレ−トの差により［１１１］面が露出
することになる。
【００２２】前記ギャップ面３１、３２、即ち［１１
１］面は前記ウェハ１の［１００］面と角度θ（＝５
４．７°）を形成し、該面は良好な鏡面となる。
１］面は前記ウェハ１の［１００］面と角度θ（＝５
４．７°）を形成し、該面は良好な鏡面となる。
【００２３】また前記ＫＯＨ水溶液の濃度及び温度は前
記エッチングレートに影響を与えるため、最適な条件を
選ぶ必要があり、本工程ではＫＯＨを１７重量％の濃度
とし、その水溶液の温度を７０℃に設定した。この条件
において前記ウェハ１の［１００］方向のエッチングレ
−トは０．９μｍ／分であった。
記エッチングレートに影響を与えるため、最適な条件を
選ぶ必要があり、本工程ではＫＯＨを１７重量％の濃度
とし、その水溶液の温度を７０℃に設定した。この条件
において前記ウェハ１の［１００］方向のエッチングレ
−トは０．９μｍ／分であった。
【００２４】次に前記ウェハ１の表面に図２（ｅ）に示
すように前記ギャップ面３１、３２を被うようにＳｉＯ
2のギャップスペ−サ４をスパッタ法を用いて形成し
た。斯かるギャップスペ−サ４は後述するウェハ１に対
するエッチングを施す工程において残りの部分に対する
保護膜として機能する。
すように前記ギャップ面３１、３２を被うようにＳｉＯ
2のギャップスペ−サ４をスパッタ法を用いて形成し
た。斯かるギャップスペ−サ４は後述するウェハ１に対
するエッチングを施す工程において残りの部分に対する
保護膜として機能する。
【００２５】図２（ｆ）は、本実施例薄膜ヘッドの土台
となる非磁性基板５を示す。この基板５は結晶化ガラス
等の材料によって形成され、この表面にＮｉ−Ｆｅ系合
金または他の金属磁性薄膜を後述する鍍金処理の下地膜
６として形成した。
となる非磁性基板５を示す。この基板５は結晶化ガラス
等の材料によって形成され、この表面にＮｉ−Ｆｅ系合
金または他の金属磁性薄膜を後述する鍍金処理の下地膜
６として形成した。
【００２６】そして図２（ｇ）において前記下地膜６が
形成された非磁性基板５に図２（ｅ）で得られたウェハ
１をそのギャップスペ−サ側を該基板５に対向させて樹
脂またはガラス等の接着材料を用いて接合し、その後前
記ウェハ１表面を研摩して前記ギャップ面３１、３２間
に後述する金属磁性薄膜の被覆領域７を開口形成した。
この時、研摩によって残されたウェハ１の厚み寸法は略
２０μｍに設定した。
形成された非磁性基板５に図２（ｅ）で得られたウェハ
１をそのギャップスペ−サ側を該基板５に対向させて樹
脂またはガラス等の接着材料を用いて接合し、その後前
記ウェハ１表面を研摩して前記ギャップ面３１、３２間
に後述する金属磁性薄膜の被覆領域７を開口形成した。
この時、研摩によって残されたウェハ１の厚み寸法は略
２０μｍに設定した。
【００２７】次に前記被膜領域７に図２（ｈ）に示すよ
うなＮｉ−Ｆｅ系合金等からなる金属磁性薄膜８を鍍金
法を用いて形成した。尚、この時の薄膜８の成膜厚みは
略２０μｍであり、成膜速度は１０００Å／分であっ
た。また鍍金時の電流密度は２Ａ／ｄｍ2で且つ液温は
４０℃であった。
うなＮｉ−Ｆｅ系合金等からなる金属磁性薄膜８を鍍金
法を用いて形成した。尚、この時の薄膜８の成膜厚みは
略２０μｍであり、成膜速度は１０００Å／分であっ
た。また鍍金時の電流密度は２Ａ／ｄｍ2で且つ液温は
４０℃であった。
【００２８】斯かる工程において前記ウェハ１は半導体
であり、且つその電気抵抗が前記下地膜６に比較して非
常に大きいため、鍍金時のマスクとして機能し、結果的
に前記θのテ−パ−角度を図の左右に有する薄膜８を形
成することが可能となる。
であり、且つその電気抵抗が前記下地膜６に比較して非
常に大きいため、鍍金時のマスクとして機能し、結果的
に前記θのテ−パ−角度を図の左右に有する薄膜８を形
成することが可能となる。
【００２９】こうしてできた薄膜８の表面は粗い状態で
あるから、図３（ｉ）に示すように表面の平坦化処理を
行った。
あるから、図３（ｉ）に示すように表面の平坦化処理を
行った。
【００３０】さらに前記ウェハ１をアルカリ水溶液でエ
ッチングし図３（ｊ）に示すように除却した。この時の
エッチャントとしてはＫＯＨの濃度が１７重量％でその
水溶液の温度が６０℃のものを用いた。
ッチングし図３（ｊ）に示すように除却した。この時の
エッチャントとしてはＫＯＨの濃度が１７重量％でその
水溶液の温度が６０℃のものを用いた。
【００３１】斯かるエッチング時のウェハ１の［１０
０］方向のエッチングレ−トは０．６μｍ／分であっ
た。尚、この工程において前記ギャップスペ−サ４は薄
膜８に対する保護膜として機能し、更に薄膜８自身はア
ルカリ性水溶液には殆どエッチングされないものとす
る。
０］方向のエッチングレ−トは０．６μｍ／分であっ
た。尚、この工程において前記ギャップスペ−サ４は薄
膜８に対する保護膜として機能し、更に薄膜８自身はア
ルカリ性水溶液には殆どエッチングされないものとす
る。
【００３２】またギャップ面３１、３２のうち片側の３
１に存在するギャップスペ−サ４とマスク２１とをイオ
ンビ−ムエッチング法等を用いて除却し、その後前記基
板５表面に前記薄膜８を追おうようにして図３（ｋ）に
示すようなＮｉ−Ｆｅ系合金等の金属磁性薄膜９をスパ
ッタ法等の手段により被覆形成した。この帰属磁性薄膜
９は前記金属磁性薄膜８と同じ材料でもよいし、あるい
は別の材料を用いてもよい。
１に存在するギャップスペ−サ４とマスク２１とをイオ
ンビ−ムエッチング法等を用いて除却し、その後前記基
板５表面に前記薄膜８を追おうようにして図３（ｋ）に
示すようなＮｉ−Ｆｅ系合金等の金属磁性薄膜９をスパ
ッタ法等の手段により被覆形成した。この帰属磁性薄膜
９は前記金属磁性薄膜８と同じ材料でもよいし、あるい
は別の材料を用いてもよい。
【００３３】最後に前記薄膜８の膜厚が所定のトラック
幅（１０μｍ程度）になるように研摩等の平坦化処理を
施し、図４に示されるような薄膜磁気ヘッドを得た。
幅（１０μｍ程度）になるように研摩等の平坦化処理を
施し、図４に示されるような薄膜磁気ヘッドを得た。
【００３４】図４においては前記ギャップスペ−サ４を
境に両側の金属磁性薄膜８、９が夫々主コアを形成して
いる。
境に両側の金属磁性薄膜８、９が夫々主コアを形成して
いる。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、単結晶基板に異方性エッチン
グを施して該基板と所定の角度を有する一対のギャップ
面を形成する工程と、該ギャップ面に対して非磁性ギャ
ップスペ−サを形成する工程と、下地膜が形成された非
磁性基板に前記ギャップスペ−サの形成された単結晶基
板を貼付ける工程と、前記ギャップ面間に鍍金法により
合金薄膜を成膜する工程と、前記単結晶基板をエッチン
グにより除去する工程と、前記片方のギャップ面に存在
するギャップスペ−サを除却する工程と、前記非磁性基
板の前記合金薄膜を除く面に同一あるいは別の合金薄膜
を形成する工程と、よりなるものであるから、鍍金法に
よって形成された合金薄膜はギャップ部近傍の複雑な形
状部においてもその磁気特性を劣化させることなく所望
の特性を維持することができるとともに、ギャップ面の
角度を規制する単結晶基板がそのまま鍍金工程における
マスクとしての機能を果たし、且つ該マスクはエッチン
グにより簡単に除却することが可能となる効果を有す
る。
グを施して該基板と所定の角度を有する一対のギャップ
面を形成する工程と、該ギャップ面に対して非磁性ギャ
ップスペ−サを形成する工程と、下地膜が形成された非
磁性基板に前記ギャップスペ−サの形成された単結晶基
板を貼付ける工程と、前記ギャップ面間に鍍金法により
合金薄膜を成膜する工程と、前記単結晶基板をエッチン
グにより除去する工程と、前記片方のギャップ面に存在
するギャップスペ−サを除却する工程と、前記非磁性基
板の前記合金薄膜を除く面に同一あるいは別の合金薄膜
を形成する工程と、よりなるものであるから、鍍金法に
よって形成された合金薄膜はギャップ部近傍の複雑な形
状部においてもその磁気特性を劣化させることなく所望
の特性を維持することができるとともに、ギャップ面の
角度を規制する単結晶基板がそのまま鍍金工程における
マスクとしての機能を果たし、且つ該マスクはエッチン
グにより簡単に除却することが可能となる効果を有す
る。
【００３６】しかも鍍金法による合金薄膜の成膜速度及
び磁気特性はスパッタ法と比較して同等もしくはそれ以
上となり、薄膜ヘッドの製造装置のコストや製造に費や
す時間も鍍金法のほうが遥かに低コスト、大量生産に適
するという効果が期待できる。
び磁気特性はスパッタ法と比較して同等もしくはそれ以
上となり、薄膜ヘッドの製造装置のコストや製造に費や
す時間も鍍金法のほうが遥かに低コスト、大量生産に適
するという効果が期待できる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一連の工程を示す断面図である。
造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図２】（ｅ）〜（ｈ）は同じく前記図１の工程に続く
一連の工程を示す断面図である。
一連の工程を示す断面図である。
【図３】（ｉ）〜（ｋ）は同じく前記図２の工程に続く
一連の工程を示す断面図である。
一連の工程を示す断面図である。
【図４】前記図１〜図３の工程により製造された薄膜磁
気ヘッドの断面図である。
気ヘッドの断面図である。
【図５】従来の製造法によって製造された薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一連の工程を示す断面図である。
方法の一連の工程を示す断面図である。
【図７】（ｅ）〜（ｇ）は同じく前記図６の工程に続く
一連の工程を示す断面図である。
一連の工程を示す断面図である。
【図８】（ｈ）、（ｉ）は同じく前記図７の工程に続く
一連の工程を示す断面図である。
一連の工程を示す断面図である。
１ 単結晶基板 ３１、３２ ギャップ面 ４ ギャップスペ−サ ５ 非磁性基板 ６ 下地膜 ８、９ 合金薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶基板に異方性エッチングを施して
該基板と所定の角度を有する一対のギャップ面を形成す
る工程と、該ギャップ面に対して非磁性ギャップスペ−
サを形成する工程と、下地膜が形成された非磁性基板に
前記ギャップスペ−サの形成された単結晶基板を貼付け
る工程と、前記ギャップ面間に鍍金法により合金薄膜を
成膜する工程と、前記単結晶基板をエッチングにより除
去する工程と、前記片方のギャップ面に存在するギャッ
プスペ−サを除却する工程と、前記非磁性基板の前記合
金薄膜を除く面に同一あるいは別の合金薄膜を形成する
工程と、よりなる薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23810491A JPH0573840A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23810491A JPH0573840A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573840A true JPH0573840A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17025240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23810491A Pending JPH0573840A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573840A (ja) |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23810491A patent/JPH0573840A/ja active Pending
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