JPH0574767A - 配線パターンの構造 - Google Patents
配線パターンの構造Info
- Publication number
- JPH0574767A JPH0574767A JP3236327A JP23632791A JPH0574767A JP H0574767 A JPH0574767 A JP H0574767A JP 3236327 A JP3236327 A JP 3236327A JP 23632791 A JP23632791 A JP 23632791A JP H0574767 A JPH0574767 A JP H0574767A
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- JP
- Japan
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- wiring pattern
- resin
- substrate
- metal
- metal particles
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- Pending
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- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板あるいは半導体素子上に形成する配線パタ
ーンで、低コストで微細なピッチの配線パターンを提供
する。 【構成】金属粒子３を一様に分散させた樹脂２を基板１
上にパターンニングし、これにメッキを施し、金属粒子
を核として成長した金属膜４が樹脂２を覆うことにより
配線パターンを形成する。 【効果】凹凸や曲面を有する表面上にも配線パターンを
形成でき、さらに柔軟性を有し折り曲げて使用するよう
な基板上にも配線パターンを形成することが可能とな
る。
ーンで、低コストで微細なピッチの配線パターンを提供
する。 【構成】金属粒子３を一様に分散させた樹脂２を基板１
上にパターンニングし、これにメッキを施し、金属粒子
を核として成長した金属膜４が樹脂２を覆うことにより
配線パターンを形成する。 【効果】凹凸や曲面を有する表面上にも配線パターンを
形成でき、さらに柔軟性を有し折り曲げて使用するよう
な基板上にも配線パターンを形成することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板あるいは半導体素子
上に形成した配線パターンの構造に係わり、更に詳しく
は安価であり微細なピッチに好適な配線パターンの構造
に関する。
上に形成した配線パターンの構造に係わり、更に詳しく
は安価であり微細なピッチに好適な配線パターンの構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、ガラス基板上に配線パターンを
形成した従来例を示す断面図であり、１０１はガラス基
板、１０２は基板１０１上に形成された透明導電膜、１
０３は透明導電膜１０２上に形成された金属膜である。
また図５はガラスエポキシ基板上に銅箔により配線パタ
ーンを形成した従来例を示す断面図であり、１０４はガ
ラスエポキシ基板、１０５は接着剤、１０６はＣｕ箔で
ある。
形成した従来例を示す断面図であり、１０１はガラス基
板、１０２は基板１０１上に形成された透明導電膜、１
０３は透明導電膜１０２上に形成された金属膜である。
また図５はガラスエポキシ基板上に銅箔により配線パタ
ーンを形成した従来例を示す断面図であり、１０４はガ
ラスエポキシ基板、１０５は接着剤、１０６はＣｕ箔で
ある。
【０００３】図４に示したガラス基板上への配線パター
ンの形成方法は以下の通りである。まず、酸化イリジュ
ウム等で形成される透明導電膜１０２を真空スパッタ装
置等を用いてガラス基板１０１の一面全体に０．１μｍ
程度成長させる。この透明導電膜１０２上にレジスト等
を用いて配線パターンを描画し、基板１０１をエッチン
グ液に浸しレジストの覆っていない部分の透明導電膜１
０２を溶解除去する。レジストをレジスト除去のエッチ
ング液で除去し、さらに必要に応じて透明導電膜１０２
上にＮｉ、Ａｕ等の金属膜１０３を無電解メッキ法等に
より０．１〜０．５μｍ程度形成する。
ンの形成方法は以下の通りである。まず、酸化イリジュ
ウム等で形成される透明導電膜１０２を真空スパッタ装
置等を用いてガラス基板１０１の一面全体に０．１μｍ
程度成長させる。この透明導電膜１０２上にレジスト等
を用いて配線パターンを描画し、基板１０１をエッチン
グ液に浸しレジストの覆っていない部分の透明導電膜１
０２を溶解除去する。レジストをレジスト除去のエッチ
ング液で除去し、さらに必要に応じて透明導電膜１０２
上にＮｉ、Ａｕ等の金属膜１０３を無電解メッキ法等に
より０．１〜０．５μｍ程度形成する。
【０００４】図５に示したガラスエポキシ基板上への配
線パターンの形成方法は以下の通りである。まず、ガラ
スエポキシ基板１０４の片面全面に３５μｍ程度の厚み
を持つＣｕ箔１０６を接着剤１０５を用いて接着する。
次にＣｕ箔１０６上にレジスト等を用いて配線パターン
を描画し、Ｃｕのエッチング液にガラスエポキシ基板１
０４を浸漬しレジストの覆っていない部分のＣｕ箔１０
６を溶解除去し、さらにレジストをエッチング除去する
ことで配線パターンを形成する。
線パターンの形成方法は以下の通りである。まず、ガラ
スエポキシ基板１０４の片面全面に３５μｍ程度の厚み
を持つＣｕ箔１０６を接着剤１０５を用いて接着する。
次にＣｕ箔１０６上にレジスト等を用いて配線パターン
を描画し、Ｃｕのエッチング液にガラスエポキシ基板１
０４を浸漬しレジストの覆っていない部分のＣｕ箔１０
６を溶解除去し、さらにレジストをエッチング除去する
ことで配線パターンを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、例
えばガラス基板上に配線パターンを形成する前述の方法
においては、真空スパッタリング方法等のコストの高い
工程を用いるため、配線パターンの製造単価が高くな
る。さらに、真空スパッタリング方法で形成される薄膜
は、膜厚を厚くする事が物理的にも経済的にも困難なた
め、形成された配線パターンの抵抗が大きくならざるを
得ない。抵抗を下げるために金属膜をメッキするとさら
にコストの増加を招く。また、前述のガラスエポキシ基
板上への配線パターンの形成方法においては、配線パタ
ーンがＣｕの厚膜で構成されているため抵抗は小さく抑
えることが出来るが、Ｃｕ箔のエッチング時にサイドエ
ッチ等の現象が生じるため、配線パターンのピッチを細
密にすることが出来なかった。本発明は、上記の課題を
解決すべくなされたもので、安価な工程により配線パタ
ーンを形成し、なおかつ微細ピッチの配線パターンを形
成することを目的としたものである。
えばガラス基板上に配線パターンを形成する前述の方法
においては、真空スパッタリング方法等のコストの高い
工程を用いるため、配線パターンの製造単価が高くな
る。さらに、真空スパッタリング方法で形成される薄膜
は、膜厚を厚くする事が物理的にも経済的にも困難なた
め、形成された配線パターンの抵抗が大きくならざるを
得ない。抵抗を下げるために金属膜をメッキするとさら
にコストの増加を招く。また、前述のガラスエポキシ基
板上への配線パターンの形成方法においては、配線パタ
ーンがＣｕの厚膜で構成されているため抵抗は小さく抑
えることが出来るが、Ｃｕ箔のエッチング時にサイドエ
ッチ等の現象が生じるため、配線パターンのピッチを細
密にすることが出来なかった。本発明は、上記の課題を
解決すべくなされたもので、安価な工程により配線パタ
ーンを形成し、なおかつ微細ピッチの配線パターンを形
成することを目的としたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板あるい
は半導体素子上に金属粒子を一様に分散させた樹脂によ
るパターンを形成し、無電解メッキ浴中で金属粒子を核
として成長させた金属膜により配線パターンを形成する
ことにより達成される。
は半導体素子上に金属粒子を一様に分散させた樹脂によ
るパターンを形成し、無電解メッキ浴中で金属粒子を核
として成長させた金属膜により配線パターンを形成する
ことにより達成される。
【０００７】
【作用】基板あるいは半導体素子上に金属粒子を含有し
た樹脂の層を形成し、樹脂を選択的に硬化させ未硬化部
分を取り除いた後、無電解メッキ浴に浸漬し、金属粒子
を核として成長した金属膜が樹脂上を覆うことにより配
線パターンが形成される。
た樹脂の層を形成し、樹脂を選択的に硬化させ未硬化部
分を取り除いた後、無電解メッキ浴に浸漬し、金属粒子
を核として成長した金属膜が樹脂上を覆うことにより配
線パターンが形成される。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明の詳細を説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の一実施例を示す配線パタ
ーンの断面図であり、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、図１
に示した配線パターンを形成する工程を示した断面図で
あり、図３は本発明の一応用例を示した斜視図である。
１は基板、２は樹脂、３は金属性の粒子、３ａは樹脂２
より突出した金属粒子、４は金属膜、２ａは樹脂２の硬
化した領域、２ｂは樹脂２の未硬化領域、５はマスク、
６は紫外線の照射方向を示す矢印、７は金属配線、８は
電極、９は半導体素子、１０は本発明による配線パター
ン、１１は金属線、１２は半導体素子９上の保護膜であ
る。
ーンの断面図であり、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、図１
に示した配線パターンを形成する工程を示した断面図で
あり、図３は本発明の一応用例を示した斜視図である。
１は基板、２は樹脂、３は金属性の粒子、３ａは樹脂２
より突出した金属粒子、４は金属膜、２ａは樹脂２の硬
化した領域、２ｂは樹脂２の未硬化領域、５はマスク、
６は紫外線の照射方向を示す矢印、７は金属配線、８は
電極、９は半導体素子、１０は本発明による配線パター
ン、１１は金属線、１２は半導体素子９上の保護膜であ
る。
【００１０】まず、ガラス性の基板１上に０．１〜１μ
ｍの粒径を持つＡｇ−Ｐｄ粒子３を５〜２０％含有する
樹脂２を適量滴下する。このガラス基板１をスピンコー
ターにより３０００ｒｐｍの回転速度で２０秒間回転さ
せ、ガラス基板１上に樹脂２を約２μｍの厚みとなるよ
う形成した。このとき樹脂２の厚みは、樹脂２の粘度お
よびスピンコーターの回転速度を変化させることにより
０．２〜１５０μｍの範囲内の任意の値に設定すること
が可能であり、また樹脂２の塗布方法を凹版印刷あるい
は、スキージによるレベリング等を用いることにより２
０μｍ〜数ｍｍの範囲の値にすることも可能である。樹
脂２として、紫外線硬化型のポリイミド系樹脂を用いて
いる。このようにして図２（Ａ）に示した構造を得る。
ｍの粒径を持つＡｇ−Ｐｄ粒子３を５〜２０％含有する
樹脂２を適量滴下する。このガラス基板１をスピンコー
ターにより３０００ｒｐｍの回転速度で２０秒間回転さ
せ、ガラス基板１上に樹脂２を約２μｍの厚みとなるよ
う形成した。このとき樹脂２の厚みは、樹脂２の粘度お
よびスピンコーターの回転速度を変化させることにより
０．２〜１５０μｍの範囲内の任意の値に設定すること
が可能であり、また樹脂２の塗布方法を凹版印刷あるい
は、スキージによるレベリング等を用いることにより２
０μｍ〜数ｍｍの範囲の値にすることも可能である。樹
脂２として、紫外線硬化型のポリイミド系樹脂を用いて
いる。このようにして図２（Ａ）に示した構造を得る。
【００１１】次に、図２（Ｂ）に示すように樹脂２上に
マスク５を位置合わせし、紫外線を３０ｍＪ／ｃｍ2の
照度で３０秒間矢印６の方向に照射し、樹脂２を選択的
に硬化させ、硬化領域２ａおよび未硬化領域２ｂを得
る。このガラス基板１を樹脂２の溶解液に２分間浸漬
し、未硬化領域２ｂを除去することで図２（Ｃ）に示し
た構造を得る。この時、樹脂２の硬化領域２ａの樹脂表
面も０．０５〜０．１μｍ溶解するため金属粒子３ａの
様に樹脂２の表面近傍にある金属粒子３は樹脂２の表面
より突出することになる。このガラス基板１を７０℃に
加温したＮｉ無電解メッキ浴中に約１０分浸漬する。メ
ッキ浴中のＮｉは樹脂２より突出した金属粒子３ａを核
として成長をはじめ樹脂２の表面を覆い図１に示すよう
にＮｉ金属膜４が約１μｍ成長し配線パターンが形成さ
れる。Ｎｉメッキの厚みは、メッキ液の種類およびメッ
キ時間により０．０５μｍから３０μｍ程度まで任意の
厚みに設定可能であるが、通常用いられるような配線パ
ターンの場合は１〜５μｍの厚みで十分である。また、
金属粒子３ａのアンカー効果により金属膜４と樹脂２と
の密着力を大幅に向上させている。
マスク５を位置合わせし、紫外線を３０ｍＪ／ｃｍ2の
照度で３０秒間矢印６の方向に照射し、樹脂２を選択的
に硬化させ、硬化領域２ａおよび未硬化領域２ｂを得
る。このガラス基板１を樹脂２の溶解液に２分間浸漬
し、未硬化領域２ｂを除去することで図２（Ｃ）に示し
た構造を得る。この時、樹脂２の硬化領域２ａの樹脂表
面も０．０５〜０．１μｍ溶解するため金属粒子３ａの
様に樹脂２の表面近傍にある金属粒子３は樹脂２の表面
より突出することになる。このガラス基板１を７０℃に
加温したＮｉ無電解メッキ浴中に約１０分浸漬する。メ
ッキ浴中のＮｉは樹脂２より突出した金属粒子３ａを核
として成長をはじめ樹脂２の表面を覆い図１に示すよう
にＮｉ金属膜４が約１μｍ成長し配線パターンが形成さ
れる。Ｎｉメッキの厚みは、メッキ液の種類およびメッ
キ時間により０．０５μｍから３０μｍ程度まで任意の
厚みに設定可能であるが、通常用いられるような配線パ
ターンの場合は１〜５μｍの厚みで十分である。また、
金属粒子３ａのアンカー効果により金属膜４と樹脂２と
の密着力を大幅に向上させている。
【００１２】このようにして形成された配線パターン
は、真空スパッタ装置の如き高価で巨大な製造設備を必
要とせず、また紫外線感光樹脂をパターンの形成に用い
ていることから微細なピッチの配線が容易である。また
配線パターンの高さ及び面積を任意の大きさにする事が
可能であり、例えば図３に示したように他の金属配線７
や電極８を有するような半導体素子９上に本発明による
配線パターン１０を形成し、更に配線パターン１０同
士、あるいは配線パターン１０と他の電極８や金属配線
７等を金属線１１を用いて立体的に接続することが容易
に行え、また樹脂の特性から凹凸を有する基板、あるい
は柔軟性を有する基板上にも対応することが出来る。
は、真空スパッタ装置の如き高価で巨大な製造設備を必
要とせず、また紫外線感光樹脂をパターンの形成に用い
ていることから微細なピッチの配線が容易である。また
配線パターンの高さ及び面積を任意の大きさにする事が
可能であり、例えば図３に示したように他の金属配線７
や電極８を有するような半導体素子９上に本発明による
配線パターン１０を形成し、更に配線パターン１０同
士、あるいは配線パターン１０と他の電極８や金属配線
７等を金属線１１を用いて立体的に接続することが容易
に行え、また樹脂の特性から凹凸を有する基板、あるい
は柔軟性を有する基板上にも対応することが出来る。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は基板あるいは半導体素子上に金属粒子含有する樹脂を
配置し、前記樹脂上に金属膜を製膜する事により、低コ
ストで微細なピッチの配線パターンを提供できる。ま
た、凹凸や曲面を有する表面上にも配線パターンを形成
でき、さらに柔軟性を有し折り曲げて使用するような基
板上にも配線パターンを形成することが可能となる。
は基板あるいは半導体素子上に金属粒子含有する樹脂を
配置し、前記樹脂上に金属膜を製膜する事により、低コ
ストで微細なピッチの配線パターンを提供できる。ま
た、凹凸や曲面を有する表面上にも配線パターンを形成
でき、さらに柔軟性を有し折り曲げて使用するような基
板上にも配線パターンを形成することが可能となる。
【図１】本発明による配線パターンの一実施例を示した
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明による配線パターンの製造工程を示した
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明による配線パターンの一応用例を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図４】従来例による配線パターンを示した断面図であ
る。
る。
【図５】従来例による配線パターンを示した断面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 樹脂 ２ａ 樹脂２の硬化領域 ２ｂ 樹脂２の未硬化領域 ３ 金属粒子 ３ａ 樹脂２より突出した金属粒子 ４ 金属膜 ５ マスク ６ 紫外線の照射方向を示す矢印 ７ 金属配線 ８ 電極 ９ 半導体素子 １０ 本発明による配線パターン １１ 金属線 １２ 保護膜 １０１ ガラス基板 １０２ 透明導電膜 １０３ 金属膜 １０４ ガラスエポキシ基板 １０５ 接着剤 １０６ Ｃｕ箔
Claims (3)
- 【請求項１】 電気信号の伝達を目的とし、基板あるい
は半導体素子上に形成する配線パターンにおいて、前記
基板あるいは前記半導体素子上に、金属粒子を含有した
樹脂を配置し、前記樹脂上に金属被覆を施すことにより
形成したことを特徴とする配線パターンの構造。 - 【請求項２】 上記樹脂として、可視光、紫外線、赤外
線、電子線、等の空間における直進性を有するエネルギ
ー伝送体により選択的に硬化し、かつまた未硬化領域を
選択的に溶解、あるいは分解、あるいは溶融除去するこ
とが可能な樹脂を用いた請求項１記載の配線パターンの
構造。 - 【請求項３】 上記金属粒子として、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐ
ｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ、等の無電解メッキ可能な
金属、あるいは前記金属の合金による金属粒子を用いた
請求項１記載の配線パターンの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236327A JPH0574767A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 配線パターンの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236327A JPH0574767A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 配線パターンの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574767A true JPH0574767A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16999165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3236327A Pending JPH0574767A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 配線パターンの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574767A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007000833A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Harima Chemicals, Inc. | 導電性回路の形成方法 |
| JP2014011281A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Shinwa Industry Co Ltd | 導電性パターン形成方法およびそれを用いて製造される電気配線回路基板 |
| JP2016058545A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP3236327A patent/JPH0574767A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007000833A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Harima Chemicals, Inc. | 導電性回路の形成方法 |
| JPWO2007000833A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2009-01-22 | ハリマ化成株式会社 | 導電性回路の形成方法 |
| KR100957737B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2010-05-12 | 하리마 카세이 가부시키가이샤 | 전기 도전성 회로의 형성 방법 |
| JP4599403B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2010-12-15 | ハリマ化成株式会社 | 導電性回路の形成方法 |
| JP2014011281A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Shinwa Industry Co Ltd | 導電性パターン形成方法およびそれを用いて製造される電気配線回路基板 |
| JP2016058545A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
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