JPH0574871A - テープキヤリア - Google Patents
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- JPH0574871A JPH0574871A JP23632391A JP23632391A JPH0574871A JP H0574871 A JPH0574871 A JP H0574871A JP 23632391 A JP23632391 A JP 23632391A JP 23632391 A JP23632391 A JP 23632391A JP H0574871 A JPH0574871 A JP H0574871A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】テープキャリアのインナーリードを半導体チッ
プの電極に接続し、半導体素子周辺部をトランスファー
モールディングにより封止する場合に形成されるラン
ナ、ゲート４との接触部に、エポキシ樹脂と密着しない
樹脂３を塗布したテープキャリア１ａを用いる。これに
より、トランスファーモールディングの後、形成された
ランナ、ゲート４はテープキャリア１ａと、主にエポキ
シ樹脂と密着しない樹脂３の部分で接触するようにな
る。従って、ランナ、ゲート４はテープキャリア１ａと
接触しているのみで、密着はしない。 【効果】ランナ、ゲートをテープキャリアに力を加える
ことなく除去することができ、そのため、除去後のテー
プキャリアには歪、リード曲がり、リード断線等が生じ
ない。従って、０．０１〜０．１ｍｍの精度を要求す
る、封止工程以降の工程にも対応させることが可能とな
る。
プの電極に接続し、半導体素子周辺部をトランスファー
モールディングにより封止する場合に形成されるラン
ナ、ゲート４との接触部に、エポキシ樹脂と密着しない
樹脂３を塗布したテープキャリア１ａを用いる。これに
より、トランスファーモールディングの後、形成された
ランナ、ゲート４はテープキャリア１ａと、主にエポキ
シ樹脂と密着しない樹脂３の部分で接触するようにな
る。従って、ランナ、ゲート４はテープキャリア１ａと
接触しているのみで、密着はしない。 【効果】ランナ、ゲートをテープキャリアに力を加える
ことなく除去することができ、そのため、除去後のテー
プキャリアには歪、リード曲がり、リード断線等が生じ
ない。従って、０．０１〜０．１ｍｍの精度を要求す
る、封止工程以降の工程にも対応させることが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テープキャリアのイン
ナーリードに、半導体チップ上に多数設けられた電極を
直接接続した後、トランスファーモールディングによ
り、前記半導体チップ、及び、前記インナーリードと前
記半導体チップの電極との接合部を含む領域を封止する
際に用いられるテープキャリアに関する。
ナーリードに、半導体チップ上に多数設けられた電極を
直接接続した後、トランスファーモールディングによ
り、前記半導体チップ、及び、前記インナーリードと前
記半導体チップの電極との接合部を含む領域を封止する
際に用いられるテープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のテープキャリアには、Ｃｕ箔上に
Ａｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメッ
キ、または、半田メッキ、または、前記金属メッキを複
数組み合わせた多層メッキを施した１層構造テープキャ
リア、ポリイミドフィルム上にＣｕ層のパターンを形成
し、その上にＡｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、また
は、Ｎｉメッキ、または、半田メッキ、または、前記金
属メッキを複数組み合わせた多層メッキを施した２層構
造テープキャリア、ポリイミドフィルム上に接着剤を介
してＣｕ箔を貼り、そのＣｕ箔をパターン化し、その上
に、Ａｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメ
ッキ、または、半田メッキ、または、前記金属メッキを
複数組み合わせた多層メッキを施した３層構造テープキ
ャリアがある。これらのテープキャリアには、ＡＵメッ
キ面積の削減のため、Ｃｕ箔または、Ｃｕ層上にソルダ
ーレジストをスクリーン印刷により塗布することがあ
る。しかし、従来のテープキャリアには、トランスファ
ーモールディング時に形成されるランナ、ゲートとの接
触部、または、該接触部を含む領域、または、該接触部
の一部の領域に、前記トランスファーモールディングに
用いられるエポキシ樹脂と密着しない樹脂は塗布されて
いない。
Ａｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメッ
キ、または、半田メッキ、または、前記金属メッキを複
数組み合わせた多層メッキを施した１層構造テープキャ
リア、ポリイミドフィルム上にＣｕ層のパターンを形成
し、その上にＡｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、また
は、Ｎｉメッキ、または、半田メッキ、または、前記金
属メッキを複数組み合わせた多層メッキを施した２層構
造テープキャリア、ポリイミドフィルム上に接着剤を介
してＣｕ箔を貼り、そのＣｕ箔をパターン化し、その上
に、Ａｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメ
ッキ、または、半田メッキ、または、前記金属メッキを
複数組み合わせた多層メッキを施した３層構造テープキ
ャリアがある。これらのテープキャリアには、ＡＵメッ
キ面積の削減のため、Ｃｕ箔または、Ｃｕ層上にソルダ
ーレジストをスクリーン印刷により塗布することがあ
る。しかし、従来のテープキャリアには、トランスファ
ーモールディング時に形成されるランナ、ゲートとの接
触部、または、該接触部を含む領域、または、該接触部
の一部の領域に、前記トランスファーモールディングに
用いられるエポキシ樹脂と密着しない樹脂は塗布されて
いない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のテープキャリア
に於いては、そのインナーリードへの半導体チップの電
極の接続後、熱硬化性エポキシ樹脂を用いてトランスフ
ァーモールディングにより前記半導体チップ、及び、前
記インナーリードと前記半導体チップの電極との接合部
を含む領域を封止すると、図３に示すように、同時に形
成されるランナ、ゲート４がテープキャリア１ｂと密着
する。テープキャリア１ｂにランナ、ゲート４が密着し
た状態では、その後の工程に於いて不具合を生じるた
め、ランナ、ゲート４は除去しなければならないが、そ
れらの除去はテープキャリア１ｂの材質と前記熱硬化性
エポキシ樹脂との密着が強い場合、困難であった。ま
た、テープキャリア１ｂの、前記ランナ、ゲートを除去
した後の状態は、歪み、リード部の曲がり、リードの断
線などがみられた。
に於いては、そのインナーリードへの半導体チップの電
極の接続後、熱硬化性エポキシ樹脂を用いてトランスフ
ァーモールディングにより前記半導体チップ、及び、前
記インナーリードと前記半導体チップの電極との接合部
を含む領域を封止すると、図３に示すように、同時に形
成されるランナ、ゲート４がテープキャリア１ｂと密着
する。テープキャリア１ｂにランナ、ゲート４が密着し
た状態では、その後の工程に於いて不具合を生じるた
め、ランナ、ゲート４は除去しなければならないが、そ
れらの除去はテープキャリア１ｂの材質と前記熱硬化性
エポキシ樹脂との密着が強い場合、困難であった。ま
た、テープキャリア１ｂの、前記ランナ、ゲートを除去
した後の状態は、歪み、リード部の曲がり、リードの断
線などがみられた。
【０００４】そこで、本発明はこのような問題点を解決
する為のもので、その目的とするところは、テープキャ
リアからトランスファーモールディング時に生じたラン
ナ、ゲートを前記テープキャリアに力を加えることなし
に除去し、除去後のテープキャリアに歪み、リード部の
曲がり、リードの断線を生じさせないことにある。
する為のもので、その目的とするところは、テープキャ
リアからトランスファーモールディング時に生じたラン
ナ、ゲートを前記テープキャリアに力を加えることなし
に除去し、除去後のテープキャリアに歪み、リード部の
曲がり、リードの断線を生じさせないことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のテープキャリア
は、前記テープキャリアに半導体チップを配設し、該半
導体チップに設けた多数の電極に前記テープキャリアの
インナーリードをそれぞれ接続し、前記半導体チップ、
及び、前記インナーリードと該半導体チップに設けた多
数の電極との接合部を含む領域をトランスファーモール
ディングにより封止して形成される半導体装置に於い
て、前記テープキャリア上の、前記トランスファーモー
ルディング時に形成されるランナ、ゲートとの接触部、
または、該接触部を含む領域、または、該接触部の一部
の領域に、前記トランスファーモールディングに用いら
れる熱硬化性エポキシ樹脂を塗布しておくことを特徴と
する。
は、前記テープキャリアに半導体チップを配設し、該半
導体チップに設けた多数の電極に前記テープキャリアの
インナーリードをそれぞれ接続し、前記半導体チップ、
及び、前記インナーリードと該半導体チップに設けた多
数の電極との接合部を含む領域をトランスファーモール
ディングにより封止して形成される半導体装置に於い
て、前記テープキャリア上の、前記トランスファーモー
ルディング時に形成されるランナ、ゲートとの接触部、
または、該接触部を含む領域、または、該接触部の一部
の領域に、前記トランスファーモールディングに用いら
れる熱硬化性エポキシ樹脂を塗布しておくことを特徴と
する。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例の要部を表す断面図を図１に
示す。１ａは半導体チップが接続されているテープキャ
リアである。図１に示したテープキャリア１は、Ｃｕ箔
上にＡｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメ
ッキ、または、半田メッキ、または、前記金属メッキを
複数組み合わせた多層メッキを施した１層構造テープキ
ャリアである。テープキャリア１ａとしては、ポリイミ
ドフィルム上にＣｕ層のパターンを形成し、その上にＡ
ｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメッキ、
または、半田メッキ、または、前記金属メッキを複数組
み合わせた多層メッキを施した２層構造テープキャリ
ア、ポリイミドフィルム上に接着剤を介してＣｕ箔を貼
り、そのＣｕ箔をパターン化し、その上に、Ａｕメッ
キ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメッキ、また
は、半田メッキ、または、前記金属メッキを複数組み合
わせた多層メッキを施した３層構造テープキャリアを用
いてもよい。従来のテープキャリア１ｂにトランスファ
ーモールディングしたとき、図３に示した様な形状を持
つランナ、ゲート４が従来のテープキャリア１ｂ上に密
着する場合、図４に示した６がランナ、ゲート４と従来
のテープキャリア１ｂとの接触部になるが、トランスフ
ァーモールディング時に形成されるランナ、ゲート４と
従来のテープキャリア１ｂとの接触部６、あるいは接触
部６を含む領域、あるいは、接触部６の一部の領域に
は、前記トランスファーモールディングに用いられる熱
硬化性エポキシ樹脂と密着しない樹脂３が塗布される。
エポキシ樹脂と密着しない樹脂３としては、ソルダーレ
ジスト、シリコン系樹脂を用いることが出来、これは、
前記テープキャリア１ａの製造工程に付随して塗布さ
れ、方法はスクリーン印刷によってなされる。図２に、
エポキシ樹脂と密着しない樹脂３を塗布したテープキャ
リア１ａを、塗布した面の側から見た様子を示した。図
２に於いては、エポキシ樹脂と密着しない樹脂３を塗布
した領域は、ランナ、ゲートと従来のテープキャリア１
ｂとの接触部６と一致している。
示す。１ａは半導体チップが接続されているテープキャ
リアである。図１に示したテープキャリア１は、Ｃｕ箔
上にＡｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメ
ッキ、または、半田メッキ、または、前記金属メッキを
複数組み合わせた多層メッキを施した１層構造テープキ
ャリアである。テープキャリア１ａとしては、ポリイミ
ドフィルム上にＣｕ層のパターンを形成し、その上にＡ
ｕメッキ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメッキ、
または、半田メッキ、または、前記金属メッキを複数組
み合わせた多層メッキを施した２層構造テープキャリ
ア、ポリイミドフィルム上に接着剤を介してＣｕ箔を貼
り、そのＣｕ箔をパターン化し、その上に、Ａｕメッ
キ、または、Ｓｎメッキ、または、Ｎｉメッキ、また
は、半田メッキ、または、前記金属メッキを複数組み合
わせた多層メッキを施した３層構造テープキャリアを用
いてもよい。従来のテープキャリア１ｂにトランスファ
ーモールディングしたとき、図３に示した様な形状を持
つランナ、ゲート４が従来のテープキャリア１ｂ上に密
着する場合、図４に示した６がランナ、ゲート４と従来
のテープキャリア１ｂとの接触部になるが、トランスフ
ァーモールディング時に形成されるランナ、ゲート４と
従来のテープキャリア１ｂとの接触部６、あるいは接触
部６を含む領域、あるいは、接触部６の一部の領域に
は、前記トランスファーモールディングに用いられる熱
硬化性エポキシ樹脂と密着しない樹脂３が塗布される。
エポキシ樹脂と密着しない樹脂３としては、ソルダーレ
ジスト、シリコン系樹脂を用いることが出来、これは、
前記テープキャリア１ａの製造工程に付随して塗布さ
れ、方法はスクリーン印刷によってなされる。図２に、
エポキシ樹脂と密着しない樹脂３を塗布したテープキャ
リア１ａを、塗布した面の側から見た様子を示した。図
２に於いては、エポキシ樹脂と密着しない樹脂３を塗布
した領域は、ランナ、ゲートと従来のテープキャリア１
ｂとの接触部６と一致している。
【０００７】上記のように、エポキシ樹脂と密着しない
樹脂３を塗布したテープキャリア１ａのインナーリード
は半導体チップ５上に多数設けられた各電極と接続さ
れ、半導体チップ５、前記インナーリードと半導体チッ
プ５上に多数設けられた各電極との接合部を含む領域
を、熱硬化性エポキシ樹脂を用いてトランスファーモー
ルディングにより封止する。それにより、図１に於ける
半導体パッケージ２が形成され、同時に、ランナ、ゲー
ト４も形成される。ランナ、ゲート４は、テープキャリ
ア１ａと、エポキシ樹脂と密着しない樹脂３を塗布した
領域のみでしか接触しない。前記トランスファーモール
ディングによる封止終了後、ランナ、ゲート４の付着し
た状態の成形品をトランスファーモールディング用の金
型から取り出し、ゲートと半導体パッケージの間のくび
れた部分を切断する。この切断は、前記ゲートと半導体
パッケージの間のくびれの部分が、０．０１〜０．１ｍ
ｍ程度の厚さしかないため、治具、または、手でテープ
キャリア１ａに歪みを生じさせることなく切断すること
が出来る。その後、治具、または、手でランナ、ゲート
４をテープキャリア１ａから除去するが、ランナ、ゲー
ト４はエポキシ樹脂と密着しない樹脂３と接触している
ので、テープキャリア１ａに力を加えて歪めることな
く、除去することが出来る。
樹脂３を塗布したテープキャリア１ａのインナーリード
は半導体チップ５上に多数設けられた各電極と接続さ
れ、半導体チップ５、前記インナーリードと半導体チッ
プ５上に多数設けられた各電極との接合部を含む領域
を、熱硬化性エポキシ樹脂を用いてトランスファーモー
ルディングにより封止する。それにより、図１に於ける
半導体パッケージ２が形成され、同時に、ランナ、ゲー
ト４も形成される。ランナ、ゲート４は、テープキャリ
ア１ａと、エポキシ樹脂と密着しない樹脂３を塗布した
領域のみでしか接触しない。前記トランスファーモール
ディングによる封止終了後、ランナ、ゲート４の付着し
た状態の成形品をトランスファーモールディング用の金
型から取り出し、ゲートと半導体パッケージの間のくび
れた部分を切断する。この切断は、前記ゲートと半導体
パッケージの間のくびれの部分が、０．０１〜０．１ｍ
ｍ程度の厚さしかないため、治具、または、手でテープ
キャリア１ａに歪みを生じさせることなく切断すること
が出来る。その後、治具、または、手でランナ、ゲート
４をテープキャリア１ａから除去するが、ランナ、ゲー
ト４はエポキシ樹脂と密着しない樹脂３と接触している
ので、テープキャリア１ａに力を加えて歪めることな
く、除去することが出来る。
【０００８】
【発明の効果】以上述べたように、テープキャリアのト
ランスファーモールディング時に形成されるランナ、ゲ
ートとの接触部、あるいは接触部を含む領域、あるい
は、接触部の一部の領域に、前記トランスファーモール
ディングに用いられるエポキシ樹脂と密着しない樹脂を
塗布しておくことによって、前記ランナ、ゲートを、前
記テープキャリアに力を加えることなく除去することが
出来る。また、前記ランナ、ゲートを除去した後のテー
プキャリアには、歪、リード曲がり、リード切れなどの
損傷が生じない。それによって、その後の工程である、
トリミング、フォーミング、電気特性検査、アウターリ
ード・ボンディング等の０．０１〜０．１ｍｍの精度を
要求する工程に対しても対応することが可能となる。
ランスファーモールディング時に形成されるランナ、ゲ
ートとの接触部、あるいは接触部を含む領域、あるい
は、接触部の一部の領域に、前記トランスファーモール
ディングに用いられるエポキシ樹脂と密着しない樹脂を
塗布しておくことによって、前記ランナ、ゲートを、前
記テープキャリアに力を加えることなく除去することが
出来る。また、前記ランナ、ゲートを除去した後のテー
プキャリアには、歪、リード曲がり、リード切れなどの
損傷が生じない。それによって、その後の工程である、
トリミング、フォーミング、電気特性検査、アウターリ
ード・ボンディング等の０．０１〜０．１ｍｍの精度を
要求する工程に対しても対応することが可能となる。
【図１】 本発明のテープキャリアの実施例を表す要部
の断面図。
の断面図。
【図２】 本発明のテープキャリアの特徴である、エポ
キシ樹脂と密着しない樹脂を塗布した領域を示す図。
キシ樹脂と密着しない樹脂を塗布した領域を示す図。
【図３】 ランナ、ゲートが密着した状態の従来のテー
プキャリアを表わす図。
プキャリアを表わす図。
【図４】 従来のテープキャリアと、ランナ、ゲートと
の接触部を表わす図。
の接触部を表わす図。
１ａ・・・テープキャリア。 １ｂ・・・従来のテープキャリア ２・・・半導体パッケージ。 ３・・・エポキシ樹脂と密着しない樹脂。 ４・・・ランナ、ゲート。 ５・・・半導体チップ。 ６・・・ランナ、ゲートと従来のテープキャリアとの接
触部。
触部。
Claims (1)
- 【請求項１】テープキャリアに半導体チップを配設し、
該半導体チップに設けた多数の電極に前記テープキャリ
アのインナーリードをそれぞれ接続し、前記半導体チッ
プ、及び、前記インナーリードと前記半導体チップに設
けられた多数の電極との接合部を含む領域をトランスフ
ァーモールディングにより封止して、形成される半導体
装置において、前記テープキャリア上の、前記トランス
ファーモールディング時に形成されるランナ、ゲートと
の接触部、または、該接触部を含む領域、または、該接
触部の一部の領域に、前記トランスファーモールディン
グに用いられるエポキシ樹脂と密着しない樹脂を塗布し
ておくことを特徴とするテープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23632391A JPH0574871A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | テープキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23632391A JPH0574871A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | テープキヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574871A true JPH0574871A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16999107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23632391A Pending JPH0574871A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | テープキヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574871A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5862579A (en) * | 1994-10-14 | 1999-01-26 | Press Engineering (Proprietary) Company | File fastener method of manufacture |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP23632391A patent/JPH0574871A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5862579A (en) * | 1994-10-14 | 1999-01-26 | Press Engineering (Proprietary) Company | File fastener method of manufacture |
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