JPH0574997A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0574997A
JPH0574997A JP3234201A JP23420191A JPH0574997A JP H0574997 A JPH0574997 A JP H0574997A JP 3234201 A JP3234201 A JP 3234201A JP 23420191 A JP23420191 A JP 23420191A JP H0574997 A JPH0574997 A JP H0574997A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface treatment
glass
sealing glass
solder
melting point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3234201A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kubo
宏 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP3234201A priority Critical patent/JPH0574997A/ja
Publication of JPH0574997A publication Critical patent/JPH0574997A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】外部リードへの表面処理において、表面処理液
が低融点封止ガラスに対し、侵蝕，残渣，金属の付着等
の不具合を生ずるので、これらの不具合の発生しない半
導体装置、すなわち低融点封止ガラスを使用したセラミ
ックパッケージの構造を提供する。 【構成】外部リード３の先端部（つまり回路基板との接
合部）５のみに表面処理を施こし、Ｓｎ又は半田被膜を
形成している。 【効果】表面処理の際に、封止ガラス部への表面処理液
の接触を行わないで済むので外部リード間の絶縁性並び
に品質の低下を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にガラス封止タイプのセラミックパッケージ半導体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のガラス封止タイプのセラミックパ
ッケージ半導体は図２に示すように、セラミックパッケ
ージ１でリード３をはさみ込む形で、低融点封止ガラス
２により接着させた構造であり、リード３は、Ｓｎ又は
半田の被膜４を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のガラス封止
タイプのセラミックパッケージ半導体は、ガラス封止後
に外部リードの表面処理（Ｓｎ又は半田めっき）を行な
う為、封止用ガラスが表面処理の酸に浸され、ガラスの
侵蝕，あるいは、ガラスの残渣の発生及びガラス残渣上
にＳｎ又は半田が付着したりして、外部リード間の絶縁
性が著しく低下もしくは、ショートしてしまい、品質を
劣化させてしまうという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、外部リードの表面処理の
際に、酸により封止用ガラスが浸され、ガラスの浸蝕、
あるいは、ガラスの残渣の発生及びガラス残渣上にＳｎ
又は半田が付着して外部リード間の絶縁性の低下、品質
劣化を防ぐことができる半導体装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックパッ
ケージ半導体は、外部リードの表面処理（Ｓｎ又は半
田）被膜を回路基板との接合部分のみに施こしている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のセラミックパッケージ半
導体の平面図及びＡ−Ｂ部断面図並びに他の実施例のリ
ードの断面図である。
【０００７】セラミックパッケージ１と外部リード３か
ら成る半導体装置において、外部リード３の先端部にの
み、Ｓｎ又は半田の表面処理を施こしている。
【０００８】図１（ｂ）では先端部の全周面にＳｎ又は
半田表面処理が施こされているが、図１（ｃ）では回路
基板との接触面側のみにＳｎ又は半田被膜５が形成され
ている。
【０００９】外部リード３を曲げ成形し、本発明のリー
ド先端部のＳｎ又は半田被膜５が回路基板との接触部分
となる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、外部リ
ードの回路基板との接合領域のみを部分的に表面処理
（Ｓｎ又は半田被膜）することにより、封止ガラス部へ
の表面処理液の接触を行なわずガラスの侵蝕，残渣及び
Ｓｎ又は半田の付着を防止することができる。
【００１１】又、外部リード成形時に、成形金型へのＳ
ｎ又は半田の付着を最小限に抑えることができるという
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の平面図及びＡ−Ｂ部断面図
および被覆状態を異にする他の実施例のリード部断面図
である。
【図２】従来のセラミックパッケージの一例の断面図で
ある。
【符号の説明】
１ セラミックパッケージ ２ 低融点封止用ガラス ３ 外部リード ４ 従来のＳｎ又は半田被膜 ５ａ，５ｂ 本発明のＳｎ又は半田被膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低融点ガラス封止タイプで封止後外部リ
    ード成形する半導体装置において、外部リード部のめっ
    き被膜を回路基板に実装する部分のみとしたことを特徴
    とする半導体装置。
JP3234201A 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置 Pending JPH0574997A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3234201A JPH0574997A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3234201A JPH0574997A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0574997A true JPH0574997A (ja) 1993-03-26

Family

ID=16967275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3234201A Pending JPH0574997A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0574997A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6396947A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH0445985B2 (ja)
JPS5816339B2 (ja) ハンドウタイソウチ
KR100541581B1 (ko) 리드 프레임과 그 제조 방법 및 반도체 장치
JPS59161852A (ja) 半導体装置
JPH05315517A (ja) 半導体装置
JPS634945B2 (ja)
JP2537630B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6366958A (ja) 半導体用リ−ドフレ−ムとその製造法
JPH0567069B2 (ja)
JPS6171652A (ja) 半導体装置
JP2000091493A (ja) 表面実装型半導体装置
JPH0555433A (ja) 半導体装置
JPS6020931Y2 (ja) 半導体装置
JPS63197363A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61128551A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS592355A (ja) 半導体パツケ−ジ用リ−ドフレ−ム及びそれを用いた半導体装置
JPH0722559A (ja) リードフレーム
JPH06334090A (ja) 樹脂封止型半導体装置のリード構造およびその製造方法
JPS58192337A (ja) 半導体装置
JPS6148953A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JP2743567B2 (ja) 樹脂封止型集積回路
JPS6394640A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH0637123A (ja) 半導体装置
JPS60154650A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム