JPH0575006B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0575006B2 JPH0575006B2 JP61278596A JP27859686A JPH0575006B2 JP H0575006 B2 JPH0575006 B2 JP H0575006B2 JP 61278596 A JP61278596 A JP 61278596A JP 27859686 A JP27859686 A JP 27859686A JP H0575006 B2 JPH0575006 B2 JP H0575006B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- resist
- mol
- poly
- oxygen plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光および放射線感応性材料等の機能
性高分子材料として極めて有用な新規な重合体に
関する。 さらに詳しくは、アルカリ可溶性ポリオルガノ
シルセスキオキサン重合体に関する。 〔従来の技術〕 半導体素子や集積回路等の電子部品の製作に
は、光および放射線を利用したエツチングにより
微細加工技術が用いられ、現在そのレジスト材料
としては解像度に優れていることから、フエノー
ル樹脂やポリビニルフエノールのようなアルカリ
可溶性重合体を基本重合体として含むアルカリ現
像型のレジスト材料が主流を占めている。例え
ば、ノボラツク樹脂と１，２−ナフトキノンジア
ジド類との組成物はポジ型フオトレジストであ
り、ポリビニルフエノールとビスアジド類との組
成物はネガ型フオトレジストになる。また、ノボ
ラツク樹脂とポリオレフインスルホンとの組成物
は放射線感応性ポジ型レジストであることは、広
く知られている。一方、半導体素子等の配線の微
細化に伴ない、レジスト層をパターニングした後
の下地のエツチングは、従来の湿式エツチングに
代つて、ドライエツチングが採用されつつある。 従つて、レジスト材料については、ドライエツ
チングに対する強い耐性が要求されることにな
る。従来のアルカリ現像型レジスト材料は下地が
金属や金属酸化膜等（例えばアルミニウム、シリ
コン、シリコン酸化膜等）の場合に使用されるハ
ロゲン系プラズマには強い耐性を示すが、下地が
有機物（たとえば二層レジスト法における下層平
坦化膜やポリイミド等の層間絶縁膜等）の場合に
用いられる酸素プラズマに対する耐性は充分では
なく、その特性向上が強く望まれていた。なお、
アルカリ現像型レジストの文献としては、J.C.
Strieter著：コダツク・マイクロエレクトロニク
ス・セミナー・プロシーデイング（Kodak
Microelectronics Seminor Proceeding）116
（1976）等が挙げられる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は上記した従来の酸素プラズマ耐
性の低いアルカリ現像型レジストの基本重合体に
代わる、酸素プラズマ耐性の優れたアルカリ可溶
性重合体を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 酸素プラズマ耐性の優れた重合体としては、有
機ケイ素系重合体がよく知られている。これは、
有機ケイ素系重合体が酸素プラズマにより効率よ
くケイ素酸化膜になり、このケイ素酸化膜が、酸
素プラズマ耐性膜として働くためである。一方、
アルカリ可溶性の重合体としては、ノボラツク樹
脂やポリビニルフエノールのようなフエノール性
水酸基を有する重合体が知られている。 そこで上記目的を達成するために主鎖がケイ素
酸化物の構造に最も近いポリシルセスキオキサン
で側鎖にフエノール性水酸基を有する重合体を
種々合成した結果、下記一般式(1)で表わされるポ
リオルガノシルセスキオキサン重合体であつて
性高分子材料として極めて有用な新規な重合体に
関する。 さらに詳しくは、アルカリ可溶性ポリオルガノ
シルセスキオキサン重合体に関する。 〔従来の技術〕 半導体素子や集積回路等の電子部品の製作に
は、光および放射線を利用したエツチングにより
微細加工技術が用いられ、現在そのレジスト材料
としては解像度に優れていることから、フエノー
ル樹脂やポリビニルフエノールのようなアルカリ
可溶性重合体を基本重合体として含むアルカリ現
像型のレジスト材料が主流を占めている。例え
ば、ノボラツク樹脂と１，２−ナフトキノンジア
ジド類との組成物はポジ型フオトレジストであ
り、ポリビニルフエノールとビスアジド類との組
成物はネガ型フオトレジストになる。また、ノボ
ラツク樹脂とポリオレフインスルホンとの組成物
は放射線感応性ポジ型レジストであることは、広
く知られている。一方、半導体素子等の配線の微
細化に伴ない、レジスト層をパターニングした後
の下地のエツチングは、従来の湿式エツチングに
代つて、ドライエツチングが採用されつつある。 従つて、レジスト材料については、ドライエツ
チングに対する強い耐性が要求されることにな
る。従来のアルカリ現像型レジスト材料は下地が
金属や金属酸化膜等（例えばアルミニウム、シリ
コン、シリコン酸化膜等）の場合に使用されるハ
ロゲン系プラズマには強い耐性を示すが、下地が
有機物（たとえば二層レジスト法における下層平
坦化膜やポリイミド等の層間絶縁膜等）の場合に
用いられる酸素プラズマに対する耐性は充分では
なく、その特性向上が強く望まれていた。なお、
アルカリ現像型レジストの文献としては、J.C.
Strieter著：コダツク・マイクロエレクトロニク
ス・セミナー・プロシーデイング（Kodak
Microelectronics Seminor Proceeding）116
（1976）等が挙げられる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は上記した従来の酸素プラズマ耐
性の低いアルカリ現像型レジストの基本重合体に
代わる、酸素プラズマ耐性の優れたアルカリ可溶
性重合体を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 酸素プラズマ耐性の優れた重合体としては、有
機ケイ素系重合体がよく知られている。これは、
有機ケイ素系重合体が酸素プラズマにより効率よ
くケイ素酸化膜になり、このケイ素酸化膜が、酸
素プラズマ耐性膜として働くためである。一方、
アルカリ可溶性の重合体としては、ノボラツク樹
脂やポリビニルフエノールのようなフエノール性
水酸基を有する重合体が知られている。 そこで上記目的を達成するために主鎖がケイ素
酸化物の構造に最も近いポリシルセスキオキサン
で側鎖にフエノール性水酸基を有する重合体を
種々合成した結果、下記一般式(1)で表わされるポ
リオルガノシルセスキオキサン重合体であつて
【式】
（但し、一般式(1)中R1，R2は同一または異な
る有機基、ｎは重合度である）、 かつR1，R2としてフエノール性水酸基を有す
る有機基を40％以上含有しているポリオルガノシ
ルセスキオキサン重合体が優れていることがわか
つた。 ここで、R1，R2は具体的には、例えば
る有機基、ｎは重合度である）、 かつR1，R2としてフエノール性水酸基を有す
る有機基を40％以上含有しているポリオルガノシ
ルセスキオキサン重合体が優れていることがわか
つた。 ここで、R1，R2は具体的には、例えば
【化】
【化】
【化】
本発明の重合体は、重合体骨格がケイ素酸化膜
の構造に最も近いシルセスキオキサン骨格である
ために、酸素プラズマ耐性が高く、また、側鎖に
フエノール性水酸基を有する有機基が存在するた
めにアルカリ可溶性になつたものと考えられる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例によつて具体的に説明す
るが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例 １ ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシルセス
キオキサン） 1.1 ｐ−メトキシフエニルエチルトリクロロシ
ランの合成 ｐ−メトキシスチレン36.7ｇ（0.274mol）とト
リクロロシラン37.1ｇ（0.274mol）をパイレツク
ス管に入れる。次いで、塩化白金酸99.4mg、トリ
−ｎ−ブチルアミン81.0mgおよびｐ−メトキシス
チレン0.1888ｇから成るサスペンジヨンを数滴パ
イレツクス管に加え、封管する。封管を80℃〜
100℃のオイルパスに入れ反応させた後、封管を
開け、内容物を蒸留することにより目的物を40.0
ｇ（0.148mol）得た。収率54％ bp84〜85℃／
２mmHg NMR（60MHz，CCl4，TMS）δ1.48〜
1.76（2H，ｍ），δ2.62〜2.88（2H，ｍ），δ3，60
（3H，ｓ），δ6.61（2H，ｄ，Ｊ＝8.5Hz），δ6.92
（2H，ｄ，Ｊ＝8.5Hz） 1.2 ポリ（ｐ−メトキシフエニルエチルシルセ
スキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた200ml三ツ口フラスコに水80mlを入れ
る。トルエン200mlに溶解させたｐ−メトキシフ
エニルエチルトリクロロシラン21.6ｇ（80.0mol）
を撹拌しながら、15分で滴下し、次いで１時間熟
成する。混合物を分液ロートに移し、トルエン層
を分離する。トルエンと水を蒸留により除いた
後、上記加水分解生成物に水酸化カリウムの
10wt％メタノール溶液0.21ｇを入れ、200℃で２
時間加熱する。反応混合物をテトラヒドロフラン
に溶解させ、不溶物を濾過により除いた後、テト
ラヒドロフランを留去することにより、目的物を
7.9ｇ（42mmol）得た。収率53％数平均分子量
1000〜300000NMR（60MHz，DMSO−d6，
TMS）δ0.83（2H，br.s），δ2.50（2H，br.s），
δ3.58（3H，br.s），δ6.63（4H，br.s） 1.3 ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシル
セスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた200ml三ツ口フラスコ窒素置換する。
ポリ（ｐ−メトキシフエニルエチルシルセスキオ
キサン）18.7ｇ（0.100nol）をクロロホルム50ml
に加熱溶解させてフラスコに入れる。次いで、60
℃〜80℃において、トリメチルシリルヨード40.0
ｇ（0.200mol）を30分で滴下し、60時間熟成す
る。室温において、メタノール50mlを入れ、さら
に30分撹拌した後、減圧下低沸点物を留去し、残
渣をジエチルエーテルとテトラヒドロフランの混
合溶媒で抽出する。抽出溶液を亜硫酸水素ナトリ
ウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水
で洗い、次いで、溶媒を減圧下留去する。得られ
た重合体を、アセトン／ヘキサンで再沈し、減圧
下加熱乾燥して目的物を10.3ｇ（0.0593mol）得
た。収率59.5％数平均分子量1000〜300000NMR
（60MHz，DMSO−d6，TMS）δ0.93（2H，br.s），
δ2.60（2H，br.s），δ6.67（4H，br.s），δ9.08（1H
，
br.s）． 実施例 ２ ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシルセス
キオキサン−co−ｐ−メトキシフエニルエチ
ルシルセスキオキサン） 1.3項記載のポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエ
チルシルセスキオキサン）の合成法において、メ
トキシ基をトリメチルシロキシ基に変換する反応
試薬、トリメチルシリルヨード、の量を減らす
か、あるいは熟成時間を短くすることにより、メ
トキシ基を任意の割合で残すことができる。例え
ば2.0当量のトリメチルシリルヨードを用いて、
反応時間２時間では30％の水酸基含有量であり、
10時間で75％、24時間で85％、48時間で95％、55
時間で99％の水酸基含有量であつた。 実施例 ３ ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシルセス
キオキサン−co−ｐ−ヒドロキシベンジルシ
ルセスキオキサン） 3.1 ｐ−メトキシベンジルトリクロロシランの
合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた５三つ口フラスコを窒素置換する。
フラスコに、塩化第１銅79ｇ（0.80mol）とトリ
−ｎ−プロピルアミン1261ｇ（8.80mol）を入
れ、ｐ−メトキシベンジルクロライド1256ｇ
（8.02mol）とトリクロロシラン1184ｇ
（8.74mol）の混合物を、窒素圧撹拌しながら５
時間かけて滴下する。フラスコ温度が室温に戻る
まで熟成した後、ヘキサン１を入れ、塩を析出
させる。塩を濾過した後、減圧蒸留することによ
り目的物を1182ｇ（4.62mol）得た。収率57.7％
bp92℃／４mmHg NMR（60MHz，CCl4，
CH2Cl2）δ2.93（2H，Ｓ），δ3.83（3H，Ｓ），δ6.83
（2H，ｄ，Ｊ＝９Hz），δ7.15（2H，ｄ，Ｊ＝９
Hz） 3.2 ポリ（ｐ−メトキシフエニルエチルシルセ
スキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジルシ
ルセスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた200ml三ツ口フラスコに水80mlを入れ
る。トルエン20mlに溶解させたｐ−メトキシフエ
ニルエチルトリクロロシラン10.8ｇ（40mmol）
とｐ−メトキシベンジルトリクロロシラン10.2ｇ
（40mmol）を撹拌しながら15分で滴下し、次い
で１時間熟成する。混合物を分液ロートに移し、
トルエン層を分離する。トルエンと水を蒸留によ
り除いた後、上記加水分解生成物に水酸化カリウ
ムの10wt％メタノール溶液0.21ｇを入れ、200℃
で２時間加熱する。反応混合物をテトラヒドロフ
ランに溶解させ、不溶物を濾過により除いた後、
テトラヒドロフランを留去することにより目的物
を5.3ｇ得た。数平均分子量1000〜300000NMR
（60MHz，DMSO−d6，TMS）δ0.72（2H，br.s），
δ1.97（2H，br.s），δ2.37（2H，br.s），δ3.58（6H
，
br.s），δ6.67（8H，br.s）．ｐ−メトキシフエニル
エチル基とｐ−メトキシベンジル基の比は約50：
50であつた。 3.3 ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシル
セスキオキサン−co−ｐ−ヒドロキシベンジ
ルシルセスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた100ml三ツ口フラスコを窒素置換する。
3.2項記載のポリ（ｐ−メトキシフエニルエチル
シルセスキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジ
ルシルセスキオキサン）5.3ｇをクロロホルム15
mlに加熱溶解させて、フラスコに入れる。次い
で、60℃〜90℃において、トリメチルシリルヨー
ド12.0ｇを15分で滴下し、60時間熟成する。室温
において、メタノール15mlを入れ、さらに30分撹
拌した後、減圧下低沸点物を留去し、残渣をジエ
チルエーテルとテトラヒドロフランの混合溶媒で
抽出する。抽出溶液を亜硫酸水素ナトリウム水溶
液、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で洗い、
次いで、溶媒を減圧下留去する。得られた重合体
を、アセトン／ヘキサンで再沈し、減圧下加熱乾
燥して目的物を3.1ｇを得た。NMR（60MHz，
DMSO−d6，TMS）δ0.78（2H，br.s），δ1.90
（2H，br.s），δ2.45（2H，br.s），δ6.60（8H，br.
s），δ8.97（2H，br.s）。 数平均分子量及びｐ−ヒドロキシフエニルエチル
基とｐ−ヒドロキシベンジル基の割合は3.2項記
載の前駆体と変らない。 この他、ｐ−ヒドロキシフエニルエチル基とｐ
−ヒドロキシベンジル基の割合を変えた共重合体
は、ｐ−メトキシフエニルエチルトリクロロシラ
ンとｐ−メトキシベンジルトリクロロシランの加
水分解時の割合により、任意に変えることができ
た。 実施例 ４ 溶解性 本発明の重合体の溶解性に関して、代表的な汎
用有機溶剤で調べた結果、水酸基含有量40％以上
の本重合体は、メタノール、テトラヒドロフラ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、２−メチル
シクロヘキサノン、酢酸イソアミル、エチルセロ
ソルブ、ジメチルスルホキシドには溶解したが、
トルエン、ヘキサン四塩化炭素には不溶であつ
た。一方、水溶液では、水酸化テトラメチルアン
モニウム水溶液に溶解した。 実施例 ５ 酸素プラズマ耐性 本発明の重合体の２−メチルシクロヘキサノン
溶液をシリコン基板上に、スピンコーテイング法
により塗布し、100℃で30分間ベークすることに
より、0.2μm厚の塗膜を形成した。続いて、酸素
プラズマ（条件：O2圧 0.5Torr，RF300W，バ
レル形アツシヤー）に20分間さらしたが、本重合
体は全く膜べりしなかつた。 〔発明の効果〕 本発明の重合体は、汎用有機溶剤に可溶である
ので成膜することができ、また、アルカリ性水溶
液にも溶解するので、本重合体を基本重合体とし
た種々の感光性溶解阻害剤あるいは感放射線性溶
解阻害剤との組成物は、それらに対応した光ある
いは放射線用のレジスト材料として使用できる。
一方、本重合体は酸素プラズマ耐性に優れている
ので、これらレジストを二層レジスト法の上層レ
ジスト等に使用することができる。以上述べたよ
うに、本発明の重合体は、光および放射線感応性
材料等の機能性高分子材料として、極めて効用の
大なるものであつた。
の構造に最も近いシルセスキオキサン骨格である
ために、酸素プラズマ耐性が高く、また、側鎖に
フエノール性水酸基を有する有機基が存在するた
めにアルカリ可溶性になつたものと考えられる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例によつて具体的に説明す
るが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例 １ ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシルセス
キオキサン） 1.1 ｐ−メトキシフエニルエチルトリクロロシ
ランの合成 ｐ−メトキシスチレン36.7ｇ（0.274mol）とト
リクロロシラン37.1ｇ（0.274mol）をパイレツク
ス管に入れる。次いで、塩化白金酸99.4mg、トリ
−ｎ−ブチルアミン81.0mgおよびｐ−メトキシス
チレン0.1888ｇから成るサスペンジヨンを数滴パ
イレツクス管に加え、封管する。封管を80℃〜
100℃のオイルパスに入れ反応させた後、封管を
開け、内容物を蒸留することにより目的物を40.0
ｇ（0.148mol）得た。収率54％ bp84〜85℃／
２mmHg NMR（60MHz，CCl4，TMS）δ1.48〜
1.76（2H，ｍ），δ2.62〜2.88（2H，ｍ），δ3，60
（3H，ｓ），δ6.61（2H，ｄ，Ｊ＝8.5Hz），δ6.92
（2H，ｄ，Ｊ＝8.5Hz） 1.2 ポリ（ｐ−メトキシフエニルエチルシルセ
スキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた200ml三ツ口フラスコに水80mlを入れ
る。トルエン200mlに溶解させたｐ−メトキシフ
エニルエチルトリクロロシラン21.6ｇ（80.0mol）
を撹拌しながら、15分で滴下し、次いで１時間熟
成する。混合物を分液ロートに移し、トルエン層
を分離する。トルエンと水を蒸留により除いた
後、上記加水分解生成物に水酸化カリウムの
10wt％メタノール溶液0.21ｇを入れ、200℃で２
時間加熱する。反応混合物をテトラヒドロフラン
に溶解させ、不溶物を濾過により除いた後、テト
ラヒドロフランを留去することにより、目的物を
7.9ｇ（42mmol）得た。収率53％数平均分子量
1000〜300000NMR（60MHz，DMSO−d6，
TMS）δ0.83（2H，br.s），δ2.50（2H，br.s），
δ3.58（3H，br.s），δ6.63（4H，br.s） 1.3 ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシル
セスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた200ml三ツ口フラスコ窒素置換する。
ポリ（ｐ−メトキシフエニルエチルシルセスキオ
キサン）18.7ｇ（0.100nol）をクロロホルム50ml
に加熱溶解させてフラスコに入れる。次いで、60
℃〜80℃において、トリメチルシリルヨード40.0
ｇ（0.200mol）を30分で滴下し、60時間熟成す
る。室温において、メタノール50mlを入れ、さら
に30分撹拌した後、減圧下低沸点物を留去し、残
渣をジエチルエーテルとテトラヒドロフランの混
合溶媒で抽出する。抽出溶液を亜硫酸水素ナトリ
ウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水
で洗い、次いで、溶媒を減圧下留去する。得られ
た重合体を、アセトン／ヘキサンで再沈し、減圧
下加熱乾燥して目的物を10.3ｇ（0.0593mol）得
た。収率59.5％数平均分子量1000〜300000NMR
（60MHz，DMSO−d6，TMS）δ0.93（2H，br.s），
δ2.60（2H，br.s），δ6.67（4H，br.s），δ9.08（1H
，
br.s）． 実施例 ２ ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシルセス
キオキサン−co−ｐ−メトキシフエニルエチ
ルシルセスキオキサン） 1.3項記載のポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエ
チルシルセスキオキサン）の合成法において、メ
トキシ基をトリメチルシロキシ基に変換する反応
試薬、トリメチルシリルヨード、の量を減らす
か、あるいは熟成時間を短くすることにより、メ
トキシ基を任意の割合で残すことができる。例え
ば2.0当量のトリメチルシリルヨードを用いて、
反応時間２時間では30％の水酸基含有量であり、
10時間で75％、24時間で85％、48時間で95％、55
時間で99％の水酸基含有量であつた。 実施例 ３ ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシルセス
キオキサン−co−ｐ−ヒドロキシベンジルシ
ルセスキオキサン） 3.1 ｐ−メトキシベンジルトリクロロシランの
合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた５三つ口フラスコを窒素置換する。
フラスコに、塩化第１銅79ｇ（0.80mol）とトリ
−ｎ−プロピルアミン1261ｇ（8.80mol）を入
れ、ｐ−メトキシベンジルクロライド1256ｇ
（8.02mol）とトリクロロシラン1184ｇ
（8.74mol）の混合物を、窒素圧撹拌しながら５
時間かけて滴下する。フラスコ温度が室温に戻る
まで熟成した後、ヘキサン１を入れ、塩を析出
させる。塩を濾過した後、減圧蒸留することによ
り目的物を1182ｇ（4.62mol）得た。収率57.7％
bp92℃／４mmHg NMR（60MHz，CCl4，
CH2Cl2）δ2.93（2H，Ｓ），δ3.83（3H，Ｓ），δ6.83
（2H，ｄ，Ｊ＝９Hz），δ7.15（2H，ｄ，Ｊ＝９
Hz） 3.2 ポリ（ｐ−メトキシフエニルエチルシルセ
スキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジルシ
ルセスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた200ml三ツ口フラスコに水80mlを入れ
る。トルエン20mlに溶解させたｐ−メトキシフエ
ニルエチルトリクロロシラン10.8ｇ（40mmol）
とｐ−メトキシベンジルトリクロロシラン10.2ｇ
（40mmol）を撹拌しながら15分で滴下し、次い
で１時間熟成する。混合物を分液ロートに移し、
トルエン層を分離する。トルエンと水を蒸留によ
り除いた後、上記加水分解生成物に水酸化カリウ
ムの10wt％メタノール溶液0.21ｇを入れ、200℃
で２時間加熱する。反応混合物をテトラヒドロフ
ランに溶解させ、不溶物を濾過により除いた後、
テトラヒドロフランを留去することにより目的物
を5.3ｇ得た。数平均分子量1000〜300000NMR
（60MHz，DMSO−d6，TMS）δ0.72（2H，br.s），
δ1.97（2H，br.s），δ2.37（2H，br.s），δ3.58（6H
，
br.s），δ6.67（8H，br.s）．ｐ−メトキシフエニル
エチル基とｐ−メトキシベンジル基の比は約50：
50であつた。 3.3 ポリ（ｐ−ヒドロキシフエニルエチルシル
セスキオキサン−co−ｐ−ヒドロキシベンジ
ルシルセスキオキサン）の合成 撹拌機、冷却管、滴下ロート、及び塩酸トラツ
プを備えた100ml三ツ口フラスコを窒素置換する。
3.2項記載のポリ（ｐ−メトキシフエニルエチル
シルセスキオキサン−co−ｐ−メトキシベンジ
ルシルセスキオキサン）5.3ｇをクロロホルム15
mlに加熱溶解させて、フラスコに入れる。次い
で、60℃〜90℃において、トリメチルシリルヨー
ド12.0ｇを15分で滴下し、60時間熟成する。室温
において、メタノール15mlを入れ、さらに30分撹
拌した後、減圧下低沸点物を留去し、残渣をジエ
チルエーテルとテトラヒドロフランの混合溶媒で
抽出する。抽出溶液を亜硫酸水素ナトリウム水溶
液、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で洗い、
次いで、溶媒を減圧下留去する。得られた重合体
を、アセトン／ヘキサンで再沈し、減圧下加熱乾
燥して目的物を3.1ｇを得た。NMR（60MHz，
DMSO−d6，TMS）δ0.78（2H，br.s），δ1.90
（2H，br.s），δ2.45（2H，br.s），δ6.60（8H，br.
s），δ8.97（2H，br.s）。 数平均分子量及びｐ−ヒドロキシフエニルエチル
基とｐ−ヒドロキシベンジル基の割合は3.2項記
載の前駆体と変らない。 この他、ｐ−ヒドロキシフエニルエチル基とｐ
−ヒドロキシベンジル基の割合を変えた共重合体
は、ｐ−メトキシフエニルエチルトリクロロシラ
ンとｐ−メトキシベンジルトリクロロシランの加
水分解時の割合により、任意に変えることができ
た。 実施例 ４ 溶解性 本発明の重合体の溶解性に関して、代表的な汎
用有機溶剤で調べた結果、水酸基含有量40％以上
の本重合体は、メタノール、テトラヒドロフラ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、２−メチル
シクロヘキサノン、酢酸イソアミル、エチルセロ
ソルブ、ジメチルスルホキシドには溶解したが、
トルエン、ヘキサン四塩化炭素には不溶であつ
た。一方、水溶液では、水酸化テトラメチルアン
モニウム水溶液に溶解した。 実施例 ５ 酸素プラズマ耐性 本発明の重合体の２−メチルシクロヘキサノン
溶液をシリコン基板上に、スピンコーテイング法
により塗布し、100℃で30分間ベークすることに
より、0.2μm厚の塗膜を形成した。続いて、酸素
プラズマ（条件：O2圧 0.5Torr，RF300W，バ
レル形アツシヤー）に20分間さらしたが、本重合
体は全く膜べりしなかつた。 〔発明の効果〕 本発明の重合体は、汎用有機溶剤に可溶である
ので成膜することができ、また、アルカリ性水溶
液にも溶解するので、本重合体を基本重合体とし
た種々の感光性溶解阻害剤あるいは感放射線性溶
解阻害剤との組成物は、それらに対応した光ある
いは放射線用のレジスト材料として使用できる。
一方、本重合体は酸素プラズマ耐性に優れている
ので、これらレジストを二層レジスト法の上層レ
ジスト等に使用することができる。以上述べたよ
うに、本発明の重合体は、光および放射線感応性
材料等の機能性高分子材料として、極めて効用の
大なるものであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 分子量1000〜300000の下記一般式(1)で表わさ
れるポリオルガノシルセスキオキサン重合体。 【式】 （但し、一般式(1)中のR1及びR2はｐ−ヒドロ
キシフエニルエチル基である。また、ｎは重合度
である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278596A JPS63132942A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278596A JPS63132942A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン重合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132942A JPS63132942A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0575006B2 true JPH0575006B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=17599469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61278596A Granted JPS63132942A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132942A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016111112A1 (ja) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | シリコーン共重合体およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390534A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-21 | Hitachi Ltd | アルカリ可溶性ラダ−シリコ−ン重合体 |
| JPS63101427A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Hitachi Ltd | アルカリ可溶性ラダ−シリコ−ン |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61278596A patent/JPS63132942A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63132942A (ja) | 1988-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2619358B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPH05265211A (ja) | 増強された分解能及び減少された結晶化傾向を有するポジティブホトレジスト、並びに新規テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカン | |
| JP2507481B2 (ja) | ポリシラン及び感光性組成物 | |
| KR20160118340A (ko) | 교차-결합 가능한 플루오르화된 포토폴리머 | |
| JPH0575005B2 (ja) | ||
| WO2020040161A1 (ja) | 化合物、及びそれを含む組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法 | |
| JP6887394B2 (ja) | スルホニウム塩、光酸発生剤、それを含む組成物、及び、デバイスの製造方法 | |
| JPH0521228B2 (ja) | ||
| TW573219B (en) | Positive photoresist composition for liquid crystal device | |
| JPH0582850B2 (ja) | ||
| JP5267415B2 (ja) | 樹脂組成物およびその用途 | |
| JPH0558446B2 (ja) | ||
| JPH0575006B2 (ja) | ||
| JP2676902B2 (ja) | トリフェニルメタン誘導体及びその製法 | |
| US5264319A (en) | Photosensitive resin composition having high resistance to oxygen plasma, containing alkali-soluble organosilicon polymer and photosensitive dissolution inhibitor | |
| TW202535992A (zh) | 組成物、樹脂組成物、膜形成用組成物、微影術用膜形成用組成物、阻劑膜形成用組成物 | |
| JPS63231331A (ja) | パターン形成方法 | |
| CN105026389B (zh) | 用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述组成物形成图案的方法 | |
| JP2005062409A (ja) | 感光性樹脂組成物及び樹脂層の形成方法 | |
| JPS61239243A (ja) | ２層レジスト法 | |
| JP2009079028A (ja) | アミドフェノール化合物およびナフトキノンジアジド化合物 | |
| WO2012133040A1 (ja) | カリックスアレーン誘導体 | |
| JPS62212644A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPS61275748A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JP4341337B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及び樹脂層の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |