JPH0576540B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0576540B2 JPH0576540B2 JP62184272A JP18427287A JPH0576540B2 JP H0576540 B2 JPH0576540 B2 JP H0576540B2 JP 62184272 A JP62184272 A JP 62184272A JP 18427287 A JP18427287 A JP 18427287A JP H0576540 B2 JPH0576540 B2 JP H0576540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- electrons
- electron beam
- electron
- magnetic field
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空中にて原材料物質を電子で照射
して加熱し蒸発させ、半導体基板等の基体の表面
に薄膜を堆積させる電子ビーム蒸着装置の改良に
関する。
して加熱し蒸発させ、半導体基板等の基体の表面
に薄膜を堆積させる電子ビーム蒸着装置の改良に
関する。
（従来の技術とその問題点）
従来の電子ビーム蒸着装置では、第２図にその
概略の断面図を示すように、電流で加熱されたフ
イラメント（電子源）１から放出された電子を、
磁石６で作りだされる磁界により偏向させて原材
料物質５を照射しているが、半導体基板２０やそ
の表面の堆積膜に非常に悪影響を及ぼす反射電子
や２次電子３，４は、前記した磁石６の作る磁界
でふたたび偏向させて、結局は電子銃本体７に取
り込むようにしていた。
概略の断面図を示すように、電流で加熱されたフ
イラメント（電子源）１から放出された電子を、
磁石６で作りだされる磁界により偏向させて原材
料物質５を照射しているが、半導体基板２０やそ
の表面の堆積膜に非常に悪影響を及ぼす反射電子
や２次電子３，４は、前記した磁石６の作る磁界
でふたたび偏向させて、結局は電子銃本体７に取
り込むようにしていた。
しかしこれらの反射電子や２次電子は、様々な
方向に様々な強度で散乱するため、前記した磁石
６の作る磁界により電子３，４のすべてを電子銃
本体７に取り込むことには困難があり、迷走電子
の除去が不十分であるため、例えば、迷走電子が
電子銃本体に捕えられないまま基体に飛来すると
いう問題があつた。
方向に様々な強度で散乱するため、前記した磁石
６の作る磁界により電子３，４のすべてを電子銃
本体７に取り込むことには困難があり、迷走電子
の除去が不十分であるため、例えば、迷走電子が
電子銃本体に捕えられないまま基体に飛来すると
いう問題があつた。
従来の装置の中には、図中、２点鎖線で示した
場所１０などに補助磁石を置くなどして、積極的
に反射電子等３，４を取り込もうとする構成の装
置もあつたが、迷走電子の除去は必ずしも十分で
あるとは言えなかつた。
場所１０などに補助磁石を置くなどして、積極的
に反射電子等３，４を取り込もうとする構成の装
置もあつたが、迷走電子の除去は必ずしも十分で
あるとは言えなかつた。
一方、電子ビーム照射によつて蒸発した原材料
物質をイオン化して成膜させるような電子ビーム
蒸着装置では、電子銃と基板との間にイオン化機
構を設置しなければならず、装置が大型化し高価
につくという問題点があつた。
物質をイオン化して成膜させるような電子ビーム
蒸着装置では、電子銃と基板との間にイオン化機
構を設置しなければならず、装置が大型化し高価
につくという問題点があつた。
（発明の目的）
本発明は上記の如き迷走電子が基体に到達する
のを防ぎ、さらに小型の装置でありながら、蒸発
原材料物質をイオン化する機能を備えた新規の電
子ビーム蒸着装置を提供することを目的とする。
のを防ぎ、さらに小型の装置でありながら、蒸発
原材料物質をイオン化する機能を備えた新規の電
子ビーム蒸着装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、真空中で高電圧を印加して、電子源
で生成された電子を加速し、この加速された電子
を磁界によつて偏向させて、ルツボ内に収められ
た原材料物質を照射し、該原材料物質を加熱、溶
融して蒸発させ、該原材料物質に対向配置された
半導体基板等の基板体の上に薄膜を堆積させる電
子ビーム蒸着装置において、 該原材料物質と基体の間の空間に、該原材料物
質から反射した電子や該原材料物質から放出され
た２次電子を離散させないようにして捕らえて電
子の雲を作り、この電子の雲で前記蒸発物質をイ
オン化するような、磁場を設けた電子ビーム蒸着
装置によつて前記目的を達成したものである。
で生成された電子を加速し、この加速された電子
を磁界によつて偏向させて、ルツボ内に収められ
た原材料物質を照射し、該原材料物質を加熱、溶
融して蒸発させ、該原材料物質に対向配置された
半導体基板等の基板体の上に薄膜を堆積させる電
子ビーム蒸着装置において、 該原材料物質と基体の間の空間に、該原材料物
質から反射した電子や該原材料物質から放出され
た２次電子を離散させないようにして捕らえて電
子の雲を作り、この電子の雲で前記蒸発物質をイ
オン化するような、磁場を設けた電子ビーム蒸着
装置によつて前記目的を達成したものである。
（実施例）
以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の実施例の概略の断面図であ
る。また、第３図は、イオン化用ポールピースの
側断面図である。第１図及び第３図に示すよう
に、本実施例の電子ビーム蒸着装置で使用された
電子銃本体７は、横に長い丸棒状の磁石６と、こ
の磁石６の両端に設けた一対の電子ビーム偏向用
ポールピース１２と、さらにその一対の電子ビー
ム偏向用ポールピース１２の外側を挟持するよう
にして設けた一対のイオン化用ポールピース１１
とを有している。一対のイオン化用ポールピース
１１は、第３図に示すように、上方の図示しない
基板に向かうようにして延び、双方の先端部は、
後述のように電子の雲を作る所定の高さの位置で
向かい合つている。フイラメント１から放出され
た電子ビーム２は、磁石６で作られる磁界により
偏向されて、原材料物質５に照射される。この電
子ビーム２のエネルギーによつて原材料物質５は
蒸発するが、このとき、原材料物質５に照射され
た電子２の多くは、原材料物質内に取り込まれる
が、原材料物質５内に飛び込まずに反射された電
子や２次電子として再び原材料物質から放出され
た電子３，４も前記したように少なからず存在す
る。
る。また、第３図は、イオン化用ポールピースの
側断面図である。第１図及び第３図に示すよう
に、本実施例の電子ビーム蒸着装置で使用された
電子銃本体７は、横に長い丸棒状の磁石６と、こ
の磁石６の両端に設けた一対の電子ビーム偏向用
ポールピース１２と、さらにその一対の電子ビー
ム偏向用ポールピース１２の外側を挟持するよう
にして設けた一対のイオン化用ポールピース１１
とを有している。一対のイオン化用ポールピース
１１は、第３図に示すように、上方の図示しない
基板に向かうようにして延び、双方の先端部は、
後述のように電子の雲を作る所定の高さの位置で
向かい合つている。フイラメント１から放出され
た電子ビーム２は、磁石６で作られる磁界により
偏向されて、原材料物質５に照射される。この電
子ビーム２のエネルギーによつて原材料物質５は
蒸発するが、このとき、原材料物質５に照射され
た電子２の多くは、原材料物質内に取り込まれる
が、原材料物質５内に飛び込まずに反射された電
子や２次電子として再び原材料物質から放出され
た電子３，４も前記したように少なからず存在す
る。
これらの電子３，４のうち、比較的浅い角度で
反射した電子３は磁界により偏向されて従来通り
電子銃本体７に取り込まれる。しかし、大きい角
度、即ち基体の方向に放出された電子４は、本発
明で設けられたイオン化用ポールピース１１が作
る磁場に捕えられて離散せず、ここに電子の雲を
作る。
反射した電子３は磁界により偏向されて従来通り
電子銃本体７に取り込まれる。しかし、大きい角
度、即ち基体の方向に放出された電子４は、本発
明で設けられたイオン化用ポールピース１１が作
る磁場に捕えられて離散せず、ここに電子の雲を
作る。
この電子の雲は、蒸発物質が基体に向かつて走
る空間に作られる。
る空間に作られる。
この作用により、この実施例の装置では、従来
型の電子ビーム蒸着装置に比べて、基体に到達す
る迷走電子を激減させることが出来、また更に、
イオン化用ポールピース１１の作る磁場に捕えら
れて形成された電子の雲は、電子ビーム照射で蒸
発し飛び出した原材料物質を、飛行の途中でイオ
ン化し、より強いエネルギーを持たせて基体に送
り出す。即ちこの電子の雲は、従来のイオン化処
理装置の役割を果たすことになる。
型の電子ビーム蒸着装置に比べて、基体に到達す
る迷走電子を激減させることが出来、また更に、
イオン化用ポールピース１１の作る磁場に捕えら
れて形成された電子の雲は、電子ビーム照射で蒸
発し飛び出した原材料物質を、飛行の途中でイオ
ン化し、より強いエネルギーを持たせて基体に送
り出す。即ちこの電子の雲は、従来のイオン化処
理装置の役割を果たすことになる。
なお、装置が多少大型化するが、この実施例で
設けたイオン化用ポールピース１１の代わりに、
磁石６とは別個に設けられた磁石を使つて、この
部分を通る磁気回路を構成しても同様の効果が得
られる。
設けたイオン化用ポールピース１１の代わりに、
磁石６とは別個に設けられた磁石を使つて、この
部分を通る磁気回路を構成しても同様の効果が得
られる。
なおまた、磁場を作る磁石は、永久磁石でも電
磁石でも効果は同様である。
磁石でも効果は同様である。
（発明の効果）
この発明によれば、有害な迷走電子が基体に到
達するのを防ぐとともに、蒸発した原材料物質の
イオン化を促進することが出来る。
達するのを防ぐとともに、蒸発した原材料物質の
イオン化を促進することが出来る。
第１図は、本発明の実施例の概略の正面断面
図。第２図は、従来の同様の図。第３図は、イオ
ン化用ポールピースの側断面図。 １……フイラメント、２……電子ビーム、３，
４……反射電子若しくは２次電子、５……原材料
物質、６……磁石、７……電子銃本体、８……水
冷パイプ、９……真空容器、１０……補助磁石、
１１……イオン化用ポールピース。１２……電子
ビーム偏向用ポールピース。
図。第２図は、従来の同様の図。第３図は、イオ
ン化用ポールピースの側断面図。 １……フイラメント、２……電子ビーム、３，
４……反射電子若しくは２次電子、５……原材料
物質、６……磁石、７……電子銃本体、８……水
冷パイプ、９……真空容器、１０……補助磁石、
１１……イオン化用ポールピース。１２……電子
ビーム偏向用ポールピース。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空中で高電圧を印加して、電子源で生成さ
れた電子を加速し、この加速された電子を磁界に
よつて偏向させて、ルツボ内に収められた原材料
物質を照射し、該原材料物質を加熱、溶融して蒸
発させ、該原材料物質に対向配置された半導体基
板等の基板の上に薄膜を堆積させる電子ビーム蒸
着装置において、 該原材料物質と基板の間の空間に、該原材料物
質に反射された電子や該原材料物質から放出され
た２次電子を離散させないようにして捕らえて電
子の雲を作り、この電子の雲によつて前記蒸発物
質をイオン化する如き磁場を設けたことを特徴と
する電子ビーム蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18427287A JPS6428367A (en) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | Electron beam vapor deposition device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18427287A JPS6428367A (en) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | Electron beam vapor deposition device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428367A JPS6428367A (en) | 1989-01-30 |
| JPH0576540B2 true JPH0576540B2 (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=16150417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18427287A Granted JPS6428367A (en) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | Electron beam vapor deposition device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6428367A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165374A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-28 | Matsushita Electronics Corp | 電子ビ−ム蒸着装置 |
-
1987
- 1987-07-23 JP JP18427287A patent/JPS6428367A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428367A (en) | 1989-01-30 |
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