JPH0622171B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0622171B2 JPH0622171B2 JP58233907A JP23390783A JPH0622171B2 JP H0622171 B2 JPH0622171 B2 JP H0622171B2 JP 58233907 A JP58233907 A JP 58233907A JP 23390783 A JP23390783 A JP 23390783A JP H0622171 B2 JPH0622171 B2 JP H0622171B2
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は新規な金属酸化物磁性体よりなる磁性膜を有す
る光磁気記録媒体に関する。
る光磁気記録媒体に関する。
従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行なう光磁気
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、、
例えばTb−Fe合金を真空蒸着、スパッタリング等の方法
で厚さ0.1〜1μｍ程度に付着させて磁性膜を形成してい
る。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、再生は
次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜のキュリ
ー温度又は補償温度近傍における温度変化に対応した保
磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調された
レーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを反転さ
せることにより行なわれる。また再生はこうして反転記
録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読出すこ
とにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁性体を
用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、半導体レ
ーザー光によって高速度（周波数1MHzにおいて）で記録
できるという利点はあるが、非晶質合金磁性体、特に希
土類金属成分は酸化腐食を受け易いので、経時と共に磁
性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな欠点があ
る。これを防止するため、非晶質磁性膜上にＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ２等の保護膜を設ける（形成法は磁性膜の場合と同
様、真空蒸着、スパッタリング等による）ことも知られ
ているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真空中に残存
するＯ２、基板面に吸着されたＯ２，Ｈ２Ｏ等及び合金
磁性体のターゲット中に含まれるＯ２，Ｈ２Ｏ等により
経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時の光及び
熱により更にこの酸化腐食は促進される。また非結晶質
磁性体は熱によって結晶化され易く、そのために磁気特
性の劣化を来たし易いという欠点を有する。更に再生出
力を向上するための再生方式として磁性膜をできるだけ
厚くし、その上にＣｕ，Ａｌ，Ｐｔ，Ａｇ等の反射膜を
設け、レーザー光を磁性膜に照射透過させた後、反射膜
で反射させ、この反射光を検出する反射型ファラデー方
式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという点で有利である
が、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠けるため、この方
式に用いることができないものであった。
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、、
例えばTb−Fe合金を真空蒸着、スパッタリング等の方法
で厚さ0.1〜1μｍ程度に付着させて磁性膜を形成してい
る。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、再生は
次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜のキュリ
ー温度又は補償温度近傍における温度変化に対応した保
磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調された
レーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを反転さ
せることにより行なわれる。また再生はこうして反転記
録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読出すこ
とにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁性体を
用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、半導体レ
ーザー光によって高速度（周波数1MHzにおいて）で記録
できるという利点はあるが、非晶質合金磁性体、特に希
土類金属成分は酸化腐食を受け易いので、経時と共に磁
性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな欠点があ
る。これを防止するため、非晶質磁性膜上にＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ２等の保護膜を設ける（形成法は磁性膜の場合と同
様、真空蒸着、スパッタリング等による）ことも知られ
ているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真空中に残存
するＯ２、基板面に吸着されたＯ２，Ｈ２Ｏ等及び合金
磁性体のターゲット中に含まれるＯ２，Ｈ２Ｏ等により
経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時の光及び
熱により更にこの酸化腐食は促進される。また非結晶質
磁性体は熱によって結晶化され易く、そのために磁気特
性の劣化を来たし易いという欠点を有する。更に再生出
力を向上するための再生方式として磁性膜をできるだけ
厚くし、その上にＣｕ，Ａｌ，Ｐｔ，Ａｇ等の反射膜を
設け、レーザー光を磁性膜に照射透過させた後、反射膜
で反射させ、この反射光を検出する反射型ファラデー方
式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという点で有利である
が、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠けるため、この方
式に用いることができないものであった。
目 的 本発明の目的は新規な金属化物磁性体よりなる磁性膜を
有する記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及び透光性
に優れた光磁気記録媒体を提供することである。
有する記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及び透光性
に優れた光磁気記録媒体を提供することである。
構 成 本発明の光磁気記録媒体に用いる金属酸化物磁性体は一
般式 ＣｏＭｘＦｅ２−ｘＯ４ (但しM=Mn,Ni,Ti,Zn,Al,Sn,Cr,Cu,Mg,Rh,V,Ga,In,Sb,S
c,Bi,Y,Sm,Eu,Tb及びGdからなる群の少なくとも１種,0.
4≦ｘ≦1.4) で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
化物磁性体よりなるものである。
般式 ＣｏＭｘＦｅ２−ｘＯ４ (但しM=Mn,Ni,Ti,Zn,Al,Sn,Cr,Cu,Mg,Rh,V,Ga,In,Sb,S
c,Bi,Y,Sm,Eu,Tb及びGdからなる群の少なくとも１種,0.
4≦ｘ≦1.4) で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
化物磁性体よりなるものである。
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性
（適正なキュリー温度、保磁力等）を備えていなければ
ならないが、特に高い記録感度を得るためにキュリー温
度Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持す
るために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一
般にこのＴｃ及びＨｃの適正範囲はＴｃについては100
〜350℃、については300〜6000エルステッドと考えられ
る。これはＴｃが100℃以下では記録したメモリーが再
生時のレーザー光によって不安定になって再生特性の劣
化原因となり、また、350℃以上では半導体レーザー光
による記録が困難であり、一方、Hcが300エルステッド
以下ではメモリーが不安定となって消失する可能性があ
り、また6000エルステッド以上では記録時の磁化反転に
必要なレーザー出力や外部磁界が大きくなり、好ましく
ないからである。
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性
（適正なキュリー温度、保磁力等）を備えていなければ
ならないが、特に高い記録感度を得るためにキュリー温
度Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持す
るために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一
般にこのＴｃ及びＨｃの適正範囲はＴｃについては100
〜350℃、については300〜6000エルステッドと考えられ
る。これはＴｃが100℃以下では記録したメモリーが再
生時のレーザー光によって不安定になって再生特性の劣
化原因となり、また、350℃以上では半導体レーザー光
による記録が困難であり、一方、Hcが300エルステッド
以下ではメモリーが不安定となって消失する可能性があ
り、また6000エルステッド以上では記録時の磁化反転に
必要なレーザー出力や外部磁界が大きくなり、好ましく
ないからである。
一方、従来より磁気バルブ材料として六方晶糸及びスピ
ネル糸の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
スピネル糸のものでは例えばＣｏスピネル型鉄酸化物が
知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、しかも
膜厚10μｍとしても透光性を備えていることに注目し
た。しかしこれらはキュリー温度Ｔｃが450℃以上と高
いため、前述のように半導体レーザー光による記録は困
難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料として適
用できない。そこで本発明者らは種々検討したところ、
Ｃｏスピネル型鉄酸化物の中のＦｅ原子の一部を前記Ｍ
で示される金属（以下Ｍ金属という）原子で置換する
と、Ｔｃが低下することを見出した。そこで本発明者ら
はこのようなＭ金属の置換効果に着目し、更に光磁気記
録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求されるＴｃ及びＨｃ
の前記適正範囲を考慮してＣｏスピネル型鉄酸化物のＦ
ｅの一部をＭ金属で種々の割合で置換した結果、前記一
般式の金属酸化物磁性体が光磁気記録媒体として優れた
特性を与えることを見出し、本発明に到達した。
ネル糸の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
スピネル糸のものでは例えばＣｏスピネル型鉄酸化物が
知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、しかも
膜厚10μｍとしても透光性を備えていることに注目し
た。しかしこれらはキュリー温度Ｔｃが450℃以上と高
いため、前述のように半導体レーザー光による記録は困
難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料として適
用できない。そこで本発明者らは種々検討したところ、
Ｃｏスピネル型鉄酸化物の中のＦｅ原子の一部を前記Ｍ
で示される金属（以下Ｍ金属という）原子で置換する
と、Ｔｃが低下することを見出した。そこで本発明者ら
はこのようなＭ金属の置換効果に着目し、更に光磁気記
録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求されるＴｃ及びＨｃ
の前記適正範囲を考慮してＣｏスピネル型鉄酸化物のＦ
ｅの一部をＭ金属で種々の割合で置換した結果、前記一
般式の金属酸化物磁性体が光磁気記録媒体として優れた
特性を与えることを見出し、本発明に到達した。
このように本発明は、特にキュリー温度が高いため、光
磁気記録媒体用材料として顧みられなかったＣｏスピネ
ル型鉄酸化物中のＦｅ原子の一部をＭ金属原子で置換す
ることによって、メモリーに要求される適度に高い保磁
力を維持しながら、キュリー温度を低下せしめて半導体
レーザー光による記録、再生を可能にし、こうして光磁
気記録媒体用材料として適用できるようにしたものであ
る。
磁気記録媒体用材料として顧みられなかったＣｏスピネ
ル型鉄酸化物中のＦｅ原子の一部をＭ金属原子で置換す
ることによって、メモリーに要求される適度に高い保磁
力を維持しながら、キュリー温度を低下せしめて半導体
レーザー光による記録、再生を可能にし、こうして光磁
気記録媒体用材料として適用できるようにしたものであ
る。
以上の説明から判るように本発明の金属酸化物磁性体は
光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリー温
度範囲Ｔｃ及び適正保磁力範囲Ｈｃを満足するものであ
る。これらのＴｃ及びＨｃ特性により本発明の金属酸化
物磁性体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録、再
生を行なう光磁気記録媒体用材料として適用できること
は勿論、キュリー温度が低いため、記録感度が高い上、
耐酸化腐食性及び透光性を備えている等の特長を持って
いる。
光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリー温
度範囲Ｔｃ及び適正保磁力範囲Ｈｃを満足するものであ
る。これらのＴｃ及びＨｃ特性により本発明の金属酸化
物磁性体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録、再
生を行なう光磁気記録媒体用材料として適用できること
は勿論、キュリー温度が低いため、記録感度が高い上、
耐酸化腐食性及び透光性を備えている等の特長を持って
いる。
本発明の金属酸化物磁性体を作るにはＦｅ２Ｏ３１モル
とＣｏ２Ｏ３0.5モルとＭ２Ｏ３0.5モルとを混合粉砕
し、これを適当な形状の金型に入れて成型後、1200〜14
00℃の温度で焼結すればよい。
とＣｏ２Ｏ３0.5モルとＭ２Ｏ３0.5モルとを混合粉砕
し、これを適当な形状の金型に入れて成型後、1200〜14
00℃の温度で焼結すればよい。
以上のようにして得られる本発明の金属酸化物磁性体の
具体例としては ＣｏＣｒ0.8 Ｆｅ1.2 Ｏ４，ＣｏＭｎ1.0 Ｆｅ
1.0 Ｏ４， ＣｏＣｒ0.75Ｆｅ1.25Ｏ４，ＣｏＣｒ1.2 Ｆｅ
0.8 Ｏ4， ＣｏＭｎ0.75Ｆｅ1.25Ｏ４，ＣｏＡｌ0.8 Ｆｅ
1.2 Ｏ４， ＣｏＡｌ1.0 Ｆｅ1.0 Ｏ４，ＣｏＺｎ0.75Ｆｅ
1.25Ｏ４， ＣｏＺｎ1.0 Ｆｅ1.0 Ｏ４，ＣｏＴｉ0.8 Ｆｅ
1.2 Ｏ４， ＣｏＳｎ1.2 Ｆｅ0.8 Ｏ４，ＣｏＣｕ1.0 Ｆｅ
1.0 Ｏ４， ＣｏＲｈ0.5 Ｆｅ0.5 Ｏ４，ＣｏＣｒ0.85Ｆｅ
1.15Ｏ４， ＣｏＣｒ1.0 Ｆｅ1.0 Ｏ４，ＣｏＭｎ0.4 Ｆｅ
1.0 Ｏ４， ＣｏＭｎ0.9 Ｆｅ1.1 Ｏ４，ＣｏＣｒ0.8 Ｂｉ0.2 Ｆｅ
1.0 Ｏ４ ＣｏＭｎ0.6 Ｂｉ0.2 Ｆｅ1.2 Ｏ４，ＣｏＡｌ0.8 Ｂｉ
0.1 Ｆｅ1.1 Ｏ４， ＣｏＣｒ0.8 Ｖ0.1 Ｆｅ1.1 Ｏ４，ＣｏＭｎ0.7 Ｓｎ
0.1 Ｆｅ1.2 Ｏ４， ＣｏＭｎ0.8 Ｖ0.1 Ｂｉ0.1 Ｆｅ1.0 Ｏ４ 等が挙げられる。
具体例としては ＣｏＣｒ0.8 Ｆｅ1.2 Ｏ４，ＣｏＭｎ1.0 Ｆｅ
1.0 Ｏ４， ＣｏＣｒ0.75Ｆｅ1.25Ｏ４，ＣｏＣｒ1.2 Ｆｅ
0.8 Ｏ4， ＣｏＭｎ0.75Ｆｅ1.25Ｏ４，ＣｏＡｌ0.8 Ｆｅ
1.2 Ｏ４， ＣｏＡｌ1.0 Ｆｅ1.0 Ｏ４，ＣｏＺｎ0.75Ｆｅ
1.25Ｏ４， ＣｏＺｎ1.0 Ｆｅ1.0 Ｏ４，ＣｏＴｉ0.8 Ｆｅ
1.2 Ｏ４， ＣｏＳｎ1.2 Ｆｅ0.8 Ｏ４，ＣｏＣｕ1.0 Ｆｅ
1.0 Ｏ４， ＣｏＲｈ0.5 Ｆｅ0.5 Ｏ４，ＣｏＣｒ0.85Ｆｅ
1.15Ｏ４， ＣｏＣｒ1.0 Ｆｅ1.0 Ｏ４，ＣｏＭｎ0.4 Ｆｅ
1.0 Ｏ４， ＣｏＭｎ0.9 Ｆｅ1.1 Ｏ４，ＣｏＣｒ0.8 Ｂｉ0.2 Ｆｅ
1.0 Ｏ４ ＣｏＭｎ0.6 Ｂｉ0.2 Ｆｅ1.2 Ｏ４，ＣｏＡｌ0.8 Ｂｉ
0.1 Ｆｅ1.1 Ｏ４， ＣｏＣｒ0.8 Ｖ0.1 Ｆｅ1.1 Ｏ４，ＣｏＭｎ0.7 Ｓｎ
0.1 Ｆｅ1.2 Ｏ４， ＣｏＭｎ0.8 Ｖ0.1 Ｂｉ0.1 Ｆｅ1.0 Ｏ４ 等が挙げられる。
なお以上のような金属酸化物磁性体にはファラデー回転
角を更に増大して磁気光学特性を改善するためにＬａ，
Ｙｂ，Ｄｙ等の金属を添加することができる。
角を更に増大して磁気光学特性を改善するためにＬａ，
Ｙｂ，Ｄｙ等の金属を添加することができる。
本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度500〜700℃で真空蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング等の方法で膜厚0.1〜1
0μｍ程度に付着させればよい。こうして第５図に示す
ように基板１上に、垂直磁化された磁性膜２を有する光
磁気記録媒体が得られる。なお場合によっては磁性膜の
形成は基板温度500℃未満で行なうこともできる。但し
この場合は磁性膜形成後、これに500〜800℃の熱処理
を、場合により磁界を印加しながら、行なって垂直磁化
させる必要がある。ここで基板の材料としては一般にア
ルミニウムのような耐熱性金属；石英ガラス；ＧＧＧ；
サファイヤ；リチウムタンタレート；結晶化透明ガラ
ス；パイレックスガラス；表面を酸化処理し又は処理し
ない単結晶シリコン；Ａｌ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３・Ｍｇ
Ｏ，ＭｇＯ・ＬｉＦ，Ｙ２Ｏ３・ＬｉＦ，ＢｅＯ，Ｚｒ
Ｏ２・Ｙ２Ｏ３，ＴｈＯ２・ＣａＯ等の透明セラミック
材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トスガー
ド、住友化学社製スミセラムＰ）等の無機材料或いはア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂
等の有機材料が使用できる。
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度500〜700℃で真空蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング等の方法で膜厚0.1〜1
0μｍ程度に付着させればよい。こうして第５図に示す
ように基板１上に、垂直磁化された磁性膜２を有する光
磁気記録媒体が得られる。なお場合によっては磁性膜の
形成は基板温度500℃未満で行なうこともできる。但し
この場合は磁性膜形成後、これに500〜800℃の熱処理
を、場合により磁界を印加しながら、行なって垂直磁化
させる必要がある。ここで基板の材料としては一般にア
ルミニウムのような耐熱性金属；石英ガラス；ＧＧＧ；
サファイヤ；リチウムタンタレート；結晶化透明ガラ
ス；パイレックスガラス；表面を酸化処理し又は処理し
ない単結晶シリコン；Ａｌ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３・Ｍｇ
Ｏ，ＭｇＯ・ＬｉＦ，Ｙ２Ｏ３・ＬｉＦ，ＢｅＯ，Ｚｒ
Ｏ２・Ｙ２Ｏ３，ＴｈＯ２・ＣａＯ等の透明セラミック
材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トスガー
ド、住友化学社製スミセラムＰ）等の無機材料或いはア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂
等の有機材料が使用できる。
本発明の磁性膜は第１図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第２〜４図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４はガイドトラック
層、５は保護膜、６は透明接着層、７は耐熱層である。
ここでガイドトラック付き基板１′は前述のような有機
材料を射出成型、押出成型、フォトエッチング法等によ
り加工して作られる。なお基板のガイドトラックは記
録、再生時のレーザー光を案内するものである。反射膜
３はＣｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，ＴｅＯｘ，Ｔｅ
Ｃ，ＳｅＡｓ，ＴｅＡｓ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＣｒＮ，シ
アニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング等の方法で対象面に膜
厚500〜10000Å程度に付着させることにより形成され
る。なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光を
反射し、再び磁性膜を透過することによるファラデー効
果を増大させる目的で設けられる。ガイドトラック層４
は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗布した後、ガイド溝を
有する金型を圧着しながら、紫外線を照射して前記樹脂
を硬化させることにより形成される。保護膜５はアクリ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リエーテルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹
脂、ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＴａＮ，ＳｉＯ２，ＳｉＯ等
を樹脂の場合は塗布法で、その他の場合は真空蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の方法で対象面
に膜厚約0.1〜10μｍ程度に付着させることにより形成
される。なおこの保護膜は反射膜３を保護する目的で設
けられる。透明接着層６は、反射膜３を設けたガイドト
ラック付き基板１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層
７（この層は前記無機材料よりなるので、「磁性膜を設
けた耐熱層」とは前記単層型光磁気記録材料のことであ
る。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ
アミド等の樹脂で約２〜100μｍ厚程度に接着すること
により形成される。即ちこの透明接着層は単に基板１′
上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁性膜２とを接
合するための層である。なお耐熱層７は前述のような無
機材料よりなるので、基板１に相当するが、ここでは磁
性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる。厚さは約10〜
500 μｍ程度が適当てある。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第２〜４図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４はガイドトラック
層、５は保護膜、６は透明接着層、７は耐熱層である。
ここでガイドトラック付き基板１′は前述のような有機
材料を射出成型、押出成型、フォトエッチング法等によ
り加工して作られる。なお基板のガイドトラックは記
録、再生時のレーザー光を案内するものである。反射膜
３はＣｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，ＴｅＯｘ，Ｔｅ
Ｃ，ＳｅＡｓ，ＴｅＡｓ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＣｒＮ，シ
アニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング等の方法で対象面に膜
厚500〜10000Å程度に付着させることにより形成され
る。なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光を
反射し、再び磁性膜を透過することによるファラデー効
果を増大させる目的で設けられる。ガイドトラック層４
は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗布した後、ガイド溝を
有する金型を圧着しながら、紫外線を照射して前記樹脂
を硬化させることにより形成される。保護膜５はアクリ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リエーテルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹
脂、ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＴａＮ，ＳｉＯ２，ＳｉＯ等
を樹脂の場合は塗布法で、その他の場合は真空蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の方法で対象面
に膜厚約0.1〜10μｍ程度に付着させることにより形成
される。なおこの保護膜は反射膜３を保護する目的で設
けられる。透明接着層６は、反射膜３を設けたガイドト
ラック付き基板１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層
７（この層は前記無機材料よりなるので、「磁性膜を設
けた耐熱層」とは前記単層型光磁気記録材料のことであ
る。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ
アミド等の樹脂で約２〜100μｍ厚程度に接着すること
により形成される。即ちこの透明接着層は単に基板１′
上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁性膜２とを接
合するための層である。なお耐熱層７は前述のような無
機材料よりなるので、基板１に相当するが、ここでは磁
性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる。厚さは約10〜
500 μｍ程度が適当てある。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
効 果 本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、記録感度が高
いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及び
透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化がな
く、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出力
の高いファラデー回転角を利用して再生することができ
る。
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、記録感度が高
いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及び
透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化がな
く、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出力
の高いファラデー回転角を利用して再生することができ
る。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例1〜12 Ｆｅ２Ｏ３１モルとＣｏ２Ｏ３0.5モルとＭ２Ｏ３0.5モ
ルとをボールミルでよく混合分散し、これを内径120mm
深さ２mmの円板状金型に入れて圧力300kg／cm2、温度12
00℃で２時間焼結を行ない、表記の円板状ターゲットを
得た。次にこれらのターゲットを用いてＡｒガス90％〜
Ｏ２10％の混合ガス中、基板温度200℃、ガス圧３パス
カル、放電々力50Ｗの条件で石英基板上にＲＦスパッタ
リングを行ない、5000Å厚の磁性膜を設けた。これら磁
性膜のキュリー温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測定した結果
を下表に示す。
ルとをボールミルでよく混合分散し、これを内径120mm
深さ２mmの円板状金型に入れて圧力300kg／cm2、温度12
00℃で２時間焼結を行ない、表記の円板状ターゲットを
得た。次にこれらのターゲットを用いてＡｒガス90％〜
Ｏ２10％の混合ガス中、基板温度200℃、ガス圧３パス
カル、放電々力50Ｗの条件で石英基板上にＲＦスパッタ
リングを行ない、5000Å厚の磁性膜を設けた。これら磁
性膜のキュリー温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測定した結果
を下表に示す。
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を800
℃に加熱しながら外部より10Ｋエルステッドの磁界を印
加することにより垂直方向に磁化させ、この磁化の方向
とは逆の500エルステッドの磁界を印加しながら、出力2
0mWの半導体レーザー光を記録媒体表面での強度10mW及
び周波数1MHzのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録
したところ、いずれもピット径約1.5μｍの記録ピット
が形成された。
℃に加熱しながら外部より10Ｋエルステッドの磁界を印
加することにより垂直方向に磁化させ、この磁化の方向
とは逆の500エルステッドの磁界を印加しながら、出力2
0mWの半導体レーザー光を記録媒体表面での強度10mW及
び周波数1MHzのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録
したところ、いずれもピット径約1.5μｍの記録ピット
が形成された。
第１〜４図は夫々本発明の光磁気記録媒体の一例の構成
図である。 １……基板 １′……ガイドトラック付き基板 ２……磁性膜、３……反射膜 ４……ガイドトラック層、５……保護膜 ６……透明接着層、７……耐熱層
図である。 １……基板 １′……ガイドトラック付き基板 ２……磁性膜、３……反射膜 ４……ガイドトラック層、５……保護膜 ６……透明接着層、７……耐熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 元治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 和多田 篤行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 近江 文也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭51−119999（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−55503（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−145625（ＪＰ，Ａ) 特公 昭41−547（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に一般式 ＣｏＭｘＦｅ2-xＯ４ （但し、ＭはMn，Ni，Ti，Zn，Al，Sn，Cr，Cu，Mg，R
h，V，Ga，In，Sb，Sc，Bi，Y，Sm，Eu，Tb及びGdから
なる群の少なくとも１種、0.4≦ｘ≦1.4を表わす）で示
される金属酸化物磁性体よりなる磁性膜を有することを
特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233907A JPH0622171B2 (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233907A JPH0622171B2 (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124901A JPS60124901A (ja) | 1985-07-04 |
| JPH0622171B2 true JPH0622171B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16962451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58233907A Expired - Lifetime JPH0622171B2 (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622171B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60204691A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Ｃｏフエライト垂直磁化膜の製造方法 |
| JPH0664762B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1994-08-22 | 株式会社リコー | 光磁気記録媒体 |
| JPH02165447A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH02166647A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US7326360B1 (en) | 2003-07-24 | 2008-02-05 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Cobalt ferrite based magnetostrictive materials for magnetic stress sensor and actuator applications |
| WO2005081667A2 (en) * | 2003-07-24 | 2005-09-09 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Cobalt ferrite based magnetostrictive materials for magnetic stress sensor and actuator applications |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51119999A (en) * | 1976-01-24 | 1976-10-20 | Kyocera Corp | Magnetic thin film memory |
| JPS5555503A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Garnet film for magnetic bubble element |
| JPS58145625A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-30 | Tdk Corp | 磁性キヤリヤ粒子 |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP58233907A patent/JPH0622171B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124901A (ja) | 1985-07-04 |
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