JPH0578918B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0578918B2 JPH0578918B2 JP60252268A JP25226885A JPH0578918B2 JP H0578918 B2 JPH0578918 B2 JP H0578918B2 JP 60252268 A JP60252268 A JP 60252268A JP 25226885 A JP25226885 A JP 25226885A JP H0578918 B2 JPH0578918 B2 JP H0578918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- ion beam
- film
- chamber
- support means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
薄膜型EL素子の発光効率と輝度とを向上する
製造方法の改良と、その製造方法の実施に直接使
用するスパツタ装置とである。
製造方法の改良と、その製造方法の実施に直接使
用するスパツタ装置とである。
薄膜型EL素子を構成するEL膜がクラスタ状に
なることを防止するために、クラスタ発生の防止
に有効であるイオンビームスパツタ法と、堆積速
度の速いスパツタ法とを組み合わせたものであ
り、極微粒子状であることが是非とも必要である
物質（発光中心として機能するマンガンや希土類
元素等）の堆積にはイオンビームスパツタ法を使
用し、母材たる硫化亜鉛の堆積にはスパツタ法を
使用することとし、これら二つを同時に実行する
こととしたものである。
なることを防止するために、クラスタ発生の防止
に有効であるイオンビームスパツタ法と、堆積速
度の速いスパツタ法とを組み合わせたものであ
り、極微粒子状であることが是非とも必要である
物質（発光中心として機能するマンガンや希土類
元素等）の堆積にはイオンビームスパツタ法を使
用し、母材たる硫化亜鉛の堆積にはスパツタ法を
使用することとし、これら二つを同時に実行する
こととしたものである。
この方法を実施するためのスパツタ装置とし
て、 (イ) 単一の真空室中に回転型基板支持手段を設
け、 (ロ) その中にスパツタ用ターゲツトを装入し、 (ハ) スリツトを介して上記真空室と連通してお
り、その内圧は作動排気によつて上記真空室中
の内圧より低くしてあるいイオンビーム発生室
を設け、 (ニ) この中にイオンビームスパツタ用ターゲツト
を装入することとしたものであり、 (ホ) 上記の回転型基板支持手段を回転することに
より、基板にはスパツタとイオンビームスパツ
タとが間欠的になされ、 (ヘ) 上記のスリツトによつて差動排気を容易にす
るとともにイオンビームがイオンビーム発生室
から真空室に移動することを可能としたもので
ある。
て、 (イ) 単一の真空室中に回転型基板支持手段を設
け、 (ロ) その中にスパツタ用ターゲツトを装入し、 (ハ) スリツトを介して上記真空室と連通してお
り、その内圧は作動排気によつて上記真空室中
の内圧より低くしてあるいイオンビーム発生室
を設け、 (ニ) この中にイオンビームスパツタ用ターゲツト
を装入することとしたものであり、 (ホ) 上記の回転型基板支持手段を回転することに
より、基板にはスパツタとイオンビームスパツ
タとが間欠的になされ、 (ヘ) 上記のスリツトによつて差動排気を容易にす
るとともにイオンビームがイオンビーム発生室
から真空室に移動することを可能としたもので
ある。
本発明は薄膜型EL素子の製造方法とその製造
方法の実施に直接使用するスパツタ装置とに関す
る。特に、発光効率と輝度とを向上することが可
能な薄膜型EL素子の製造方法の改良と、その製
造方法の実施に直接使用するスパツタ装置とに関
する。
方法の実施に直接使用するスパツタ装置とに関す
る。特に、発光効率と輝度とを向上することが可
能な薄膜型EL素子の製造方法の改良と、その製
造方法の実施に直接使用するスパツタ装置とに関
する。
薄膜型EL素子は、発光中心として機能するマ
ンガンや希土類元素例えば三フツ化テルビウム、
三塩化テルビウム等を含有する硫化亜鉛等の蛍光
体の多結晶薄膜に電界を印加し、エレクトロルミ
ネツセンス現象にもとづいて発光させる発光素子
であるが、従来、第３図に示すような構造が知ら
れている。
ンガンや希土類元素例えば三フツ化テルビウム、
三塩化テルビウム等を含有する硫化亜鉛等の蛍光
体の多結晶薄膜に電界を印加し、エレクトロルミ
ネツセンス現象にもとづいて発光させる発光素子
であるが、従来、第３図に示すような構造が知ら
れている。
第３図参照
ガラス基板等１上に、ITOよりなり厚さが約
2000Åの透光性電極２をスパツタ法を使用して形
成する。次に、酸化窒化シリコンよりなり厚さが
約2000Åの第１の絶縁膜４をスパツタ法を使用し
て形成する。次に、真空蒸着法またはスパツタ法
を使用して、発光中心として機能するマンガンま
たは希土類元素例えば三フツ化テルビウム、三塩
化テルビウムを含有する硫化亜鉛よりなるEL膜
５を厚さ約6000Åに蒸着して、温度約500℃にお
いて約１時間熱処理を施す。さらにスパツタ法を
使用して、酸化窒化シリコンよりなり厚さが約
2000Åの第２の絶縁膜６を形成する。その後、ア
ルミニユウムよりなる対向電極７を形成する。
2000Åの透光性電極２をスパツタ法を使用して形
成する。次に、酸化窒化シリコンよりなり厚さが
約2000Åの第１の絶縁膜４をスパツタ法を使用し
て形成する。次に、真空蒸着法またはスパツタ法
を使用して、発光中心として機能するマンガンま
たは希土類元素例えば三フツ化テルビウム、三塩
化テルビウムを含有する硫化亜鉛よりなるEL膜
５を厚さ約6000Åに蒸着して、温度約500℃にお
いて約１時間熱処理を施す。さらにスパツタ法を
使用して、酸化窒化シリコンよりなり厚さが約
2000Åの第２の絶縁膜６を形成する。その後、ア
ルミニユウムよりなる対向電極７を形成する。
上記のようにして製造された薄膜型EL素子に
おいては、発光中心として機能するマンガンまた
は希土類元素例えば三フツ化テルビウム、三塩化
テルビウム等がクラスタ状となり、基板上で凝集
し、母材中で単原子として均一に分散せず塊状に
なるという欠点がある。このように、発光中心と
して機能するマンガンまたは希土類元素例えば三
フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等がクラス
タ状になると、熱電子から伝達された励起エネル
ギーが、隣接する発光中心原子間を伝播される期
間にキラーセンターや非輻射センターに吸収され
て発光に寄与しない場合が生ずる。また、余分に
存在する発光中心原子が熱電子の散乱中心とな
り、平均自由行程を短くするので、熱電子が発光
中心原子を励起するに十分なエネルギーを得難く
なるという欠点もある。
おいては、発光中心として機能するマンガンまた
は希土類元素例えば三フツ化テルビウム、三塩化
テルビウム等がクラスタ状となり、基板上で凝集
し、母材中で単原子として均一に分散せず塊状に
なるという欠点がある。このように、発光中心と
して機能するマンガンまたは希土類元素例えば三
フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等がクラス
タ状になると、熱電子から伝達された励起エネル
ギーが、隣接する発光中心原子間を伝播される期
間にキラーセンターや非輻射センターに吸収され
て発光に寄与しない場合が生ずる。また、余分に
存在する発光中心原子が熱電子の散乱中心とな
り、平均自由行程を短くするので、熱電子が発光
中心原子を励起するに十分なエネルギーを得難く
なるという欠点もある。
EL膜の形成にスパツタ法を使用する従来技術
に係る薄膜型EL素子の製造方法において、発光
中心たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ
化テルビウム、三塩化テルビウム等の均一分散を
目的として、母材たる硫化亜鉛と発光中心たるマ
ンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テルビウ
ム、三塩化テルビウム等とを二元同時スパツタす
る方法が試みられている。しかし、この場合も、
発光中心たるマンガンまたは希土類元素例えば三
フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等の均一分
散は予期したほどには実現しない。しかも、発光
中心たるマンガンまたは希土類元素は極めて酸化
され易い性質を有しているにもかゝわらず、高い
ガス圧雰囲気の中で発光中心用ターゲツトをプラ
ズマに曝すことになり、この発光中心用ターゲツ
トが酸化する等変質を受けやすい。この変質され
た発光中心用ターゲツトがイオンビームスパツタ
されることになり、発光効率を低下するという副
作用が発生し、この母材たる硫化亜鉛と発光中心
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等とを二元同時スパ
ツタする方法は実用性がないことが知られてい
る。
に係る薄膜型EL素子の製造方法において、発光
中心たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ
化テルビウム、三塩化テルビウム等の均一分散を
目的として、母材たる硫化亜鉛と発光中心たるマ
ンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テルビウ
ム、三塩化テルビウム等とを二元同時スパツタす
る方法が試みられている。しかし、この場合も、
発光中心たるマンガンまたは希土類元素例えば三
フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等の均一分
散は予期したほどには実現しない。しかも、発光
中心たるマンガンまたは希土類元素は極めて酸化
され易い性質を有しているにもかゝわらず、高い
ガス圧雰囲気の中で発光中心用ターゲツトをプラ
ズマに曝すことになり、この発光中心用ターゲツ
トが酸化する等変質を受けやすい。この変質され
た発光中心用ターゲツトがイオンビームスパツタ
されることになり、発光効率を低下するという副
作用が発生し、この母材たる硫化亜鉛と発光中心
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等とを二元同時スパ
ツタする方法は実用性がないことが知られてい
る。
本発明の目的は、EL膜中に含まれる発光中心
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等がクラスタ状にな
らず、しかも、発光中心用ターゲツトが変質する
こともなく、そのため、発光効率と輝度とが向上
する製造方法の改良と、その製造方法の実施に直
接使用するスパツタ装置を提供することにある。
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等がクラスタ状にな
らず、しかも、発光中心用ターゲツトが変質する
こともなく、そのため、発光効率と輝度とが向上
する製造方法の改良と、その製造方法の実施に直
接使用するスパツタ装置を提供することにある。
上記第１の目的を達成するために本発明が採つ
た手段は、薄膜型EL素子の製造方法において、
そのEL膜の形成に、スパツタ法とイオンバーム
スパツタ法とを同時に使用することにあり、母材
たる硫化亜鉛の堆積にはスパツタ法を、発光中心
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等の堆積にはイオン
ビームスパツタ法を使用するものである。
た手段は、薄膜型EL素子の製造方法において、
そのEL膜の形成に、スパツタ法とイオンバーム
スパツタ法とを同時に使用することにあり、母材
たる硫化亜鉛の堆積にはスパツタ法を、発光中心
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等の堆積にはイオン
ビームスパツタ法を使用するものである。
上記第２の目的を達成するために本発明が採つ
た手段は、(イ)単一の真空室中に回転型基板支持手
段を設け、(ロ)その中にスパツタ用ターゲツトを装
入し、(ハ)上記真空室とスリツトを介して連通して
おり、その内圧は差動排気によつて上記真空室中
の内圧より低くしてあるイオンビーム発生室を設
け、(ニ)この中にイオンビームスパツタ用ターゲツ
トを装入することとしたものである。
た手段は、(イ)単一の真空室中に回転型基板支持手
段を設け、(ロ)その中にスパツタ用ターゲツトを装
入し、(ハ)上記真空室とスリツトを介して連通して
おり、その内圧は差動排気によつて上記真空室中
の内圧より低くしてあるイオンビーム発生室を設
け、(ニ)この中にイオンビームスパツタ用ターゲツ
トを装入することとしたものである。
本発明は、単原子または少数原子の微細な塊の
堆積が可能であり、クラスタ発生の防止に有効で
あるイオンビームスパツタ法を使用して発光中心
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等を堆積することと
し、一方、母材たる硫化亜鉛の堆積にスパツタ法
を使用することにより、このイオンビームスパツ
タ法の欠点である低速性を補つたものである。換
言すれば、発光中心たるマンガンまたは希土類元
素例えば三フツ化テルビウム、酸塩化テルビウム
等の添加量が母材たる酸化亜鉛の0.1〜数％と微
量である点に着目して、量的には微量であるが是
非ともクラスタ状になつてほしくない発光中心た
るマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テル
ビウム、三塩化テルビウム等の堆積のみには、ク
ラスタ発生の防止に有効であるイオンビームスパ
ツタ法を使用することとしたものである。
堆積が可能であり、クラスタ発生の防止に有効で
あるイオンビームスパツタ法を使用して発光中心
たるマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テ
ルビウム、三塩化テルビウム等を堆積することと
し、一方、母材たる硫化亜鉛の堆積にスパツタ法
を使用することにより、このイオンビームスパツ
タ法の欠点である低速性を補つたものである。換
言すれば、発光中心たるマンガンまたは希土類元
素例えば三フツ化テルビウム、酸塩化テルビウム
等の添加量が母材たる酸化亜鉛の0.1〜数％と微
量である点に着目して、量的には微量であるが是
非ともクラスタ状になつてほしくない発光中心た
るマンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テル
ビウム、三塩化テルビウム等の堆積のみには、ク
ラスタ発生の防止に有効であるイオンビームスパ
ツタ法を使用することとしたものである。
試作品を製造して電子顕微鏡をもつて観察した
結果、発光中心たるマンガンまたは希土類元素例
えば三フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等が
原子または数原子単位で堆積されていることが確
認されている。
結果、発光中心たるマンガンまたは希土類元素例
えば三フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等が
原子または数原子単位で堆積されていることが確
認されている。
たゞ、イオンビームスパツタ法の最適真空度が
10-5Torrであるに反して、スパツタ法の最適真
空度は10-3Torrである。（上記せる発光中心たる
マンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テルビ
ウム、三塩化テルビウム等の変質もこの性質に起
因する。）そこで、この困難を克服するため、(イ)
スパツタがなされる真空室とイオンビームスパツ
タ法発生室とは分離してこれらをスリツトを介し
て連通し、(ロ)イオンビーム発生室は差動排気をな
して上記条件を満足し、(ハ)基板支持手段は回転型
として、基板にはスパツタ法とイオンビームスパ
ツタとが交互になされるようにしたものである。
10-5Torrであるに反して、スパツタ法の最適真
空度は10-3Torrである。（上記せる発光中心たる
マンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テルビ
ウム、三塩化テルビウム等の変質もこの性質に起
因する。）そこで、この困難を克服するため、(イ)
スパツタがなされる真空室とイオンビームスパツ
タ法発生室とは分離してこれらをスリツトを介し
て連通し、(ロ)イオンビーム発生室は差動排気をな
して上記条件を満足し、(ハ)基板支持手段は回転型
として、基板にはスパツタ法とイオンビームスパ
ツタとが交互になされるようにしたものである。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の第２の手段
に係るスパツタ装置を使用してなす第１の手段に
係る薄膜型EL素子の製造方法ついて、さらに説
明する。
に係るスパツタ装置を使用してなす第１の手段に
係る薄膜型EL素子の製造方法ついて、さらに説
明する。
まづ、本発明の第２の手段に係るスパツタ装置
について説明する。
について説明する。
第２図参照
図は本発明の第２の手段に係るスパツタ装置の
構成図である。図において、１３はその中でスパ
ツタとイオンビームスパツタとがなされる真空室
であり、約５×10-3Torrの真空度に保持される。
１７は基板支持手段であり、その上にEL膜が堆
積される基板１８を支持しながら、基板支持手段
１７自身回転する。スパツタ用ターゲツトとイオ
ンビームとに交互に対向するためである。９は、
スパツタ用ターゲツト８を支持するスパツタ用タ
ーゲツト支持手段であり、第１図を参照して後述
する例においては、マツチング回路（図示せず）
を介して13.56MHzのRF電源（図示せず）と接続
され、スパツタ用ターゲツト８にグロー放電を発
生させる。１５はイオンビーム発生室であり、そ
の中には、プラズマ室１０と加速室１１とを有す
るプラズマ射出手段（第１図を参照して後述する
例においてはアルゴンイオンをプラズマ状にして
射出する）と、イオンビームスパツタ用ターゲツ
ト１２を支持するイオンビームスパツタ用ターゲ
ツト支持手段１９とが装入され、真空室１３とは
スリツト１４を介して連通している。このスリツ
ト１４は基板支持手段１７の法線方向に設けられ
ており、基板支持手段１７の回転にともない、イ
オンビームが基板１８の全面に照射されるように
されている。プラズマ射出手段から射出されたプ
ラズマは、イオンビームスパツタ用ターゲツト１
２に照射されてイオンビームスパツタ用イオンビ
ームを発生する。ここで発生したイオンビームは
スリツト１４を介して真空室１３中に射出され
て、基板１８に堆積する。１６は差動排気装置で
あり、イオンビーム発生室１５中を約10-5Torr
の真空度に保つ。
構成図である。図において、１３はその中でスパ
ツタとイオンビームスパツタとがなされる真空室
であり、約５×10-3Torrの真空度に保持される。
１７は基板支持手段であり、その上にEL膜が堆
積される基板１８を支持しながら、基板支持手段
１７自身回転する。スパツタ用ターゲツトとイオ
ンビームとに交互に対向するためである。９は、
スパツタ用ターゲツト８を支持するスパツタ用タ
ーゲツト支持手段であり、第１図を参照して後述
する例においては、マツチング回路（図示せず）
を介して13.56MHzのRF電源（図示せず）と接続
され、スパツタ用ターゲツト８にグロー放電を発
生させる。１５はイオンビーム発生室であり、そ
の中には、プラズマ室１０と加速室１１とを有す
るプラズマ射出手段（第１図を参照して後述する
例においてはアルゴンイオンをプラズマ状にして
射出する）と、イオンビームスパツタ用ターゲツ
ト１２を支持するイオンビームスパツタ用ターゲ
ツト支持手段１９とが装入され、真空室１３とは
スリツト１４を介して連通している。このスリツ
ト１４は基板支持手段１７の法線方向に設けられ
ており、基板支持手段１７の回転にともない、イ
オンビームが基板１８の全面に照射されるように
されている。プラズマ射出手段から射出されたプ
ラズマは、イオンビームスパツタ用ターゲツト１
２に照射されてイオンビームスパツタ用イオンビ
ームを発生する。ここで発生したイオンビームは
スリツト１４を介して真空室１３中に射出され
て、基板１８に堆積する。１６は差動排気装置で
あり、イオンビーム発生室１５中を約10-5Torr
の真空度に保つ。
つづいて、本発明の第１の手段に係る薄膜型
EL素子の製造方法について説明する。
EL素子の製造方法について説明する。
第１図参照
まず、上記に説明したスパツタ装置のスパツタ
用ターゲツト支持手段９に、直径100mmの硫化亜
鉛ターゲツト８を装着し、RF電源の供給電力は
300Wとする。一方、イオンビームスパツタ用タ
ーゲツト支持手段１９には、直径100mmのマンガ
ンターゲツト１２を装着し、基板支持手段１７を
20rpmをもつて回転する。なお、スリツト１４の
寸法は長さ100mm幅５mmの長方形とする。このと
き、イオンビーム電流は75ｍＡである。
用ターゲツト支持手段９に、直径100mmの硫化亜
鉛ターゲツト８を装着し、RF電源の供給電力は
300Wとする。一方、イオンビームスパツタ用タ
ーゲツト支持手段１９には、直径100mmのマンガ
ンターゲツト１２を装着し、基板支持手段１７を
20rpmをもつて回転する。なお、スリツト１４の
寸法は長さ100mm幅５mmの長方形とする。このと
き、イオンビーム電流は75ｍＡである。
以上の条件をもつて上記のスパツタ装置を使用
してスパツタをなして、厚さ約2000ÅのITO膜よ
りなる透光性電極２を形成する。
してスパツタをなして、厚さ約2000ÅのITO膜よ
りなる透光性電極２を形成する。
再びスパツタ法を使用して、厚さ約2000Åの酸
化窒化シリコン膜よりなる第１の絶縁膜４を形成
する。
化窒化シリコン膜よりなる第１の絶縁膜４を形成
する。
上記に説明したスパツタ装置に特有の機能（二
元同時スパツタ機能）を使用して、0.1〜数％発
光中心たるマンガンを含む硫化亜鉛よりなり厚さ
が6000Åの膜５を形成し、約500℃の温度におい
て約１時間熱処理を施して、EL膜５を形成する。
元同時スパツタ機能）を使用して、0.1〜数％発
光中心たるマンガンを含む硫化亜鉛よりなり厚さ
が6000Åの膜５を形成し、約500℃の温度におい
て約１時間熱処理を施して、EL膜５を形成する。
さらに、スパツタ法を使用し、厚さ約2000Åの
酸化窒化シリコン膜よりなる第２の絶縁膜６を形
成する。
酸化窒化シリコン膜よりなる第２の絶縁膜６を形
成する。
最後にスパツタ法を使用して、アルミニユウム
電極７を形成して薄膜型EL素子を完成する。
電極７を形成して薄膜型EL素子を完成する。
以上の行程をもつて製造された薄膜型EL素子
のEL膜に含有されている発光中心たるマンガン
は単原子状に均一分散しており、クラスタ状では
ないので、発光効率が極めて良好である。
のEL膜に含有されている発光中心たるマンガン
は単原子状に均一分散しており、クラスタ状では
ないので、発光効率が極めて良好である。
以上説明せるとおり、本発明の第１の手段に係
る薄膜型EL素子の製造方法においては、そのEL
膜の形成に、スパツタ法とイオンビームスパツタ
法とを同時に使用することとされており、母材た
る硫化亜鉛の堆積には堆積速度の速いスパツタ法
を、発光中心たるマンガンまたは希土類元素例え
ば三フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等の堆
積にはクラスタ発生防止効果を有するイオンビー
ムスパツタ法を使用することとされているので、
この製造方法をもつて製造された薄膜型EL素子
は、そのEL膜に含有されている発光中心たるマ
ンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テルビウ
ム、三塩化テルビウム等が単原子状に均一に分散
しており、クラスタ状ではなく、発光効率が極め
て良好である。
る薄膜型EL素子の製造方法においては、そのEL
膜の形成に、スパツタ法とイオンビームスパツタ
法とを同時に使用することとされており、母材た
る硫化亜鉛の堆積には堆積速度の速いスパツタ法
を、発光中心たるマンガンまたは希土類元素例え
ば三フツ化テルビウム、三塩化テルビウム等の堆
積にはクラスタ発生防止効果を有するイオンビー
ムスパツタ法を使用することとされているので、
この製造方法をもつて製造された薄膜型EL素子
は、そのEL膜に含有されている発光中心たるマ
ンガンまたは希土類元素例えば三フツ化テルビウ
ム、三塩化テルビウム等が単原子状に均一に分散
しており、クラスタ状ではなく、発光効率が極め
て良好である。
また、本発明の第２の手段に係るスパツタ装置
は、(イ)単一の真空室中に回転型基板支持手段を設
け、(ロ)その中にスパツタ用ターゲツトを装入し、
(ハ)上記真空室とスリツト介して連通しており、そ
の内圧は差動排気によつて上記真空室中の内圧よ
り低くしてあるいイオンビーム発生室を設け、(ニ)
この中にイオンビームスパツタ用ターゲツトを装
入してあるので、上記第１の手段に係る薄膜型
EL素子の製造方法の実行が容易に可能である。
は、(イ)単一の真空室中に回転型基板支持手段を設
け、(ロ)その中にスパツタ用ターゲツトを装入し、
(ハ)上記真空室とスリツト介して連通しており、そ
の内圧は差動排気によつて上記真空室中の内圧よ
り低くしてあるいイオンビーム発生室を設け、(ニ)
この中にイオンビームスパツタ用ターゲツトを装
入してあるので、上記第１の手段に係る薄膜型
EL素子の製造方法の実行が容易に可能である。
第１図は、本発明の第１の手段に係る薄膜型
EL素子の製造方法を実施して製造した薄膜型EL
素子の断面図である。第２図は、本発明の第２の
手段に係るスパツタ装置の構成図である。第３図
は、従来技術に係る薄膜型EL素子の断面図であ
る。 １……透光性基板（ガラス基板）、２……透光
性電極（ITO電極）、４……第１の絶縁膜、５…
…EL膜、６……第２の絶縁膜、７……対向電極、
８……スパツタ用ターゲツト、９……スパツタ用
ターゲツト支持手段、１０……プラズマ室、１１
……加速装置、１２……イオンビームスパツタ用
ターゲツト、１３……真空室、１４……スリツ
ト、１５……イオンビーム発生装置、１６……差
動排気装置、１７……基板支持装置、１８……基
板、１９……イオンビームスパツタ用ターゲツト
支持手段。
EL素子の製造方法を実施して製造した薄膜型EL
素子の断面図である。第２図は、本発明の第２の
手段に係るスパツタ装置の構成図である。第３図
は、従来技術に係る薄膜型EL素子の断面図であ
る。 １……透光性基板（ガラス基板）、２……透光
性電極（ITO電極）、４……第１の絶縁膜、５…
…EL膜、６……第２の絶縁膜、７……対向電極、
８……スパツタ用ターゲツト、９……スパツタ用
ターゲツト支持手段、１０……プラズマ室、１１
……加速装置、１２……イオンビームスパツタ用
ターゲツト、１３……真空室、１４……スリツ
ト、１５……イオンビーム発生装置、１６……差
動排気装置、１７……基板支持装置、１８……基
板、１９……イオンビームスパツタ用ターゲツト
支持手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板１上に、透光性電極２を形成し、 該透光性電極２上に第１の絶縁膜４を形成し、 該第１の絶縁膜４上に、硫化亜鉛と希土類元素
またはマンガンとの組成物よりなるEL膜５を形
成し、 該EL膜５上に第２の絶縁膜６を形成し、 該第２の絶縁膜６上に対向電極７を形成する薄
膜型EL素子の製造方法において、 前記EL膜５を形成するために、硫化亜鉛をタ
ーゲツトとするスパツタ法と希土類またはマンガ
ンをターゲツトするイオンビームスパツタ法とを
同時に使用することを特徴とする薄膜型EL素子
の製造方法。 ２ 真空室１３と、 該真空室１３中に装入され、回転可能な基板支
持手段１７と、 前記真空室１３中に装入されるスパツタ用ター
ゲツト支持手段９と、 スリツト１４を介して前記真空室１３と連通
し、差動排気されるイオンビーム発生室１５と、 該イオンビーム発生室１５中に装入され、プラ
ズマ室１０と加速室１１とを有するプラズマ射出
手段と、 前記イオンビーム発生室１５中に装入されるイ
オンビームスパツタ用ターゲツト支持手段１９と
を有するスパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252268A JPS62113388A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 薄膜型ｅｌ素子の製造方法及びスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252268A JPS62113388A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 薄膜型ｅｌ素子の製造方法及びスパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113388A JPS62113388A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH0578918B2 true JPH0578918B2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=17234875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252268A Granted JPS62113388A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 薄膜型ｅｌ素子の製造方法及びスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113388A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7803254B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-09-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Processes for forming electronic devices and electronic devices formed by such processes |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60252268A patent/JPS62113388A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113388A (ja) | 1987-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6388366B1 (en) | Carbon nitride cold cathode | |
| US5646474A (en) | Boron nitride cold cathode | |
| US4675092A (en) | Method of producing thin film electroluminescent structures | |
| JPH05315075A (ja) | エレクトロルミネッセンス発光膜の成膜方法 | |
| JP2002093311A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
| US4389295A (en) | Thin film phosphor sputtering process | |
| JP3555711B2 (ja) | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JPH0578918B2 (ja) | ||
| JP2002280171A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPS6141112B2 (ja) | ||
| JP2620550B2 (ja) | Ｅｌ薄膜の形成方法 | |
| JPH0679513B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPH0632302B2 (ja) | エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JP3040432B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
| JP4312326B2 (ja) | 電子放出装置 | |
| JPH02281531A (ja) | ダイノード並びにその製造方法 | |
| JPH0419993A (ja) | 有機薄膜発光素子とその製造方法 | |
| JP3487230B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法およびディスプレイ装置 | |
| JPH0574570A (ja) | エレクトロルミネツセンス発光膜の成膜方法 | |
| JPS6097591A (ja) | Ｅｌ素子の誘電体層形成装置 | |
| JP2955667B2 (ja) | 混合物薄膜作成の方法と装置 | |
| JPH07135081A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH0817574A (ja) | 薄膜電場発光素子の製造方法 | |
| JPH0153349B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |