JPH0153349B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0153349B2 JPH0153349B2 JP57180282A JP18028282A JPH0153349B2 JP H0153349 B2 JPH0153349 B2 JP H0153349B2 JP 57180282 A JP57180282 A JP 57180282A JP 18028282 A JP18028282 A JP 18028282A JP H0153349 B2 JPH0153349 B2 JP H0153349B2
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- JP
- Japan
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- electron beam
- deposited
- vapor deposition
- film
- heating
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- Expired
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は蒸着方法に関し、より詳しくは薄膜
電界発光灯における絶縁膜や発光層等の材料とな
る低熱伝導性物質の蒸着方法に関する。
電界発光灯における絶縁膜や発光層等の材料とな
る低熱伝導性物質の蒸着方法に関する。
背景技術
電界発光灯は基本的には、少なくとも一方が透
明である一対の電極間に発光層を配置した構造を
有し、従来鉄板を一方の電極として用いる無機型
のものと、プラスチツクフイルムを用いる有機型
のものとがあるが、いずれも発光輝度がそれほど
大きくないので、応用分野が限られていた。そこ
で、最近では、発光層を電子ビーム蒸着によつて
形成することにより、その印加電圧を大きくして
発光輝度を著しく改善した薄膜電界発光灯が脚光
を浴びている。
明である一対の電極間に発光層を配置した構造を
有し、従来鉄板を一方の電極として用いる無機型
のものと、プラスチツクフイルムを用いる有機型
のものとがあるが、いずれも発光輝度がそれほど
大きくないので、応用分野が限られていた。そこ
で、最近では、発光層を電子ビーム蒸着によつて
形成することにより、その印加電圧を大きくして
発光輝度を著しく改善した薄膜電界発光灯が脚光
を浴びている。
第１図は二重絶縁膜構造の薄膜電界発光灯の断
面図を示す。図において、１は透明ガラス基板
で、その一面に例えば酸化インジウムや酸化錫等
よりなる透明導電膜２が形成されている。３は前
記透明導電膜２の上にその一部を除いて形成され
た例えば酸化イツトリウム等よりなる第１の絶縁
膜、４は第１の絶縁膜３上にその周辺部を除いて
形成された例えばマンガン付活硫化亜鉛螢光体よ
りなる発光層、５は前記発光層４の上に形成さ
れ、その周辺部が前記第１の絶縁膜３の上に重ね
合わされた、例えば酸化イツトリウム等よりなる
第２の絶縁膜、６は第２の絶縁膜５の上に前記発
光層４とほぼ同一寸法に形成された例えばアルミ
ニウム等よりなる背面電極である。
面図を示す。図において、１は透明ガラス基板
で、その一面に例えば酸化インジウムや酸化錫等
よりなる透明導電膜２が形成されている。３は前
記透明導電膜２の上にその一部を除いて形成され
た例えば酸化イツトリウム等よりなる第１の絶縁
膜、４は第１の絶縁膜３上にその周辺部を除いて
形成された例えばマンガン付活硫化亜鉛螢光体よ
りなる発光層、５は前記発光層４の上に形成さ
れ、その周辺部が前記第１の絶縁膜３の上に重ね
合わされた、例えば酸化イツトリウム等よりなる
第２の絶縁膜、６は第２の絶縁膜５の上に前記発
光層４とほぼ同一寸法に形成された例えばアルミ
ニウム等よりなる背面電極である。
上記の二重絶縁構造の薄膜電界発光灯は、ガラ
ス基板１を加熱しておいて、それにインジウム等
の溶液を吹き付けて透明導電膜２を形成したの
ち、その上に第１の絶縁膜３、発光層４、第２の
絶縁膜５および背面電極６を順次蒸着して形成さ
れる。これらの蒸着形成に際して、抵抗加熱法も
採用されるが多くは電子ビーム法が採用されてい
る。
ス基板１を加熱しておいて、それにインジウム等
の溶液を吹き付けて透明導電膜２を形成したの
ち、その上に第１の絶縁膜３、発光層４、第２の
絶縁膜５および背面電極６を順次蒸着して形成さ
れる。これらの蒸着形成に際して、抵抗加熱法も
採用されるが多くは電子ビーム法が採用されてい
る。
すなわち、電子ビーム蒸着法では、第２図に示
すように、るつぼ７上に所定間隔で透明導電膜２
等が形成されたガラス基板１を配置しておき、る
つぼ７内に酸化イツトリウム、マンガン付活硫化
亜鉛、アルミニウム等の蒸着しようとする物質
３′〜６′を載置し、電子銃８から電子ビーム９を
発射して前記物質３′〜６′に照射し、物質３′〜
６′の一部を蒸発させて上方に飛ばし、この蒸発
物１０をガラス基板１に被着して各膜を形成して
いる。
すように、るつぼ７上に所定間隔で透明導電膜２
等が形成されたガラス基板１を配置しておき、る
つぼ７内に酸化イツトリウム、マンガン付活硫化
亜鉛、アルミニウム等の蒸着しようとする物質
３′〜６′を載置し、電子銃８から電子ビーム９を
発射して前記物質３′〜６′に照射し、物質３′〜
６′の一部を蒸発させて上方に飛ばし、この蒸発
物１０をガラス基板１に被着して各膜を形成して
いる。
この場合、電子ビーム９が物質３′〜６′の一個
所のみに静止して照射されるときは、その部分の
みが集中的に消耗されていくので、電子ビーム９
を微動させている。ところが、物質がアルミニウ
ムのように熱伝導性の良い金属の場合は、電子ビ
ーム９の照射部分のみならず、熱伝導によつてそ
の近傍も高温状態になつており、電子ビーム９を
微動させても蒸着膜の成長速度は余り変化しない
が、第１、第２の絶縁膜３，５や発光層４を形成
する際には、これらの物質３′，４′，５′の熱伝
導率が低いために、電子ビーム９の照射部分と、
その近傍部分とでかなりの温度差があるため、蒸
着膜の成長速度が、第３図の点線Ａで示すよう
に、かなり大幅に変動している。したがつて、蒸
着膜の膜厚を蒸着時間で管理することができず、
蒸着膜の膜厚の制御が困難で、品質のばらつきの
原因となり、また原価高の原因ともなつていた。
所のみに静止して照射されるときは、その部分の
みが集中的に消耗されていくので、電子ビーム９
を微動させている。ところが、物質がアルミニウ
ムのように熱伝導性の良い金属の場合は、電子ビ
ーム９の照射部分のみならず、熱伝導によつてそ
の近傍も高温状態になつており、電子ビーム９を
微動させても蒸着膜の成長速度は余り変化しない
が、第１、第２の絶縁膜３，５や発光層４を形成
する際には、これらの物質３′，４′，５′の熱伝
導率が低いために、電子ビーム９の照射部分と、
その近傍部分とでかなりの温度差があるため、蒸
着膜の成長速度が、第３図の点線Ａで示すよう
に、かなり大幅に変動している。したがつて、蒸
着膜の膜厚を蒸着時間で管理することができず、
蒸着膜の膜厚の制御が困難で、品質のばらつきの
原因となり、また原価高の原因ともなつていた。
発明の開示
この発明は上記の問題点を解決し、絶縁体や螢
光体等の低熱伝導性物質や昇華性物質に電子ビー
ムを照射して、その蒸着膜の成長速度を可及的に
均一にできる蒸着方法を提供することを目的とす
る。
光体等の低熱伝導性物質や昇華性物質に電子ビー
ムを照射して、その蒸着膜の成長速度を可及的に
均一にできる蒸着方法を提供することを目的とす
る。
この発明は簡単に言えば、蒸着しようとする物
質を加熱する手段を設けて、この加熱手段により
物質全体を溶融もしくは昇華の起こらない範囲の
所定温度（以下所定温度と称する）に加熱して電
子ビーム照射部分と非照射部分の温度差を小さく
して電子ビームを微動して蒸着することを特徴と
するものである。
質を加熱する手段を設けて、この加熱手段により
物質全体を溶融もしくは昇華の起こらない範囲の
所定温度（以下所定温度と称する）に加熱して電
子ビーム照射部分と非照射部分の温度差を小さく
して電子ビームを微動して蒸着することを特徴と
するものである。
すなわち、るつぼに収容配置した物質全体を加
熱手段で加熱することによつて、物質全体を所定
温度に上昇せしめ、電子ビームの照射部分と非照
射部分との温度差を小さくすると、電子ビームが
微動しても、同様に電子ビームの照射部分と非照
射部の温度差が小さくなり、蒸着膜の成長速度を
ほぼ均一にできるものであり、それによつて蒸着
膜の膜厚の制御を蒸着時間によつて行なうことを
可能にし、薄膜電界発光灯における絶縁膜や発光
層の形成を著しく容易にし、品質の向上と原価低
減とを図り得るものである。
熱手段で加熱することによつて、物質全体を所定
温度に上昇せしめ、電子ビームの照射部分と非照
射部分との温度差を小さくすると、電子ビームが
微動しても、同様に電子ビームの照射部分と非照
射部の温度差が小さくなり、蒸着膜の成長速度を
ほぼ均一にできるものであり、それによつて蒸着
膜の膜厚の制御を蒸着時間によつて行なうことを
可能にし、薄膜電界発光灯における絶縁膜や発光
層の形成を著しく容易にし、品質の向上と原価低
減とを図り得るものである。
発明を実施するための最良の形態
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
第４図はこの発明を実施するための蒸着装置の
概略構成図である。次の点を除いては第２図と同
様であるため、同一部分には同一参照符号を付し
ている。第２図と相違するのは、るつぼ７上に加
熱手段の一例としてのヒータ１１を配置し、この
ヒータ１１に通電して、酸化イツトリウム等の絶
縁物質３′，５′やマンガン添加硫化亜鉛等の螢光
体物質４′全体を所定温度に加熱した状態で、前
記物質３′〜５′の一部に電子銃８から電子ビーム
９を照射して、絶縁膜や発光層を形成するように
していることである。前記ヒータ１１による物質
３′〜５′の加熱温度は、蒸着しようとする物質の
種類によつて異なり、電子ビーム９のパワーもそ
れに応じて適宜設定される。例えば、蒸着しよう
とする物質が酸化イツトリウムとマンガン添加硫
化亜鉛螢光体の場合は、次のように設定される。
ただし、物質の寸法は35mmφ×10mmｔとし、電子
ビーム９のパワーは蒸着時のエミツシヨン電流と
加速電圧の積をいう。
概略構成図である。次の点を除いては第２図と同
様であるため、同一部分には同一参照符号を付し
ている。第２図と相違するのは、るつぼ７上に加
熱手段の一例としてのヒータ１１を配置し、この
ヒータ１１に通電して、酸化イツトリウム等の絶
縁物質３′，５′やマンガン添加硫化亜鉛等の螢光
体物質４′全体を所定温度に加熱した状態で、前
記物質３′〜５′の一部に電子銃８から電子ビーム
９を照射して、絶縁膜や発光層を形成するように
していることである。前記ヒータ１１による物質
３′〜５′の加熱温度は、蒸着しようとする物質の
種類によつて異なり、電子ビーム９のパワーもそ
れに応じて適宜設定される。例えば、蒸着しよう
とする物質が酸化イツトリウムとマンガン添加硫
化亜鉛螢光体の場合は、次のように設定される。
ただし、物質の寸法は35mmφ×10mmｔとし、電子
ビーム９のパワーは蒸着時のエミツシヨン電流と
加速電圧の積をいう。
蒸着物質 加熱速度 電子ビームパワー
Y2O3 500℃ 500VA
ZnS；Mn 300℃ 25VA
上記酸化イツトリウムの場合について蒸着膜の
成長速度は、第３図の実線Ｂのようになり、ヒー
タ１１による加熱を行なわない同図の点線Ａに比
較して著しく均一化されている。
成長速度は、第３図の実線Ｂのようになり、ヒー
タ１１による加熱を行なわない同図の点線Ａに比
較して著しく均一化されている。
第５図はこの発明の蒸着方法に用いる他の実施
例の蒸着装置の概略構成図で、第４図との相違点
は、物質３′〜５′の加熱手段として電子銃８の他
に第２の電子銃８ａを設け、この電子銃８ａの電
子ビーム９ａのビーム径を大きくして、物質３′
〜５′の全体を照射するようにしたものである。
例の蒸着装置の概略構成図で、第４図との相違点
は、物質３′〜５′の加熱手段として電子銃８の他
に第２の電子銃８ａを設け、この電子銃８ａの電
子ビーム９ａのビーム径を大きくして、物質３′
〜５′の全体を照射するようにしたものである。
さらに他の加熱手段として赤外線ビーム加熱装
置を採用することもできる。
置を採用することもできる。
第１図は薄膜電界発光灯の断面図、第２図は従
来の蒸着方法で用いられている蒸着装置の概略構
成図、第３図は従来の蒸着方法およびこの発明の
蒸着方法による蒸着膜の成長速度の特性図、第４
図および第５図はこの発明の蒸着方法を実施する
ために用いる蒸着装置の異なる実施例の概略構成
図である。 １……ガラス基板、２……透明導電膜、３，５
……絶縁膜、４……発光層、７……るつぼ、８…
…電子銃、９，９ａ……電子ビーム、３′〜５′…
…蒸着しようとする物質、８ａ……加熱手段（電
子銃）、１１……加熱手段（ヒータ）。
来の蒸着方法で用いられている蒸着装置の概略構
成図、第３図は従来の蒸着方法およびこの発明の
蒸着方法による蒸着膜の成長速度の特性図、第４
図および第５図はこの発明の蒸着方法を実施する
ために用いる蒸着装置の異なる実施例の概略構成
図である。 １……ガラス基板、２……透明導電膜、３，５
……絶縁膜、４……発光層、７……るつぼ、８…
…電子銃、９，９ａ……電子ビーム、３′〜５′…
…蒸着しようとする物質、８ａ……加熱手段（電
子銃）、１１……加熱手段（ヒータ）。
Claims (1)
- １ るつぼ内に配置した低熱伝導性物質もしくは
昇華性物質である被蒸着物質に電子ビームを照射
して前記物質を蒸着させ上方に配置された基体に
蒸着する方法において、前記物質を加熱する手段
を設けて、この加熱手段により前記物質全体を溶
融もしくは昇華の起こらない範囲の所定温度に加
熱し、電子ビームを微動させて蒸着することを特
徴とする蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180282A JPS5970769A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180282A JPS5970769A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970769A JPS5970769A (ja) | 1984-04-21 |
| JPH0153349B2 true JPH0153349B2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=16080486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57180282A Granted JPS5970769A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970769A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910004557B1 (ko) * | 1986-08-12 | 1991-07-06 | 미쯔비시지도오샤 고오교오 가부시기가이샤 | 가스침탄방법 및 장치 |
| KR102319130B1 (ko) * | 2020-03-11 | 2021-10-29 | 티오에스주식회사 | 가변 온도조절 장치를 구비한 금속-산화물 전자빔 증발원 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548832A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording and reproducing unit of rotary head type |
| JPS5622172Y2 (ja) * | 1978-11-27 | 1981-05-25 | ||
| JPS55139630A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-31 | Sony Corp | Supporter for magnetic head |
| JPS5928363Y2 (ja) * | 1979-05-17 | 1984-08-16 | オリンパス光学工業株式会社 | 超音波顕微鏡の走査装置 |
| JPS5774657A (en) * | 1980-08-30 | 1982-05-10 | Olympus Optical Co Ltd | Ultrasonic microscope device |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57180282A patent/JPS5970769A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5970769A (ja) | 1984-04-21 |
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