JPH0579010B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0579010B2 JPH0579010B2 JP61080189A JP8018986A JPH0579010B2 JP H0579010 B2 JPH0579010 B2 JP H0579010B2 JP 61080189 A JP61080189 A JP 61080189A JP 8018986 A JP8018986 A JP 8018986A JP H0579010 B2 JPH0579010 B2 JP H0579010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molding
- axial
- substrate
- mold
- injection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/56—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould using mould parts movable during or after injection, e.g. injection-compression moulding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
- B29C2045/2657—Drive means for the outer peripheral ring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光デイスク、光カード、光テープ等の
記録媒体（メデイア）の製造方法に関するもので
あり、特に情報層を支持する透明プラスチツク基
板の改良に関するものである。本発明は特に光磁
気記録媒体に適用可能な透明プラスチツク基板の
製造方法に関するものである。
記録媒体（メデイア）の製造方法に関するもので
あり、特に情報層を支持する透明プラスチツク基
板の改良に関するものである。本発明は特に光磁
気記録媒体に適用可能な透明プラスチツク基板の
製造方法に関するものである。
（従来技術）
透明基板を介してレーザービームによつてサブ
ミクロンオーダーの情報スポツトを記録再生する
光学式高密度情報記録媒体においては、透明基板
の複屈折が問題となる。特に、光磁気記録のよう
に0.1〜0.3度といつた微小な偏光面の変化を読取
る記録媒体においては複屈折の値が大きいとCN
比が低下し、実用にはならない。上記透明基板は
コスト面および耐吸水変化性等の特性面からポリ
カーボネートを射出成形して作るのが望ましい
が、ポリカーボネート樹脂は複屈折が大きいとい
う欠点がある。
ミクロンオーダーの情報スポツトを記録再生する
光学式高密度情報記録媒体においては、透明基板
の複屈折が問題となる。特に、光磁気記録のよう
に0.1〜0.3度といつた微小な偏光面の変化を読取
る記録媒体においては複屈折の値が大きいとCN
比が低下し、実用にはならない。上記透明基板は
コスト面および耐吸水変化性等の特性面からポリ
カーボネートを射出成形して作るのが望ましい
が、ポリカーボネート樹脂は複屈折が大きいとい
う欠点がある。
本出願人は特願昭59−12565号（特開昭60−
155424号）において、成形条件の改良によつてポ
リカーボネートの射出成形基板の複屈折を大巾に
低下させる方法を開示したが、その後の研究の結
果、プラスチツク基板には従来考えられていた基
板の偏平表面と平行な方向の複屈折だけでなく、
偏平表面と直角な方向の複屈折が存在し、しかも
後者の複屈折の方が光学特性、従つてCN比によ
り重大な影響を与えることを発見し、本発明を完
成した。すなわち、従来の複屈折測定法では直線
偏光を基板表面に垂直に入射させていたため基板
表面と直角な方向の複屈折は観察されなかつた。
しかし、上記直線偏光を基板表面に対して例えば
30°傾けて入射させると、透過光はクロスニコル
下においてもれ光を生じる。この現象は基板表面
に平行な複屈折だけが存在すると仮定しては説明
が付かず、基板と直角な方向の複屈折が存在する
と仮定すると説明が付く。さらに詳細に検討する
と、ポリカーボネート製基板は基板表面に直角な
方向の屈折率nzと、基板表面に平行な方向の屈折
率nx，nyを有する光学的異方性を持つており、一
般に｜nx−ny｜≒０である。しかし、｜nz−nx｜
および｜nz−ny｜はゼロではなく、かなり大きな
値、値えば0.0005〜0.0006となり、光デイスクの
厚さ1.2mmを用いると、光デイスクでは600〜
780nmのリターデーシヨンが断面方向に存在する
ことになる。
155424号）において、成形条件の改良によつてポ
リカーボネートの射出成形基板の複屈折を大巾に
低下させる方法を開示したが、その後の研究の結
果、プラスチツク基板には従来考えられていた基
板の偏平表面と平行な方向の複屈折だけでなく、
偏平表面と直角な方向の複屈折が存在し、しかも
後者の複屈折の方が光学特性、従つてCN比によ
り重大な影響を与えることを発見し、本発明を完
成した。すなわち、従来の複屈折測定法では直線
偏光を基板表面に垂直に入射させていたため基板
表面と直角な方向の複屈折は観察されなかつた。
しかし、上記直線偏光を基板表面に対して例えば
30°傾けて入射させると、透過光はクロスニコル
下においてもれ光を生じる。この現象は基板表面
に平行な複屈折だけが存在すると仮定しては説明
が付かず、基板と直角な方向の複屈折が存在する
と仮定すると説明が付く。さらに詳細に検討する
と、ポリカーボネート製基板は基板表面に直角な
方向の屈折率nzと、基板表面に平行な方向の屈折
率nx，nyを有する光学的異方性を持つており、一
般に｜nx−ny｜≒０である。しかし、｜nz−nx｜
および｜nz−ny｜はゼロではなく、かなり大きな
値、値えば0.0005〜0.0006となり、光デイスクの
厚さ1.2mmを用いると、光デイスクでは600〜
780nmのリターデーシヨンが断面方向に存在する
ことになる。
ポリカーボネート製基板がこのような二軸性結
晶と同じような光学的異方性を持つ理由は現在の
ところ不明であるが、成形キヤビテイー中での樹
脂分子の配向が重大な影響を与えていることは事
実である。すなわち、第１図に示す成形キヤビテ
イー中での溶融樹脂の挙動モデルにおいて、溶融
樹脂３には金型表面１，２からの半径方向内向き
の剪断応力と、射出圧力による半径方向外向きの
力とが加わつている。従つて、溶融樹脂には成形
キヤビテイーの厚さ方向に於て半径方向内向きに
配向させる力と、厚さ方向に配向させる力と、半
径方向内向きに配向させる力とが同時に加わつて
いる。第１図ではこれらの力の加わる領域をそれ
ぞれＡ，Ｂ，Ａで示してある。前記の３つの主屈
折率nx，nz，nyがこれらのどの領域によつて影響
させるかは不明であるが、基板の厚さ方向に配向
方向の異なる３つの領域が存在すると考えられ
る。
晶と同じような光学的異方性を持つ理由は現在の
ところ不明であるが、成形キヤビテイー中での樹
脂分子の配向が重大な影響を与えていることは事
実である。すなわち、第１図に示す成形キヤビテ
イー中での溶融樹脂の挙動モデルにおいて、溶融
樹脂３には金型表面１，２からの半径方向内向き
の剪断応力と、射出圧力による半径方向外向きの
力とが加わつている。従つて、溶融樹脂には成形
キヤビテイーの厚さ方向に於て半径方向内向きに
配向させる力と、厚さ方向に配向させる力と、半
径方向内向きに配向させる力とが同時に加わつて
いる。第１図ではこれらの力の加わる領域をそれ
ぞれＡ，Ｂ，Ａで示してある。前記の３つの主屈
折率nx，nz，nyがこれらのどの領域によつて影響
させるかは不明であるが、基板の厚さ方向に配向
方向の異なる３つの領域が存在すると考えられ
る。
本発明者達はポリカーボネート樹脂基板を用い
た場合のCN比の低下の原因の一つである高複屈
折率を下げるためには上記Ｂの領域における配向
を制御する必要があるであろうとの仮説に基づき
種々実験を行なつた結果、本発明を完成した。従
来の複屈折測定法、すなわち基板表面に直角に直
線偏光を入射させる方法では上記の基板表面に直
角方向の屈折率nzの影響は測定できず、従つて本
発明の対象とする特定な複屈折値を有するデイス
ク基板は本出願前存在しない。
た場合のCN比の低下の原因の一つである高複屈
折率を下げるためには上記Ｂの領域における配向
を制御する必要があるであろうとの仮説に基づき
種々実験を行なつた結果、本発明を完成した。従
来の複屈折測定法、すなわち基板表面に直角に直
線偏光を入射させる方法では上記の基板表面に直
角方向の屈折率nzの影響は測定できず、従つて本
発明の対象とする特定な複屈折値を有するデイス
ク基板は本出願前存在しない。
（発明の目的）
従つて、本発明の目的は光学式高密度情報記録
方式に用いられる光デイスク基板を提供すること
にあり、特に、射出成形によつて成形されるポリ
カーボネート樹脂基板の製造方法とを提供するこ
とにある。
方式に用いられる光デイスク基板を提供すること
にあり、特に、射出成形によつて成形されるポリ
カーボネート樹脂基板の製造方法とを提供するこ
とにある。
（発明の構成）
本発明により提供される成形法の第１の特徴は
偏平な透明プラスチツク基板を介してレーザービ
ームを入射させて情報を記録および／または再生
する光学式高密度情報記録再生方式に用いられる
透明プラスチツク基板の射出成形法において、上
記プラスチツク基板を成形するための一対の割型
によつて形成される成形キヤビテイーの軸方向間
隔寸法を射出開始時点から保圧工程までの間の時
間の少なくとも一部において、小から大に増加さ
せる点にある。
偏平な透明プラスチツク基板を介してレーザービ
ームを入射させて情報を記録および／または再生
する光学式高密度情報記録再生方式に用いられる
透明プラスチツク基板の射出成形法において、上
記プラスチツク基板を成形するための一対の割型
によつて形成される成形キヤビテイーの軸方向間
隔寸法を射出開始時点から保圧工程までの間の時
間の少なくとも一部において、小から大に増加さ
せる点にある。
上記の光学式高密度情報記録再生方式自体は周
知のものであり、レーザービームを１ミクロン程
度に絞つて情報を記録および再生するもので、一
般にはデイスク形状の記録媒体を用いる。上記情
報は本発明による透明プラスチツク基板の一方の
面にプレピツトの形で基板の成形時に記録される
か、トラツク溝やプレフオーマツトピツトを有す
る、または有しないプラスチツク基板の表面上に
Te系等のDRAW膜、Tb Fe Co系等のＥ−
DRAW膜を付着させて、使用時にユーザーが書
き込む。この場合、レーザービームは上記透明プ
ラスチツク基板を介して入射される（いわゆる背
面読取り方式）。本発明はこの背面読取り方式の
みならず、いわゆる表面読取り方式にも適用でき
る。その場合には上記情報は適当な支持体に担持
され、レーザービームはこの情報の上方に配置さ
れた本発明による透明プラスチツク基板を介して
入射される。いずれの方式の場合でも透明プラス
チツク基板の複屈折はできるだけおさえなければ
ならない。
知のものであり、レーザービームを１ミクロン程
度に絞つて情報を記録および再生するもので、一
般にはデイスク形状の記録媒体を用いる。上記情
報は本発明による透明プラスチツク基板の一方の
面にプレピツトの形で基板の成形時に記録される
か、トラツク溝やプレフオーマツトピツトを有す
る、または有しないプラスチツク基板の表面上に
Te系等のDRAW膜、Tb Fe Co系等のＥ−
DRAW膜を付着させて、使用時にユーザーが書
き込む。この場合、レーザービームは上記透明プ
ラスチツク基板を介して入射される（いわゆる背
面読取り方式）。本発明はこの背面読取り方式の
みならず、いわゆる表面読取り方式にも適用でき
る。その場合には上記情報は適当な支持体に担持
され、レーザービームはこの情報の上方に配置さ
れた本発明による透明プラスチツク基板を介して
入射される。いずれの方式の場合でも透明プラス
チツク基板の複屈折はできるだけおさえなければ
ならない。
本発明ではプラスチツク基板の表面に直角な方
向の屈折率nzを考える。第２図に示すように透明
プラスチツク基板５は基板の偏平表面６，７と平
行で且つ互いに直交する屈折率nx，nyと、偏平表
面６，７と直角な方向の屈折率nzを持つものと仮
定する。従来の複屈折測定法では観察用の直線偏
光を偏平表面６，７に直角に入射させていたた
め、上記のnzに起因する複屈折は観測できなかつ
た。本発明者は直線偏光８を偏平表面６に対して
傾けて、例えば入射角θ＝30°にして入射させる
ことによつて上記のnzを観測した。この複屈折測
定法は基板への入射角度を0°から30°にした以外
は従来のものと同じであるので、その詳細は省略
する。要は入射角30°で基板に入射させた直線偏
光のクロスニコル下での透過光強度を測定すれば
よい。
向の屈折率nzを考える。第２図に示すように透明
プラスチツク基板５は基板の偏平表面６，７と平
行で且つ互いに直交する屈折率nx，nyと、偏平表
面６，７と直角な方向の屈折率nzを持つものと仮
定する。従来の複屈折測定法では観察用の直線偏
光を偏平表面６，７に直角に入射させていたた
め、上記のnzに起因する複屈折は観測できなかつ
た。本発明者は直線偏光８を偏平表面６に対して
傾けて、例えば入射角θ＝30°にして入射させる
ことによつて上記のnzを観測した。この複屈折測
定法は基板への入射角度を0°から30°にした以外
は従来のものと同じであるので、その詳細は省略
する。要は入射角30°で基板に入射させた直線偏
光のクロスニコル下での透過光強度を測定すれば
よい。
本発明者達の実験によると、一般にnxとnyは等
しい。しかし｜nz−nx｜および｜nz−ny｜の値は
従来考えられている複屈折よりもはるかに大き
く、従来法で射出成形した基板ではこれらの値は
0.0005以上であり、この基板に光磁気記録膜を形
成して作つた光磁気デイスクのCN比は48dB程度
である。
しい。しかし｜nz−nx｜および｜nz−ny｜の値は
従来考えられている複屈折よりもはるかに大き
く、従来法で射出成形した基板ではこれらの値は
0.0005以上であり、この基板に光磁気記録膜を形
成して作つた光磁気デイスクのCN比は48dB程度
である。
一方、本発明によつて上記｜nz−nx｜および｜
nz−ny｜の値を0.0004以下に低下させた基板上に
上記と同じ光磁気記録膜を形成して作つた光磁気
デイスクのCN比は50dBに向上する。このように
CN比が向上する理由はθkの増加と、ノイズレベ
ルの低下にあるものと考えられる。
nz−ny｜の値を0.0004以下に低下させた基板上に
上記と同じ光磁気記録膜を形成して作つた光磁気
デイスクのCN比は50dBに向上する。このように
CN比が向上する理由はθkの増加と、ノイズレベ
ルの低下にあるものと考えられる。
上記樹脂としては屈折率異方性を示す樹脂の全
てが本発明方法に適用できる。他の特性とのかね
合いで、ポリカーボネート樹脂に本発明は特に有
効に適用できる。上記成形キヤビテイーの寸法は
成形されるデイスクによつて異るが、直径は約３
cmから約30cm、厚さは１〜２mm、一般には1.2mm
である。成形機は成形されるデイスク寸法に応じ
て適応選択され、成形条件も以下で述べる本発明
の特殊操作以外は通常のデイスク成形で用いられ
ているものと同じである。ポリカーボネート樹脂
の場合、射出シリンダー温度は一般に300〜400
℃、金型温度は約100℃、樹脂のキヤビテイー中
への流入速度は10〜500ml／秒であり、これらは
当然ながらデイスク寸法によつて異なり、他の種
類で別の条件が選択される。ポリカーボネート樹
脂を用いた光デイスク基板の射出条件については
本出願人による前記特開昭60−155424号を参照さ
れたい。
てが本発明方法に適用できる。他の特性とのかね
合いで、ポリカーボネート樹脂に本発明は特に有
効に適用できる。上記成形キヤビテイーの寸法は
成形されるデイスクによつて異るが、直径は約３
cmから約30cm、厚さは１〜２mm、一般には1.2mm
である。成形機は成形されるデイスク寸法に応じ
て適応選択され、成形条件も以下で述べる本発明
の特殊操作以外は通常のデイスク成形で用いられ
ているものと同じである。ポリカーボネート樹脂
の場合、射出シリンダー温度は一般に300〜400
℃、金型温度は約100℃、樹脂のキヤビテイー中
への流入速度は10〜500ml／秒であり、これらは
当然ながらデイスク寸法によつて異なり、他の種
類で別の条件が選択される。ポリカーボネート樹
脂を用いた光デイスク基板の射出条件については
本出願人による前記特開昭60−155424号を参照さ
れたい。
本発明の特徴である射出工程から保圧工程まで
に於いて成形キヤビテイーの軸方向間隔寸法を増
加させることは、一般に一対の割型の一方を他方
に対して相対的に離反させることによつて行うこ
とができる。その目的は第１図に示す表面に直角
な方向の樹脂の配向を緩和あるいは分散させるこ
とにある。上記の軸方向間隔寸法の増加は射出工
程開始時点から保圧工程の少なくとも一部に於い
て行なうことは重要である。実際には0.3〜２秒
間の射出構成によつて溶融樹脂が成形キヤビテイ
ー中に充填完了るまでの間に行なえばよい。一般
的には転写性の問題を考慮して適当なタイミング
で行なうが、キヤビテイー中に充填された溶融樹
脂の表面が金型温度によつて固化を開始し、且つ
内部にまで冷却温度が伝達される前に行なう。換
言すれば第１図のＢの領域が末固化の段階に行な
う。本発明による成形キヤビテイーの軸方向間隔
寸法の上記増加により、第１図のＢ領域は実質的
に小さくなる。すなわち、金型表面からの冷却作
用によつて形成されるＡ領域の割合が相対的に増
加する。これによつて上記透明プラスチツク基板
の偏平表面と直角な方向の屈折率Nzと上記偏平
表面に平行な方向の屈折率nxおよびnyとの差の絶
対値：｜nz−nx｜および｜nz−ny｜を４×10-4以
下にすることができる。
に於いて成形キヤビテイーの軸方向間隔寸法を増
加させることは、一般に一対の割型の一方を他方
に対して相対的に離反させることによつて行うこ
とができる。その目的は第１図に示す表面に直角
な方向の樹脂の配向を緩和あるいは分散させるこ
とにある。上記の軸方向間隔寸法の増加は射出工
程開始時点から保圧工程の少なくとも一部に於い
て行なうことは重要である。実際には0.3〜２秒
間の射出構成によつて溶融樹脂が成形キヤビテイ
ー中に充填完了るまでの間に行なえばよい。一般
的には転写性の問題を考慮して適当なタイミング
で行なうが、キヤビテイー中に充填された溶融樹
脂の表面が金型温度によつて固化を開始し、且つ
内部にまで冷却温度が伝達される前に行なう。換
言すれば第１図のＢの領域が末固化の段階に行な
う。本発明による成形キヤビテイーの軸方向間隔
寸法の上記増加により、第１図のＢ領域は実質的
に小さくなる。すなわち、金型表面からの冷却作
用によつて形成されるＡ領域の割合が相対的に増
加する。これによつて上記透明プラスチツク基板
の偏平表面と直角な方向の屈折率Nzと上記偏平
表面に平行な方向の屈折率nxおよびnyとの差の絶
対値：｜nz−nx｜および｜nz−ny｜を４×10-4以
下にすることができる。
上記軸方向間隔寸法の増加量は被成形品の種
類、寸法、特に外形寸法と厚さ、射出速度等によ
つて異る。例えば、厚さが１〜２mmの光デイスク
の場合には射出開始時点における上記軸方向間隔
寸法は所望最終成形品の軸方向所望寸法の9/10以
下且つ1/10以上であるのが好ましい。この初期間
隔寸法が1/10以下では樹脂に過度の剪断力が加わ
り好ましくなく、9/10以上では効果がない。光デ
イスク基板の場合には最終成形品デイスクの厚さ
は1.2mmであるので、上記初期間隔寸法は0.12〜
1.08mmにするのが好ましい。また、上記間隔寸法
の増加時の最終値は必ずしも最終成形品の所望寸
法と同じである必要はない。一般には、転写性を
向上するために、上記増加時には軸方向間隔寸法
を上記所望寸法よりもわずかに大きくし、その
後、再度減少させて所望寸法で型開きまで保持す
るのが好ましい。
類、寸法、特に外形寸法と厚さ、射出速度等によ
つて異る。例えば、厚さが１〜２mmの光デイスク
の場合には射出開始時点における上記軸方向間隔
寸法は所望最終成形品の軸方向所望寸法の9/10以
下且つ1/10以上であるのが好ましい。この初期間
隔寸法が1/10以下では樹脂に過度の剪断力が加わ
り好ましくなく、9/10以上では効果がない。光デ
イスク基板の場合には最終成形品デイスクの厚さ
は1.2mmであるので、上記初期間隔寸法は0.12〜
1.08mmにするのが好ましい。また、上記間隔寸法
の増加時の最終値は必ずしも最終成形品の所望寸
法と同じである必要はない。一般には、転写性を
向上するために、上記増加時には軸方向間隔寸法
を上記所望寸法よりもわずかに大きくし、その
後、再度減少させて所望寸法で型開きまで保持す
るのが好ましい。
本発明方法を実施するためには成形キヤビテイ
ーの軸方向間隔寸法が変化でき且つキヤビテイー
の密閉が可能である金型組立体を用いる必要があ
る。一般の光デイスク成形用金型では、割型を閉
じた際に形成される成形キヤビテイーの寸法が最
終成形品のデイスクの所望寸法に等しくなつてい
るので、本発明には使えない。本発明方法を実施
する金型組立体は成形キヤビテイーの軸方法寸法
すなわち厚さ方向寸法が最終成形品のプラスチツ
ク基板の所望最終寸法以下まで縮小可能なもので
なければならない。それと同時に成形キヤビテイ
ーの外周部を十分にシールして、バリが生じない
ような金型組立体である必要がある。
ーの軸方向間隔寸法が変化でき且つキヤビテイー
の密閉が可能である金型組立体を用いる必要があ
る。一般の光デイスク成形用金型では、割型を閉
じた際に形成される成形キヤビテイーの寸法が最
終成形品のデイスクの所望寸法に等しくなつてい
るので、本発明には使えない。本発明方法を実施
する金型組立体は成形キヤビテイーの軸方法寸法
すなわち厚さ方向寸法が最終成形品のプラスチツ
ク基板の所望最終寸法以下まで縮小可能なもので
なければならない。それと同時に成形キヤビテイ
ーの外周部を十分にシールして、バリが生じない
ような金型組立体である必要がある。
上記の要求を満す金型組立体の原型は本出願人
が昭和60年11月１日に「光デイスクの射出成形用
金型」という名称で出願した特願昭60−245678号
明細書（特開昭62−105616号）に記載されてい
る。この出願ではバリの発生をおさえるためにキ
ヤビテイー外周に軸方向摺動部材を設けている。
本発明では、これを応用したものが使える。すな
わち一対の割型が完全に閉じられた時に形成され
る成形キヤビテイーの軸方向間隔寸法を最終成形
品のプラスチツク基板の軸方向所望寸法よりも小
さくし、且つキヤビテイー外周に摺動部材を設け
た金型組立体を用いて本発明方法が実施できる。
上記の割型を完全に閉じた時の軸方向間隔寸法は
前述のように最終成形品の軸方向所望寸法の1/10
〜9/10にする。
が昭和60年11月１日に「光デイスクの射出成形用
金型」という名称で出願した特願昭60−245678号
明細書（特開昭62−105616号）に記載されてい
る。この出願ではバリの発生をおさえるためにキ
ヤビテイー外周に軸方向摺動部材を設けている。
本発明では、これを応用したものが使える。すな
わち一対の割型が完全に閉じられた時に形成され
る成形キヤビテイーの軸方向間隔寸法を最終成形
品のプラスチツク基板の軸方向所望寸法よりも小
さくし、且つキヤビテイー外周に摺動部材を設け
た金型組立体を用いて本発明方法が実施できる。
上記の割型を完全に閉じた時の軸方向間隔寸法は
前述のように最終成形品の軸方向所望寸法の1/10
〜9/10にする。
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第３図は本発明方法を光デイスクの成形法にお
いて実施するための金型組立体の概念的断面図で
あり、この金型組立体は一対の割型、すなわち移
動側割型１と固定側割型２を有し、両割型はタイ
バー３によつて軸方向のみに互いに接近、離反す
る。移動側割型１は図示していない油圧シリンダ
ー等によつて駆動される。両割型１，２によつて
形成される成形キヤビテイー４の偏平表面上には
スタンパー５がスタンパーホルダー７，８によつ
て保持されている。スタンパー５は両割型の一方
あるいは両方に取付けることができる。溶融樹脂
はノズルタツチ部９を介して図示していない射出
シリンダーから上記成形キヤビテイー中に射出さ
れ、両割型１，２とセンターポンチ１０との相対
移動によつて成形品の中心に孔が明けられる。
いて実施するための金型組立体の概念的断面図で
あり、この金型組立体は一対の割型、すなわち移
動側割型１と固定側割型２を有し、両割型はタイ
バー３によつて軸方向のみに互いに接近、離反す
る。移動側割型１は図示していない油圧シリンダ
ー等によつて駆動される。両割型１，２によつて
形成される成形キヤビテイー４の偏平表面上には
スタンパー５がスタンパーホルダー７，８によつ
て保持されている。スタンパー５は両割型の一方
あるいは両方に取付けることができる。溶融樹脂
はノズルタツチ部９を介して図示していない射出
シリンダーから上記成形キヤビテイー中に射出さ
れ、両割型１，２とセンターポンチ１０との相対
移動によつて成形品の中心に孔が明けられる。
本発明方法の特徴である成形キヤビテイーの軸
方向増加を行うために、第３図の実施例では２つ
の軸方向摺動部材２０，３０が設けられている。
これらの摺動部材２０，３０は一方の割型、図で
は固定側割型２に形成された各チヤンバー３１，
３２中を軸方向に摺動するピストンと一体化され
たリングによつて構成されており、各々流路２
２，３２を介して供給される流体圧によつて軸方
向に移動する。
方向増加を行うために、第３図の実施例では２つ
の軸方向摺動部材２０，３０が設けられている。
これらの摺動部材２０，３０は一方の割型、図で
は固定側割型２に形成された各チヤンバー３１，
３２中を軸方向に摺動するピストンと一体化され
たリングによつて構成されており、各々流路２
２，３２を介して供給される流体圧によつて軸方
向に移動する。
本発明方法では両割型１，２を完全に閉じた
際、すなわち射出工程開始時における成形キヤビ
テイー４の軸方向間隔寸法t0が最終成形品である
光デイスクの軸方向所望寸法すなわち厚さt1より
も小さくなつている。
際、すなわち射出工程開始時における成形キヤビ
テイー４の軸方向間隔寸法t0が最終成形品である
光デイスクの軸方向所望寸法すなわち厚さt1より
も小さくなつている。
操作時には、射出工程開始時に規定した上記寸
法t0を射出工程中あるいは保圧工程の初期に連続
的あるいは段階的に増大させて最終所望寸法t1ま
で増加させる。場合によつては転写性を向上させ
るために一たんt1より大きいt2まで軸方向寸法を
増加させた後に最終的にt1まで再度減少させる。
一般に、射出工程は0.5〜２秒程度で行われるの
で、上記の軸方向間隔寸法変化は型締め機構（図
示せず）と上記軸方向摺動部材３０とに供給する
液圧をコンピユーターによつて制御する。
法t0を射出工程中あるいは保圧工程の初期に連続
的あるいは段階的に増大させて最終所望寸法t1ま
で増加させる。場合によつては転写性を向上させ
るために一たんt1より大きいt2まで軸方向寸法を
増加させた後に最終的にt1まで再度減少させる。
一般に、射出工程は0.5〜２秒程度で行われるの
で、上記の軸方向間隔寸法変化は型締め機構（図
示せず）と上記軸方向摺動部材３０とに供給する
液圧をコンピユーターによつて制御する。
上記軸方向摺動部材２０は本出願人による前記
特願昭60−245678号明細書に記載のように、射出
工程時に成形キヤビテイー４の軸方向寸法の増加
により生じるおそれのあるバリの発生を防止する
ために、移動側割型１の移動に追随してその先端
が常にスタンパー表面と接触するようにチヤンバ
ー２１に供給される油圧によつて軸方向に付勢さ
れる。
特願昭60−245678号明細書に記載のように、射出
工程時に成形キヤビテイー４の軸方向寸法の増加
により生じるおそれのあるバリの発生を防止する
ために、移動側割型１の移動に追随してその先端
が常にスタンパー表面と接触するようにチヤンバ
ー２１に供給される油圧によつて軸方向に付勢さ
れる。
一方、外側の軸方向摺動部材３０は前記軸方向
間隔寸法を正確に制御するための補助シリンダー
の役目をする。すなわち、この補助シリンダー
は、移動側割型１が型締用シリンダーの消勢によ
つて固定側割型２から離反をする際、すなわち、
本発明による成形キヤビテイーの軸方向間隔寸法
の増大時に、流路３２を介して供給される液圧に
よつて突き出されて移動側割型１を押圧する。
間隔寸法を正確に制御するための補助シリンダー
の役目をする。すなわち、この補助シリンダー
は、移動側割型１が型締用シリンダーの消勢によ
つて固定側割型２から離反をする際、すなわち、
本発明による成形キヤビテイーの軸方向間隔寸法
の増大時に、流路３２を介して供給される液圧に
よつて突き出されて移動側割型１を押圧する。
上記補助シリンダー３０は単なる例示であつ
て、両割型１，２の間隔を正確に制御できる他の
手段、例えば、一方の割型に回転駆動装置と連結
したネジ棒を取付き、他方の割型にそれと螺合す
るナツト部材を取付けて、上記ネジ棒の回転を制
御して両割型の間隔寸法を調整することもでき
る。さらに、上記軸方向摺動部材３０は割型の外
側端面に取付けることもできる。
て、両割型１，２の間隔を正確に制御できる他の
手段、例えば、一方の割型に回転駆動装置と連結
したネジ棒を取付き、他方の割型にそれと螺合す
るナツト部材を取付けて、上記ネジ棒の回転を制
御して両割型の間隔寸法を調整することもでき
る。さらに、上記軸方向摺動部材３０は割型の外
側端面に取付けることもできる。
第１図は成形キヤビテイー中での溶融樹脂の挙
動を示すモデルの概念図。第２図は屈折率nz，
nx，nyを説明するための図。第３図は本発明方法
を実施するための金型組立体の概念的断面図。 図中符号、１，２……割型、４……成形キヤビ
テイー、２０，３０……軸方向摺動部材。
動を示すモデルの概念図。第２図は屈折率nz，
nx，nyを説明するための図。第３図は本発明方法
を実施するための金型組立体の概念的断面図。 図中符号、１，２……割型、４……成形キヤビ
テイー、２０，３０……軸方向摺動部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光デイスク用基板を成形をするための一対の
割型によつて形成される成形キヤビテイー中に溶
融樹脂を射出して成形される透明な偏平円盤状の
光デイスク用基板の射出成形方法であつて、射出
開始時点から保圧工程までの間の少なくとも一部
の時間において、一方の割型を他方の割型から離
反させることによつて成形キヤビテイーの軸線方
向間隙寸法を小から大に増加させ、その後、所望
寸法まで軸線方向間隙寸法を再度減少させる操作
を含む方法において、 成形キヤビテイーの外周近傍に軸線方向に摺動
可能な２つの摺動部材２０，３０が設け、これら
の摺動部材２０，３０を独立して駆動することに
よつて上記操作を行うことを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8018986A JPS62275722A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光デイスク成形法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8018986A JPS62275722A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光デイスク成形法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62275722A JPS62275722A (ja) | 1987-11-30 |
| JPH0579010B2 true JPH0579010B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=13711427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8018986A Granted JPS62275722A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光デイスク成形法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62275722A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2642158B2 (ja) * | 1988-08-16 | 1997-08-20 | 住友重機械工業株式会社 | 光ディスク基板成形用金型 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60196322A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | Meiki Co Ltd | ディスク基盤用成形型及びそれを用いたディスク基盤の射出成形法 |
| JPH0694142B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1994-11-24 | 松下電器産業株式会社 | レプリカ板の製造方法 |
| JPS62222822A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 射出・圧縮成形機 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8018986A patent/JPS62275722A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62275722A (ja) | 1987-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62204451A (ja) | 光デイスク用プラスチツク基板とその製法 | |
| JPS63135211A (ja) | デイスクの射出成形方法 | |
| JPH078514B2 (ja) | 光ディスク用プラスチック基板の射出成形法 | |
| US5705105A (en) | Process for making optical disk substrates | |
| JPH04105231A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPH0579010B2 (ja) | ||
| JPH0579011B2 (ja) | ||
| JP2001246643A (ja) | 記録媒体、射出成形金型及び射出成形機、並びに、成形方法 | |
| JPH0579008B2 (ja) | ||
| JPH0579009B2 (ja) | ||
| JPH0564570B2 (ja) | ||
| KR100309696B1 (ko) | 광디스크와이의성형장치및성형방법 | |
| JP2552016B2 (ja) | 光磁気ディスク及びその製造方法 | |
| JP3072736B2 (ja) | 光ディスク基板成形装置 | |
| JPS63225941A (ja) | 光学式デイスク用基盤成形方法 | |
| JPH11306594A (ja) | ディスク状記録媒体及びその記録及び／又は再生装置 | |
| JPH07121544B2 (ja) | 光デイスク基板の製造法 | |
| JPH03119534A (ja) | 情報記録担体とその製造方法及びその成形金型 | |
| JPS63148445A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH07182700A (ja) | 光ディスク基板の射出成形装置 | |
| JP2000182283A (ja) | 光ディスク用基板の製造方法 | |
| JPH087887B2 (ja) | 平板状情報記録担体 | |
| JP2002127193A (ja) | 光ディスク基板成形金型および光ディスク基板の成形方法 | |
| JPH11259924A (ja) | 光磁気ディスク及びその製造方法 | |
| JPH07192321A (ja) | 光ディスク用プラスチック基板の製造方法 |